JPH0666349B2 - 半導体パツケ−ジの製造方法 - Google Patents
半導体パツケ−ジの製造方法Info
- Publication number
- JPH0666349B2 JPH0666349B2 JP59097209A JP9720984A JPH0666349B2 JP H0666349 B2 JPH0666349 B2 JP H0666349B2 JP 59097209 A JP59097209 A JP 59097209A JP 9720984 A JP9720984 A JP 9720984A JP H0666349 B2 JPH0666349 B2 JP H0666349B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor package
- transfer
- gold paste
- transfer sheet
- package substrate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/098—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は半導体パッケージの製造方法に関するものであ
り、その目的とするところは膜厚の均一性に優れ且つ位
置精度に優れた金膜を有する半導体パッケージを容易に
大量生産し得る方法を提供せんとするものである。
り、その目的とするところは膜厚の均一性に優れ且つ位
置精度に優れた金膜を有する半導体パッケージを容易に
大量生産し得る方法を提供せんとするものである。
半導体素子を搭載する半導体パッケージとしては、セラ
ミック製半導体パッケージ基板に凹部を設け該凹部の底
面に金膜を形成したものがある。この金膜の形成方法と
しては、 スクリーン印刷等の直接印刷によって半導体パッケー
ジ基板の凹部底面に金ペーストパターンを形成し、焼成
する方法、 滴下によって半導体パッケージ基板の凹部底面に金ペ
ーストパターンを形成し、焼成する方法、 転写印刷によって半導体パッケージ基板の凹部底面に
一つ一つ金ペーストパターンを形成し、焼成する方法
（特開昭58-57730号参照）、 等がある。
ミック製半導体パッケージ基板に凹部を設け該凹部の底
面に金膜を形成したものがある。この金膜の形成方法と
しては、 スクリーン印刷等の直接印刷によって半導体パッケー
ジ基板の凹部底面に金ペーストパターンを形成し、焼成
する方法、 滴下によって半導体パッケージ基板の凹部底面に金ペ
ーストパターンを形成し、焼成する方法、 転写印刷によって半導体パッケージ基板の凹部底面に
一つ一つ金ペーストパターンを形成し、焼成する方法
（特開昭58-57730号参照）、 等がある。
しかしながら、前記した方法はそれぞれ次のような欠点
を有するものである。即ち、 の方法では、基板の凹部底面への直接印刷が極めて困
難なものであり、また金ペーストパターンの膜厚が不均
一になり易い（凹部が深くなる程顕著である）という欠
点、 の方法では、滴下量が一定になりにくいものであるた
め、金ペーストパターンの膜厚が不均一になり易く、ま
た滴下の際、基板の凹部側面にも金ペーストが付着し易
く金ペーストパターンの位置精度が悪くなるという欠
点、 の方法では、金ペーストパターンの膜厚の均一性と位
置精度とは十分なものであるものの、基板の一つ一つに
対して転写シートを位置合わせを行い、一つ一つ加熱加
圧転写しなければならないものであるため、量産性が極
めて悪いという欠点、 等を有するものである。
を有するものである。即ち、 の方法では、基板の凹部底面への直接印刷が極めて困
難なものであり、また金ペーストパターンの膜厚が不均
一になり易い（凹部が深くなる程顕著である）という欠
点、 の方法では、滴下量が一定になりにくいものであるた
め、金ペーストパターンの膜厚が不均一になり易く、ま
た滴下の際、基板の凹部側面にも金ペーストが付着し易
く金ペーストパターンの位置精度が悪くなるという欠
点、 の方法では、金ペーストパターンの膜厚の均一性と位
置精度とは十分なものであるものの、基板の一つ一つに
対して転写シートを位置合わせを行い、一つ一つ加熱加
圧転写しなければならないものであるため、量産性が極
めて悪いという欠点、 等を有するものである。
本発明者らは、以上のような従来法の諸欠点に鑑みて種
