JPH01138761A - 微細電極の形成法 - Google Patents
微細電極の形成法Info
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- JPH01138761A JPH01138761A JP29600487A JP29600487A JPH01138761A JP H01138761 A JPH01138761 A JP H01138761A JP 29600487 A JP29600487 A JP 29600487A JP 29600487 A JP29600487 A JP 29600487A JP H01138761 A JPH01138761 A JP H01138761A
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- resist
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は微細電（への形成法に関し、特に抵抗の低減化
されたＦ字型微細電極の形成法に関する。
されたＦ字型微細電極の形成法に関する。
［従来の技術］
従来、微細電極の抵抗を下げる電極の形成方法トシテ、
持分Ｕ３１−７７３７０ｑ公報ｒパターン形成Ｘ］に記
載の方法が知られている。前記公報記載の形成法を第２
図（ａ）〜（Ｃ）に示す。即ら、まず第２図（ａ）に示
すように低感度のポジ型レジスト２１を基板２０上に塗
布し、ついで高感度のポジ型レジスト２２を上記低感度
ポジ型レジスト２１土に塗布し、電子線２３により露光
する。次いで現像して、マツシュルーム型（丁型）のレ
ジストパターンを１７だ後、第２図（ｂ）に示すように
金属２４を蒸着し、有機洗浄によりレジス１〜２１．２
２およびレジス１〜２２上の蒸着金属２４を除去するこ
とによって、第２図（Ｃ）に示すようにマツシュルーム
型（丁型）の電極２５が形成され、電極抵抗の低減化が
図られている。
持分Ｕ３１−７７３７０ｑ公報ｒパターン形成Ｘ］に記
載の方法が知られている。前記公報記載の形成法を第２
図（ａ）〜（Ｃ）に示す。即ら、まず第２図（ａ）に示
すように低感度のポジ型レジスト２１を基板２０上に塗
布し、ついで高感度のポジ型レジスト２２を上記低感度
ポジ型レジスト２１土に塗布し、電子線２３により露光
する。次いで現像して、マツシュルーム型（丁型）のレ
ジストパターンを１７だ後、第２図（ｂ）に示すように
金属２４を蒸着し、有機洗浄によりレジス１〜２１．２
２およびレジス１〜２２上の蒸着金属２４を除去するこ
とによって、第２図（Ｃ）に示すようにマツシュルーム
型（丁型）の電極２５が形成され、電極抵抗の低減化が
図られている。
［発明が解決しようとする問題点１
以上述べた形・成仏は、電４※の抵抗が小さくできる点
で従来の単層レジストによって形成された電極に比べて
改善されているものの、高感度レジメ１へを用いている
ため、両側への電極の張出しが生じ、オフセットをかけ
るのが困１′ｉ：″あった。
で従来の単層レジストによって形成された電極に比べて
改善されているものの、高感度レジメ１へを用いている
ため、両側への電極の張出しが生じ、オフセットをかけ
るのが困１′ｉ：″あった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、オフセットをかけやすく、かつ抵抗の低減化された電
極の形成法を提供覆ることにおる。
、オフセットをかけやすく、かつ抵抗の低減化された電
極の形成法を提供覆ることにおる。
［問題点を解決覆るための手段１
本発明は、半導体基板上にネガ型しジメ１〜による所定
のパターンを形成する工程と、前記パターン形成面上に
ポジ型レジスト層を形成する工程と、首記ネガ型レジメ
１〜端部を含むネガ型レジスト面および基板面が共に露
光１１るように前記ポジをレジス１〜を露光・現像して
所定のパターンを形成づる工程と、前記パターン形成面
上に方向性を有して金属を蒸着する工程と、前記各レジ
ストおよびポジ型レジスト上の金属を除去して断面［−
字型の金属パターンを形成する工程とを備えてなること
を特徴とする微細電極の形成法でおる。
のパターンを形成する工程と、前記パターン形成面上に
ポジ型レジスト層を形成する工程と、首記ネガ型レジメ
１〜端部を含むネガ型レジスト面および基板面が共に露
光１１るように前記ポジをレジス１〜を露光・現像して
所定のパターンを形成づる工程と、前記パターン形成面
上に方向性を有して金属を蒸着する工程と、前記各レジ
ストおよびポジ型レジスト上の金属を除去して断面［−
字型の金属パターンを形成する工程とを備えてなること
を特徴とする微細電極の形成法でおる。
［作用１
本発明においては、ネガ型レジストによるパターン而お
よび半導体基板面が共に露ソするように単層のポジ型レ
ジストの露光が行われるので、金属を蒸着することによ
りネガ型レジストの存在する方向に張出しが生じ、「型
の低抵抗電極が形成できる。一方、ネガ型レジストの存
在しない方向には、電極の張出しが存在しないので、こ
の方向へのオフセットがかけやすくなる。また、ポジ型
レジストを露光できるパターンの幅が小さくできなくて
も、基板と接する部分での電極幅を小さくすることがで
きる。
よび半導体基板面が共に露ソするように単層のポジ型レ
ジストの露光が行われるので、金属を蒸着することによ
りネガ型レジストの存在する方向に張出しが生じ、「型
の低抵抗電極が形成できる。一方、ネガ型レジストの存
在しない方向には、電極の張出しが存在しないので、こ
の方向へのオフセットがかけやすくなる。また、ポジ型
レジストを露光できるパターンの幅が小さくできなくて
も、基板と接する部分での電極幅を小さくすることがで
きる。
［実施例］
