JPH0673065A - 置換ナフト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン類、それらの製法及びその用途 - Google Patents
置換ナフト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン類、それらの製法及びその用途Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
- C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D513/06—Peri-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C331/00—Derivatives of thiocyanic acid or of isothiocyanic acid
- C07C331/16—Isothiocyanates
- C07C331/30—Isothiocyanates containing at least two isothiocyanate groups bound to the same carbon skeleton
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/121—Charge-transfer complexes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 式(I):
【化15】
(式中、X1 及びX2 は、それぞれ互いに独立して、
O、S又はSeであり;そしてR1 及びR2 は、それぞ
れ互いに独立して、非置換であるか、又はNH2 、C1
−C6 アルキル、C1 −C6 アルコキシ、フェニル若し
くはC3 −C8 シクロアルキルで置換された、1ないし
20個の炭素原子を有する脂肪族又は芳香族炭化水素の
1価の基である)で示される化合物、製造方法及びその
電荷移動錯体の導電体としての用途。 【効果】上記の化合物は電気伝導性の電荷移動錯体を形
成し得、この電荷移動錯体は通常針状晶であり、驚くほ
ど高い導電性を有し、代表的には、表面の被覆(静電防
止仕上げ)又は導電性フィラーとしてプラスチック材料
にブレンドすることもでき、導電性薄層で被覆された基
材は、センサ類の製作に適切な基材材料である。
O、S又はSeであり;そしてR1 及びR2 は、それぞ
れ互いに独立して、非置換であるか、又はNH2 、C1
−C6 アルキル、C1 −C6 アルコキシ、フェニル若し
くはC3 −C8 シクロアルキルで置換された、1ないし
20個の炭素原子を有する脂肪族又は芳香族炭化水素の
1価の基である)で示される化合物、製造方法及びその
電荷移動錯体の導電体としての用途。 【効果】上記の化合物は電気伝導性の電荷移動錯体を形
成し得、この電荷移動錯体は通常針状晶であり、驚くほ
ど高い導電性を有し、代表的には、表面の被覆(静電防
止仕上げ)又は導電性フィラーとしてプラスチック材料
にブレンドすることもでき、導電性薄層で被覆された基
材は、センサ類の製作に適切な基材材料である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、2’,7’−位が有機
チオ、オキシ又はゼレノ基で置換されたナフト[1,8
−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン
類、それらの製法及びそれらの用途並びに中間体として
の4,8−ジブロモ−1,5−ジイソチオシアナトナフ
タレンに関する。
チオ、オキシ又はゼレノ基で置換されたナフト[1,8
−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン
類、それらの製法及びそれらの用途並びに中間体として
の4,8−ジブロモ−1,5−ジイソチオシアナトナフ
タレンに関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しょうとする課題】高度に
導電性のピレンの電荷移動錯体は、就中、V. Enkelmann
