JPH0669655A - 回路基板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ［目的］ 高密度実装が可能で、しかもリフロー炉によ
る半田付けが安定に行ない得るようにした回路基板とそ
の製造方法を提供することを目的とする。 ［構成］ 複数枚の基板を接合して成る多層基板であっ
て、外表面に臨む基板１１、１３の接続用ランド２５の
部分にブラインドスルーホール１４を形成して他の面の
配線パターン２６と接続することにより、高密度実装を
実現するとともに、このようなブラインドスルーホール
１４またはダミーのブラインドスルーホール２７を部品
の両端の電極２４に接続される接続用ランド２５にそれ
ぞれ設けることによって、リフロー炉による良好な半田
付けを可能にしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は回路基板とその製造方法
に係り、とくにその上に回路部品をマウントして配線パ
ターンを介して電気的に接続することにより所定の回路
を形成するようにした回路基板とその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】各種の電子回路を形成するために、配線
パターンを有する回路基板が広く用いられている。絶縁
材料から成る回路基板上には配線パターンが形成される
とともに、回路部品の電極と接続される接続用ランドが
形成されている。従ってこのような接続用ランドに電極
が接続されるように回路基板の表面に回路部品をマウン
トすることによって、所定の電子回路が形成されること
になる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】電子機器の小型化に伴
って、回路基板上に多数の部品を密にマウントする高密
度実装が要求されるようになっている。高密度実装を必
要とする電子回路においては、回路基板の密度を向上さ
せるために多層基板を用いるようにしている。

【０００４】そして高密度実装のためには配線の表面積
をできるだけ少なくするばかりでなく、さらにスルーホ
ールの占める面積をも少なくするようにしなければなら
ない。ところがスルーホールの直径を小さくすることに
限界があり、スルーホールの面積によって高密度実装が
妨げられる原因になっている。すなわち単に基板を多層
化するだけでは、高密度実装に限界がある。

【０００５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、とくに基板を多層化する場合における
スルーホールが占める面積をできるだけ少なくし、これ
によってより高密度の実装を可能とするようにした回路
基板とその製造方法を提供することを目的とするもので
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、その上に
回路部品をマウントし、配線パターンを介して電気的に
接続することにより所定の回路を形成するようにした回
路基板において、外表面の接続用ランドに前記回路部品
の電極が接続されるように前記回路基板の表面に前記回
路部品をマウントするようにし、しかも前記接続用ラン
ドにブラインドスルーホールが形成され、該ブラインド
スルーホールによって前記回路基板の他の面の配線パタ
ーンに前記接続用ランドが接続されていることを特徴と
する回路基板に関するものである。

【０００７】第２の発明は、上記第１の発明において、
前記回路基板の外表面の接続用ランドの内の他の面の配
線パターンと接続されない接続用ランドにダミーのブラ
インドスルーホールが形成されていることを特徴とする
回路基板に関するものである。

【０００８】第３の発明は、配線パターンを有する複数
枚の基板を接合して成る回路基板の製造方法において、
外表面に臨むように配される基板に貫通穴を形成し、該
貫通穴の内周面にメッキを施し、その後に前記貫通穴に
樹脂を充填してブラインドスルーホールとなし、前記複
数枚の基板を接合し、接合された複数枚の基板を貫通す
るようにスルーホールを形成し、該スルーホールの内周
面にメッキを施すとともに、このときに前記樹脂で充填
された前記ブラインドスルーホールの表面にメッキを施
すようにしたことを特徴とする回路基板の製造方法に関
するものである。

【０００９】

【作用】第１の発明によれば、回路部品の電極が接続さ
れる接続用ランドにブラインドスルーホールが形成さ
れ、このブラインドスルーホールによって回路基板の他
の面の配線パターンに接続用ランドが接続されるように
なっている。従ってブラインドスルーホールを設けるた
めのスペーースを、接続用ランドに求めることができ、
ブラインドスルーホールを独立に形成することによるス
ペースの無駄がなくなる。

【００１０】第２の発明によれば、他の面の配線パター
ンと接続されない接続用ランドにダミーのブラインドス
ルーホールが形成され、このダミーのブラインドスルー
ホールによってダミーでないブラインドスルーホールが
設けられている接続用ランドと熱容量をほぼ同じくする
ことによって、リフロー半田付けの際におけるツームス
トン現象（部品立ち）が抑えられる。

