JPH0666597B2 - 可変トランスコンダクタンス増幅回路 - Google Patents
可変トランスコンダクタンス増幅回路Info
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- JPH0666597B2 JPH0666597B2 JP1223980A JP22398089A JPH0666597B2 JP H0666597 B2 JPH0666597 B2 JP H0666597B2 JP 1223980 A JP1223980 A JP 1223980A JP 22398089 A JP22398089 A JP 22398089A JP H0666597 B2 JPH0666597 B2 JP H0666597B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の産業上の利用分野〕 本発明は、積分回路等で構成されたアクティブ・フィル
タの構成に好適であって、高周波特性の良好な可変トラ
ンスコンダクタンス増幅回路に関するものである。
タの構成に好適であって、高周波特性の良好な可変トラ
ンスコンダクタンス増幅回路に関するものである。
第６図は、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路
の一例を示すものである。可変トランスコンダクタンス
増幅回路は、増幅器Ａとシングルエンド出力回路Ｂとで
構成されている。増幅器Ａは、入力端子1,2がベースに
接続されているトランジスタQ1,Q2と、トランジスタQ1,
Q2のエミッタ間に接続された抵抗ＲＥと、トランジスタ
Q1,Q2のエミッタに夫々接続された電流源用トランジス
タQ7,Q8と、トランジスタQ1,Q2のコレクタに接続された
ダイオード（ダイオード接続されたトランジスタ）D1,D
2とから形成されている。ダイオードD1,D2のアノード
は、共通接続され抵抗Ｒを介して電源端子４に接続され
ている。電流源用トランジスタQ7,Q8は、トランジスタQ
9と共に電流ミラー回路を形成し、トランジスタQ9のコ
レクタに可変型の電流源回路８が接続されている。可変
型の電流源回路８を介しダイオード接続されたトランジ
スタQ9に可変電流Ｉｎが供給されることによって、電流
源用トランジスタQ7,Q8のコレクタ電流として可変電流
Ｉｎが流れる。シングルエンド出力回路Ｂは、トランジ
スタ差動対をなすトランジスタQ3,Q4と、その負荷であ
るトランジスタQ5,Q6からなる電流ミラー回路とで形成
されている。ダイオード（ダイオード接続されたトラン
ジスタ）D1のカソードとトランジスタQ1のコレクタとの
接続点がトランジスタQ3のベースに接続され、ダイオー
ドD2のカソードとトランジスタQ2のコレクタとの接続点
が、トランジスタQ4のベースに接続されている。トラン
ジスタQ3,Q4のエミッタは、共通接続されて定電流源回
路６に接続されて電源端子４に接続される。トランジス
タQ3のコレクタは、トランジスタQ5のコレクタに接続さ
れて出力端子３に接続され、トランジスタQ4のコレクタ
は、トランジスタQ6のベース・コレクタに接続され、
Q5,Q6によって電流ミラー回路を形成している。トラン
ジスタQ5,Q6のエミッタが夫々接地されている。トラン
ジスタQ4のコレクタは、トランジスタQ6のコレクタ・ベ
ースに接続され、Q6のエミッタが接地されている。トラ
ンジスタQ3,Q4からなるトランジスタ差動対には、定電
流源回路６を介して定電流2IＸが動作電流として供給さ
れている。
の一例を示すものである。可変トランスコンダクタンス
増幅回路は、増幅器Ａとシングルエンド出力回路Ｂとで
構成されている。増幅器Ａは、入力端子1,2がベースに
接続されているトランジスタQ1,Q2と、トランジスタQ1,
Q2のエミッタ間に接続された抵抗ＲＥと、トランジスタ
Q1,Q2のエミッタに夫々接続された電流源用トランジス
タQ7,Q8と、トランジスタQ1,Q2のコレクタに接続された
ダイオード（ダイオード接続されたトランジスタ）D1,D
2とから形成されている。ダイオードD1,D2のアノード
は、共通接続され抵抗Ｒを介して電源端子４に接続され