により J. dePhys., C3, 44, pp. 1147-1152(1983)
に記載されている。これらの錯体は貯蔵安定性がなく、
短時間で分解する。メルカプトピレン類及び無機陰イオ
ンとのそれらの導電性の電荷移動錯体は、西ドイツ特許
第 A-3814534号明細書に開示されている。四環性クロロ
ビス−1,3−チアジンは、西ドイツ特許第 A-2224746
号明細書にプラント保護剤及び染料の合成中間体として
開示されている。
導電性のピレンの電荷移動錯体は、就中、V. Enkelmann
により J. dePhys., C3, 44, pp. 1147-1152(1983)
に記載されている。これらの錯体は貯蔵安定性がなく、
短時間で分解する。メルカプトピレン類及び無機陰イオ
ンとのそれらの導電性の電荷移動錯体は、西ドイツ特許
第 A-3814534号明細書に開示されている。四環性クロロ
ビス−1,3−チアジンは、西ドイツ特許第 A-2224746
号明細書にプラント保護剤及び染料の合成中間体として
開示されている。
【0003】驚くべきことであるが、新規な方法によっ
て、2,7−位が有機チオ、オキシ又はゼレノ基で置換
されたナフト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス
[1,3]チアジン類を合成することが可能であり、こ
れらの化合物は無機陰イオンと電気伝導性の電荷移動錯
体を形成し得ることが発見された。この電荷移動錯体は
通常針状晶であり、驚くほど高い導電性を有している。
て、2,7−位が有機チオ、オキシ又はゼレノ基で置換
されたナフト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス
[1,3]チアジン類を合成することが可能であり、こ
れらの化合物は無機陰イオンと電気伝導性の電荷移動錯
体を形成し得ることが発見された。この電荷移動錯体は
通常針状晶であり、驚くほど高い導電性を有している。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴の一つにお
いて、本発明は、式(I):
いて、本発明は、式(I):
【0005】
【化8】
【0006】(式中、X1 及びX2 は、それぞれ互いに
独立して、O、S又はSeであり;R1 及びR2 は、そ
れぞれ互いに独立して、非置換又はNH2 、C1 −C6
アルキル、C1 −C6 アルコキシ、フェニル若しくはC
3 −C8 シクロアルキルで置換された、1ないし20個
の炭素原子を有する脂肪族又は芳香族炭化水素の1価の
基である)で示される化合物に関する。好適にはR1 及
びR2 は同一の基である。
独立して、O、S又はSeであり;R1 及びR2 は、そ
れぞれ互いに独立して、非置換又はNH2 、C1 −C6
アルキル、C1 −C6 アルコキシ、フェニル若しくはC
3 −C8 シクロアルキルで置換された、1ないし20個
の炭素原子を有する脂肪族又は芳香族炭化水素の1価の
基である)で示される化合物に関する。好適にはR1 及
びR2 は同一の基である。
【0007】炭化水素基は、好適には1ないし18個、
より好適には1ないし12個、最も好適には1ないし8
個の炭素原子を含む。
より好適には1ないし12個、最も好適には1ないし8
個の炭素原子を含む。
【0008】適切な脂肪族炭化水素R1 及びR2 は、代
表的には、C1 −C18アルキル、好適にはC1 −C12ア
ルキル、最も好適にはC1 −C6 アルキル又はC3 −C
8 シクロアルキルであるか、あるいは好適にはC4 −C
6 シクロアルキル又はC7 −C12アラルキルであり、そ
して最も好適にはC7 −C12フェニルアルキルである。
代表例は、エチル、メチル、プロピル及び直鎖又は分岐
の、ドデシル、ウンデシル、デシル、ノニル、オクチ
ル、ヘプチル、ヘキシル、ペンチル及びブチルである。
シクロアルキルの代表例は、シクロプロピル、シクロブ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル及びシクロオクチルである。アラルキルの代表例はベ
ンジル及びフェニルエチルである。
表的には、C1 −C18アルキル、好適にはC1 −C12ア
