JPH0669049B2 - Ccd出力信号処理回路 - Google Patents
Ccd出力信号処理回路Info
- Publication number
- JPH0669049B2 JPH0669049B2 JP59172746A JP17274684A JPH0669049B2 JP H0669049 B2 JPH0669049 B2 JP H0669049B2 JP 59172746 A JP59172746 A JP 59172746A JP 17274684 A JP17274684 A JP 17274684A JP H0669049 B2 JPH0669049 B2 JP H0669049B2
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- JP
- Japan
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- output signal
- noise
- circuit
- ccd
- signal processing
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/454—Output structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、固体撮像装置などに用いられるCCD(電荷結
合素子)形電荷転送装置の出力信号を処理するためのCC
D出力信号処理回路に係り、時に低域通過波器に関す
る。
合素子)形電荷転送装置の出力信号を処理するためのCC
D出力信号処理回路に係り、時に低域通過波器に関す
る。
たとえばCCDエリアセンサ半導体チップにおいては、第
3図に示すようにCCD駆動パルスにより駆動されるCCDレ
ジスタ1から出力ゲート2を通って浮遊拡散領域3に電
荷が転送され、ここで電荷量・電圧変換が行なわれる。
この電圧は出力回路(通常はソースフォロワ回路)4に
よりインピーダンス変換が行なわれてCCD出力となる。
上記浮遊拡散領域3は、電荷量・電圧変換後毎に供給さ
れる一定タイミングのリセットパルスによってオン駆動
されるリセットスイッチ(MOSゲート等)5を介してリ
セットドレイン領域6に接続されて信号電荷が捨てら
れ、ここに印加されている一定のリセット電位に設定さ
れる。したがって、上記ソースフォロア回路4の出力電
圧波形は、第4図に示すようにリセット期間と、出力信
号が零の基準レベル期間と、出力信号期間(信号有効期
間)とからなる基本サイクルが、CCDレジスタ1から時
系列的に信号電荷が浮遊拡散領域3に転送される毎に繰
り返すことになる。
3図に示すようにCCD駆動パルスにより駆動されるCCDレ
ジスタ1から出力ゲート2を通って浮遊拡散領域3に電
荷が転送され、ここで電荷量・電圧変換が行なわれる。
この電圧は出力回路(通常はソースフォロワ回路)4に
よりインピーダンス変換が行なわれてCCD出力となる。
上記浮遊拡散領域3は、電荷量・電圧変換後毎に供給さ
れる一定タイミングのリセットパルスによってオン駆動
されるリセットスイッチ(MOSゲート等)5を介してリ
セットドレイン領域6に接続されて信号電荷が捨てら
れ、ここに印加されている一定のリセット電位に設定さ
れる。したがって、上記ソースフォロア回路4の出力電
圧波形は、第4図に示すようにリセット期間と、出力信
号が零の基準レベル期間と、出力信号期間(信号有効期
間)とからなる基本サイクルが、CCDレジスタ1から時
系列的に信号電荷が浮遊拡散領域3に転送される毎に繰
り返すことになる。
上記出力電圧波形において、信号無効期間におけるリセ
ット期間と基準レベル期間との電圧差Aはリセット動作
に同期した同期性雑音であり、期準レベル期間と信号有
効期間との電圧差BがCCD出力信号電荷に対応した出力
信号電圧である。上記同期性雑音は、CCDレジスタ1の
転送周波数と同じであるので、これを除去するためには
ソースフォロワ回路4の出力側に低域通過波器を接続
すればよい。
ット期間と基準レベル期間との電圧差Aはリセット動作
に同期した同期性雑音であり、期準レベル期間と信号有
効期間との電圧差BがCCD出力信号電荷に対応した出力
信号電圧である。上記同期性雑音は、CCDレジスタ1の
転送周波数と同じであるので、これを除去するためには
ソースフォロワ回路4の出力側に低域通過波器を接続
すればよい。
ところで、前記出力信号電圧には2種類の雑音が含まれ
る。その1つは、リセットスイッチ(ゲート)5のオン
抵抗の熱雑音に起因するものであって基準レベル期間が
時間的に変動するリセット雑音ΔBとして現われる。も
う1つはソースフォロワ回路4で発生する雑音である。
上記リセット雑音を抑圧するために、通常はソースフォ
ロワ回路4より後段側に相関二重サンプリング回路7を
接続し、前記各基本サイクル毎に出力信号期間の電圧レ
ベルと基準レベル期間の電圧レベルとの差Bをとってい
る。この相関二重サンプリング回路7は、たとえば第5
図に示すように構成されており、入力電圧の基準レベル
期間の電圧レベルを一定にクランプするためのクランプ
回路51と、このクランプ回路51の出力電圧をバッファ増
幅するための第1のバッファ増幅器52と、この増幅器52
の出力電圧における前記出力信号期間に相当する期間の
電圧レベルをサンプルホールドするサンプルホールド回
路53と、このサンプルホールド回路53の出力電圧をバッ
ファ増幅する第2のバッファ増幅器54とからなる。クラ
ンプ回路51において、55は直流成分分離用の容量、56は
クランプスイッチ(MOSゲート)である。サンプルホー
ルド回路53において、57はサンプルスイッチ(MOSゲー
ト)、58はホールド用の容量である。