々研究考察した結果、遂に本発明を完成するに至ったも
のである。即ち本発明は、基本シート上に複数個の金ペ
ーストパターンが点在的に形成され、その金ペースト層
の間に穿孔及び／又はハーフカットを設けた転写シート
を、転写用治具に固定された複数個の半導体パッケージ
基板の各々に形成された凹部と前記転写シートの各金ペ
ーストパターンとが相対するように載置し、次に半導体
パッケージ基板の凹部底面の形状に対応した耐熱性の弾
性突起物を有する転写用パッドを用いて前記転写シート
の基本シート側から押圧することにより前記各金ペース
トパターンを前記半導体パッケージ基板の凹部底面に転
写し、しかる後焼成することにより前記半導体パッケー
ジ基板の凹部底面に金膜を形成することを特徴とする半
導体パッケージの製造方法である。
々研究考察した結果、遂に本発明を完成するに至ったも
のである。即ち本発明は、基本シート上に複数個の金ペ
ーストパターンが点在的に形成され、その金ペースト層
の間に穿孔及び／又はハーフカットを設けた転写シート
を、転写用治具に固定された複数個の半導体パッケージ
基板の各々に形成された凹部と前記転写シートの各金ペ
ーストパターンとが相対するように載置し、次に半導体
パッケージ基板の凹部底面の形状に対応した耐熱性の弾
性突起物を有する転写用パッドを用いて前記転写シート
の基本シート側から押圧することにより前記各金ペース
トパターンを前記半導体パッケージ基板の凹部底面に転
写し、しかる後焼成することにより前記半導体パッケー
ジ基板の凹部底面に金膜を形成することを特徴とする半
導体パッケージの製造方法である。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
先ず本発明において使用する転写シートについて説明す
る。
る。
本発明において使用する転写シート１は、基体シート２
上に複数個の金ペーストパターン３を形成し、その金ペ
ーストパターン３の間に穿孔及び／又はハーフカット６
を設けたものである（第１図参照）。
上に複数個の金ペーストパターン３を形成し、その金ペ
ーストパターン３の間に穿孔及び／又はハーフカット６
を設けたものである（第１図参照）。
基体シート２としては、上質紙、コート紙等の紙類、前
記紙類とアルミニウム箔等の金属箔とをラミネートした
シート状物、前記紙類の裏面に耐熱性樹脂をコーティン
グ又はラミネートしたシート状物、ポリエステルフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等
のプラスチックスフィルム類等を使用することができ
る。必要により前記基体シート２上には公知の手段にて
離型処理を施しておくとよい。
記紙類とアルミニウム箔等の金属箔とをラミネートした
シート状物、前記紙類の裏面に耐熱性樹脂をコーティン
グ又はラミネートしたシート状物、ポリエステルフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等
のプラスチックスフィルム類等を使用することができ
る。必要により前記基体シート２上には公知の手段にて
離型処理を施しておくとよい。
前記基体シート２上に形成される金ペースト層３は、金
粉末20〜90重量％、ガラス成分及び無機物成分0.2〜20
重量％、残部が有機物成分からなる金ペーストインキを
用い、スクリーン印刷、グラビア印刷等の適宜の印刷手
段で複数個形成する。前記金ペーストパターン３は、後
記する半導体パッケージ基板４に対して接着性を有して
いることが好ましいものである。
粉末20〜90重量％、ガラス成分及び無機物成分0.2〜20
重量％、残部が有機物成分からなる金ペーストインキを
用い、スクリーン印刷、グラビア印刷等の適宜の印刷手
段で複数個形成する。前記金ペーストパターン３は、後
記する半導体パッケージ基板４に対して接着性を有して
いることが好ましいものである。
また前記金ペーストインキの半導体パッケージ基板に対
する接着性が不充分な場合、前記金ペーストパターン３
上に感熱性の接着剤層５を形成しておくとよい（第２図
参照）。また、半導体パッケージ基板４の被転写面は、
凹部形状を呈しているものであるため、金ペーストパタ
ーン３の間に穿孔及び／又はハーフカット６を設けてお
き、転写時、転写シート１に局部的な張力がかからない
ようにしておく。穿孔及び／又はハーフカット６を設け