ルキル、最も好適にはC1 −C6 アルキル又はC3 −C
8 シクロアルキルであるか、あるいは好適にはC4 −C
6 シクロアルキル又はC7 −C12アラルキルであり、そ
して最も好適にはC7 −C12フェニルアルキルである。
代表例は、エチル、メチル、プロピル及び直鎖又は分岐
の、ドデシル、ウンデシル、デシル、ノニル、オクチ
ル、ヘプチル、ヘキシル、ペンチル及びブチルである。
シクロアルキルの代表例は、シクロプロピル、シクロブ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル及びシクロオクチルである。アラルキルの代表例はベ
ンジル及びフェニルエチルである。
【0009】適切な芳香族炭化水素基R1 及びR2 は、
代表的には、C6 −C18アリール、好適にはC6 −C12
アリールである。好適な例はフェニル及びナフチルであ
る。
代表的には、C6 −C18アリール、好適にはC6 −C12
アリールである。好適な例はフェニル及びナフチルであ
る。
【0010】好適な実施態様において、R1 及びR2
は、C1 −C18アルキル、好適にはC1 −C12アルキ
ル、非置換又は上記と同義の置換基を有する、C5 −C
6 シクロアルキル、フェニル若しくはベンジルである。
は、C1 −C18アルキル、好適にはC1 −C12アルキ
ル、非置換又は上記と同義の置換基を有する、C5 −C
6 シクロアルキル、フェニル若しくはベンジルである。
【0011】X1 及びX2 は、好適には、同じ意義を有
する。好適には、X1 及び/又はX2 はO又はSであ
る。最も好適には、X1 及びX2 は同一であり、O又は
Sである。
する。好適には、X1 及び/又はX2 はO又はSであ
る。最も好適には、X1 及びX2 は同一であり、O又は
Sである。
【0012】シクロアルキル置換基の代表例は、シクロ
プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘ
プチル及びシクロオクチルである。好適なシクロアルキ
ル基はシクロペンチル及びシクロヘキシルである。
プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘ
プチル及びシクロオクチルである。好適なシクロアルキ
ル基はシクロペンチル及びシクロヘキシルである。
【0013】好適に1ないし4個の炭素原子を有するア
ルキル置換基の代表例は、メチル、エチル、n−、is
o−及びtert−ブチルである。
ルキル置換基の代表例は、メチル、エチル、n−、is
o−及びtert−ブチルである。
【0014】好適に1ないし4個の炭素原子を有するア
ルコキシ置換基の代表例は、メトキシ、エトキシ、n−
プロポキシ及びtert−ブトキシである。
ルコキシ置換基の代表例は、メトキシ、エトキシ、n−
プロポキシ及びtert−ブトキシである。
【0015】置換基R1 及びR2 の好適な下位の基は、
メチル、エチル、メトキシ及びエトキシである。
メチル、エチル、メトキシ及びエトキシである。
【0016】好適には、R1 及びR2 は、メチル、エチ
ル、n−プロピル、n−ブチル、ベンジル及びフェニル
である。
ル、n−プロピル、n−ブチル、ベンジル及びフェニル
である。
【0017】式(I)の化合物の代表例は、2’,7’
−ビス(メチルチオ)ナフト[1,8−de:5,4−
d’e’]ビス[1,3]チアジン、2’,7’−ビス
(メトキシ)ナフト[1,8−de:5,4−d’
e’]ビス[1,3]チアジン、2’−メチルチオ−
7’−エトキシナフト[1,8−de:5,4−d’
e’]ビス[1,3]チアジン及び2’−n−ブチルチ
オ−7’−メチルチオナフト[1,8−de:5,4−
d’,e’]ビス[1,3]チアジンである。
−ビス(メチルチオ)ナフト[1,8−de:5,4−
d’e’]ビス[1,3]チアジン、2’,7’−ビス
(メトキシ)ナフト[1,8−de:5,4−d’
e’]ビス[1,3]チアジン、2’−メチルチオ−
7’−エトキシナフト[1,8−de:5,4−d’
e’]ビス[1,3]チアジン及び2’−n−ブチルチ
オ−7’−メチルチオナフト[1,8−de:5,4−