る。その1つは、リセットスイッチ(ゲート)5のオン
抵抗の熱雑音に起因するものであって基準レベル期間が
時間的に変動するリセット雑音ΔBとして現われる。も
う1つはソースフォロワ回路4で発生する雑音である。
上記リセット雑音を抑圧するために、通常はソースフォ
ロワ回路4より後段側に相関二重サンプリング回路7を
接続し、前記各基本サイクル毎に出力信号期間の電圧レ
ベルと基準レベル期間の電圧レベルとの差Bをとってい
る。この相関二重サンプリング回路7は、たとえば第5
図に示すように構成されており、入力電圧の基準レベル
期間の電圧レベルを一定にクランプするためのクランプ
回路51と、このクランプ回路51の出力電圧をバッファ増
幅するための第1のバッファ増幅器52と、この増幅器52
の出力電圧における前記出力信号期間に相当する期間の
電圧レベルをサンプルホールドするサンプルホールド回
路53と、このサンプルホールド回路53の出力電圧をバッ
ファ増幅する第2のバッファ増幅器54とからなる。クラ
ンプ回路51において、55は直流成分分離用の容量、56は
クランプスイッチ(MOSゲート)である。サンプルホー
ルド回路53において、57はサンプルスイッチ(MOSゲー
ト)、58はホールド用の容量である。
上述したような相関二重サンプリング回路7を用いる
と、リセット雑音は除去されるが、ソースフォロワ回路
4の雑音は高周波雑音の折り返しという問題があって殆
んど低減されない。ここで、上記高周波雑音の折り返し
について簡単に説明する。
と、リセット雑音は除去されるが、ソースフォロワ回路
4の雑音は高周波雑音の折り返しという問題があって殆
んど低減されない。ここで、上記高周波雑音の折り返し
について簡単に説明する。
第6図(a)ソースフォロワ回路4の雑音スペクトルの
一例を示しており、cは前記CCDレジスタ1の転送周
波数である。所望のCCD出力信号は よりも低周波側にあるので、相関二重サンプリング回路
7を用いていない場合には よりも低い周波数の雑音成分Cのみが問題となり、 の間の雑音D、 の間の雑音E、 の間の雑音F、 の間の雑音G…は問題とならない。これに対して、相関
二重サンプリング回路7を用いると、ソースフォロワ回
路の雑音は第6図(b)に示すように より低周波側の成分は抑圧されてC′となるが、高域側
の雑音の一部D′,E′,F′,G′,…が 以下に折り返され、場合によっては 以下の雑音成分が増加してしまうこともある。
一例を示しており、cは前記CCDレジスタ1の転送周
波数である。所望のCCD出力信号は よりも低周波側にあるので、相関二重サンプリング回路
7を用いていない場合には よりも低い周波数の雑音成分Cのみが問題となり、 の間の雑音D、 の間の雑音E、 の間の雑音F、 の間の雑音G…は問題とならない。これに対して、相関
二重サンプリング回路7を用いると、ソースフォロワ回
路の雑音は第6図(b)に示すように より低周波側の成分は抑圧されてC′となるが、高域側
の雑音の一部D′,E′,F′,G′,…が 以下に折り返され、場合によっては 以下の雑音成分が増加してしまうこともある。
即ち、相関二重サンプリング回路7を用いると、リセッ
ト雑音は抑圧されるが、ソースフォロワ回路4の雑音は
抑圧されず、大きな雑音抑圧効果を期待することはでき
なかった。
ト雑音は抑圧されるが、ソースフォロワ回路4の雑音は
抑圧されず、大きな雑音抑圧効果を期待することはでき
なかった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものでリセット雑
音を抑圧し得ると共にソースフォロワ回路の高周波雑音
の折り返し成分を抑圧でき、低雑音のCCD出力信号が得
られるCCD出力信号処理回路を提供するものである。
音を抑圧し得ると共にソースフォロワ回路の高周波雑音
の折り返し成分を抑圧でき、低雑音のCCD出力信号が得
られるCCD出力信号処理回路を提供するものである。
即ち、本発明のCCD出力信号処理回路は、CCD出力信号を
低域通過波器、相関二重サンプリング回路の順に導
き、上記波器の帯域幅をCCDレジスタ転送周波数の2.5
倍乃至4倍に設定してなることを特徴とするものであ
る。このような帯域幅の設定によれば、CCD出力回路の
高周波雑音の折り返し成分を抑圧でき、CCD出力信号中
の雑音レベルが最小となり、S/Nの良いCCD出力信号が得
られる。
低域通過波器、相関二重サンプリング回路の順に導
き、上記波器の帯域幅をCCDレジスタ転送周波数の2.5
倍乃至4倍に設定してなることを特徴とするものであ
る。このような帯域幅の設定によれば、CCD出力回路の
高周波雑音の折り返し成分を抑圧でき、CCD出力信号中
の雑音レベルが最小となり、S/Nの良いCCD出力信号が得
られる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第1図に示すCCD出力信号処理回路は、第3図を参照し
て前述した従来のCCD出力信号処理回路に比べて、ソー
スフォロワ回路4と相関二重サンプリング回路7との間
に低域通過波器8を挿入し、この波器8の帯域をCC
Dレジスタ転送周波数の2.5倍乃至4倍に設定している点
に異なり、その他は同じであるので、第3図中と同一部
分には同一符号を付してその説明を省略する。
て前述した従来のCCD出力信号処理回路に比べて、ソー
スフォロワ回路4と相関二重サンプリング回路7との間
に低域通過波器8を挿入し、この波器8の帯域をCC
Dレジスタ転送周波数の2.5倍乃至4倍に設定している点
に異なり、その他は同じであるので、第3図中と同一部
分には同一符号を付してその説明を省略する。
上記構成によれば、ソースフォロワ回路出力に含まれる
