JPH0670442U - 保護回路 - Google Patents

保護回路

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JPH0670442U
JPH0670442U JP8554292U JP8554292U JPH0670442U JP H0670442 U JPH0670442 U JP H0670442U JP 8554292 U JP8554292 U JP 8554292U JP 8554292 U JP8554292 U JP 8554292U JP H0670442 U JPH0670442 U JP H0670442U
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JP
Japan
Prior art keywords
diode
protection circuit
input terminal
voltage
operational amplifier
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Pending
Application number
JP8554292U
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English (en)
Inventor
智和 佐藤
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Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Akita Shindengen Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Akita Shindengen Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 オペアンプに付随する保護回路の部品点数
を減らし、基板への実装時間短縮,高密度実装を実現す
る保護回路を提供することである。 【構成】 二個のダイオードをオペアンプの+入力端
子と−入力端子に並列に接続し、オペアンプの+入力端
子と−入力端子の一方からGNDへ二個のダイオードを
直列に接続したことを特徴とする保護回路を形成し、か
つ前記保護回路を一つのシングルインラインパッケージ
に集積した。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、オペアンプを、過大入力電圧により破壊させないための保護回路及 び保護回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
オペアンプに、最大同相電圧または、最大差動電圧を超える過大入力電圧があ ると破壊してしまう場合があり、従来は同相電圧の過大入力電圧保護として図4 に示すダイオードD5を4個使用した保護回路を使用し、差動電圧の過大入力電 圧保護として図5に示すダイオードD6を2個使用した保護回路を使用しており 、同相電圧と差動電圧の過大入力電圧から同時に保護する場合、図4と図5を組 み合わせた図6のように、合計6個のダイオードを使用していた。
【0003】 前記従来の保護回路の場合、1個のオペアンプの保護に6個のダイオードを必 要とし、大規模なアナログ回路の場合、部品点数が膨大となり、基板への実装時 間増,実装面積大等の問題があった。 (2 )
【0004】 図4は従来の同相電圧の過大入力電圧保護回路、図5は従来の差動電圧の過大 入力電圧保護、図6は同相電圧と差動電圧の過大入力電圧を同時に保護できる保 護回路であり、1はリニアIC,2はオペアンプ,3は+入力端子,4は−入力 端子である。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
解決しようとする課題は、保護回路の部品点数を減らし、基板への実装時間短 縮,高密度実装を実現する保護回路を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
二個のダイオードをオペアンプの+入力端子と−入力端子に並列に接続し、オ ペアンプの+入力端子と−入力端子の一方からGNDへ二個のダイオードを直列 に接続した事を特徴とする保護回路を形成し、 かつ前記保護回路を一つのシングルインラインパッケージに集積した。
【0007】
【作用】
本考案により、オペアンプの+入力端子に差動電圧の過大入力電圧が印加され た場合第一のダイオードに電流が流れ、−入力端子に差動電圧の過大入力電圧が 印加された場合第二のダイオードに電流が流れ、オペアンプを保護する。 またオペアンプの+入力端子に同相電圧の過大入力電圧が印加された場合第一 のダイオードに電流が流れてから第三,第四のダイオードを通りGNDに電流が 流れる。オペアンプの−入力端子に同相電圧の過大入力電圧が印加された場合、 第三,第四のダイオードを通りGNDに電流が流れ、オペアンプを保護する。 (3 )
【0008】
【実施例】