d’,e’]ビス[1,3]チアジンである。
【0018】式(I)の化合物は、簡単な方法及び新規
な方法で製造することができる。
な方法で製造することができる。
【0019】別の特徴において、本発明は式(I)の化
合物の製造法であって、(i)塩の形態であってもよい
式(II):
合物の製造法であって、(i)塩の形態であってもよい
式(II):
【0020】
【化9】
【0021】の4,8−ジブロモ−1,5−ジアミノナ
フタレンを、不活性溶媒及びNa2 CO3 の存在下にチ
オホスゲン化して、式(III ):
フタレンを、不活性溶媒及びNa2 CO3 の存在下にチ
オホスゲン化して、式(III ):
【0022】
【化10】
【0023】の4,8−ジブロモ−1,5−ジイソチオ
シアナトナフタレンとし、(ii)式(III )の4,8−
ジブロモ−1,5−ジイソチオシアナトナフタレンを、
溶媒の存在下に1価の金属塩若しくはアンモニウム塩R
1 X1 -M+ 又はアルカリ土類金属塩(R1 X1 -)2 E2+
の2当量と反応させて、式(Ia):
シアナトナフタレンとし、(ii)式(III )の4,8−
ジブロモ−1,5−ジイソチオシアナトナフタレンを、
溶媒の存在下に1価の金属塩若しくはアンモニウム塩R
1 X1 -M+ 又はアルカリ土類金属塩(R1 X1 -)2 E2+
の2当量と反応させて、式(Ia):
【0024】
【化11】
【0025】(式中、M+ は1価の金属陽イオン又はア
ンモニウム陽イオンR3 R4 R5 R6N+ (式中、R
3 、R4 、R5 及びR6 は、それぞれ互いに独立して、
H又はC1 −C4 アルキルである)であり;そしてE2+
はアルカリ土類金属陽イオンである)で示される化合物
に変換するか、又は最初に式(III )の4,8−ジブロ
モ−1,5−ジイソチオシアナトナフタレンを1価の金
属塩若しくはアンモニウム塩R1 X1 -M+ 又はアルカリ
土類金属塩(R1 X1 -)2 E2+の1当量と反応させ、次
いで反応生成物を別の1価の金属塩若しくはアンモニウ
ム塩R2 X2 - M+又は別のアルカリ土類金属塩(R2
X2 - )2 E2+と反応させて、式(I):
ンモニウム陽イオンR3 R4 R5 R6N+ (式中、R
3 、R4 、R5 及びR6 は、それぞれ互いに独立して、
H又はC1 −C4 アルキルである)であり;そしてE2+
はアルカリ土類金属陽イオンである)で示される化合物
に変換するか、又は最初に式(III )の4,8−ジブロ
モ−1,5−ジイソチオシアナトナフタレンを1価の金
属塩若しくはアンモニウム塩R1 X1 -M+ 又はアルカリ
土類金属塩(R1 X1 -)2 E2+の1当量と反応させ、次
いで反応生成物を別の1価の金属塩若しくはアンモニウ
ム塩R2 X2 - M+又は別のアルカリ土類金属塩(R2
X2 - )2 E2+と反応させて、式(I):
【0026】
【化12】
【0027】(式中、R1 、R2 、X1 及びX2 は前記
と同義である)で示される化合物に段階的に変換するこ
とを特徴とする方法に関する。
と同義である)で示される化合物に段階的に変換するこ
とを特徴とする方法に関する。
【0028】M+ の代表例は、Li+ 、Na+ 、K+ 、
Cu+ 、Tl+ 、NH4 + 、(CH3 )3 NH+ 及び
(C2 H5 )3 NH+ である。E2+の代表例は、M
g2 +、Ca2 +及びSr2 +である。Cu+ はC6 H5 SC
uとして市販されている。最も好適には、M+ はNa
+ 、K+ 、NH4 +、(CH3 )3 NH+ 及び(C2 H
5 )3 NH+ である。別の好適な実施態様において、M
+ はアルカリ金属陽イオンである。
Cu+ 、Tl+ 、NH4 + 、(CH3 )3 NH+ 及び
(C2 H5 )3 NH+ である。E2+の代表例は、M
g2 +、Ca2 +及びSr2 +である。Cu+ はC6 H5 SC
uとして市販されている。最も好適には、M+ はNa
+ 、K+ 、NH4 +、(CH3 )3 NH+ 及び(C2 H
5 )3 NH+ である。別の好適な実施態様において、M
+ はアルカリ金属陽イオンである。
【0029】全反応の各工程は、温度範囲5ないし80