【００１１】第３の発明によれば、ブラインドスルーホ
ールはその内周面にメッキが施された後に樹脂によって
充填されるとともに、接合された複数枚の基板を貫通す
るスルーホールの内周面にメッキを施すときに、上記樹
脂で充填されたブラインドスルーホールの表面にメッキ
が施されることになり、このメッキが接続用ランドの少
なくとも一部を構成することになる。

【００１２】

【実施例】図１および図２は本発明の一実施例に係る回
路基板を製造するための最初のプロセスを示している。
すなわちこの実施例に係る回路基板は３枚の基板１１、
１２、１３を用いるようにする。上側の基板１１と下側
の基板１３とにはそれぞれ予めブラインドスルーホール
１４を形成するようにする。ブラインドスルーホール１
４はこれらの基板１１、１３に形成された貫通穴から成
り、図２に示すようにその内周面にメッキ１５を施して
基板１１の上下の面および基板１３の上下の面の導通を
とる。そしてこれらのブラインドスルーホール１４はメ
ッキ１５を施した後に樹脂１５によって充填されること
になる。

【００１３】このようにして上下の基板１１、１３にそ
れぞれブラインドスルーホール１４を形成したならば、
３枚の基板１１〜１３を図３および図４に示すように、
接着剤層１９を介して互いに接合し、接着剤層１９を含
めて５層構造とする。そして接合された状態で図５に示
すようにスルーホール２０を形成する。スルーホール２
０は３枚の基板１１〜１３およびこれらの間に介在する
接着剤層１９を貫通するように形成される。そしてこの
スルーホール２０の内周面にはメッキ２１が施され、こ
れによって各基板１１、１２、１３の上下の面の導通を
とる。しかもスルーホール２０の内周面にメッキ２１を
施す際に、上下の基板１１、１３の外表面であって樹脂
１６によって充填されているブラインドスルーホール１
４の外表面にもメッキ２１を施す。

【００１４】図６および図７はこのようにして形成され
た回路基板の接続の状態を示している。図６および図７
は３枚の基板１１、１２、１３の上下の面にそれぞれ形
成されている配線パターンを便宜上面で示したものであ
って、第１層３１と第２層３２とが基板１１の上下の面
に形成されている配線パターンである。また第３層３３
と第４層３４とが中間の基板１２の上下の面に形成され
ている配線パターンである。そして第５層３５と第６層
３６とが下側の基板１３の上下の面にそれぞれ形成され
ている配線パターンとなっている。

【００１５】そしてこれらの６層の配線パターンはスル
ーホール２０のメッキ２１によって互いに接続されてい
る。しかも第１層３１と第２層３２とはブラインドスル
ーホール１４のメッキ１５によって接続されている。ま
た第５層３５と第６層３６とがブラインドスルーホール
１４のメッキ１５によって接続されている。なお第１層
と第２層との間あるいは第５層と第６層との間には、必
要に応じてダミーのブラインドスルーホール２７が形成
されてよい。

【００１６】図８および図９はこのような多層の回路基
板上に回路部品２３をマウントしたときの状態を示した
ものであって、この回路部品２３の両端の電極２４が上
側の表面に設けられている一対の接続用ランド２５に接
続されるようになっている。しかも接続用ランド２５の
ほぼ中央部には図８および図９に示すようにブラインド
スルーホール１４が形成されており、このブラインドス
ルーホール１４によって基板１１の下面の配線パターン
２６に接続されるようになっている。なお図８および図
９において右側の接続用ランド２５はスルーホール２０
のメッキ２１に接続されるようになっているために、こ
の接続用ランド２５の下側にはダミーのブラインドスル
ーホール２７が形成されることになる。

【００１７】図１０は回路部品２３の取付けの別の例を
示している。この例においては、回路部品２３の両端の
電極２４がともに接続用ランド２５に接続されるととも
に、これらの接続用ランド２５の下側にはそれぞれブラ
インドスルーホール１４が形成されており、このブライ
ンドスルーホール１４が基板１１の下面に形成されてい
る配線パターン２６に接続されている。なおこの配線パ
ターン２６は図６および図７における第２層３２に対応
するものである。

