JPH0669183A

JPH0669183A - ベーパ乾燥方法および装置

Info

Publication number: JPH0669183A
Application number: JP23780392A
Authority: JP
Inventors: Minoru Tamura; 実田村; Shigeji Masuyama; 茂治増山; Shigeo Shimizu; 重雄清水; Shigeji Osono; 成志大園; 健治 ▲高▼橋; Kenji Takahashi; Akira Okawa; 章大川; 文男 ▲高▼橋; Fumio Takahashi; Shigemi Sekine; 茂実関根
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi High Tech Corp
Priority date: 1992-08-12
Filing date: 1992-08-12
Publication date: 1994-03-11

Abstract

(57)【要約】【目的】ウォータマークの発生を防止できるベーパ乾
燥技術を提供する。【構成】ウエハ２をＩＰＡのベーパ雰囲気に浸漬し
て、水分とＩＰＡとを置換した後、そのＩＰＡを気化さ
せてウエハ２を乾燥する方法において、ウエハ２をベー
パ１５の雰囲気に浸漬させる以前に冷却浴槽３０におい
て冷却して、ウエハ２の表面に氷結被膜２４Ｂを形成し
てウエハ２の表面を被覆する。【効果】ウエハ２がベーパ１５の雰囲気に投入された
際、ベーパ１５の境界面レベルＬがウエハ２の下まで低
下しても、ウエハ２の表面自体に水滴が局所的に付着す
るのを防止することができ、また、ウエハ２の表面自体
が大気中に露出するのを防止することができるため、自
然乾燥時に、ウエハ２の表面自体に局所的に付着した水
滴に大気中の酸素が溶け込むことによって起こるウォー
タマークの発生を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ベーパ乾燥技術、特
に、被処理物が有機溶剤のベーパを使用されて乾燥され
る乾燥技術に関し、例えば、半導体装置の製造におい
て、水洗い後の半導体ウエハ（以下、ウエハという。）
を乾燥させる技術に利用して有効なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造において、水洗い後の
ウエハを乾燥する装置として、複数枚のウエハを保持治
具にて保持した状態で、ベーパ浴槽においてイソ・プロ
ピル・アルコール等のような有機溶剤によって形成され
たベーパ雰囲気中に浸漬し、ウエハとベーパとの温度差
によって、水とベーパの滴である有機溶剤とを置換さ
せ、その後、乾燥室にてウエハに付着した有機溶剤を蒸
発させてウエハを乾燥させるように構成されているベー
パ乾燥装置がある。

【０００３】なお、ベーパ乾燥装置を述べてある例とし
ては、特開昭５６−１６８０７２号公報および実開昭５
９−１３８２３２号公報がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなベ
ーパ乾燥装置においては、次のような問題点があること
が、本発明者によって明らかにされた。

【０００５】ウエハが保持治具に保持された状態で、１
８℃〜１９℃の純水中に浸漬されて洗浄されると、ウエ
ハおよび治具は１８℃〜１９℃の温度状態になる。この
温度状態で、ウエハおよび治具がベーパ浴槽に搬入され
ると、一瞬にして大量のベーパが結露することにより消
費されるため、ベーパ浴槽内のベーパ面（ベーパ雰囲気
と大気との境界面）のレベルが一気に下降する。その結
果、ベーパ浴槽に搬入されたウエハがベーパ雰囲気に浸
漬されない期間が発生するため、この間に自然乾燥が進
むと、自然酸化等によるウォータマークが発生する。