°C、好適には15ないし60°Cで行われる。
°C、好適には15ないし60°Cで行われる。
【0030】両反応工程での適切な溶媒は、通常、極性
で非プロトン性溶媒であり、代表的に以下の溶媒を含
む:スルホン類;スルホキシド類;N,N’−四置換尿
素類;N−アルキル化ラクタム類又はN−ジアルキル化
酸アミド類;エーテル類;非置換又はハロゲン化され
た、脂肪族、脂環式又は芳香族炭化水素類;カルボン酸
エステル類及びラクトン類;そしてニトリル類。
で非プロトン性溶媒であり、代表的に以下の溶媒を含
む:スルホン類;スルホキシド類;N,N’−四置換尿
素類;N−アルキル化ラクタム類又はN−ジアルキル化
酸アミド類;エーテル類;非置換又はハロゲン化され
た、脂肪族、脂環式又は芳香族炭化水素類;カルボン酸
エステル類及びラクトン類;そしてニトリル類。
【0031】このような溶媒の代表例は:スルホン類:
ジメチルスルホン、ジエチルスルホン;スルホキシド
類:ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド;
N,N−四置換尿素類:N−メチルエチル−N’−メチ
ルエチル尿素、テトラメチル尿素;N−アルキル化ラク
タム類:N−メチルピロリドン、N−エチルピロリド
ン;N−ジアルキル化酸アミド類:N−ジメチルホルム
アミド、N−ジメチルアセトアミド;エーテル類:ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン;脂肪族炭
化水素類:ジクロロメタン、ヘキサン、クロロホルム、
トリクロロエタン、テトラクロロエタン;芳香族炭化水
素類:クロロベンゼン、ジクロロベンゼン;カルボン酸
エステル類:酢酸メチル、酢酸エチル;ニトリル類:ベ
ンゾニトリル、フェニルアセトニトリル、アセトニトリ
ルである。
ジメチルスルホン、ジエチルスルホン;スルホキシド
類:ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド;
N,N−四置換尿素類:N−メチルエチル−N’−メチ
ルエチル尿素、テトラメチル尿素;N−アルキル化ラク
タム類:N−メチルピロリドン、N−エチルピロリド
ン;N−ジアルキル化酸アミド類:N−ジメチルホルム
アミド、N−ジメチルアセトアミド;エーテル類:ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン;脂肪族炭
化水素類:ジクロロメタン、ヘキサン、クロロホルム、
トリクロロエタン、テトラクロロエタン;芳香族炭化水
素類:クロロベンゼン、ジクロロベンゼン;カルボン酸
エステル類:酢酸メチル、酢酸エチル;ニトリル類:ベ
ンゾニトリル、フェニルアセトニトリル、アセトニトリ
ルである。
【0032】好適な溶媒は、ジクロロメタン、テトラヒ
ドロフラン及びジメチルホルムアミドである。
ドロフラン及びジメチルホルムアミドである。
【0033】新規な方法、特に第二の工程は、不活性雰
囲気下、好都合には、アルゴンのような希ガス中又は窒
素の雰囲気下で有利に行なわれる。
囲気下、好都合には、アルゴンのような希ガス中又は窒
素の雰囲気下で有利に行なわれる。
【0034】各工程の生成物は、それ自体公知の方法、
例えば傾瀉、濾過又は蒸留によって単離することができ
る。次に、生成物は結晶化又はクロマトグラフ法のよう
な常法により精製することができる。
例えば傾瀉、濾過又は蒸留によって単離することができ
る。次に、生成物は結晶化又はクロマトグラフ法のよう
な常法により精製することができる。
【0035】原料である式(II)の4,8−ジブロモ−
1,5−ジアミノナフタレンの製法は、それ自体公知で
あり、J. S. Whitehurstによって J. Chem. Soc., pp.
221-226(1951) に記載されている。4,8−ジブロモ−
1,5−ジトルエン−p−スルホンアミドナフタレン
は、濃酸、好都合にはH2 SO4 に溶解し、遮光して2
4時間放置する。安定性の理由で、式(II)の化合物は
HSO塩として単離するのが好ましい。
1,5−ジアミノナフタレンの製法は、それ自体公知で
あり、J. S. Whitehurstによって J. Chem. Soc., pp.
