JPH0669381A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0669381A JPH0669381A JP22113192A JP22113192A JPH0669381A JP H0669381 A JPH0669381 A JP H0669381A JP 22113192 A JP22113192 A JP 22113192A JP 22113192 A JP22113192 A JP 22113192A JP H0669381 A JPH0669381 A JP H0669381A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding pad
- semiconductor chip
- resin
- lead frame
- integrated circuit
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
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- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 18
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
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- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims 1
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パッシベーション膜で覆われた半導体チップ上
部外周部に、複数の溝を有するポリイミド膜を形成する
ことにより、封止用樹脂とポリイミド膜との密着性を向
上させ封止用樹脂のはがれを防止する。 【構成】半導体チップ２上部に窒化膜からなるパッシベ
ーション膜４を形成し、ボンディングパッド３上部に開
孔部を形成する。次に、全面にポリイミド膜５を形成し
たのち、ホトエッチング法を用い、ボンディングパット
３上部に開孔部及び外周部に複数の溝６を形成する。そ
の後、ボンディングパット３とリードフレーム１をボン
ディングワイヤ７により接続し、封止用樹脂８により樹
脂封止を行なう。
部外周部に、複数の溝を有するポリイミド膜を形成する
ことにより、封止用樹脂とポリイミド膜との密着性を向
上させ封止用樹脂のはがれを防止する。 【構成】半導体チップ２上部に窒化膜からなるパッシベ
ーション膜４を形成し、ボンディングパッド３上部に開
孔部を形成する。次に、全面にポリイミド膜５を形成し
たのち、ホトエッチング法を用い、ボンディングパット
３上部に開孔部及び外周部に複数の溝６を形成する。そ
の後、ボンディングパット３とリードフレーム１をボン
ディングワイヤ７により接続し、封止用樹脂８により樹
脂封止を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に封止用樹脂によってパッケージされた半導体
集積回路装置に関する。
関し、特に封止用樹脂によってパッケージされた半導体
集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、従来の封止用樹脂８
によってパッケージされた半導体集積回路装置は、熱膨
張係数の違う素材の組み合せによって構成されている
為、半導体チップ２に応力が加わり、クラックが発生す
る可能性がある。その対策の１つとして、半導体チップ
２表面に薄膜樹脂（以下、ポリイミドと記す）膜５を被
覆している。
によってパッケージされた半導体集積回路装置は、熱膨
張係数の違う素材の組み合せによって構成されている
為、半導体チップ２に応力が加わり、クラックが発生す
る可能性がある。その対策の１つとして、半導体チップ
２表面に薄膜樹脂（以下、ポリイミドと記す）膜５を被
覆している。
【０００３】従来のポリイミド膜５の被覆方法は、パッ
シベーション膜４で覆われた半導体チップ２の上部にポ
リイミド膜５を形成する。その後、ボンディングパッド
上部をホトリソグラフィ技術によって開孔し、次に、ボ
ンディングパッドとリードフレーム１とをボンディング
接続を行なってから封止用樹脂８にて封止される。
シベーション膜４で覆われた半導体チップ２の上部にポ
リイミド膜５を形成する。その後、ボンディングパッド
上部をホトリソグラフィ技術によって開孔し、次に、ボ
ンディングパッドとリードフレーム１とをボンディング
接続を行なってから封止用樹脂８にて封止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
技術では、ほぼ全面に表面が均一なポリイミド膜５を形
成しているため、封止用樹脂８と半導体チップ２の熱膨
張係数の違いにより応力がかかり、密着性の弱いポリイ
ミド膜５と封止用樹脂８との間にはがれ部分９が発生す
るという問題点がある。
技術では、ほぼ全面に表面が均一なポリイミド膜５を形
成しているため、封止用樹脂８と半導体チップ２の熱膨
張係数の違いにより応力がかかり、密着性の弱いポリイ
ミド膜５と封止用樹脂８との間にはがれ部分９が発生す
るという問題点がある。
【０００５】本発明の目的は、ポリイミド膜と封止用樹
脂との間にはがれ部分の発生のない半導体集積回路装置
を提供することにある。
脂との間にはがれ部分の発生のない半導体集積回路装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムと、該リードフレーム上に搭載された半導体チップ
と、該半導体チップ上に形成されたボンディングパッド
と、該ボンディングパッドを残して前記半導体チップ表
面に形成されたパッシベーション膜と、該パッシベーシ
ョン膜を被覆する薄膜樹脂と、前記ボンディングパッド
と前記リードフレームを接続するボンディングワイヤ
と、前記半導体チップと前記ボンディングパッドと前記
パッシベーション膜と前記薄膜樹脂と前記ボンディング
ワイヤと前記リードフレームの一部を封止する封止用樹
脂とを有する半導体集積回路装置において、前記薄膜樹
脂の外周部に複数の溝を設ける。
ムと、該リードフレーム上に搭載された半導体チップ
と、該半導体チップ上に形成されたボンディングパッド
と、該ボンディングパッドを残して前記半導体チップ表
面に形成されたパッシベーション膜と、該パッシベーシ
ョン膜を被覆する薄膜樹脂と、前記ボンディングパッド
と前記リードフレームを接続するボンディングワイヤ
と、前記半導体チップと前記ボンディングパッドと前記
パッシベーション膜と前記薄膜樹脂と前記ボンディング
ワイヤと前記リードフレームの一部を封止する封止用樹
脂とを有する半導体集積回路装置において、前記薄膜樹