【００１８】図６および図７に示すように配線パターン
が６層構造を有する基板において、第１層３１と第６層
３６とが部品の実装面を構成している。そして第１層お
よび第６層にブラインドスルーホール１４およびスルー
ホール２０によって接続される第２層３２および第５層
３５が配線層を構成している。これに対して中間の第３
層３３と第４層３４とが電源ＧＮＤ層として構成され
る。

【００１９】通常のスルーホール２０を使わずに例えば
第１層３１と第２層との間をブラインドスルーホール１
４によって接続を行なうことが可能になるために、下側
の第６層３６上には、上記ブラインドスルーホール１４
の真下の位置に全く別の部品を自由に実装することが可
能になる。

【００２０】このようなブラインドスルーホール１４お
よび通常のスルーホール２０の混在する回路基板の製造
方法は、上述の如く第１層３１と第２層３２とを有し、
かつブラインドスルーホール１４が設けられている基板
１１と、第３層３３と第４層３４とを有する基板１２
と、第５層３５と第６層３６を有し、かつブラインドス
ルーホール１４が設けられている基板１３とをそれぞれ
予め図１および図２に示すように用意し、それらを図３
および図４に示すように貼合わせて穴をあけ、図５に示
すようにスルーホール２０を形成することによって達成
される。スルーホール２０は接合された基板１１、１
２、１３から成る回路基板に垂直に穴をあける。これに
対してブラインドスルーホール１４については３枚の基
板１１〜１３を接合した後に、その深さの分の穴をあけ
てメッキを施してスルーホールを形成することも可能で
ある。上記実施例においては前者の方法を説明してい
る。

【００２１】前者の方法を用いる場合には、第１層３１
と第２層３２とを有する基板１１および第５層３５と第
６層３６とを有する基板１３にそれぞれ形成されている
ブラインドスルーホール１４の内表面には予めメッキ１
５が施され、しかも樹脂１６によって充填して埋めるよ
うにしておく。そしてこの後に３枚の基板１１、１３を
接合し、多層構造として貫通するスルーホール２０を形
成し、その内表面にメッキ２１を施す。このときに同時
にブラインドスルーホール１４の表面であって樹脂１６
で覆われている部分についてもメッキ２１を施す。する
とこのメッキ２１が施されたブラインドスルーホール１
４の外表面が回路部品２３をマウントする接続用ランド
２５の少なくとも一部として利用される。

【００２２】このような回路基板によれば、ブラインド
スルーホール１４は接続用ランド２５の内部に設けられ
るようになり、これによってブラインドスルーホール１
４を設けるための特別なスペースが必要でなくなる。す
なわちブラインドスルーホール１４を場所をとらず部品
２３のマウントランド２５内に構成することが可能にな
り、より高密度の実装が可能になる。

【００２３】また接続用ランド２５によって接続される
回路部品２３の大きさが小さくなると、リフロー炉によ
る半田付けの際に、接続用ランド２５の熱容量が異なる
と、半田が溶ける時間が異なるために良好な半田付けが
できなく、部品が立ってしまうツームストン現象や天プ
ラの原因になる。そこでとくに図１０に示すように両側
の接続用ランド２５にそれぞれブラインドスルーホール
１４を設けるようにする。片側のブラインドスルーホー
ル１４が不要な場合には、図８に示すようにダミーのブ
ラインドスルーホール２７を形成する。これによってリ
フロー炉による良好な半田付けが可能になる。

【００２４】このように本実施例に係る回路基板は、通
常の貫通するスルーホール２０とともに、特定の層間だ
けを接続するブラインドスルーホール１４を設けるよう
にした回路基板に関するものであって、第１層３１と第
２層３２との間または第５層３５と第６層３６との間を
接続するブラインドスルーホール１４を表面実装を行な
う回路部品２３の接続用ランド２５に設けるようにした
ものである。またこの接続用ランド２５内のブラインド
スルーホール１４を必ず回路部品２３の両側に設けるこ
とによって熱容量を同一なものとしている。