ている。電流源用トランジスタQ7,Q8は、トランジスタQ
9と共に電流ミラー回路を形成し、トランジスタQ9のコ
レクタに可変型の電流源回路８が接続されている。可変
型の電流源回路８を介しダイオード接続されたトランジ
スタQ9に可変電流Ｉｎが供給されることによって、電流
源用トランジスタQ7,Q8のコレクタ電流として可変電流
Ｉｎが流れる。シングルエンド出力回路Ｂは、トランジ
スタ差動対をなすトランジスタQ3,Q4と、その負荷であ
るトランジスタQ5,Q6からなる電流ミラー回路とで形成
されている。ダイオード（ダイオード接続されたトラン
ジスタ）D1のカソードとトランジスタQ1のコレクタとの
接続点がトランジスタQ3のベースに接続され、ダイオー
ドD2のカソードとトランジスタQ2のコレクタとの接続点
が、トランジスタQ4のベースに接続されている。トラン
ジスタQ3,Q4のエミッタは、共通接続されて定電流源回
路６に接続されて電源端子４に接続される。トランジス
タQ3のコレクタは、トランジスタQ5のコレクタに接続さ
れて出力端子３に接続され、トランジスタQ4のコレクタ
は、トランジスタQ6のベース・コレクタに接続され、
Q5,Q6によって電流ミラー回路を形成している。トラン
ジスタQ5,Q6のエミッタが夫々接地されている。トラン
ジスタQ4のコレクタは、トランジスタQ6のコレクタ・ベ
ースに接続され、Q6のエミッタが接地されている。トラ
ンジスタQ3,Q4からなるトランジスタ差動対には、定電
流源回路６を介して定電流2IＸが動作電流として供給さ
れている。
図に於いて、入力端子1,2間に入力電圧Ｖｉが印加され
たとすると、抵抗ＲＥに電流ｉａが流れるので、 ｉａ＝Ｖｉ／ＲＥ ……（１） の関係式が成立つ。トランジスタQ1,Q2のコレクタ電流
は、夫々（Ｉｎ＋ｉａ），（Ｉｎ−ｉａ）の電流が流れ
る。トランジスタQ1,Q2のコレクタ間の電位差をV0とす
ると、電位差V0は、次式のように表される。
たとすると、抵抗ＲＥに電流ｉａが流れるので、 ｉａ＝Ｖｉ／ＲＥ ……（１） の関係式が成立つ。トランジスタQ1,Q2のコレクタ電流
は、夫々（Ｉｎ＋ｉａ），（Ｉｎ−ｉａ）の電流が流れ
る。トランジスタQ1,Q2のコレクタ間の電位差をV0とす
ると、電位差V0は、次式のように表される。
V0＝ＶＴ ln〔（Ｉｎ＋ｉａ）／Ｉｓ〕 −ＶＴ ln〔（Ｉｎ−ｉａ）／Ｉｓ〕 ＝ＶＴ ln〔（Ｉｎ＋ｉａ）／（Ｉｎ−ｉａ）〕 ……
（２） 〔但し、ＶＴは熱電圧である。〕 又、トランジスタQ3,Q4のベース間電位差をＶＢとする
と、ベース間電位差ＶＢは、次式のように表される。な
お、ベース間電位差ＶＢにより変化するトランジスタ
Q3,Q4のコレクタ電流の変化分は±ｉｂで表してある。
Ｉｓは逆方向飽和電流である。
（２） 〔但し、ＶＴは熱電圧である。〕 又、トランジスタQ3,Q4のベース間電位差をＶＢとする
と、ベース間電位差ＶＢは、次式のように表される。な
お、ベース間電位差ＶＢにより変化するトランジスタ
Q3,Q4のコレクタ電流の変化分は±ｉｂで表してある。
Ｉｓは逆方向飽和電流である。
ＶＢ＝ＶＴ ln〔（ＩＸ＋ｉｂ）／Ｉｓ〕 −ＶＴ ln〔（ＩＸ−ｉｂ）／Ｉｓ〕 ＝ＶＴ ln〔（ＩＸ＋ｉｂ）／（ＩＸ−ｉｂ）〕 ……
（３） トランジスタQ1,Q2のコレクタ間の電位差V0と、トラン
ジスタQ3,Q4のベース間電位差ＶＢとは等しいので、電
流ｉｂは、（２），（３）式と、（１）式のｉａ＝Ｖｉ
／ＲＥより、次式のように表される。
（３） トランジスタQ1,Q2のコレクタ間の電位差V0と、トラン
ジスタQ3,Q4のベース間電位差ＶＢとは等しいので、電
流ｉｂは、（２），（３）式と、（１）式のｉａ＝Ｖｉ
／ＲＥより、次式のように表される。
（Ｉｎ＋ｉａ）／（Ｉｎ−ｉａ） ＝（ＩＸ＋ｉｂ）／（ＩＸ−ｉｂ） ｉｂ＝ＩＸ・ｉａ／Ｉｎ ＝ＩＸ・Ｖｉ／ＲＥ・Ｉｎ ……（４） 従って、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の
コンダクタンスgmは、（４）式を偏微分すると、出力電
流が2iｂであるので、次式のように表される。
コンダクタンスgmは、（４）式を偏微分すると、出力電