脂の外周部に複数の溝を設ける。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１は本発明の第１の実施例の部分拡大断
面図、図２は図１の樹脂封止前の外周部の平面図であ
る。
面図、図２は図１の樹脂封止前の外周部の平面図であ
る。
【０００９】第１の実施例は、図１に示すように、ま
ず、半導体チップ２上のボンディングパッド３と対応す
る位置に開孔部を有するように窒化膜からなるパッシベ
ーション膜４を形成する。次に、パッシベーション膜４
全面にポリイミド膜５を形成し、ボンディングパット３
上に開孔部及び溝６をホトエッチング法を用い形成す
る。尚、溝６は図２に示すように、外周部に複数個形成
する。その後、ボンディングパット３とリードフレーム
１をボンディングワイヤ７により接続させ封止用樹脂８
により樹脂封止を行なう。
ず、半導体チップ２上のボンディングパッド３と対応す
る位置に開孔部を有するように窒化膜からなるパッシベ
ーション膜４を形成する。次に、パッシベーション膜４
全面にポリイミド膜５を形成し、ボンディングパット３
上に開孔部及び溝６をホトエッチング法を用い形成す
る。尚、溝６は図２に示すように、外周部に複数個形成
する。その後、ボンディングパット３とリードフレーム
１をボンディングワイヤ７により接続させ封止用樹脂８
により樹脂封止を行なう。
【００１０】図３は本発明の第２の実施例の溝の部分の
断面図である。
断面図である。
【００１１】第２の実施例は、図３に示すように、ま
ず、ポリイミド膜５を全面に形成したのち、ボンディン
グパット（図示せず）上部を完全に開孔する。
ず、ポリイミド膜５を全面に形成したのち、ボンディン
グパット（図示せず）上部を完全に開孔する。
【００１２】次に、溝６の部分をポリイミド膜５の厚み
の途中まで形成する。その後、第１の実施例と同一方法
でボンディングパッドとリードフレームをボンディング
ワイヤ７により接続させ封止用樹脂により樹脂封止を行
う。
の途中まで形成する。その後、第１の実施例と同一方法
でボンディングパッドとリードフレームをボンディング
ワイヤ７により接続させ封止用樹脂により樹脂封止を行
う。
【００１３】本実施例では、ポリイミド膜５に形成する
溝６の底部にパッシベーション膜４が露出することがな
いため、α線の浸入を防ぐことができる効果がある。
溝６の底部にパッシベーション膜４が露出することがな
いため、α線の浸入を防ぐことができる効果がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップ上の外周部に複数の溝を有するポリイミド膜を形成
しているため、封止用樹脂とポリイミド膜との間に生ず
る外周部での密着性を向上させ、ポリイミド膜と封止用
樹脂との間のはがれを防止することができるという効果
を有する。
ップ上の外周部に複数の溝を有するポリイミド膜を形成
しているため、封止用樹脂とポリイミド膜との間に生ず
る外周部での密着性を向上させ、ポリイミド膜と封止用
樹脂との間のはがれを防止することができるという効果
を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の部分拡大断面図であ
る。
る。
【図２】図１の樹脂封止前の外周部の平面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の溝の部分の断面図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体集積回路装置の一例の部分拡大断
面図である。
面図である。
１ リードフレーム ２ 半導体チップ ３ ボンディングパット ４ パッシベーション膜 ５ ポリイミド膜 ６ 溝 ７ ボンディングワイヤ ８ 封止用樹脂 ９ はがれ部分
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームと、該リードフレーム上
に搭載された半導体チップと、該半導体チップ上に形成
されたボンディングパッドと、該ボンディングパッドを
残して前記半導体チップ表面に形成されたパッシベーシ
ョン膜と、該パッシベーション膜を被覆する薄膜樹脂
と、前記ボンディングパッドと前記リードフレームを接
続するボンディングワイヤと、前記半導体チップと前記
ボンディングパッドと前記パッシベーション膜と前記薄
膜樹脂と前記ボンディングワイヤと前記リードフレーム
の一部を封止する封止用樹脂とを有する半導体集積回路
装置において、前記薄膜樹脂の外周部に複数の溝を設け
たことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 前記薄膜樹脂がポリイミド系樹脂である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22113192A JPH0669381A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22113192A JPH0669381A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669381A true JPH0669381A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16761945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22113192A Pending JPH0669381A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669381A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012199A1 (de) * | 1997-09-03 | 1999-03-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Verpackte integrierte schaltung |
| WO2014122892A1 (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22113192A patent/JPH0669381A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012199A1 (de) * | 1997-09-03 | 1999-03-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Verpackte integrierte schaltung |
| WO2014122892A1 (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980929 |