【０００６】本発明の目的は、ウォータマークの発生を
防止することができるベーパ乾燥装置を提供することに
ある。

【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００９】すなわち、ベーパ浴槽の内部に有機溶剤の
ベーパ雰囲気が形成され、このベーパ浴槽における有機
溶剤のベーパ雰囲気に洗浄後の被処理物が浸漬されるこ
とにより、被処理物とベーパとの温度差によって水とベ
ーパの滴である有機溶剤とが置換され、その後乾燥室に
て被処理物に付着した有機溶剤が蒸発されて被処理物が
乾燥されるベーパ乾燥方法において、前記ベーパ雰囲気
に浸漬される以前に、被処理物が湿潤した状態で冷却さ
れることにより、被処理物の表面に付着した水が凍結さ
れて被処理物の表面に氷結被膜が形成され、続いて、氷
結被膜が形成された状態の被処理物が前記ベーパ雰囲気
に浸漬されることを特徴とする。

【００１０】

【作用】前記した手段によれば、被処理物の表面が氷結
被膜によって被覆された状態で、ベーパ雰囲気に浸漬さ
れるため、被処理物がベーパ雰囲気に搬入された際に、
ベーパが瞬時に大量に消費されることによって、被処理
物がベーパ雰囲気の外部に露出しても、被処理物の表面
が外気に接触することは回避することができる。したが
って、ベーパ面が一気に低下することにより、被処理物
がベーパ雰囲気の外部に露出しても、被処理物がベーパ
雰囲気から大気中に露出することによって起こるウォー
タマーク現象は発生しない。

【００１１】

【実施例】図１は本発明の一実施例であるベーパ乾燥装
置を示す縦断面図、図２および図３はその作用を説明す
るための模式図および一部省略拡大断面図である。

【００１２】本実施例において、本発明に係るベーパ乾
燥装置は、洗浄後のウエハをベーパ乾燥するベーパ乾燥
装置１として構成されている。このベーパ乾燥装置１に
おいて、被処理物としてのウエハ２は複数枚が、保持治
具（以下、治具という。）３に保持されて一括に乾燥処
理されるようになっている。

【００１３】治具３は耐薬品性の良好な弗素樹脂が用い
られて、その平面形状が長方形の箱形状に形成されてい
る。治具３の長辺側の一対の側壁面には保持溝４が複数
条、軸心方向に略等間隔に配されて円弧形状に刻設され
ている。そして、各保持溝４は被保持物としてのウエハ
２を治具３の上面開口から挿入されることにより、ウエ
ハ２を一枚宛保持するように構成されている。

【００１４】本実施例において、このベーパ乾燥装置１
は、ベーパ浴槽１０、希ＩＰＡ浴槽２０および冷却浴槽
３０を備えている。ベーパ浴槽１０は浴槽本体１１を備
えており、この本体１１は石英ガラスが用いられて、平
面形状が略正方形の箱形状に形成されている。本体１１
の上部には治具３を出し入れするための出入口１２が開
設されている。この浴槽本体１１の出入口１２の内周壁
には冷却水を循環させるためのコイル状の冷却パイプ１
３が敷設されている。

【００１５】浴槽本体１１の内部には、有機溶剤として
のイソ・プロピル・アルコール（以下、ＩＰＡとい
う。）１４が収容されており、このＩＰＡ１４は本体１
１の外部から給液管１６によって供給されるようになっ
ている。浴槽本体１１の下には赤外線ヒータ、または鉄
やアルミニュームのブロックにシーズヒータを埋め込ん
だヒートブロック等からなる加熱装置１７が設置されて
おり、加熱装置１７はＩＰＡ１４を加熱することによ
り、それを強制的に蒸発させてベーパ１５を発生させる
ように構成されている。

【００１６】また、浴槽本体１１内のＩＰＡ１４の液面
よりも上方には、上部を開口したトレー１８が滴下して
来る水滴を受け得るように設置されており、このトレー
１８の底部には本体１の外部へ連通する排液管１９が接
続されている。そして、トレー１８の真上には治具３が
ハンドラ（後述する。）によって吊り下げられてセット
されるようになっている。