流が2iｂであるので、次式のように表される。
gm＝∂（2iｂ）／∂Ｖｉ ＝2IＸ／ＲＥ・Ｉｎ ……（５） 第６図に示した従来例の可変トランスコンダクタンス増
幅回路のトランスコンダクタンスgmは、（５）式の関係
式で表される。
幅回路のトランスコンダクタンスgmは、（５）式の関係
式で表される。
従来、トランスコンダクタンスgmの可変に当たっては、
可変型の電流源回路８から供給される可変電流Ｉｎの値
を調整することで、（５）式から明らかなように、gmを
可変させることが可能である。しかし、トランジスタQ1
の動作電流であるコレクタ電流（Ｉｎ＋ｉａ）及びトラ
ンジスタQ2の動作電流であるコレクタ電流（Ｉｎ−
ｉａ）が変わることにより、gmの可変に対して周波数特
性が第４図に示すように劣化する。
可変型の電流源回路８から供給される可変電流Ｉｎの値
を調整することで、（５）式から明らかなように、gmを
可変させることが可能である。しかし、トランジスタQ1
の動作電流であるコレクタ電流（Ｉｎ＋ｉａ）及びトラ
ンジスタQ2の動作電流であるコレクタ電流（Ｉｎ−
ｉａ）が変わることにより、gmの可変に対して周波数特
性が第４図に示すように劣化する。
従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の周波数特
性は、第４図から明らかなようにトランスコンダクタン
スgmの値を小さくしようとして可変電流Ｉｎを絞ると、
その周波数特性は、第４図の曲線（イ）（ロ）（ハ）
（ニ）に示すように次第に劣化する欠点を有する。因
に、第４図の横軸が周波数であり、縦軸が減衰量を示し
ている。このように通常のトランジスタ或いは増幅回路
は、電流を絞ることによってカットオフ周波数ｆＴが減
少し、そのエミッタ抵抗ｒｅの抵抗値の増大等により、
周波数特性が劣化する特性を有しており、第４図に示す
ような周波数特性の劣化が生じる。
性は、第４図から明らかなようにトランスコンダクタン
スgmの値を小さくしようとして可変電流Ｉｎを絞ると、
その周波数特性は、第４図の曲線（イ）（ロ）（ハ）
（ニ）に示すように次第に劣化する欠点を有する。因
に、第４図の横軸が周波数であり、縦軸が減衰量を示し
ている。このように通常のトランジスタ或いは増幅回路
は、電流を絞ることによってカットオフ周波数ｆＴが減
少し、そのエミッタ抵抗ｒｅの抵抗値の増大等により、
周波数特性が劣化する特性を有しており、第４図に示す
ような周波数特性の劣化が生じる。
本発明は、上述のような欠点を改善するべくなされたも
ので、その主な目的は、トランスコンダクタンスgmを可
変したとしても周波数特性が良好な可変トランスコンダ
クタンス増幅回路を提供するにある。
ので、その主な目的は、トランスコンダクタンスgmを可
変したとしても周波数特性が良好な可変トランスコンダ
クタンス増幅回路を提供するにある。
更に他の目的は、トランスコンダクタンスgmの制御が容
易な可変トランスコンダクタンス増幅回路を提供するに
ある。
易な可変トランスコンダクタンス増幅回路を提供するに
ある。
本発明は、上述の如き課題に基づきなされたもので、第
１と第２のトランジスタのコレクタが第１と第２のダイ
オード（ダイオード接続されたトランジスタ）のカソー
ドに夫々接続され、それらのエミッタ間に抵抗が接続さ
れ、且つ夫々のエミッタに第１と第２の電流源用トラン
ジスタが夫々接続されており、第１と第２のトランジス
タのベースに入力電圧が印加されるようになされた増幅
器と、そのシングルエンド出力回路から構成された可変
トランスコンダクタンス増幅回路に於いて、前記第１と
第２の電流源用トランジスタに流れるコレクタ電流を可
変して前記第１と第２のトランジスタの動作電流を予め
調整する第１の手段と、該第１と該第２のトランジスタ
に可変電流を供給する第２の手段とを具えた可変トラン
スコンダクタンス増幅回路に関する。
１と第２のトランジスタのコレクタが第１と第２のダイ
オード（ダイオード接続されたトランジスタ）のカソー
ドに夫々接続され、それらのエミッタ間に抵抗が接続さ
れ、且つ夫々のエミッタに第１と第２の電流源用トラン
ジスタが夫々接続されており、第１と第２のトランジス
