JPH08181164A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08181164A JPH08181164A JP6320281A JP32028194A JPH08181164A JP H08181164 A JPH08181164 A JP H08181164A JP 6320281 A JP6320281 A JP 6320281A JP 32028194 A JP32028194 A JP 32028194A JP H08181164 A JPH08181164 A JP H08181164A
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- bonding
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングパッドの膜剥がれによる破損を
防止し、ボンディング時にボンディング不良が発生しに
くい耐ワイヤボンディング強度を高める。 【構成】 半導体素子が形成されたガラス基板１１上に
は絶縁膜１２、アルミニウムまたはアルミニウム合金か
ら成る配線部１３およびボンディングパッド１４が所定
の領域に形成されている。絶縁膜１２上部、配線部１３
上部、ボンディングパッド１４上の周辺部および周辺部
以外の一部は保護膜１５で覆われている。ボンディング
パッド１４上の周辺部以外の一部が保護膜１５により上
から押さえられるので、ボンディングパッド１４と絶縁
膜１２との密着性が良好になり、ボンディングパッド１
４の膜剥がれによる破損を防止することができる。
防止し、ボンディング時にボンディング不良が発生しに
くい耐ワイヤボンディング強度を高める。 【構成】 半導体素子が形成されたガラス基板１１上に
は絶縁膜１２、アルミニウムまたはアルミニウム合金か
ら成る配線部１３およびボンディングパッド１４が所定
の領域に形成されている。絶縁膜１２上部、配線部１３
上部、ボンディングパッド１４上の周辺部および周辺部
以外の一部は保護膜１５で覆われている。ボンディング
パッド１４上の周辺部以外の一部が保護膜１５により上
から押さえられるので、ボンディングパッド１４と絶縁
膜１２との密着性が良好になり、ボンディングパッド１
４の膜剥がれによる破損を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関するもの
であり、特に耐ワイヤボンディング強度が高い半導体装
置に関するものである。
であり、特に耐ワイヤボンディング強度が高い半導体装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体関連技術は絶え間なく発展し続け
ており、ワイヤボンディング技術もボンディングが自動
化され、ここ数十年で大きな進歩を遂げてきた。また、
半導体の集積度の向上にともない、ボンディングパッド
の信頼性も重要なファクタを占めるようになってきた。
ており、ワイヤボンディング技術もボンディングが自動
化され、ここ数十年で大きな進歩を遂げてきた。また、
半導体の集積度の向上にともない、ボンディングパッド
の信頼性も重要なファクタを占めるようになってきた。
【０００３】従来、半導体装置のボンディングパッドと
して以下の技術が用いられてきた。図５（ａ）は従来の
半導体装置の一例を示す断面図であり、図５（ｂ）は図
５（ａ）のボンディングパッド領域の平面構造を示す図
である。以下、図５（ａ）および図５（ｂ）を用いて従
来の半導体装置の概略構造について説明する。図５に示
すように、半導体素子（図示せず）が形成された基板５
１上には絶縁膜５２が形成されている。絶縁膜５２上に
はアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る金属薄
膜で構成された半導体素子からつながる配線部５３とボ
ンディングパッド５４が所定の領域に形成されている。
さらに、絶縁膜５２上部、配線部５３上部およびボンデ
ィングパッド５４上の周辺部は保護膜５５で覆われてお
り、ボンディングパッド５４上にはワイヤボンディング
用の開口部が設けられている。これにより、半導体装置
のボンディングパッド領域が作製される。このボンディ
ングパッド５４を用いて、半導体装置を外部に電気的に
接続している。
して以下の技術が用いられてきた。図５（ａ）は従来の
半導体装置の一例を示す断面図であり、図５（ｂ）は図
５（ａ）のボンディングパッド領域の平面構造を示す図
である。以下、図５（ａ）および図５（ｂ）を用いて従
来の半導体装置の概略構造について説明する。図５に示
すように、半導体素子（図示せず）が形成された基板５
１上には絶縁膜５２が形成されている。絶縁膜５２上に
はアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る金属薄
膜で構成された半導体素子からつながる配線部５３とボ
ンディングパッド５４が所定の領域に形成されている。
さらに、絶縁膜５２上部、配線部５３上部およびボンデ
ィングパッド５４上の周辺部は保護膜５５で覆われてお
り、ボンディングパッド５４上にはワイヤボンディング