【００１７】本実施例において、希ＩＰＡ浴槽２０はウ
エハ洗浄工程における最終段階としての純水洗浄処理を
実施する洗浄装置を兼ねるように構成されている。図１
に示されているように、この洗浄装置兼用希ＩＰＡ浴槽
２０は内外二重槽に構成されている処理槽２１を備えて
おり、内外槽は同心の略正方形筒形状に形成されてい
る。外槽２２は石英ガラスが用いられて形成されてお
り、内槽２３はステンレス等が用いられて形成されてい
るとともに、弗素樹脂により表面がコーティングされて
いる。

【００１８】洗浄槽２１には純水にＩＰＡが所定量だけ
添加された希ＩＰＡ２４が貯留されており、この希ＩＰ
Ａ２４は外槽２２および内槽２３を循環するようになっ
ている。すなわち、外槽２２の底部にはポンプ２５が設
備されており、このポンプ２５は外槽２２の希ＩＰＡ２
４を内槽２３に圧送するように構成されている。ポンプ
２５の吸入側にはプレフィルタ２６が介設されており、
ポンプ２５の排出側である内槽２３の底部にはメインフ
ィルタ２７が介設されている。また、内槽２３のメイン
フィルタ２７の上方には多孔質の整流板２８が介設され
ており、この整流板２８により希ＩＰＡ２４が内槽２３
を層流となって上昇して行くようになっている。そし
て、内槽２３において、希ＩＰＡ２４は常時オーバフロ
ーして外槽２２側へ循環して行くようになっている。し
たがって、内槽２３はオーバフロー槽を構成しているこ
とになる。

【００１９】なお、図示しないが、洗浄槽２１には希Ｉ
ＰＡ２４を適宜補給するための給水系、および、希ＩＰ
Ａ２４を適宜排出するための排水系が設備されている。

【００２０】本実施例において、冷却浴槽３０は工程的
に希ＩＰＡ槽２０とベーパ槽１０との間に設備されてい
る。図１に示されているように、この冷却浴槽３０は内
外二重槽に構成されている。内槽３１には冷却剤として
の低温窒素ガス３４が低温窒素ガス供給装置によって供
給されるようになっている。すなわち、外槽３２の底部
には液体窒素タンク（図示せず）に接続されたポンプ３
５が設備されており、このポンプ３５は液体窒素３３を
噴霧するように構成されている。そして、噴霧された液
体窒素３４は直ちに低温窒素ガス３４に気化するように
なっている。

【００２１】内槽３１に供給された低温窒素ガス３４
は、重くかつきわめて低温度であるため、内槽３１の底
部に停滞する状態になる。そして、停滞した低温窒素ガ
ス３４が内槽３１に充満すると、低温窒素ガス３４は常
時オーバフローして外槽３２側へ循環して行くようにな
っている。したがって、内槽３１はオーバフロー槽を構
成していることになる。

【００２２】外槽３２の底部には排気口３６が開設され
ており、排気口３５は排気装置（図示せず）に接続され
ている。そして、この排気装置は内槽３１から外槽３２
にオーバフローした低温窒素ガス３４を外槽３２の底部
から徐々に排気し得るように制御されている。

【００２３】このベーパ乾燥装置１は吊り具４２を介し
て保持治具３を吊持するハンドラ４１を備えており、詳
細な説明は省略するが、ハンドラ４１は保持治具３を吊
り下げた状態で、希ＩＰＡ浴槽２０と冷却浴槽３０とベ
ーパ浴槽１０と、例えば、後述するベンチレータ４３、
その他の場所との間を適宜移動するように構成されてい
る。

【００２４】次に作用を説明する。強酸等によって所定
の洗浄処理が施されたウエハ２は、洗浄工程の最終段階
である純水洗浄装置を兼用する希ＩＰＡ浴槽２０にハン
ドラ４１によって搬送されて来る。このとき、洗浄すべ
きウエハ２は複数枚が治具３に保持されている。すなわ
ち、１枚のウエハ１は保持溝４に嵌入されており、複数
枚のウエハ２が互いに、同心的に並べられた状態に保持
されている。また、治具３は吊り具４２を介してハンド
ラ４１に吊持されている。