2種の雑音のうち、リセット雑音は従来例と同様に相関
二重サンプリング回路7によって抑圧される。また、低
域通過波器8の帯域とのその出力信号に含まれる雑音
との関係は第2図に示す特性のように変化する。この場
合、帯域が広過ぎるとソースフォロワ回路4の高周波雑
音の折り返しが大きくなり、逆に帯域が狭過ぎるとソー
スフォロワ回路出力電圧の基準レベル期間と出力信号期
間との分離が不能になって雑音が増大するので、帯域幅
がCCDレジスタ転送周波数cの約2.5倍乃至約4倍の間
で雑音が最小になる。したがって、帯域幅がcの2.5
倍乃至4倍に設定された前記低域通過波器8によっ
て、出力信号の雑音は充分に抑圧されており、S/Nの良
いCCD出力信号が得られる。
2種の雑音のうち、リセット雑音は従来例と同様に相関
二重サンプリング回路7によって抑圧される。また、低
域通過波器8の帯域とのその出力信号に含まれる雑音
との関係は第2図に示す特性のように変化する。この場
合、帯域が広過ぎるとソースフォロワ回路4の高周波雑
音の折り返しが大きくなり、逆に帯域が狭過ぎるとソー
スフォロワ回路出力電圧の基準レベル期間と出力信号期
間との分離が不能になって雑音が増大するので、帯域幅
がCCDレジスタ転送周波数cの約2.5倍乃至約4倍の間
で雑音が最小になる。したがって、帯域幅がcの2.5
倍乃至4倍に設定された前記低域通過波器8によっ
て、出力信号の雑音は充分に抑圧されており、S/Nの良
いCCD出力信号が得られる。
なお、上記相関二重サンプリング回路の具体的な構成は
第5図に示すものに限定されず、この他に種々の構成の
ものが使用可能であることはいうまでもない。
第5図に示すものに限定されず、この他に種々の構成の
ものが使用可能であることはいうまでもない。
上述したように本発明のCCD出力信号回路によれば、リ
セット雑音を抑圧し得ると共にCCD出力回路の高周波雑
音の折り返し成分を抑圧でき、S/Nの良いCCD出力信号が
得られる。
セット雑音を抑圧し得ると共にCCD出力回路の高周波雑
音の折り返し成分を抑圧でき、S/Nの良いCCD出力信号が
得られる。
第1図は本発明のCCD出力信号処理回路の一実施例を示
す構成説明図、第2図は第1図の低域通過波器の帯域
と出力信号の雑音レベルとの関係を示す特性図、第3図
は従来のCCD出力信号処理回路を示す構成説明図、第4
図は第3図のソースフォロワ回路の出力電圧を示す波形
図、第5図は第3図の相関二重サンプリング回路の一具
体例を示す回路図、第6図は第3図のソースフォロワ回
路の雑音スペクトルを示すもので、同図(a)は高周波
雑音の折り返しがない場合、同図(b)は高周波雑音の
折り返しがある場合を示している。 1……CCDレジスタ、4……ソースフォロワ回路、7…
…相関二重サンプリング回路、8……低域通過波器。
す構成説明図、第2図は第1図の低域通過波器の帯域
と出力信号の雑音レベルとの関係を示す特性図、第3図
は従来のCCD出力信号処理回路を示す構成説明図、第4
図は第3図のソースフォロワ回路の出力電圧を示す波形
図、第5図は第3図の相関二重サンプリング回路の一具
体例を示す回路図、第6図は第3図のソースフォロワ回
路の雑音スペクトルを示すもので、同図(a)は高周波
雑音の折り返しがない場合、同図(b)は高周波雑音の
折り返しがある場合を示している。 1……CCDレジスタ、4……ソースフォロワ回路、7…
…相関二重サンプリング回路、8……低域通過波器。
Claims (1)
- 【請求項1】電荷結合素子を用いて電荷転送を行なうCC
Dレジスタの出力回路からのCCD出力信号を低域通過波
器、相関二重サンプリング回路の順に導いて雑音を抑圧
するCCD出力信号処理回路において、上記低域通過波
器の帯域幅が前記CCDレジスタの転送周波数の2.5倍乃至
4倍であることを特徴とするCCD出力信号処理回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59172746A JPH0669049B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | Ccd出力信号処理回路 |
| DE8585109724T DE3576061D1 (de) | 1984-08-20 | 1985-08-02 | Ausgangssignalerzeugungsschaltung fuer ladungsgekoppelte einrichtungen. |
| EP85109724A EP0172474B1 (en) | 1984-08-20 | 1985-08-02 | Ccd output signal generating circuit |
| US06/763,225 US4683580A (en) | 1984-08-20 | 1985-08-07 | CCD output signal processing circuit for use in an image pick-up device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59172746A JPH0669049B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | Ccd出力信号処理回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150365A JPS6150365A (ja) | 1986-03-12 |