用の開口部が設けられている。これにより、半導体装置
のボンディングパッド領域が作製される。このボンディ
ングパッド５４を用いて、半導体装置を外部に電気的に
接続している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
半導体装置をワイヤボンディングにて外部に電気的に接
続すると、図６に示すようにボンディングパッド５４と
ボンディングワイヤ５６との接着のときに、ボンディン
グパッド５４を構成するアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金から成る金属薄膜がボンディングワイヤ５６に引
っ張られて剥がれてしまうという問題を有していた（図
６の５４ａは剥がれた金属薄膜）。さらに、ボンディン
グに不都合が生じてアルミニウムまたはアルミニウム合
金から成る金属薄膜が剥がれてしまったボンディングパ
ッド５４に再度ボンディングを行おうとした場合に、ボ
ンディングパッド５４とボンディングワイヤ５６との間
で接触不良が発生するという問題も有していた。この問
題は、ボンディングパッド５４を構成するアルミニウム
またはアルミニウム合金から成る金属薄膜が、大きな外
力が加わると変形し破損しやすいということと、ボンデ
ィングパッド５４とボンディングワイヤ５６との接着力
よりも、ボンディングパッド５４の中央部と絶縁膜５２
との密着性の方が弱くなっているためと考えられる。ま
た、この問題はとりわけ金属薄膜に十分厚みが取れない
場合に発生しやすい。例えば、液晶表示装置用配線材料
などでは、ボンディングパッド５４を構成するアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金から成る金属薄膜の膜厚が
７００nm以下の場合もある。あるいは、ボンディングパ
ッド５４の開口部の面積が大きい場合も、アルミニウム
またはアルミニウム合金から成る金属薄膜の剥がれが発
生しやすい。
半導体装置をワイヤボンディングにて外部に電気的に接
続すると、図６に示すようにボンディングパッド５４と
ボンディングワイヤ５６との接着のときに、ボンディン
グパッド５４を構成するアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金から成る金属薄膜がボンディングワイヤ５６に引
っ張られて剥がれてしまうという問題を有していた（図
６の５４ａは剥がれた金属薄膜）。さらに、ボンディン
グに不都合が生じてアルミニウムまたはアルミニウム合
金から成る金属薄膜が剥がれてしまったボンディングパ
ッド５４に再度ボンディングを行おうとした場合に、ボ
ンディングパッド５４とボンディングワイヤ５６との間
で接触不良が発生するという問題も有していた。この問
題は、ボンディングパッド５４を構成するアルミニウム
またはアルミニウム合金から成る金属薄膜が、大きな外
力が加わると変形し破損しやすいということと、ボンデ
ィングパッド５４とボンディングワイヤ５６との接着力
よりも、ボンディングパッド５４の中央部と絶縁膜５２
との密着性の方が弱くなっているためと考えられる。ま
た、この問題はとりわけ金属薄膜に十分厚みが取れない
場合に発生しやすい。例えば、液晶表示装置用配線材料
などでは、ボンディングパッド５４を構成するアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金から成る金属薄膜の膜厚が
７００nm以下の場合もある。あるいは、ボンディングパ
ッド５４の開口部の面積が大きい場合も、アルミニウム
またはアルミニウム合金から成る金属薄膜の剥がれが発
生しやすい。
【０００５】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、ボンディングパッドを構成するアルミニウムまたは
アルミニウム合金から成る金属薄膜の剥がれによるボン
ディングパッドの破損を防止し、これによりボンディン
グ時にボンディング不良が発生しにくい耐ワイヤボンデ
ィング強度が高いボンディングパッドを有する半導体装
置を提供することを目的としている。
で、ボンディングパッドを構成するアルミニウムまたは
アルミニウム合金から成る金属薄膜の剥がれによるボン
ディングパッドの破損を防止し、これによりボンディン
グ時にボンディング不良が発生しにくい耐ワイヤボンデ
ィング強度が高いボンディングパッドを有する半導体装
置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置は、基板上に形成された半導体素子と、半導体素子を
基板の外部に電気的に接続するために基板上に形成され
た少なくとも１個のボンディングパッドとを有する半導
体装置であって、ボンディングパッド上の少なくとも周
辺部以外の一部には、保護膜が形成されていることを特
徴とする。
置は、基板上に形成された半導体素子と、半導体素子を
基板の外部に電気的に接続するために基板上に形成され
た少なくとも１個のボンディングパッドとを有する半導
体装置であって、ボンディングパッド上の少なくとも周
辺部以外の一部には、保護膜が形成されていることを特