【００２５】複数枚のウエハ２がセットされた治具３
は、ハンドラ４１に吊持された状態で、ハンドラ４１に
よって洗浄槽２１に搬送されて下降され、内槽２３の希
ＩＰＡ２４中に浸漬される。

【００２６】治具３が希ＩＰＡ２４中に浸漬されると、
各ウエハ２および治具３に希ＩＰＡ２４が接触するた
め、ウエハ２および治具３の表面に付着した強酸やエッ
チング残渣等の異物（以下、異物等という。）は洗い流
される。そして、洗い流された異物等は、上方に向かう
水流に乗って、内槽２３の希ＩＰＡ２４中における上部
に運ばれる。この内槽２３の上部においては、希ＩＰＡ
２４のオーバフロー流が常時形成されているため、水流
に乗って上部に運ばれた異物等は、このオーバフロー流
に乗ってそのまま直ちに外槽２２に排出されることにな
る。したがって、内槽２３の希ＩＰＡ２４中には異物等
が浮遊することは、殆どない状態になっている。

【００２７】このようにして、ウエハ２および治具３が
洗浄液としての希ＩＰＡ２４によって洗浄された後、治
具３はハンドラ４１に吊持されたまま希ＩＰＡ２４中か
ら引き上げられる。このとき、希ＩＰＡ２４の水面に異
物等が浮遊していることがないため、引き上げ途中で、
異物等がウエハ２の表面に再付着することはない。した
がって、洗浄の効果はそのまま維持され、その結果、露
光工程等の後の工程における処理精度を高めることがで
きる。

【００２８】この希ＩＰＡ浴槽２０から引き上げられた
際、洗浄液として希ＩＰＡ２４が使用されているため、
希ＩＰＡ浴槽２０から引き上げられたウエハ２および治
具３の表面は、希ＩＰＡの被膜２４Ａによって被覆され
た状態になる。このとき、純水の表面張力が微量のＩＰ
Ａによって緩和されているため、希ＩＰＡ被膜２４Ａは
ウエハ２および治具３の表面に全体的に均一に形成され
た状態になる（図２参照）。

【００２９】本実施例において、希ＩＰＡ浴槽２０中か
ら引き上げられた治具３は、希ＩＰＡ被膜２４Ａによっ
て湿潤されたウエハ２群がセットされたままの状態で、
冷却浴槽３０にハンドラ４１により直ちに搬入される。

【００３０】そして、搬入されたウエハ２および治具３
の表面に均一に形成された希ＩＰＡ被膜２４Ａは、冷却
浴槽３０内の低温窒素ガス３４に接触することにより、
瞬間的に冷却されて凍結される。したがって、ウエハ２
および治具３の表面には、図２に示されているように、
希ＩＰＡ被膜２４Ａによる氷結被膜２４Ｂが形成され
る。この氷結被膜２４Ｂは希ＩＰＡ被膜２４Ａが均一に
形成されているため、ウエハ２および治具３の表面を均
一に被覆した状態になる。

【００３１】このようにして冷却浴槽３０において、そ
の表面を氷結被膜２４Ｂによって被覆されたウエハ２お
よび治具３は、冷却浴槽３０から引き上げられて、氷結
された状態のまま、ベーパ浴槽１０にハンドラ４１によ
って直ちに搬入される。そして、氷結被膜２４Ｂによっ
て表面が被覆されたウエハ２および治具３は、図１に示
されているように、ベーパ浴槽１０により乾燥処理が実
施される。

【００３２】ここで、ベーパ浴槽１０の底部に貯留され
ているＩＰＡ１４の液体は加熱装置１７により加熱され
て蒸発しベーパ１５を発生する。ベーパ１５は上昇し、
冷却パイプ１３によってコールドトラップされるため、
ベーパ浴槽本体１１内は完全にベーパ１５の雰囲気にな
っている。