タのベースに入力電圧が印加されるようになされた増幅
器と、そのシングルエンド出力回路から構成された可変
トランスコンダクタンス増幅回路に於いて、前記第１と
第２の電流源用トランジスタに流れるコレクタ電流を可
変して前記第１と第２のトランジスタの動作電流を予め
調整する第１の手段と、該第１と該第２のトランジスタ
に可変電流を供給する第２の手段とを具えた可変トラン
スコンダクタンス増幅回路に関する。
本発明は、可変トランスコンダクタンス増幅回路に可変
電流源回路を具えたもので、その増幅器に付加された可
変電流源回路から電流を可変トランスコンダクタンス増
幅回路に供給或いは引き込むことによって、そのトラン
スコンダクタンスgmの値を可変することが可能であり、
しかもカットオフ周波数の劣化を防止して高周波数特性
の改善を図ったものである。
電流源回路を具えたもので、その増幅器に付加された可
変電流源回路から電流を可変トランスコンダクタンス増
幅回路に供給或いは引き込むことによって、そのトラン
スコンダクタンスgmの値を可変することが可能であり、
しかもカットオフ周波数の劣化を防止して高周波数特性
の改善を図ったものである。
第１図は、本発明に係る可変トランスコンダクタンス増
幅回路の一実施例であり、可変トランスコンダクタンス
増幅回路は、増幅器Ａとシングルエンド出力回路Ｂ及び
可変電流源回路Ｃから構成されている。第１図の実施例
は、第６図の回路に可変電流源回路Ｃが付加されたもの
であり、増幅器Ａとシングルエンド出力回路Ｂは、第６
図の従来例と同じ回路であるので、その構成の説明は省
略する。可変電流源回路Ｃは、トランジスタQ10乃至Q12
からなる電流ミラー回路と、トランジスタQ10のコレク
タ・ベースに可変型の電流源回路７が接続されてその他
端が接地端子５に接続されて構成されている。尚、第１
図の電流源回路８′は、第６図の可変電流源回路８とは
異なり、予め所定の値に設定された電流値を供給する電
流源回路である。
幅回路の一実施例であり、可変トランスコンダクタンス
増幅回路は、増幅器Ａとシングルエンド出力回路Ｂ及び
可変電流源回路Ｃから構成されている。第１図の実施例
は、第６図の回路に可変電流源回路Ｃが付加されたもの
であり、増幅器Ａとシングルエンド出力回路Ｂは、第６
図の従来例と同じ回路であるので、その構成の説明は省
略する。可変電流源回路Ｃは、トランジスタQ10乃至Q12
からなる電流ミラー回路と、トランジスタQ10のコレク
タ・ベースに可変型の電流源回路７が接続されてその他
端が接地端子５に接続されて構成されている。尚、第１
図の電流源回路８′は、第６図の可変電流源回路８とは
異なり、予め所定の値に設定された電流値を供給する電
流源回路である。
図に於いて、入力端子1,2に入力電圧Ｖｉが印加されて
おり、電流源回路８′をトランジスタQ9のベース・コレ
クタに接続することにより、トランジスタQ7,Q8にコレ
クタ電流Ｉｎが供給されている。但し、コレクタ電流Ｉ
ｎは、予め定められた電流とする。入力電圧Ｖｉが入力
されたとすると、抵抗ＲＥに電流ｉａが流れる。又、可
変電流源回路ＣのトランジスタQ11,Q12を介して電流Ｉ
ＹがトランジスタQ1,Q2に夫々供給されるようになされ
ている。ところが、トランジスタQ1のコレクタ電流は
（Ｉｎ＋ｉａ），トランジスタQ2のコレクタ電流は（Ｉ
ｎ−ｉａ）であり夫々一定であるから、電流ＩＹが流れ
込むとダイオードD1,D2に流れる電流が変化する。そし
て、ダイオードD1には電流（Ｉｎ−ＩＹ＋ｉａ），ダイ
オードD2には電流（Ｉｎ−ＩＹ−ｉａ）が流れる。
おり、電流源回路８′をトランジスタQ9のベース・コレ
クタに接続することにより、トランジスタQ7,Q8にコレ
クタ電流Ｉｎが供給されている。但し、コレクタ電流Ｉ
ｎは、予め定められた電流とする。入力電圧Ｖｉが入力
されたとすると、抵抗ＲＥに電流ｉａが流れる。又、可
変電流源回路ＣのトランジスタQ11,Q12を介して電流Ｉ
ＹがトランジスタQ1,Q2に夫々供給されるようになされ
ている。ところが、トランジスタQ1のコレクタ電流は
（Ｉｎ＋ｉａ），トランジスタQ2のコレクタ電流は（Ｉ
ｎ−ｉａ）であり夫々一定であるから、電流ＩＹが流れ