徴とする。
【０００７】請求項２記載の半導体装置は、ボンディン
グパッドが保護膜により複数個の小領域に分割された領
域を有することを特徴とする。
グパッドが保護膜により複数個の小領域に分割された領
域を有することを特徴とする。
【０００８】請求項３記載の半導体装置は、基板にガラ
ス基板または半導体基板を用いることを特徴とする。
ス基板または半導体基板を用いることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、ボンディングパッドを構成す
るアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る金属薄
膜の剥がれによるボンディングパッドの破損を防止し、
ボンディング時にボンディング不良が発生しにくい耐ワ
イヤボンディング強度を高めることができると同時に、
ワイヤボンディングの歩留まりおよび信頼性を向上する
ことができる。これは、第一に、ボンディングパッド上
の周辺部以外の一部に保護膜を形成することにより、ボ
ンディングパッドが保護膜によって上から押さえられ、
ボンディングパッドを構成するアルミニウムまたはアル
ミニウム合金から成る金属薄膜とボンディングパッドの
下層に位置する絶縁膜との密着性が良好になるためと考
えられる。また第二に、変形しやすいアルミニウムまた
はアルミニウム合金から成る金属薄膜上の周辺部以外の
一部に別の薄膜が堆積されることにより、外力による変
形が起こりにくくなり膜剥がれが発生しにくくなるため
と考えられる。
るアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る金属薄
膜の剥がれによるボンディングパッドの破損を防止し、
ボンディング時にボンディング不良が発生しにくい耐ワ
イヤボンディング強度を高めることができると同時に、
ワイヤボンディングの歩留まりおよび信頼性を向上する
ことができる。これは、第一に、ボンディングパッド上
の周辺部以外の一部に保護膜を形成することにより、ボ
ンディングパッドが保護膜によって上から押さえられ、
ボンディングパッドを構成するアルミニウムまたはアル
ミニウム合金から成る金属薄膜とボンディングパッドの
下層に位置する絶縁膜との密着性が良好になるためと考
えられる。また第二に、変形しやすいアルミニウムまた
はアルミニウム合金から成る金属薄膜上の周辺部以外の
一部に別の薄膜が堆積されることにより、外力による変
形が起こりにくくなり膜剥がれが発生しにくくなるため
と考えられる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１（ａ）
および図１（ｂ）を参照して説明する。
および図１（ｂ）を参照して説明する。
【００１１】図１（ａ）は本発明の一実施例である半導
体装置の断面構造を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のボ
ンディングパッド領域の平面構造を示す図である。
体装置の断面構造を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のボ
ンディングパッド領域の平面構造を示す図である。
【００１２】図１に示すように、トランジスタなどの半
導体素子（図示せず）が形成されたガラス基板１１上に
は例えば二酸化シリコン膜から成る絶縁膜１２が形成さ
れている。絶縁膜１２上にはアルミニウムまたはアルミ
ニウム合金から成る膜厚７００nm以下の金属薄膜で構成
された半導体素子からつながる配線部１３とボンディン
グパッド１４が所定の領域に形成されている。さらに、
絶縁膜１２上部、配線部１３上部、ボンディングパッド
１４上の周辺部およびボンディングパッド１４上の周辺
部以外の一部は、例えば窒化シリコン膜から成る保護膜
１５で覆われており、ボンディングパッド１４上にはワ
イヤボンディング用の開口部も設けられている。図１
（ｂ）は本発明の一実施例である半導体装置において、
ボンディングパッド１４上の周辺部以外の保護膜１５が
十字型に形成された場合を示している。
導体素子（図示せず）が形成されたガラス基板１１上に
は例えば二酸化シリコン膜から成る絶縁膜１２が形成さ
れている。絶縁膜１２上にはアルミニウムまたはアルミ
ニウム合金から成る膜厚７００nm以下の金属薄膜で構成
された半導体素子からつながる配線部１３とボンディン
グパッド１４が所定の領域に形成されている。さらに、
絶縁膜１２上部、配線部１３上部、ボンディングパッド
１４上の周辺部およびボンディングパッド１４上の周辺
部以外の一部は、例えば窒化シリコン膜から成る保護膜
１５で覆われており、ボンディングパッド１４上にはワ
イヤボンディング用の開口部も設けられている。図１
（ｂ）は本発明の一実施例である半導体装置において、
ボンディングパッド１４上の周辺部以外の保護膜１５が
十字型に形成された場合を示している。
【００１３】上述の構成により半導体装置を構成すれ
ば、ボンディングパッド１４はボンディングパッド１４
上の周辺部以外に形成された保護膜１５により上から押
さえられるので、ボンディングパッド１４は完全に複数