| JPH0669049B2 true JPH0669049B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=15947551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59172746A Expired - Lifetime JPH0669049B2 (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | Ccd出力信号処理回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4683580A (ja) |
| EP (1) | EP0172474B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0669049B2 (ja) |
| DE (1) | DE3576061D1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4914519A (en) * | 1986-09-19 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for eliminating noise in a solid-state image pickup device |
| JPS6358968A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷結合素子 |
| US5247554A (en) * | 1987-01-16 | 1993-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charge detection circuit |
| JPH04246976A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Sony Corp | カメラ装置 |
| US5337893A (en) * | 1992-07-22 | 1994-08-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | High capacity carrier plate |
| US5471515A (en) * | 1994-01-28 | 1995-11-28 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer |
| US6486503B1 (en) | 1994-01-28 | 2002-11-26 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor array with electronic shuttering |
| US6021172A (en) * | 1994-01-28 | 2000-02-01 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter |
| US5473660A (en) * | 1994-06-01 | 1995-12-05 | U.S. Philips Corporation | Image sensing device |
| SE9502063L (sv) | 1995-06-07 | 1996-10-28 | Integrated Vision Prod | Anordning för inläsning och behandling av bildinformation |
| US5600696A (en) * | 1995-10-11 | 1997-02-04 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Dual-gain floating diffusion output amplifier |
| EP0940029B1 (en) * | 1996-01-22 | 2004-06-23 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor array with multiresolution readout |
| US5844238A (en) | 1996-03-27 | 1998-12-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Infrared imager using room temperature capacitance sensor |
| US5946033A (en) * | 1996-05-28 | 1999-08-31 | Gatan, Inc. | Method and apparatus for multiple read-out speeds for a CTD |
| US5844265A (en) * | 1996-07-11 | 1998-12-01 | Synaptics, Incorporated | Sense amplifier for high-density imaging array |
| US5838176A (en) * | 1996-07-11 | 1998-11-17 | Foveonics, Inc. | Correlated double sampling circuit |
| US5965871A (en) * | 1997-11-05 | 1999-10-12 | Pixart Technology, Inc. | Column readout multiplexer for CMOS image sensors with multiple readout and fixed pattern noise cancellation |