込むとダイオードD1,D2に流れる電流が変化する。そし
て、ダイオードD1には電流（Ｉｎ−ＩＹ＋ｉａ），ダイ
オードD2には電流（Ｉｎ−ＩＹ−ｉａ）が流れる。
そして、ダイオードD1の順方向電圧はＶＴ ln（（Ｉｎ
−ＩＹ＋ｉａ）／Ｉｓ），ダイオードD2の順方向電圧は
ＶＴ ln（（Ｉｎ−ＩＹ−ｉａ）／Ｉｓ）で表される。
−ＩＹ＋ｉａ）／Ｉｓ），ダイオードD2の順方向電圧は
ＶＴ ln（（Ｉｎ−ＩＹ−ｉａ）／Ｉｓ）で表される。
従って、トランジスタQ1,Q2のコレクタ間の電位差V0、
つまりダイオードD1,D2のカソード間の電位差は次のよ
うに表される。
つまりダイオードD1,D2のカソード間の電位差は次のよ
うに表される。
又、トランジスタQ3,Q4のベース間電位差をＶＢとする
と、ベース間電位差ＶＢは次のように表される。なお、
ｉｂは前記したようにベース間電位差ＶＢにより変化す
るトランジスタQ3,Q4のコレクタ電流の変化分である。
と、ベース間電位差ＶＢは次のように表される。なお、
ｉｂは前記したようにベース間電位差ＶＢにより変化す
るトランジスタQ3,Q4のコレクタ電流の変化分である。
トランジスタQ1,Q2のコレクタ間の電位差V0とトランジ
スタQ3,Q4のベース間電位差ＶＢとは、等しいので、電
流ｉｂは、（６），（７）式から次式のように表され
る。
スタQ3,Q4のベース間電位差ＶＢとは、等しいので、電
流ｉｂは、（６），（７）式から次式のように表され
る。
又、（１）式のｉａ＝V1／ＲＥの関係を（８）式に代入
すると、次式のように表される。
すると、次式のように表される。
ｉｂ＝ＩＸ・Ｖｉ／ＲＥ・（Ｉｎ−ＩＹ） ……（９） 第１図の可変トランスコンダクタンス増幅回路の出力電
流は、2iｂである。従って、この回路のトランスコンダ
クタンスgmは、次式のように表される。
流は、2iｂである。従って、この回路のトランスコンダ
クタンスgmは、次式のように表される。
gm＝∂（2iｂ）／∂Ｖｉ ＝2IＸ／ＲＥ・（Ｉｎ＋ＩＹ） ……（10） （10）式から明らかなように可変電流源回路Ｃから増幅
器Ａに可変電流ＩＹを加えることによって、第１図の可
変トランスコンダクタンス増幅回路のトランスコンダク
タンスgmの値を可変できることは明らかである。即ち、
トランジスタQ1の動作電流（Ｉｎ＋ｉａ），トランジス
タQ2の動作電流（Ｉｎ−ｉａ），トランジスタQ3及びト
ランジスタQ4の動作電流ＩＸを一定とした状態で、可変
電流源回路Ｃからの電流値ＩＹを増加させることによっ
てトランスコンダクタンスgmの値を小さくすることが可
能である。第５図は、この実施例の周波数特性を示すも
のであり、トランスコンダクタンスgmを変えたとして
も、第４図の従来のものと比較して周波数特性が安定し
ていることを示している。これは、トランジスタQ1,Q2
の動作電流が一定であることによる。
器Ａに可変電流ＩＹを加えることによって、第１図の可
変トランスコンダクタンス増幅回路のトランスコンダク
タンスgmの値を可変できることは明らかである。即ち、
トランジスタQ1の動作電流（Ｉｎ＋ｉａ），トランジス
タQ2の動作電流（Ｉｎ−ｉａ），トランジスタQ3及びト
ランジスタQ4の動作電流ＩＸを一定とした状態で、可変
電流源回路Ｃからの電流値ＩＹを増加させることによっ
てトランスコンダクタンスgmの値を小さくすることが可
能である。第５図は、この実施例の周波数特性を示すも
のであり、トランスコンダクタンスgmを変えたとして
も、第４図の従来のものと比較して周波数特性が安定し
ていることを示している。これは、トランジスタQ1,Q2
の動作電流が一定であることによる。
第２図は、本発明の可変トランスコンダクタンス増幅回
路の他の実施例である。
路の他の実施例である。
第２図の実施例は、第１図の実施例と比較して可変電流
源回路ＣがトランジスタQ10乃至Q12からなる電流ミラー
回路とトランジスタQ10のコレクタ・ベースに接続され
た可変型の電流源回路７で形成され、トランジスタQ11
のコレクタがダイオードD1とトランジスタQ1との接続点
に接続され、トランジスタQ12のコレクタがダイオードD