【００３３】前述したように、冷却浴槽３０において、
氷結被膜２４Ｂによって表面が被覆されたウエハ２群は
治具３に保持された状態で、ハンドラ４１により吊持さ
れ、ベーパ浴槽本体１１内へ出入口１２から、図１に示
されているように、治具３がトレー１８の真上位置に来
るまで下降される。

【００３４】投入時、ウエハ２および治具３は前工程で
冷却処理されたため、低温度の状態になっている。すな
わち、ウエハ２および治具３はベーパ１５の雰囲気温度
よりも非常に低い温度に冷却されたため、ベーパ１５の
雰囲気温度（約８０℃）以下の温度状態になっている。

【００３５】そして、ウエハ２および治具３はベーパ１
５の雰囲気温度よりもきわめて低い温度の状態になって
いるため、ウエハ２および治具３がベーパ１５の雰囲気
中に浸漬されると、それらの表面においてベーパ１５が
瞬間的に結露して、ＩＰＡ１４の滴になってそれらの表
面に急激に付着して行く。

【００３６】ＩＰＡ１４がウエハ２および治具３の表面
に付着して行くに際して、その付着開始初期には表面を
被覆している氷結被膜２４Ｂに付着するが、その氷結被
膜２４Ｂが解凍した後には、結露したＩＰＡ１４はウエ
ハ２および治具３の表面を湿潤している水分４４と次第
に置き換わって行く。そして、ウエハ２および治具３の
表面温度がベーパ１５の温度と同等になった時点で水分
４４と、ＩＰＡ１４との置換が終了する。

【００３７】ところで、低温度に冷却されたウエハ２お
よび治具３が、高温度（約８０℃）のベーパ１５の雰囲
気に投入されると、ベーパ１５が一瞬にして結露するこ
とにより、ベーパ１５が一気に消費されるため、図３に
示されているように、ベーパ１５の境界面レベルＬが急
激に低下してしまう。

【００３８】そして、境界面レベルＬがウエハ２よりも
下まで低下すると、ウエハ２がベーパ１５の雰囲気から
大気中に露出する状態になるため、ウエハ２が自然乾燥
する結果、ウォータマークが発生する。すなわち、ウエ
ハ２の表面自体に局所的に付着した水滴に大気中の酸素
が溶け込み、この酸素によりウエハ２の表面は水滴が付
着していた場所だけが局所的に自然酸化されるため、所
謂ウォータマーク現象が発生する。

【００３９】しかし、本実施例においては、ベーパ浴槽
１０への搬入当初、ウエハ２および治具３の表面は氷結
被膜２４Ｂによって均一に被覆されているため、境界面
レベルＬがウエハ２よりも低下しても、ウエハ２および
治具３の表面自体に水滴が局所的に付着することはない
し、また、ウエハ２および治具３の表面自体が大気中に
露出することもない。したがって、自然乾燥時に、ウエ
ハ２の表面自体に局所的に付着した水滴に大気中の酸素
が溶け込むことによって起こるウォータマークは必然的
に発生しない。

【００４０】ちなみに、氷結被膜２４Ｂが大気中に露出
しても、氷結被膜２４Ｂはウエハ２の表面を全体的に均
一に被覆しているので、ウエハ２の表面に局所的に付着
した水滴に大気中の酸素が溶け込むことによって起こる
ウォータマークは、発生することはない。

【００４１】そして、ＩＰＡ１４と置換した水分４４
は、ウエハ２および治具３の表面に残った異物等と共に
表面を流下して、トレー１８上にそれぞれ滴下し、トレ
ー１８により集水されて、排液管１９を通じて外部に排
出される。このように、滴下する水分４４をトレー１８
によって集水することにより、水分４４がベーパ浴槽本
体１１の底部に貯留されているＩＰＡ１４の液中に混入
するのを防止することができるため、混入した水分４４
が再蒸発して水蒸気になるのを回避することができる。
その結果、水分４４のウエハ２への再付着を防止するこ
とができる。

