JPS6034256B2 - 樹脂封止型半導体装置の製法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製法Info
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- JPS6034256B2 JPS6034256B2 JP59083702A JP8370284A JPS6034256B2 JP S6034256 B2 JPS6034256 B2 JP S6034256B2 JP 59083702 A JP59083702 A JP 59083702A JP 8370284 A JP8370284 A JP 8370284A JP S6034256 B2 JPS6034256 B2 JP S6034256B2
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- piq
- semiconductor
- manufacturing
- semiconductor substrate
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、封止型半導体装置の製法に関するものである
。
。
従来、樹脂封止型半導体装置として、半導体素子が水分
によって特性劣化を生じないよう半導体素子表面をはつ
水性樹脂等でおおし、、さらに素子全体をェポキシ樹脂
等の絶縁性樹脂でおおう構造が知られている（例えば実
公昭４１−２２５９０号公報）。
によって特性劣化を生じないよう半導体素子表面をはつ
水性樹脂等でおおし、、さらに素子全体をェポキシ樹脂
等の絶縁性樹脂でおおう構造が知られている（例えば実
公昭４１−２２５９０号公報）。
ところで、この種の樹脂封止型半導体装置においては、
耐湿一性は優れているが、特に高温動作時の特性におい
てリーク不良等の問題があった。
耐湿一性は優れているが、特に高温動作時の特性におい
てリーク不良等の問題があった。
この原因としては、チップコート剤として使用されるシ
ＩＪコン系樹脂の○又はＯＣ２日３（ェトキシ基）が高
温中で分解し活発に運動し、その際素子に加えられたバ
イアスによってこれらの０又はＯＣ２日５が、電極間又
は配線間にバイアスを形成し、それによって電極間又は
配線間にリーク電流が発生するためと考えられる。本発
明者は、この高温でのりーク電流を防止するために、チ
ップコートとして、例えばＰＴＶ等のＳｉ系樹脂の他に
、新たな材料を検討した所、近年開発されたＰＩＱ樹脂
（ポリィミドィソィンドロキナゾリンジオン：Ｐｏｌｙ
ｉｍｉｄｅ ｉｓｏｉｎｄｒｏｑｕ−ｌｎａｚｏｌｉｎ
ｄｉｏｎｅ）が素子の保護膜として、特に高温動作時に
おけるリーク電流に対して有利であることがわかった。
ＩＪコン系樹脂の○又はＯＣ２日３（ェトキシ基）が高
温中で分解し活発に運動し、その際素子に加えられたバ
イアスによってこれらの０又はＯＣ２日５が、電極間又
は配線間にバイアスを形成し、それによって電極間又は
配線間にリーク電流が発生するためと考えられる。本発
明者は、この高温でのりーク電流を防止するために、チ
ップコートとして、例えばＰＴＶ等のＳｉ系樹脂の他に
、新たな材料を検討した所、近年開発されたＰＩＱ樹脂
（ポリィミドィソィンドロキナゾリンジオン：Ｐｏｌｙ
ｉｍｉｄｅ ｉｓｏｉｎｄｒｏｑｕ−ｌｎａｚｏｌｉｎ
ｄｉｏｎｅ）が素子の保護膜として、特に高温動作時に
おけるリーク電流に対して有利であることがわかった。
そこで、まず、このＰＩＱ樹脂を、チップコートとして
使用することを本願発明者は考えた。ところが、このＰ
ＩＱ樹脂は半導体素子、特に、素子上の絶縁膜との接着
性が、封止用の樹脂との接着性よりも悪いため、チップ
コート材として、ＰＩＱ樹脂のみを使用した場合ＰＩＱ
樹脂の素子間に「剥離」を生じ、その間隙から水分が素
子表面にまで侵透し、半導体素子の耐湿性をそこねる欠
点があった。本発明の目的は、高信頼度の封止型半導体
装置を得ることにある。
使用することを本願発明者は考えた。ところが、このＰ
ＩＱ樹脂は半導体素子、特に、素子上の絶縁膜との接着
性が、封止用の樹脂との接着性よりも悪いため、チップ
コート材として、ＰＩＱ樹脂のみを使用した場合ＰＩＱ
樹脂の素子間に「剥離」を生じ、その間隙から水分が素
子表面にまで侵透し、半導体素子の耐湿性をそこねる欠
点があった。本発明の目的は、高信頼度の封止型半導体
装置を得ることにある。
まず、本発明の方法によって得られた具体的な構造を示
す。
す。
第１図に示すように、複数の素子領域２，３，４，５が
形成された半導体基体１の主表面上に、これら複数の素
子領域と電気的に接続するように形成された電極部材の
一部、すなわちボンディングパッド部８を残すように、