221-226(1951) に記載されている。4,8−ジブロモ−
1,5−ジトルエン−p−スルホンアミドナフタレン
は、濃酸、好都合にはH2 SO4 に溶解し、遮光して2
4時間放置する。安定性の理由で、式(II)の化合物は
HSO塩として単離するのが好ましい。
【0036】工程(ii)における分子内閉環は、驚く程
穏和な反応条件の下で達成され、本発明の化合物を高収
率かつ高純度で得ることができる。
穏和な反応条件の下で達成され、本発明の化合物を高収
率かつ高純度で得ることができる。
【0037】さらに別の特徴において、本発明は式(II
I ):
I ):
【0038】
【化13】
【0039】の化合物、4,8−ジブロモ−1,5−ジ
イソチオシアナトナフタレンに関する。
イソチオシアナトナフタレンに関する。
【0040】式(I)の化合物は、酸化剤との反応によ
って電解的又は化学的に陽イオンに変換され、各種の陰
イオンと導電性の電荷移動錯体を形成する。
って電解的又は化学的に陽イオンに変換され、各種の陰
イオンと導電性の電荷移動錯体を形成する。
【0041】新規な式(I)の化合物は、無機酸と化学
量論的又は非−化学量論的組成の電荷移動錯体を形成す
る。
量論的又は非−化学量論的組成の電荷移動錯体を形成す
る。
【0042】なお別の特徴において、本発明は式(I
V):
V):
【0043】
【化14】
【0044】[式中、Zは式(I)の化合物の陽イオン
基、Aは無機酸の陰イオンであり、そして1≦x/y≦
3である]で示される電荷移動錯体に関する。化学量論
[式(I)の化合物の陽イオンと対の陰イオンとの比]
は、好適には1:1ないし2:1である。
基、Aは無機酸の陰イオンであり、そして1≦x/y≦
3である]で示される電荷移動錯体に関する。化学量論
[式(I)の化合物の陽イオンと対の陰イオンとの比]
は、好適には1:1ないし2:1である。
【0045】無機酸は、好適には一塩基酸、代表的には
鉱酸、オキシ酸及び複合体の酸である。
鉱酸、オキシ酸及び複合体の酸である。
【0046】適切な陰イオンは、代表的にはF- 、Cl
- 、Br- 、I- 、CN- 、OCN- 、SCN- 、Se
CN- 、N3 -、I3 -、I2 Br- 、IBr2 -、BrIC
l-、Br3 -、ICl2 -、CuCl2 -、CuBr2 -、A
gCl2 -、AgBr2 -、AgI2 -、Ag(CN)2 -、A
uCl2 -、AuBr2 -、AuI2 -、Au(CN)2 -、N
O3 -、C(CN)3 -、ClO4 -、BrO4 -、IO4 -、R
eO4 -、FSO3 -、PO2 F2 -、BF4 -、InBr4 -、
InI4 -、TlBr4 -、TlI4 -、FeCl4 -、AuC
l4 -、AuBr4 -、ICl4 -、SiF5 -、TeF5 -、P
F6 -、AsF6 -、SbF6 -、SbCl6 -、NbF6 -及び
TaF6 -である。
- 、Br- 、I- 、CN- 、OCN- 、SCN- 、Se
CN- 、N3 -、I3 -、I2 Br- 、IBr2 -、BrIC
l-、Br3 -、ICl2 -、CuCl2 -、CuBr2 -、A
gCl2 -、AgBr2 -、AgI2 -、Ag(CN)2 -、A
uCl2 -、AuBr2 -、AuI2 -、Au(CN)2 -、N
O3 -、C(CN)3 -、ClO4 -、BrO4 -、IO4 -、R
eO4 -、FSO3 -、PO2 F2 -、BF4 -、InBr4 -、
InI4 -、TlBr4 -、TlI4 -、FeCl4 -、AuC
l4 -、AuBr4 -、ICl4 -、SiF5 -、TeF5 -、P
F6 -、AsF6 -、SbF6 -、SbCl6 -、NbF6 -及び
TaF6 -である。
【0047】好適な陰イオンは、I3 -、IBr2 -、Br
3 -、CuCl2 -及びPF6 -である。IBr2 -は、特に好