2とトランジスタQ2との接続点に接続されている。トラ
ンジスタQ11,Q12にコレクタ電流として夫々ＩＹが増幅
回路Ａから引き込まれるように構成されている。トラン
ジスタQ7,Q8のコレクタ電流Ｉｎ及びトランジスタQ3,ト
ランジスタQ4の動作電流ＩＸは、一定とする。
源回路ＣがトランジスタQ10乃至Q12からなる電流ミラー
回路とトランジスタQ10のコレクタ・ベースに接続され
た可変型の電流源回路７で形成され、トランジスタQ11
のコレクタがダイオードD1とトランジスタQ1との接続点
に接続され、トランジスタQ12のコレクタがダイオードD
2とトランジスタQ2との接続点に接続されている。トラ
ンジスタQ11,Q12にコレクタ電流として夫々ＩＹが増幅
回路Ａから引き込まれるように構成されている。トラン
ジスタQ7,Q8のコレクタ電流Ｉｎ及びトランジスタQ3,ト
ランジスタQ4の動作電流ＩＸは、一定とする。
この実施例の場合は、可変電流ＩＹを増加させることに
よってトランスコンダクタンスgmは、増加する。又、こ
の実施例においても第５図の周波数特性に示すように、
トランジスタQ1,Q2の動作電流は、一定であるので周波
数特性が劣化することはない。
よってトランスコンダクタンスgmは、増加する。又、こ
の実施例においても第５図の周波数特性に示すように、
トランジスタQ1,Q2の動作電流は、一定であるので周波
数特性が劣化することはない。
第３図は、本発明の可変トランスコンダクタンス増幅回
路の他の実施例である。
路の他の実施例である。
第３図の実施例は、第１図の実施例と比較すると、可変
電流源回路Ｃが差動増幅回路Ｄで構成されている。トラ
ンジスタQ20,Q21のエミッタ間に抵抗R1とR2が接続さ
れ、抵抗R1とR2との接続点に電流源回路11が接続されて
接地端子５に接続されている。トランジスタQ20のコレ
クタにダイオード接続されたトランジスタQ22のベース
・コレクタが接続され、そのベースとベースを共通とす
るトランジスタQ23とによって、第１の電流ミラー回路
を形成し、且つ、トランジスタQ21のコレクタにダイオ
ード接続されたトランジスタQ24Dのベース・コレクタが
接続され、そのベースとベースを共通とするトランジス
タQ25とによって第２の電流ミラー回路を形成してい
る。トランジスタQ23,Q25のコレクタに夫々トランジス
タQ26,Q27が接続されてシングルエンド出力回路を構成
して夫々のトランジスタQ23とQ26との接続点及びQ25とQ
27との接続点が夫々ダイオードD2とトランジスタQ2との
接続点及びダイオードD1とトランジスタQ1との接続点に
接続されている。
電流源回路Ｃが差動増幅回路Ｄで構成されている。トラ
ンジスタQ20,Q21のエミッタ間に抵抗R1とR2が接続さ
れ、抵抗R1とR2との接続点に電流源回路11が接続されて
接地端子５に接続されている。トランジスタQ20のコレ
クタにダイオード接続されたトランジスタQ22のベース
・コレクタが接続され、そのベースとベースを共通とす
るトランジスタQ23とによって、第１の電流ミラー回路
を形成し、且つ、トランジスタQ21のコレクタにダイオ
ード接続されたトランジスタQ24Dのベース・コレクタが
接続され、そのベースとベースを共通とするトランジス
タQ25とによって第２の電流ミラー回路を形成してい
る。トランジスタQ23,Q25のコレクタに夫々トランジス
タQ26,Q27が接続されてシングルエンド出力回路を構成
して夫々のトランジスタQ23とQ26との接続点及びQ25とQ
27との接続点が夫々ダイオードD2とトランジスタQ2との
接続点及びダイオードD1とトランジスタQ1との接続点に
接続されている。
この実施例の場合では、入力端子1,2に入力電圧Ｖｉが
印加され、電流源回路８′によってトランスコンダクタ
ンスが予め調整されると共に、差動増幅回路Ｄの入力端
子11,12に加えられる可変電圧ＶINによって正負両極性
の電流±ＩＹが増幅器ＡのトランジスタQ1,Q2のコレク
タに供給されることにより、増幅器Ａのトランスコンダ
クタンスが可変される。しかも周波数特性を劣化させる
ことがない。
印加され、電流源回路８′によってトランスコンダクタ
