JPH04277670A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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Publication number
JPH04277670A
JPH04277670A JP3065602A JP6560291A JPH04277670A JP H04277670 A JPH04277670 A JP H04277670A JP 3065602 A JP3065602 A JP 3065602A JP 6560291 A JP6560291 A JP 6560291A JP H04277670 A JPH04277670 A JP H04277670A
Authority
JP
Japan
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lead frame
lead
metal layer
semiconductor device
sealing resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3065602A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiro Osedo
大施戸　治郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH04277670A publication Critical patent/JPH04277670A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を実装す
る半導体装置用リードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の樹脂モールド型半導体装置
を示す断面図である。図において、１は半導体素子であ
り、リードフレームダイパッド部２に接着材３を介して
接合されている。４はリードフレームのインナーリード
部、５は同アウターリード部、６はダイパッド２及びイ
ンナーリード４に施された内部めっき、７は外部リード
５に施された外装めっきである。８は半導体素子１とイ
ンナーリード４とを接続する金属細線、９は半導体素子
１の保護のために施した封止樹脂である。なお上記リー
ドフレームは金属で製作されている。
【０００３】次に製作工程について説明する。半導体素
子１はリードフレームのダイパッド部２に接着材３を介
して接合され、さらに、半導体素子１とインナーリード
部４とが金属細線８により接続され、その後半導体素子
１は封止用樹脂９により封止される。そして外部リード
５に外装めっき７が施されて１個の半導体装置となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来のリード
フレームは金属で製作されているため、封止樹脂との熱
膨張係数が大きく異なり、これが原因でパッケージとリ
ードフレーム間にクラックを発生させるおそれがある。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、リードフレーム材として樹脂を
用いることで、熱膨張係数の差をなくすとともに、リー
ドフレームに金属層を全面に施すことで、半導体素子と
の電気的接続ができる半導体リードフレームを得ること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置用リードフレームは、合成樹脂を基材として、その全
面を金属層で被覆したものである。
【０００７】
【作用】この発明におけるリードフレームは、基材を合
成樹脂で構成されているので、封止樹脂との熱膨張係数
の差が殆どなくなる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１について説
明する。図１において、上記従来例のものと異なるとこ
ろは、リードフレーム２，４，５の材料に樹脂を用い、
その全面を金属層１０で被覆したものである。
【０００９】なおアウターリード部は、最初に構成され
た金属層の上にさらにアウターリードに適した金属層を
施しても良く、又逆に、アウターリードに適した金属層
を先に形成し、その上でインナーリード部はインナーリ
ードに適した金属層を施してもよい。さらには全面に金
属層を形成した上で、インナーリード、アウターリード
各々に適した金属層をそれぞれ施してもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、リード
フレーム材を樹脂により構成したので、封止樹脂とほぼ
同じ熱膨張係数にすることができ、熱歪の起きないパッ
ケージが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来の樹脂モールド型半導体装置を示す断面図
である。
【符号の説明】
１　　　　　　半導体素子 ２　　　　　　ダイパッド部 ４　　　　　　インナーリード部 ５　　　　　　アウターリード部 ８　　　　　　金属細線 ９　　　　　　封止樹脂 １０　　　　金属層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　リードフレーム上に半導体素子を実装
    し、この半導体素子を樹脂封止するものにおいて、合成
    樹脂を基材とするリードフレームの全面に金属層を形成
    したことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
JP3065602A 1991-03-05 1991-03-05 半導体装置用リードフレーム Pending JPH04277670A (ja)

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JP3065602A JPH04277670A (ja) 1991-03-05 1991-03-05 半導体装置用リードフレーム

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JPH04277670A true JPH04277670A (ja) 1992-10-02

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800271B (zh) 2009-02-10 2012-01-18 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装体及其制造方法
US8389307B2 (en) 2009-02-04 2013-03-05 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof

Cited By (3)

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US8389307B2 (en) 2009-02-04 2013-03-05 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
US8431948B2 (en) 2009-02-04 2013-04-30 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
CN101800271B (zh) 2009-02-10 2012-01-18 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装体及其制造方法

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