素子領域上にＰＩＱ樹脂７が塗布されている。これは後
述するように半導体ウェハ状態で塗布される。さらに、
このＰＩＱ樹脂７におおし、、かつ、上記ボンディング
パッド部も含む半導体基体１の一主表面全体にわたって
Ｓｉ系樹脂の如きアンダーコート材９が形成されている
。このような半導体基体１は、タブリード１１上に固着
され、このタブリード１１の一部、外部取出し用リード
１２の一部及び、半導体基体１、Ｓｉ系のアンダーコー
ト材９、アルミニウムのリード線１０をおおつて、更に
他の封止用樹脂１３で封止され、半導体装置として完成
されている。次に本発明の封止方法を、第１図、第２図
ａ〜ｉに従い述べる。
形成された半導体基体１の主表面上に、これら複数の素
子領域と電気的に接続するように形成された電極部材の
一部、すなわちボンディングパッド部８を残すように、
素子領域上にＰＩＱ樹脂７が塗布されている。これは後
述するように半導体ウェハ状態で塗布される。さらに、
このＰＩＱ樹脂７におおし、、かつ、上記ボンディング
パッド部も含む半導体基体１の一主表面全体にわたって
Ｓｉ系樹脂の如きアンダーコート材９が形成されている
。このような半導体基体１は、タブリード１１上に固着
され、このタブリード１１の一部、外部取出し用リード
１２の一部及び、半導体基体１、Ｓｉ系のアンダーコー
ト材９、アルミニウムのリード線１０をおおつて、更に
他の封止用樹脂１３で封止され、半導体装置として完成
されている。次に本発明の封止方法を、第１図、第２図
ａ〜ｉに従い述べる。
まず、第１図及び第２図ａ〜ｃに示すように、ゥェハ状
態の半導体基板１中に、周知の技術により素子領域２，
３，４を複数個形成し、該素子領域２，３，４上にアル
ミニウム電極６及びアルミニウム配線１４を形成する。
態の半導体基板１中に、周知の技術により素子領域２，
３，４を複数個形成し、該素子領域２，３，４上にアル
ミニウム電極６及びアルミニウム配線１４を形成する。
さらに、同図ａ，ｅを示すように、素子領域上相当部分
、いいかえれば、ボンディングパッド部８以外の場所に
、ＰＩＱ樹脂７を約４ｒ程度塗布形成し、ボンディング
パッド部８のＰＩＱ樹脂７を選択的にエッチング処理し
て取りのぞく、そして、ＰＩＱ樹脂７が塗布された半導
体基板１をべレット分割するため、同図ｆに示すように
ダイシングを行う。次に、同図ｇ，ｈに示すように、タ
ブリード１１へべレツト付けを行ない、そのあと、ベレ
ット状態の半導体基板１のボンディングパッド部８と、
外部取出し用１」−ド１２とを、アルミニウム線１０で
、ワイヤボンディングにより接続する。そして、半導体
基板１の一主面上全面を、Ｓｉ系のラバー、ゲル、ワニ
ス等のアンダーコート材９でチップコートする。そのあ
と、第２図ｉに示したように、Ｓｉ系及びェポキシ系の
封止用樹脂により、半導体基板１及びＳｉ系のチップコ
ート材９、タブリード１１の一部、外部取出し用リード
１２の一部及び、アルミニウム線１０を、完全に封止す
る。上言己方法によれば、特にＰＩＱ樹脂の如きポリア
ミド系の耐熱性樹脂を半導体ウヱハの状態で被覆し、電
極あるいは配線を保護している。
、いいかえれば、ボンディングパッド部８以外の場所に
、ＰＩＱ樹脂７を約４ｒ程度塗布形成し、ボンディング
パッド部８のＰＩＱ樹脂７を選択的にエッチング処理し
て取りのぞく、そして、ＰＩＱ樹脂７が塗布された半導
体基板１をべレット分割するため、同図ｆに示すように
ダイシングを行う。次に、同図ｇ，ｈに示すように、タ
ブリード１１へべレツト付けを行ない、そのあと、ベレ
ット状態の半導体基板１のボンディングパッド部８と、
外部取出し用１」−ド１２とを、アルミニウム線１０で
、ワイヤボンディングにより接続する。そして、半導体
基板１の一主面上全面を、Ｓｉ系のラバー、ゲル、ワニ
ス等のアンダーコート材９でチップコートする。そのあ
と、第２図ｉに示したように、Ｓｉ系及びェポキシ系の
封止用樹脂により、半導体基板１及びＳｉ系のチップコ
ート材９、タブリード１１の一部、外部取出し用リード
１２の一部及び、アルミニウム線１０を、完全に封止す
る。上言己方法によれば、特にＰＩＱ樹脂の如きポリア
ミド系の耐熱性樹脂を半導体ウヱハの状態で被覆し、電
極あるいは配線を保護している。
このため、その耐熱性樹脂は半導体ウェハの搬送時に電
極あるいは配線への損傷を防止してくれる。また、半導
体ゥェハのダィシング時に、半導体の徴粉がとびちるが
、このような徴粉に対して電極あるいは配線を保護して
くれる。ざらにべレツトボンディング時にもそれらを保
護してくれる。したがって、製造歩留が低下することな
く高信頼度の樹脂封止型半導体装置が得られる。本発明
に関しては、第３図に示すような構造も考えられる。