ない転写シート１に転写用パッド７を押し付けると、転
写シート１に張力が働き、凹部底面に転写された金ペー
ストパターン３の膜厚の不均一性や位置ズレの問題が発
生する。この穿孔及び／又はハーフカット６の形状は、
局部的な張力を分散、緩和できるものならどのような形
状でもよく、各々の金ペーストパターン３の上下左右ま
たはコの字状（第３図参照）に穿孔及び／又はハーフカ
ット６を設けたものが最も良い適性を示す。
する接着性が不充分な場合、前記金ペーストパターン３
上に感熱性の接着剤層５を形成しておくとよい（第２図
参照）。また、半導体パッケージ基板４の被転写面は、
凹部形状を呈しているものであるため、金ペーストパタ
ーン３の間に穿孔及び／又はハーフカット６を設けてお
き、転写時、転写シート１に局部的な張力がかからない
ようにしておく。穿孔及び／又はハーフカット６を設け
ない転写シート１に転写用パッド７を押し付けると、転
写シート１に張力が働き、凹部底面に転写された金ペー
ストパターン３の膜厚の不均一性や位置ズレの問題が発
生する。この穿孔及び／又はハーフカット６の形状は、
局部的な張力を分散、緩和できるものならどのような形
状でもよく、各々の金ペーストパターン３の上下左右ま
たはコの字状（第３図参照）に穿孔及び／又はハーフカ
ット６を設けたものが最も良い適性を示す。
次に、前記転写シートを使用して半導体パッケージを製
造する方法について説明する。
造する方法について説明する。
先ず、前記転写シート１を、転写用治具に固定された複
数個の半導体パッケージ基板４上に、該転写シート１の
金ペーストパターン３と該半導体パッケージ基板４の各
々の凹部底面とが接するように載置する（第４図参
照）。この際、半導体パッケージ基板上に形成される金
ペーストパターンの位置ズレ、見当ズレが生じないよう
にするために、前記転写シートと転写用治具とを予め所
定の転写位置に正確に固定しておく必要がある。このよ
うにするには、例えばガイドピン（図示せず）等を用い
るとよい。
数個の半導体パッケージ基板４上に、該転写シート１の
金ペーストパターン３と該半導体パッケージ基板４の各
々の凹部底面とが接するように載置する（第４図参
照）。この際、半導体パッケージ基板上に形成される金
ペーストパターンの位置ズレ、見当ズレが生じないよう
にするために、前記転写シートと転写用治具とを予め所
定の転写位置に正確に固定しておく必要がある。このよ
うにするには、例えばガイドピン（図示せず）等を用い
るとよい。
本発明における半導体パッケージ基板は、転写用治具に
複数個固定しておくのであるが、半導体パッケージ基板
を転写用治具に固定する場合、前記基板の加工精度は完
全でない為、即ち、前記基板の大きさに若干のバラツキ
がある為、複数個の基板を一つの枠内に配列すると、基
板位置の累積誤差が大きくなり、転写時に金ペーストパ
ターンの位置ずれを起こしてしまう。従って、前記転写
用治具は、前記基板１個に対して枠１つを有する形状に
設計しておくのが好ましい。この転写用治具に前記基板
を固定する方法は、振動方式、或いは自動パーツフィー
ダーを用いる方式によると、簡単にかつ速やかにセット
することができる。
複数個固定しておくのであるが、半導体パッケージ基板
を転写用治具に固定する場合、前記基板の加工精度は完
全でない為、即ち、前記基板の大きさに若干のバラツキ
がある為、複数個の基板を一つの枠内に配列すると、基
板位置の累積誤差が大きくなり、転写時に金ペーストパ
ターンの位置ずれを起こしてしまう。従って、前記転写
用治具は、前記基板１個に対して枠１つを有する形状に
設計しておくのが好ましい。この転写用治具に前記基板
を固定する方法は、振動方式、或いは自動パーツフィー
ダーを用いる方式によると、簡単にかつ速やかにセット
することができる。
なお、転写シートを、半導体パッケージ基板の凹部底面
に接するように載置するに先立ち、前記半導体パッケー
ジ基板を遠赤外線放射、或いは温風ヒーター等により加
熱しておくと好ましい。これは、転写シートに形成した
金ペーストパターンと半導体パッケージ基板との密着性
を良好にするためである。この加熱は、前記基板温度が
60℃〜160℃の範囲に達した段階で終了するとよい。遠
赤外線放射による加熱の場合、照射距離30cm、照射時間
30秒〜240秒で処理でき、量も好適である。接着性の高