ンスが予め調整されると共に、差動増幅回路Ｄの入力端
子11,12に加えられる可変電圧ＶINによって正負両極性
の電流±ＩＹが増幅器ＡのトランジスタQ1,Q2のコレク
タに供給されることにより、増幅器Ａのトランスコンダ
クタンスが可変される。しかも周波数特性を劣化させる
ことがない。
本発明の可変トランスコンダクタンス増幅回路は、可変
電流源回路を具えており、可変電流源回路によって増幅
器のトランスコンダクタンスgmを変化させる為に制御電
流を絞ったとしても、増幅器のカットオフ周波数の劣化
を防止し得、以て周波数特性の劣化を改善できる極めて
効果的なものである。
電流源回路を具えており、可変電流源回路によって増幅
器のトランスコンダクタンスgmを変化させる為に制御電
流を絞ったとしても、増幅器のカットオフ周波数の劣化
を防止し得、以て周波数特性の劣化を改善できる極めて
効果的なものである。
第１図は、本発明に係る可変トランスコンダクタンス増
幅回路の実施例を示す回路図、第２図は、本発明に係る
可変トランスコンダクタンス増幅回路の他の実施例を示
す回路図、第３図は、本発明に係る可変トランスコンダ
クタンス増幅回路の他の実施例を示す回路図、第４図
は、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の周波
数特性を示す図、第５図は、本発明の可変トランスコン
ダクタンス増幅回路の周波数特性を示す図、第６図は、
従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の一例を示
す図である。 A:増幅器、B:シングルエンド出力回路、 C:可変電流源回路、D:差動増幅回路、 1,2:入力端子、3:出力端子、 4:電源端子、5:接地端子、 6:定電流源回路、7:可変型の電流源回路、 ８′：電流源回路、9:電流ミラー回路。
幅回路の実施例を示す回路図、第２図は、本発明に係る
可変トランスコンダクタンス増幅回路の他の実施例を示
す回路図、第３図は、本発明に係る可変トランスコンダ
クタンス増幅回路の他の実施例を示す回路図、第４図
は、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の周波
数特性を示す図、第５図は、本発明の可変トランスコン
ダクタンス増幅回路の周波数特性を示す図、第６図は、
従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の一例を示
す図である。 A:増幅器、B:シングルエンド出力回路、 C:可変電流源回路、D:差動増幅回路、 1,2:入力端子、3:出力端子、 4:電源端子、5:接地端子、 6:定電流源回路、7:可変型の電流源回路、 ８′：電流源回路、9:電流ミラー回路。
Claims (3)
- 【請求項１】コレクタを第１と第２のダイオードのカソ
ードに夫々接続され、エミッタを電流源用トランジスタ
に夫々されると共にエミッタ間に抵抗を接続された第１
と第２のトランジスタからなる増幅器と、第１のトラン
ジスタと第１のダイオードの第１の接続点、第２のトラ
ンジスタと第２のダイオードの第２の接続点に夫々ベー
スを接続された第３と第４のトランジスタからなる差動
対、該差動対の負荷である電流ミラー回路からなるシン
グルエンド出力回路とから形成されており、入力を第１
と第２のトランジスタのベースに加えられる可変トラン
スコンダクタンス増幅回路に於いて、電流源用トランジ
スタを介して第１と第２のトランジスタに予め設定され
たコレクタ電流を供給して該第１と第２のトランジスタ
の動作電流を設定する手段と、該第１と第２の接続点に
可変電流を供給する可変電流源回路を具えることを特徴
とする可変トランスコンダクタンス増幅回路。 - 【請求項２】前記可変電流源回路が、前記第１のダイオ
ードと第１のトランジスタとの第１の接続点にコレクタ
が接続された第７のトランジスタと、前記第２のダイオ
ードと第２のトランジスタのコレクタとの第２の接続点
にコレクタが接続された第８のトランジスタを出力段と
する電流ミラー回路を形成する第９のトランジスタと、
該第９のトランジスタに接続された可変電流源回路から