極あるいは配線への損傷を防止してくれる。また、半導
体ゥェハのダィシング時に、半導体の徴粉がとびちるが
、このような徴粉に対して電極あるいは配線を保護して
くれる。ざらにべレツトボンディング時にもそれらを保
護してくれる。したがって、製造歩留が低下することな
く高信頼度の樹脂封止型半導体装置が得られる。本発明
に関しては、第３図に示すような構造も考えられる。
すなわち、素子領域２１，２２，２３が形成された半導
体基板２４の一主面上全体に、ボンディングパッド部３
３もおおつて、ＰＩＱ樹脂２７を塗布形成する。すなわ
ち、第２図において、ｄに示すＰＩＱ塗布をｈ‘こ示す
ワイヤボンディング後に行ったものである。この形成さ
れたＰＩＱ樹脂２７上全面（ＰＩＱ選択エッチは行なわ
ない）及び半導体基板２４の側面をおおし、、タブリー
ド２８の一部上をおおうように、Ｓｉ系のチップコート
材、例えば、Ｓｉラバ−、Ｓｉワニス、Ｓｉゲル等の樹
脂２０を塗布形成する。そのあと、この半導体基板２４
、ＰＩＱ樹脂２７、Ｓｉ系アンダーコート材２０、タブ
リード２８の一部及び、外部取出し用リード２９の一部
をＳｉ系及びェポキシ系の封止用樹脂３２で完全に封止
する。上述してきたように、本発明は、樹脂封止型半導
体装置に関するもので、本発明は単体、集積回路を問わ
ず、半導体装置全般に広く応用される。
体基板２４の一主面上全体に、ボンディングパッド部３
３もおおつて、ＰＩＱ樹脂２７を塗布形成する。すなわ
ち、第２図において、ｄに示すＰＩＱ塗布をｈ‘こ示す
ワイヤボンディング後に行ったものである。この形成さ
れたＰＩＱ樹脂２７上全面（ＰＩＱ選択エッチは行なわ
ない）及び半導体基板２４の側面をおおし、、タブリー
ド２８の一部上をおおうように、Ｓｉ系のチップコート
材、例えば、Ｓｉラバ−、Ｓｉワニス、Ｓｉゲル等の樹
脂２０を塗布形成する。そのあと、この半導体基板２４
、ＰＩＱ樹脂２７、Ｓｉ系アンダーコート材２０、タブ
リード２８の一部及び、外部取出し用リード２９の一部
をＳｉ系及びェポキシ系の封止用樹脂３２で完全に封止
する。上述してきたように、本発明は、樹脂封止型半導
体装置に関するもので、本発明は単体、集積回路を問わ
ず、半導体装置全般に広く応用される。
尚、本明細書中、実施例に記載した第１図はバィポーラ
型集積回路装置を、第３図はバィポーラ型トランジスタ
を対象とた。さらに、本発明の応用例として、Ｓｉ系の
コート材は、ＰＩＱ樹脂上全体におおわなくても、第４
図ａに示すように、ＰＩＱ樹脂４９の周端部を取り囲む
ように、Ｓｉ系コート材５０を形成してもよい。
型集積回路装置を、第３図はバィポーラ型トランジスタ
を対象とた。さらに、本発明の応用例として、Ｓｉ系の
コート材は、ＰＩＱ樹脂上全体におおわなくても、第４
図ａに示すように、ＰＩＱ樹脂４９の周端部を取り囲む
ように、Ｓｉ系コート材５０を形成してもよい。
第４図ｂに、その破断面を示す。Ｓｉ系のコ−ト材５０
が、ＰＩＱ樹脂４９の周端をおおつて、半導体基板４０
上に延びているのがわかる。
が、ＰＩＱ樹脂４９の周端をおおつて、半導体基板４０
上に延びているのがわかる。
次に、本発明によれば、目的が達成できる理由は、以下
に示すことからである。
に示すことからである。
少なくとも、素子領域上は、熱的に安定なＰＩＱ樹脂で
おおわれているため、高温動作時ＰＩＱ樹脂中の分子の
影響によって電極間、配線間で、リーク電流が発生する
ことはない。
おおわれているため、高温動作時ＰＩＱ樹脂中の分子の
影響によって電極間、配線間で、リーク電流が発生する
ことはない。
さらに、このＰＩＱ樹脂上から、半導体基板にかけて、
半導体基板との接着性が良いＳｉ系のコート材で、ＰＩ
Ｑ樹脂をおおってアンダーコートしているため、ＰＩＱ
樹脂と半導体基板との接着性が良くなくても半導体基板
表面への水分の浸透は防げる。従って、従来よりも耐湿
性が劣化することはない。
半導体基板との接着性が良いＳｉ系のコート材で、ＰＩ
Ｑ樹脂をおおってアンダーコートしているため、ＰＩＱ
樹脂と半導体基板との接着性が良くなくても半導体基板
表面への水分の浸透は防げる。従って、従来よりも耐湿
性が劣化することはない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明をバィポーラ型集積回路装置に実施し
た場合を示す。 第２図ａ〜ｉは、第１図の構造のものを本発明の製造方
法に従って製造する工程を示したものである。第３図は
、本発明をハィポーラトランジスタに応用した場合を示
す。第４図ａ，ｂは、本発明の他の実施例を示す。１，
２４，４０・…・・半導体基板、２，３，４，２１，２
２，２３，４１，４２，４３・・・・・・半導体素子領
域、５，２５，４４・・・・・・絶縁膜、１４，２６，
４８・・・・・・アルミニウム配線、７，２７，４９…