い金ペーストパターンを使用すれば、この加熱を省略す
ることは可能である。
に接するように載置するに先立ち、前記半導体パッケー
ジ基板を遠赤外線放射、或いは温風ヒーター等により加
熱しておくと好ましい。これは、転写シートに形成した
金ペーストパターンと半導体パッケージ基板との密着性
を良好にするためである。この加熱は、前記基板温度が
60℃〜160℃の範囲に達した段階で終了するとよい。遠
赤外線放射による加熱の場合、照射距離30cm、照射時間
30秒〜240秒で処理でき、量も好適である。接着性の高
い金ペーストパターンを使用すれば、この加熱を省略す
ることは可能である。
次に、転写用パッド７を用いて前記転写シート１の基体
シート２側から押圧することにより前記金ペーストパタ
ーン３と半導体パッケージ基板４の凹部底面とを完全に
密着せしめ、前記金ペーストパターン３を前記半導体パ
ッケージ基板４の凹部底面に転写する（第５図参照）。
このとき、転写用パッド７による押圧により転写シート
１の穿孔及び／又はハーフカット６の設けられた部分が
完全に切断され、金ペーストパターン３が凹部底面と密
着する前に転写シート１にかかる張力が解除されます。
前記転写用パッド７は、被転写体である半導体パッケー
ジ基板４の凹部底面の形状に対応したものを用い、例え
ば凸部形状を呈する複数個の耐熱性の弾性突起物を有す
るものが好適である。また、凹部底面の形状に対応した
ものを各半導体パッケージ基板に対して１個ずつ使用し
てもよい。その材質は、耐熱性のシルコンゴム等を挙げ
ることができ、その硬度は50°〜90°の範囲のものがよ
い。又、前記転写用パッドは、必要に応じて150℃〜200
℃に加熱しておくとよい。これは、転写時の金ペースト
パターンと基体シートとの剥離を促進し円滑にするため
である。
シート２側から押圧することにより前記金ペーストパタ
ーン３と半導体パッケージ基板４の凹部底面とを完全に
密着せしめ、前記金ペーストパターン３を前記半導体パ
ッケージ基板４の凹部底面に転写する（第５図参照）。
このとき、転写用パッド７による押圧により転写シート
１の穿孔及び／又はハーフカット６の設けられた部分が
完全に切断され、金ペーストパターン３が凹部底面と密
着する前に転写シート１にかかる張力が解除されます。
前記転写用パッド７は、被転写体である半導体パッケー
ジ基板４の凹部底面の形状に対応したものを用い、例え
ば凸部形状を呈する複数個の耐熱性の弾性突起物を有す
るものが好適である。また、凹部底面の形状に対応した
ものを各半導体パッケージ基板に対して１個ずつ使用し
てもよい。その材質は、耐熱性のシルコンゴム等を挙げ
ることができ、その硬度は50°〜90°の範囲のものがよ
い。又、前記転写用パッドは、必要に応じて150℃〜200
℃に加熱しておくとよい。これは、転写時の金ペースト
パターンと基体シートとの剥離を促進し円滑にするため
である。
一定時間、転写用パッド７を用いて転写シート１と基板
４の凹部底面との密着を保持した後、前記転写用パッド
７の押圧を開放する（第６図参照）。このようにするこ
とにより金ペーストパターン３が半導体パッケージ基板
４の凹部底面に形成される。
４の凹部底面との密着を保持した後、前記転写用パッド
７の押圧を開放する（第６図参照）。このようにするこ
とにより金ペーストパターン３が半導体パッケージ基板
４の凹部底面に形成される。
次に、前記金ペースト層が設けられた前記半導体パッケ
ージ基板を焼成する。前記金膜を形成するための焼成
は、800℃〜900℃で、焼成キープ時間５〜10分程度で行
う。
ージ基板を焼成する。前記金膜を形成するための焼成
は、800℃〜900℃で、焼成キープ時間５〜10分程度で行
う。
本発明に係る半導体パッケージの製造方法は以上のよう
な構成からなるものであるから、複数個の半導体パッケ
ージ基板に対し複数個の金ペースト層を一工程で一挙
に、かつ転写シートに張力がかからないように転写する
ことができ、そのため膜厚の均一性に優れ且つ位置精度
に優れた金膜を有する半導体パッケージを容易に大量生
産し得るものであり、従来の転写印刷法では十分でなか
った量産性の問題を完全に解決することができるもので
ある。従って本発明は産業上、利用価値の極めて高いも
のである。
な構成からなるものであるから、複数個の半導体パッケ
ージ基板に対し複数個の金ペースト層を一工程で一挙