【００４２】置換が終了した時点において、治具３はハ
ンドラ４１によってベーパ浴槽本体１１からベンチレー
タ４３内へ引き上げられる。治具３およびウエハ２がベ
ーパ浴槽本体１１から引き上げられると、治具３および
ウエハ２はベーパ１５の雰囲気温度によって加熱されて
昇温しているため、これらの表面に滴になって付着して
いるＩＰＡ１４は温度を奪いながら気化することにな
る。ＩＰＡ１４が気化しきると、治具３およびウエハ２
は乾燥することになる。気化したＩＰＡ１４はベンチレ
ータ３３により吸引されて他所へ拡散するのを防止され
る。

【００４３】前記実施例によれば次の効果が得られる。ウエハ２をベーパ１５の雰囲気に浸漬させる以前に
冷却浴槽３０において冷却して、ウエハ２の表面に氷結
被膜２４Ｂを形成してウエハ２の表面を被覆することに
より、ウエハ２がベーパ１５の雰囲気に投入された際、
ベーパ１５の境界面レベルＬがウエハ２の下まで低下し
ても、ウエハ２の表面自体に水滴が局所的に付着するの
を防止することができ、また、ウエハ２の表面自体が大
気中に露出するのを防止することができるため、自然乾
燥時に、ウエハ２の表面自体に局所的に付着した水滴に
大気中の酸素が溶け込むことによって起こるウォータマ
ークの発生を防止することができる。

【００４４】ウォータマークの発生を防止すること
により、乾燥精度を高めることができるとともに、露光
工程等の後の工程における不良の発生率を低下させるこ
とができる。

【００４５】希ＩＰＡ浴槽２０を洗浄工程における
最終段階の純水洗浄処理と兼用的に構成することによ
り、設備費用および占拠面積の増加を抑制することがで
きる。

【００４６】洗浄液として希ＩＰＡ２４を使用する
ことにより、純水の表面張力が微量のＩＰＡによって緩
和することができるため、希ＩＰＡ浴槽２０から引き上
げられたウエハ２の表面に希ＩＰＡ被膜２４Ａを均一に
形成させることができ、その結果、ウエハ２の表面に氷
結被膜２４Ｂを均一に凍結させることができる。

【００４７】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４８】例えば、希ＩＰＡ浴槽は、洗浄工程におけ
る最終段階の純水洗浄処理と兼用的に構成するに限ら
ず、専用的に構成してもよい。また、希ＩＰＡ浴槽を省
略して、洗浄工程における最終段階の純水洗浄処理によ
って湿潤されたウエハを直接的に冷却して、ウエハの表
面に氷結被膜を形成してもよい。

【００４９】冷却浴槽の冷却装置としては、低温窒素ガ
ス供給装置を使用するに限らず、冷凍サイクルによる一
般的な冷却装置を使用してもよい。

【００５０】有機溶剤としては、ＩＰＡを使用するに限
らず、トリクレンやメタノールアルコール等の有機溶剤
を使用してもよい。

【００５１】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるウエハ
のベーパ乾燥技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、ホトマスクや光学レン
ズ、液晶ディスプレイパネル等についてのベーパ乾燥技
術全般に適用することができる。特に、本発明は、局所
的に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことによっ
て起こるウォータマークが重大な障害になる板状物を複
数枚同時に乾燥するのに使用して優れた効果が得られ
る。

【００５２】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５３】被処理物をベーパの雰囲気に浸漬させる以
前に冷却浴槽において冷却して、被処理物の表面に氷結
被膜を形成して被処理物の表面を被覆することにより、
被処理物がベーパの雰囲気に投入された際、ベーパの境
界面レベルが被処理物の下まで低下しても、被処理物の
表面自体に水滴が局所的に付着するのを防止することが
でき、また、被処理物の表面自体が大気中に露出するの
を防止することができるため、自然乾燥時に、被処理物
の表面自体に局所的に付着した水滴に大気中の酸素が溶
け込むことによって起こるウォータマークの発生を必然
的に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるウエハの乾燥装置を示
す縦断面図である。