…ＰＩＱ樹脂、９，２０，５０……Ｓｉ系コート材、８
，３３，４７……ボンディングパッド部、１３，３２，
５２・・…・封止用樹脂、１０，３１，５１……アルミ
ニウムリード線。 第１図 第３図 第２図 第４図
た場合を示す。 第２図ａ〜ｉは、第１図の構造のものを本発明の製造方
法に従って製造する工程を示したものである。第３図は
、本発明をハィポーラトランジスタに応用した場合を示
す。第４図ａ，ｂは、本発明の他の実施例を示す。１，
２４，４０・…・・半導体基板、２，３，４，２１，２
２，２３，４１，４２，４３・・・・・・半導体素子領
域、５，２５，４４・・・・・・絶縁膜、１４，２６，
４８・・・・・・アルミニウム配線、７，２７，４９…
…ＰＩＱ樹脂、９，２０，５０……Ｓｉ系コート材、８
，３３，４７……ボンディングパッド部、１３，３２，
５２・・…・封止用樹脂、１０，３１，５１……アルミ
ニウムリード線。 第１図 第３図 第２図 第４図
Claims (1)
- １ 複数のボンデイングパツドが形成された半導体ウエ
ハ主面にそのボンデイングパツドを露出するように耐熱
性樹脂被覆層を形成する工程と、その半導体ウエハをダ
イシングし、上記ボンデイングパツドをもつ複数のチツ
プとなす工程と、そのチツプのボンデイングパツドに対
しワイヤボンデイングを行う工程と、しかる後そのチツ
プ主面に他の樹脂を被覆する工程とより成ることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59083702A JPS6034256B2 (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 樹脂封止型半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59083702A JPS6034256B2 (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 樹脂封止型半導体装置の製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11770875A Division JPS6025902B2 (ja) | 1975-10-01 | 1975-10-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210645A JPS59210645A (ja) | 1984-11-29 |
| JPS6034256B2 true JPS6034256B2 (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=13809823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59083702A Expired JPS6034256B2 (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 樹脂封止型半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034256B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4122590Y1 (ja) * | 1964-05-04 | 1966-11-14 | ||
| JPS49105466A (ja) * | 1973-02-07 | 1974-10-05 | ||
| JPS5722214B2 (ja) * | 1973-10-29 | 1982-05-12 | ||
| JPS50115978A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-10 | ||
| JPS51147962A (en) * | 1975-06-02 | 1976-12-18 | Fairchild Camera Instr Co | Method of mounting semiconductor devices |
| JPS6025902B2 (ja) * | 1975-10-01 | 1985-06-20 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59083702A patent/JPS6034256B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59210645A (ja) | 1984-11-29 |
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