| US6421085B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-07-16 | Eastman Kodak Company | High speed CMOS imager column CDS circuit |
| US6392233B1 (en) | 2000-08-10 | 2002-05-21 | Sarnoff Corporation | Optomechanical radiant energy detector |
| US6940551B2 (en) | 2000-09-25 | 2005-09-06 | Foveon, Inc. | Active pixel sensor with noise cancellation |
| JP4920610B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2012-04-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Ccd装置及び駆動方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4048525A (en) * | 1975-09-02 | 1977-09-13 | General Electric Company | Output circuit for charge transfer transversal filter |
| US4513260A (en) * | 1977-01-10 | 1985-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Programmable frequency converting filter |
| FR2448249A1 (fr) * | 1979-02-02 | 1980-08-29 | Thomson Csf | Filtre a echantillonnage et autocommutateur comprenant un tel filtre |
| JPS55105480A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-13 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| DE2912745C2 (de) * | 1979-03-30 | 1984-05-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierte Ladungsverschiebeschaltung |
| US4287441A (en) * | 1979-03-30 | 1981-09-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Correlated double sampling CCD video preprocessor-amplifier |
| JPS5651166A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-08 | Hitachi Ltd | Solid image pickup device |
| FR2513832A1 (fr) * | 1981-09-25 | 1983-04-01 | Thomson Csf | Dispositif de lecture en courant d'une quantite de charges electriques et filtre a transfert de charges muni d'un tel dispositif |
| US4435730A (en) * | 1982-03-08 | 1984-03-06 | Rca Corporation | Low noise CCD output |
| JPS5919297A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 電荷結合装置の出力回路 |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP59172746A patent/JPH0669049B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-08-02 DE DE8585109724T patent/DE3576061D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-02 EP EP85109724A patent/EP0172474B1/en not_active Expired
- 1985-08-07 US US06/763,225 patent/US4683580A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS=1976 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150365A (ja) | 1986-03-12 |
| DE3576061D1 (de) | 1990-03-22 |
| US4683580A (en) | 1987-07-28 |
| EP0172474A3 (en) | 1987-09-16 |
| EP0172474A2 (en) | 1986-02-26 |
| EP0172474B1 (en) | 1990-02-14 |
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