【図２】作用を説明するための模式図である。

【図３】作用を説明するための一部省略拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１…ウエハの乾燥装置、２…ウエハ（被処理物）、３…
…治具、４…保持溝、１０…ベーパ浴槽、１１…浴槽本
体、１２…出入口、１３…冷却パイプ、１４…ＩＰＡ
（有機溶剤）、１５…ベーパ、１６…給液管、１７…加
熱装置、１８…トレー、１９…排液管、２０…希ＩＰＡ
浴槽、２１…洗浄槽、２２…内槽、２３…外槽、２４…
希ＩＰＡ（洗浄液）、２４Ａ…希ＩＰＡ被膜、２４Ｂ…
氷結被膜、２５…ポンプ、２６…プリフィルタ、２７…
メインフィルタ、２８…整流板、２９…温水循環パイ
プ、３０…冷却浴槽、３１…内槽、３２…外槽、３３…
液体窒素、３４…低温窒素ガス、３５…液体窒素噴霧用
ポンプ、３６…排気口、４１…ハンドラ、４２…吊り
具、４３…ベンチレータ、４４…水分。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者清水重雄群馬県高崎市西横手町111番地株式会社日立製作所高崎工場内 (72)発明者大園成志群馬県高崎市西横手町111番地株式会社日立製作所高崎工場内 (72)発明者 ▲高▼橋健治群馬県高崎市西横手町111番地株式会社日立製作所高崎工場内 (72)発明者大川章群馬県高崎市西横手町111番地株式会社日立製作所高崎工場内 (72)発明者 ▲高▼橋文男群馬県高崎市西横手町111番地株式会社日立製作所高崎工場内 (72)発明者関根茂実群馬県高崎市西横手町111番地株式会社日立製作所高崎工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベーパ浴槽の内部に有機溶剤のベーパ雰
囲気が形成され、このベーパ浴槽における有機溶剤のベ
ーパ雰囲気に洗浄後の被処理物が浸漬されることによ
り、被処理物とベーパとの温度差によって水とベーパの
滴である有機溶剤とが置換され、その後乾燥室にて被処
理物に付着した有機溶剤が蒸発されて被処理物が乾燥さ
れるベーパ乾燥方法において、前記ベーパ雰囲気に浸漬される以前に、被処理物が湿潤
した状態で冷却されることにより、被処理物の表面に付
着した水が凍結されて被処理物の表面に氷結被膜が形成
され、続いて、氷結被膜が形成された状態の被処理物が前記ベ
ーパ雰囲気に浸漬されることを特徴とするベーパ乾燥方
法。
【請求項２】前記氷結被膜が形成される以前に、被処
理物が希釈された有機溶剤中に浸漬されることを特徴と
する請求項１に記載のベーパ乾燥方法。
【請求項３】ベーパ浴槽の内部に有機溶剤のベーパ雰
囲気が形成され、このベーパ浴槽における有機溶剤のベ
ーパ雰囲気に洗浄後の被処理物が浸漬されることによ
り、被処理物とベーパとの温度差によって水とベーパの
滴である有機溶剤とが置換され、その後乾燥室にて被処
理物に付着した有機溶剤が蒸発されて被処理物が乾燥さ
れるベーパ乾燥装置において、前記ベーパ浴槽の外部に、前記ベーパ雰囲気に浸漬され
る以前に、被処理物を湿潤した状態で冷却することによ
り、被処理物の表面に付着した水を凍結させて被処理物
の表面に氷結被膜を形成する冷却浴槽が設けられている
ことを特徴とするベーパ乾燥装置。