形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の可変トランスコンダクタンス増幅回路。 - 【請求項３】前記可変電流源回路が差動増幅回路であ
り、ベースに可変電圧を加えられる差動対のトランジス
タと、その負荷回路を形成する第１と第２の電流ミラー
回路と、第１と第２の電流ミラー回路の出力段に接続す
る第３の電流ミラー回路からなり、第１と第３の電流ミ
ラー回路の接続点は前記第１のトランジスタと第１のダ
イオードの第１の接続点、第２と第３の電流ミラー回路
の接続点は前記第２のトランジスタと第２のダイオード
の第２の接続点に夫々接続されてなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の可変トランスコンダクタン
ス増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223980A JPH0666597B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 可変トランスコンダクタンス増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223980A JPH0666597B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 可変トランスコンダクタンス増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388405A JPH0388405A (ja) | 1991-04-12 |
| JPH0666597B2 true JPH0666597B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=16806690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223980A Expired - Fee Related JPH0666597B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 可変トランスコンダクタンス増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666597B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4217247B2 (ja) | 2005-07-07 | 2009-01-28 | パナソニック株式会社 | 可変トランスコンダクタンス回路 |
| JP4545705B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-09-15 | シャープ株式会社 | 差動増幅回路 |
| JP2007306523A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Pioneer Electronic Corp | Ａｇｃ回路及び受信装置等 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0186720U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-08 | ||
| JPH0540585Y2 (ja) * | 1988-01-13 | 1993-10-14 | ||
| JP2653474B2 (ja) * | 1988-06-15 | 1997-09-17 | 株式会社東芝 | アクティブフィルター回路 |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223980A patent/JPH0666597B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0388405A (ja) | 1991-04-12 |
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