【００２５】このような構成によれば、とくにブライン
ドスルーホール１４を用いることによって、表面積が部
品の表面積とほぼ等しい究極の実装に近い極めて高密度
の実装が可能な回路基板を提供することが可能になる。
また両側の接続用ランド２５に必ずブラインドスルーホ
ール１４を設けるかあるいはまたダミーのブラインドス
ルーホール２７を設けることによって、リフロー炉によ
る半田付け性を良好にすることが可能になる。

【００２６】

【発明の効果】第１の発明は、接続用ランドにブライン
ドスルーホールを形成し、このブラインドスルーホール
によって回路基板の他の面の配線パターンに接続用ラン
ドを接続するようにしたものである。従って他の面の配
線パターンに接続するためのスルーホールを設けるため
の特別なスペースが必要でなくなり、高密度実装が可能
な回路基板を提供できるようになる。

【００２７】第２の発明は、他の面の配線パターンと接
続されない接続用ランドにダミーのブラインドスルーホ
ールを形成するようにしたものである。従ってこのよう
なダミーのブラインドスルーホールによって通常のブラ
インドスルーホールを有する接続用ランドと熱容量を同
じくすることが可能になり、リフロー炉による半田付け
性を良好にすることが可能になる。

【００２８】第３の発明は、外表面に臨むように配され
る基板に貫通穴を形成し、この貫通穴の内周面にメッキ
を施し、その後に貫通穴に樹脂を充填してブラインドス
ルーホールとなし、この後に複数枚の基板を接合し、接
合された複数枚の基板を貫通するようにスルーホールを
形成し、このスルーホールの内周面にメッキを施すとと
もに、そのときに樹脂で充填されたブラインドスルーホ
ールの表面にメッキを施すようにしたものである。

【００２９】このような方法によれば、ブラインドスル
ーホールと通常のスルーホールとを有する回路基板を提
供することが可能になり、このような回路基板によって
高密度実装を行なうことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】接合する前の複数枚の基板を示す外観斜視図で
ある。

【図２】同複数枚の基板の縦断面図である。

【図３】複数枚の基板を接合した状態の外観斜視図であ
る。

【図４】同縦断面図である。

【図５】スルーホールを形成した状態の縦断面図であ
る。

【図６】接合された回路基板の配線パターンを面で示し
た状態の斜視図である。

【図７】同縦断面図である。

【図８】回路部品をマウントした回路基板の縦断面図で
ある。

【図９】同平面図である。

【図１０】別の回路部品をマウントした回路基板の縦断
面図である。

【符号の説明】

１１〜１３ 基板 １４ ブラインドスルーホール １５ メッキ １６ 充填樹脂 １９ 接着剤層 ２０ スルーホール ２１ メッキ ２３ 回路部品 ２４ 電極 ２５ 接続用ランド ２６ 配線パターン ２７ ダミーのブラインドスルーホール ３１ 第１層 ３２ 第２層 ３３ 第３層 ３４ 第４層 ３５ 第５層 ３６ 第６層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その上に回路部品をマウントし、配線パ
   ターンを介して電気的に接続することにより所定の回路
   を形成するようにした回路基板において、 外表面の接続用ランドに前記回路部品の電極が接続され
   るように前記回路基板の表面に前記回路部品をマウント
   するようにし、 しかも前記接続用ランドにブラインドスルーホールが形
   成され、該ブラインドスルーホールによって前記回路基
   板の他の面の配線パターンに前記接続用ランドが接続さ
   れていることを特徴とする回路基板。
2. 【請求項２】 前記回路基板の外表面の接続用ランドの
   内の他の面の配線パターンと接続されない接続用ランド
   にダミーのブラインドスルーホールが形成されているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
3. 【請求項３】 配線パターンを有する複数枚の基板を接
   合して成る回路基板の製造方法において、 外表面に臨むように配される基板に貫通穴を形成し、該
   貫通穴の内周面にメッキを施し、その後に前記貫通穴に
   樹脂を充填してブラインドスルーホールとなし、 前記複数枚の基板を接合し、 接合された複数枚の基板を貫通するようにスルーホール
   を形成し、該スルーホールの内周面にメッキを施すとと
   もに、このときに前記樹脂で充填された前記ブラインド
   スルーホールの表面にメッキを施すようにしたことを特
   徴とする回路基板の製造方法。