に、かつ転写シートに張力がかからないように転写する
ことができ、そのため膜厚の均一性に優れ且つ位置精度
に優れた金膜を有する半導体パッケージを容易に大量生
産し得るものであり、従来の転写印刷法では十分でなか
った量産性の問題を完全に解決することができるもので
ある。従って本発明は産業上、利用価値の極めて高いも
のである。
第１図乃至第３図は、本発明における転写シートを示
し、第１図及び第２図は断面図、第３図は平面図であ
る。第４図乃至第６図は、本発明における製造工程を示
す断面図である。 図中、１……転写シート、 ２……基体シート、 ３……金ペーストパターン、 ４……半導体パッケージ基板、 ５……接着剤層、 ６……穿孔又はハーフカット、 ７……転写用パッド、
し、第１図及び第２図は断面図、第３図は平面図であ
る。第４図乃至第６図は、本発明における製造工程を示
す断面図である。 図中、１……転写シート、 ２……基体シート、 ３……金ペーストパターン、 ４……半導体パッケージ基板、 ５……接着剤層、 ６……穿孔又はハーフカット、 ７……転写用パッド、
Claims (6)
- 【請求項１】基体シート上に複数個の金ペーストパター
ンが点在的に形成され、その金ペーストパターンの間に
穿孔及び／又はハーフカットを設けた転写シートを、転
写用治具に固定された複数個の半導体パッケージ基板の
各々に形成された凹部と前記転写シートの各金ペースト
パターンとが相対するように載置し、次に半導体パッケ
ージ基板の凹部底面の形状に対応した耐熱性の弾性突起
物を有する転写用パッドを用いて前記転写シートの基体
シート側から押圧することにより前記各金ペーストパタ
ーンを前記半導体パッケージ基板の凹部底面に転写し、
しかる後焼成することにより前記半導体パッケージ基板
の凹部底面に金膜を形成することを特徴とする半導体パ
ッケージの製造方法。 - 【請求項２】転写シートの金ペーストパターンが、感熱
性接着性を有するものであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項３】転写シートの金ペーストパターンが、接着
剤層で被覆されたものであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項４】転写シートを、半導体パッケージ基板上に
載置するに先立ち、前記半導体パッケージ基板を遠赤外
線放射により加熱することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項５】転写用パットが、複数個の弾性突起物を有
するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項６】転写用パットが、150℃〜200℃に加熱され
たものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097209A JPH0666349B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097209A JPH0666349B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240136A JPS60240136A (ja) | 1985-11-29 |
| JPH0666349B2 true JPH0666349B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14186229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097209A Expired - Lifetime JPH0666349B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666349B2 (ja) |
-
1984
- 1984-05-14 JP JP59097209A patent/JPH0666349B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60240136A (ja) | 1985-11-29 |
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