次に、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明による工程の一例を承り
概略断面図である。まず、第１図（ａ）に示すように基
板上にネガ型レジスト１１（例えば、東し社製、α−Ｃ
ＭＳ （Ｒ））を塗布した後、露光・現像を行って所定
のレジストパターンを形成する。
概略断面図である。まず、第１図（ａ）に示すように基
板上にネガ型レジスト１１（例えば、東し社製、α−Ｃ
ＭＳ （Ｒ））を塗布した後、露光・現像を行って所定
のレジストパターンを形成する。
次いで第１図（ｂ）に示すように上記ネガ型レジスト１
１を覆うようにポジ型しジスｌ−１２（例えばシラプレ
ー社製、ＭＰ−２４１５）を塗イｈする。その後、第１
図（Ｃ）に示すように、ネガ型レジスト１１の端部を含
むように、ポジ型レジスト１２を露光し、現Ｓすること
によって、［型のレジス１へパターンを得ることができ
る。次いで第１図（（１）に示１ように、方向ｆ（を持
たせて電極となる金属１３を蒸着する。次いで第１図（
ｅ）に示すように、有機洗浄あるいはｔｍＮ （０２）
プラズマによってレジメ１−１１および１２並びにレジ
スト１１および１２上の蒸着金属１３を除去することに
よって［′型の電極１４を１ｑることができる。
１を覆うようにポジ型しジスｌ−１２（例えばシラプレ
ー社製、ＭＰ−２４１５）を塗イｈする。その後、第１
図（Ｃ）に示すように、ネガ型レジスト１１の端部を含
むように、ポジ型レジスト１２を露光し、現Ｓすること
によって、［型のレジス１へパターンを得ることができ
る。次いで第１図（（１）に示１ように、方向ｆ（を持
たせて電極となる金属１３を蒸着する。次いで第１図（
ｅ）に示すように、有機洗浄あるいはｔｍＮ （０２）
プラズマによってレジメ１−１１および１２並びにレジ
スト１１および１２上の蒸着金属１３を除去することに
よって［′型の電極１４を１ｑることができる。
［発明の効果］
以」二説明したように、本発明においては、一方におい
て電極の張出しを形成できるので低抵抗の電］〜が形成
できると共に、ネガ型しジメ上の存在しない方向には電
４４疼の張出しが存在しないので、この方向へのオフセ
ットがかけやすくなる。また、ポジ型しジス１への露光
パターンとネガ型レジストパターンの手ね合Ｕ早を制御
することで、基板と接する部分の電極の幅を調整できる
等の効果を有する。
て電極の張出しを形成できるので低抵抗の電］〜が形成
できると共に、ネガ型しジメ上の存在しない方向には電
４４疼の張出しが存在しないので、この方向へのオフセ
ットがかけやすくなる。また、ポジ型しジス１への露光
パターンとネガ型レジストパターンの手ね合Ｕ早を制御
することで、基板と接する部分の電極の幅を調整できる
等の効果を有する。
第１図は本発明による工程の一例を承り概略断面図、第
２図は従来例による電（へ形成工程の一例を示す概略断
面図である。 １０．２０・・・基板 １１・・・ネガ型レジ
スト１２・・・ポジ型しジスｌ−１３，２４・・・蒸着
金属１４．２５・・・電極 ２１・・・低感度ポジ型レジスト ２２・・・高感度ポジ型レジスト ２３・・・電子線
２図は従来例による電（へ形成工程の一例を示す概略断
面図である。 １０．２０・・・基板 １１・・・ネガ型レジ
スト１２・・・ポジ型しジスｌ−１３，２４・・・蒸着
金属１４．２５・・・電極 ２１・・・低感度ポジ型レジスト ２２・・・高感度ポジ型レジスト ２３・・・電子線
Claims (1)
- （１）半導体基板上にネガ型レジストによる所定のパタ
ーンを形成する工程と、前記パターン形成面上にポジ型
レジスト層を形成する工程と、前記ネガ型レジスト端部
を含むネガ型レジスト面および基板面が共に露呈するよ
うに前記ポジ型レジストを露光・現像して所定のパター
ンを形成する工程と、前記パターン形成面上に方向性を
有して金属を蒸着する工程と、前記各レジストおよびポ
ジ型レジスト上の金属を除去して断面Ｔ字型の金属パタ
ーンを形成する工程とを備えてなることを特徴とする微
細電極の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29600487A JPH01138761A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 微細電極の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29600487A JPH01138761A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 微細電極の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138761A true JPH01138761A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17827885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29600487A Pending JPH01138761A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 微細電極の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138761A (ja) |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP29600487A patent/JPH01138761A/ja active Pending
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