ましい。
3 -、CuCl2 -及びPF6 -である。IBr2 -は、特に好
ましい。
【0048】電荷移動錯体の塩は、電解的又は化学的に
製造することができる。電解法においては、方法は以下
の如くである:式(I)の化合物を、伝導性電解液が存
在する電解槽の陽極領域に、無機陰イオン、例えばテト
ラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスファートのよ
うなテトラアルキルアンモニウム塩及び溶媒、例えばジ
クロロメタンと共に充たす。電解は、約0.5μAの電
流の強さで行なわれ、ある程度の時間、例えば1又は2
日の後、結晶を電極から採取して精製する。
製造することができる。電解法においては、方法は以下
の如くである:式(I)の化合物を、伝導性電解液が存
在する電解槽の陽極領域に、無機陰イオン、例えばテト
ラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスファートのよ
うなテトラアルキルアンモニウム塩及び溶媒、例えばジ
クロロメタンと共に充たす。電解は、約0.5μAの電
流の強さで行なわれ、ある程度の時間、例えば1又は2
日の後、結晶を電極から採取して精製する。
【0049】化学的な方法においては、方法は以下の如
くである:溶媒、例えばトルエンに溶解した式(I)の
化合物の溶液又は温溶液を、酸化剤、代表的にはハロゲ
ン、CuCl2 又はFeCl3 の溶液と混合する。反応
溶液を冷却し、析出した結晶を濾過し、単離して精製す
る。
くである:溶媒、例えばトルエンに溶解した式(I)の
化合物の溶液又は温溶液を、酸化剤、代表的にはハロゲ
ン、CuCl2 又はFeCl3 の溶液と混合する。反応
溶液を冷却し、析出した結晶を濾過し、単離して精製す
る。
【0050】新規な電荷移動錯体は、優れた電導度を有
し、導電体として使用することができる。
し、導電体として使用することができる。
【0051】本発明は、さらに導電体としての、式(I
V)の電荷移動錯体の用途に関する。
V)の電荷移動錯体の用途に関する。
【0052】式(IV)の電荷移動錯体は、代表的には、
表面の被覆(静電防止仕上げ)に用いられ、又は導電性
フィラーとしてプラスチック材料にブレンドされる。La
ngmuir-Blodgett 法により、基材を式(I)の化合物の
単分子層又は多分子層で被覆し、これらの層に、例えば
ハロゲンをドープすることもできる。導電性薄層で被覆
された基材は、センサ類の製作に適切な基材材料であ
る。
表面の被覆(静電防止仕上げ)に用いられ、又は導電性
フィラーとしてプラスチック材料にブレンドされる。La
ngmuir-Blodgett 法により、基材を式(I)の化合物の
単分子層又は多分子層で被覆し、これらの層に、例えば
ハロゲンをドープすることもできる。導電性薄層で被覆
された基材は、センサ類の製作に適切な基材材料であ
る。
【0053】
【実施例】以下の実施例により、本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
【0054】実施例A1: a)4,8−ジブロモ−1,5−ジアミノナフタレンの
製造 4,8−ジブロモ−1,5−ジトルエン−p−スルホン
アミドナフタレン[J.S. Whitehurst, J. Chem. Soc.,
221-226(1951)]15g(0.024mol )を濃H2 S
O4 の75mlに溶解し、遮光して24時間放置した。次
いで、反応溶液を氷450gに注入し、紫色の溶液を得
た。数分後に生成物はH2 SO4 塩となり沈殿した。沈
殿物を吸引濾過により単離し、フィルターケーキを圧搾
し、淡いベージュ−紫色の粗生成物を得、直ちに次の反
応に使用した。
製造 4,8−ジブロモ−1,5−ジトルエン−p−スルホン