図1は本考案の一実施例であり本考案の要部は、リニアIC1のオペアンプも しくは電圧比較器2の+入力端子3と−入力端子4の間に第一のダイオードD1 を接続し、前記第一のダイオードD1に第二のダイオードD2を並列に、かつ極 性が相反する様に接続し、前記第一のダイオードD1と第二のダイオードD2か らGNDへ直列に第三のダイオードD3のアノードを接続し、前記第三のダイオ ードD3のカソードと第四のダイオードD4のカソードを直列に接続し、前記第 四のダイオードD4のアノードをグランドに接続したことを特徴とする保護回路 を形成し、図2のように前記保護回路を一つのシングルインラインパッケージに 集積した。
【0009】 第一のダイオードD1と第二のダイオードD2は差動電圧の過大入力電圧保護 用で、図3に示すように+入力端子と−入力端子間の電位差VdMが第一のダイオ ードD1と第二のダイオードD2の順方向電圧より大きいとき、第一のダイオー ドD1もしくは第二のダイオードD2に電流が流れ、リニアIC1を保護する。 この際、第一のダイオードD1と第二のダイオードD2の順方向遅れ時間が遅 いと瞬時の過大差動入力電圧が第一のダイオードD1と第二のダイオードD2に 流れず、リニアIC1を保護できない。よって、本実施例では順方向遅れ時間の 速いショットキーバリアダイオードを用いた。
【0010】 第三のダイオードD3と第四のダイオードD4は同相入力電圧保護用で、図3 に示すように+入力端子3とグランド間、そして−入力端子4とグランド間の電 位差VCMが、第三のダイオードD3のツェナー電圧と第四のダイオードD4の順 方向電圧の和より大きいとき、第三のダイオードD3と第四のダイオードD4に 電流が流れオペアンプを保護する。 本実施例では、オペアンプの電源電圧より2ボルト程度低いツェナー電圧を持 つツェナーダイオードを用いた。 (4 )
【0011】 図2は前記保護回路を一つのシングルインラインパッケージ5に集積した本考 案による保護回路装置の一実施例であり、第一のダイオードD1と第二のダイオ ードD2が接続されるシングルインラインパッケージ5の外部端子6と外部端子 7は、オペアンプの+入力端子3と−入力端子4と同じ幅、例えば2.54mmと し、グランドに接続される外部端子8はリニアICの配線の障害とならない幅、 例えば5.08mmとした。
【0012】 なお、第一のダイオードD1と第二のダイオードD2はオペアンプの特性や、 その用途によりショットキーバリアダイオード以外のダイオードも使用出来、ダ イオードの順方向特性のみを使用するためバリスタ1個に置き換えも出来る。 また、第三のダイオードD3と第四のダイオードD4もオペアンプの特性や、 その用途によりツェナーダイオード以外のダイオードも使用出来、三層ダイオー ド1個に置き換えも出来る。
【0013】
【考案の効果】
本考案によりオペアンプの保護回路の部品点数が減り、一つのシングルインラ インパッケージに集積したことにより基板への実装時間短縮,高密度実装を実現 できた。また保護回路の配線の引き回しが短いため高速化、低雑音化が出来た。 以上述べたように産業上の利用可能性大なるものである。 (5 )
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案による保護回路の一実施例
【図2】本考案による保護回路装置の一実施例
【図3】過大入力電圧の説明図
【図4】従来の同相電圧の過大入力電圧保護回路
【図5】従来の差動電圧の過大入力電圧保護回路
【図6】従来の同相電圧と差動電圧の過大入力電圧を同
時に保護できる保護回路
【符号の説明】
1 リニアIC 2 オペアンプ 3 +入力端子 4 −入力端子 5 シングルインラインパッケージ 6 +入力端子に接続される外部端子 7 −入力端子に接続される外部端子 8 GNDに接続される外部端子

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】オペアンプの+入力端子と−入力端子間に
    第一のダイオードを接続し、前記第一のダイオードに第
    二のダイオードを並列に、かつ極性が相反する様に接続
    し、前記第一と第二のダイオードからGNDへ、直列に
    第三のダイオードのアノードを接続し、前記第三のダイ
    オードのカソードと第四のダイオードのカソードを直列
    に接続し、前記第四のダイオードのアノードをグランド
    に接続したことを特徴とする保護回路。
  2. 【請求項2】前記保護回路を一つのシングルインライン
    パッケージに集積した事を特徴とする請求項1の保護回
    路装置。
JP8554292U 1992-11-18 1992-11-18 保護回路 Pending JPH0670442U (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001160498A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Sony Corp 充電用半導体装置
WO2011104922A1 (ja) * 2010-02-26 2011-09-01 三菱電機株式会社 サージ吸収回路およびこれを用いた電子機器
JP2013106325A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Fujitsu Ltd 増幅回路および受光回路

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