個の小領域に分割され、ボンディングパッド１４全体に
渡って、ボンディングパッド１４を構成するアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金から成る金属薄膜と下層に位
置する絶縁膜１２との密着性が良好になる。従って、ボ
ンディングパッド１４を構成するアルミニウムまたはア
ルミニウム合金から成る金属薄膜の膜厚が７００nm以下
であっても、膜剥がれは発生しにくく、ボンディングパ
ッドの破損を防止することができる。
ば、ボンディングパッド１４はボンディングパッド１４
上の周辺部以外に形成された保護膜１５により上から押
さえられるので、ボンディングパッド１４は完全に複数
個の小領域に分割され、ボンディングパッド１４全体に
渡って、ボンディングパッド１４を構成するアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金から成る金属薄膜と下層に位
置する絶縁膜１２との密着性が良好になる。従って、ボ
ンディングパッド１４を構成するアルミニウムまたはア
ルミニウム合金から成る金属薄膜の膜厚が７００nm以下
であっても、膜剥がれは発生しにくく、ボンディングパ
ッドの破損を防止することができる。
【００１４】なお、上記実施例では保護膜１５を十字型
に形成しているが、この形状に限定されることなく、例
えば図２に示すように短冊状に形成しても、上記実施例
と同様の効果が得られる。さらに、図３および図４に示
すように保護膜１５がボンディングパッド１４の周辺部
まで達していなくても、ボンディングパッド１４を構成
するアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る金属
薄膜の外力による変形が起こりにくくなり膜剥がれが発
生しにくくなるため、上記実施例と同様の効果が得られ
る。また、上記実施例では半導体素子をガラス基板上に
形成したが、これを半導体基板上としてもよい。また、
上記実施例ではボンディングパッド１４を構成する金属
薄膜をアルミニウムまたはアルミニウム合金としたが、
他の金属薄膜でも、上記実施例と同様の効果が得られる
ことは言うまでもない。
に形成しているが、この形状に限定されることなく、例
えば図２に示すように短冊状に形成しても、上記実施例
と同様の効果が得られる。さらに、図３および図４に示
すように保護膜１５がボンディングパッド１４の周辺部
まで達していなくても、ボンディングパッド１４を構成
するアルミニウムまたはアルミニウム合金から成る金属
薄膜の外力による変形が起こりにくくなり膜剥がれが発
生しにくくなるため、上記実施例と同様の効果が得られ
る。また、上記実施例では半導体素子をガラス基板上に
形成したが、これを半導体基板上としてもよい。また、
上記実施例ではボンディングパッド１４を構成する金属
薄膜をアルミニウムまたはアルミニウム合金としたが、
他の金属薄膜でも、上記実施例と同様の効果が得られる
ことは言うまでもない。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ボンディングパッド上
に保護膜を形成することにより、ボンディングパッドは
保護膜により上から押さえられるので、ボンディングパ
ッドを構成するアルミニウムまたはアルミニウム合金か
ら成る金属薄膜とボンディングパッドの下層に位置する
絶縁膜との密着性が良好になり、また、ボンディングパ
ッド１４を構成するアルミニウムまたはアルミニウム合
金から成る金属薄膜の外力による変形が起こりにくくな
り、膜剥がれによるボンディングパッドの破損を防止す
ることができた。また、ボンディングパッドのボンディ
ング時にボンディング不良が発生しにくい耐ワイヤボン
ディング強度が高くなり、ワイヤボンディングを高速で
行うことができると同時に、ワイヤボンディングの歩留
まりおよび信頼性を向上することができた。さらに、上
記ワイヤボンディング技術により、信頼性の高い半導体
装置を提供することができるとともに、半導体装置の歩
留まりおよび生産性を向上することができた。
に保護膜を形成することにより、ボンディングパッドは
保護膜により上から押さえられるので、ボンディングパ
ッドを構成するアルミニウムまたはアルミニウム合金か
ら成る金属薄膜とボンディングパッドの下層に位置する
絶縁膜との密着性が良好になり、また、ボンディングパ
ッド１４を構成するアルミニウムまたはアルミニウム合
金から成る金属薄膜の外力による変形が起こりにくくな
り、膜剥がれによるボンディングパッドの破損を防止す
ることができた。また、ボンディングパッドのボンディ
ング時にボンディング不良が発生しにくい耐ワイヤボン
ディング強度が高くなり、ワイヤボンディングを高速で
行うことができると同時に、ワイヤボンディングの歩留
まりおよび信頼性を向上することができた。さらに、上
記ワイヤボンディング技術により、信頼性の高い半導体
装置を提供することができるとともに、半導体装置の歩
留まりおよび生産性を向上することができた。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例における半導体装置
を示す断面図で、（ｂ）はその平面図
を示す断面図で、（ｂ）はその平面図
【図２】本発明の一実施例の変形例の半導体装置を示す
平面図
平面図
【図３】本発明の一実施例の変形例の半導体装置を示す
平面図
平面図
【図４】本発明の一実施例の変形例の半導体装置を示す
平面図
平面図
【図５】（ａ）は従来の半導体装置を示す断面図で、
（ｂ）はその平面図
（ｂ）はその平面図
【図６】従来の半導体装置のボンディングパッド領域に
発生する膜剥がれを示す平面図
発生する膜剥がれを示す平面図
１１ ガラス基板 １２ 絶縁膜（二酸化シリコン膜） １３ 配線部（アルミニウムまたはアルミニウム合金） １４ ボンディングパッド（アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金） １５ 保護膜（窒化シリコン膜） ５１ 基板 ５２ 絶縁膜 ５３ 配線部（アルミニウムまたはアルミニウム合金） ５４ ボンディングパッド（アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金） ５４ａ 剥がれた金属薄膜（アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金） ５５ 保護膜 ５６ ボンディングワイヤ
ニウム合金） １５ 保護膜（窒化シリコン膜） ５１ 基板 ５２ 絶縁膜 ５３ 配線部（アルミニウムまたはアルミニウム合金） ５４ ボンディングパッド（アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金） ５４ａ 剥がれた金属薄膜（アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金） ５５ 保護膜 ５６ ボンディングワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に形成された半導体素子と、前記半
導体素子を前記基板の外部に電気的に接続するために前
記基板上に形成された少なくとも１個のボンディングパ
ッドとを有する半導体装置であって、前記ボンディング
パッド上の少なくとも周辺部以外の一部に保護膜が形成
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】ボンディングパッドは、保護膜により複数
個の小領域に分割された領域を有することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】基板にガラス基板または半導体基板を用い
ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6320281A JPH08181164A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 半導体装置 |
| TW84105445A TW414788B (en) | 1994-05-31 | 1995-05-30 | Naphthalene derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6320281A JPH08181164A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181164A true JPH08181164A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18119757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6320281A Pending JPH08181164A (ja) | 1994-05-31 | 1994-12-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181164A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203871A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 |
| CN114156166A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 半导体器件的后端处理方法 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP6320281A patent/JPH08181164A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203871A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 |
| CN114156166A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 半导体器件的后端处理方法 |
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