アミドナフタレン[J.S. Whitehurst, J. Chem. Soc.,
221-226(1951)]15g(0.024mol )を濃H2 S
O4 の75mlに溶解し、遮光して24時間放置した。次
いで、反応溶液を氷450gに注入し、紫色の溶液を得
た。数分後に生成物はH2 SO4 塩となり沈殿した。沈
殿物を吸引濾過により単離し、フィルターケーキを圧搾
し、淡いベージュ−紫色の粗生成物を得、直ちに次の反
応に使用した。
【0055】b)4,8−ジブロモ−1,5−ジイソチ
オシアナトナフタレンの製造 a)においてH2 SO4 塩の形態の粗生成物として得た
4,8−ジブロモ−1,5−ジアミノナフタレンを、H
2 O150ml中に懸濁し、懸濁液にCH2 Cl2 150
mlを加えた。撹拌しながら、Na2 CO3 18gを徐々
に加え、次いで、この乳濁液にCH2 Cl2 30mlに溶
解したチオホスゲン6.3g(0.054mol )の溶液
を室温で滴下した。室温2時間撹拌後に、反応は終了し
た。水600ml及びCH2 Cl2 600mlで生成物を抽
出し、水相をCH2 Cl2 200mlでさらに一度抽出し
た。有機相をMgSO4 で乾燥し、濾過して減圧下に濃
縮した。残渣(7.7g)をCH2 Cl2 の600ml
に、温時溶解し、室温に冷却後、シリカゲル500g、
次に活性炭により濾過した。濾液を300mlの容量まで
減圧下に濃縮し、析出した結晶を吸引濾集した。収量:
3.8g(40%)、融点(m.p.):202〜20
4°C。結晶性の生成物をCH2 Cl2 の500mlに熱
時溶解し、溶液を200mlに濃縮して結晶させた。氷冷
し、吸引濾過してm.p.213.5〜214°Cを有
する標記化合物2.7gを得た。MS(m/e):40
0(M+ ,100%)、IR(νmax ,KBr):20
95cm-1(N=C=S)。さらに標記化合物0.35g
を母液より単離した。m.p.207〜209°C(不
純の故に)。
オシアナトナフタレンの製造 a)においてH2 SO4 塩の形態の粗生成物として得た
4,8−ジブロモ−1,5−ジアミノナフタレンを、H
2 O150ml中に懸濁し、懸濁液にCH2 Cl2 150
mlを加えた。撹拌しながら、Na2 CO3 18gを徐々
に加え、次いで、この乳濁液にCH2 Cl2 30mlに溶
解したチオホスゲン6.3g(0.054mol )の溶液
を室温で滴下した。室温2時間撹拌後に、反応は終了し
た。水600ml及びCH2 Cl2 600mlで生成物を抽
出し、水相をCH2 Cl2 200mlでさらに一度抽出し
た。有機相をMgSO4 で乾燥し、濾過して減圧下に濃
縮した。残渣(7.7g)をCH2 Cl2 の600ml
に、温時溶解し、室温に冷却後、シリカゲル500g、
次に活性炭により濾過した。濾液を300mlの容量まで
減圧下に濃縮し、析出した結晶を吸引濾集した。収量:
3.8g(40%)、融点(m.p.):202〜20
4°C。結晶性の生成物をCH2 Cl2 の500mlに熱
時溶解し、溶液を200mlに濃縮して結晶させた。氷冷
し、吸引濾過してm.p.213.5〜214°Cを有
する標記化合物2.7gを得た。MS(m/e):40
0(M+ ,100%)、IR(νmax ,KBr):20
95cm-1(N=C=S)。さらに標記化合物0.35g
を母液より単離した。m.p.207〜209°C(不
純の故に)。
【0056】c)2’,7’−ビス(メチルチオ)ナフ
ト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]
チアジンの製造(A法) 無水のジメチルホルムアミド4mlに懸濁した4,8−ジ
ブロモ−1,5−ジイソチオシアナトナフタレン200
mg(0.5mmol)の懸濁液に、ナトリウムメタンチオラ
ート100mg(1.5mmol)を、撹拌しながら50°C
でアルゴンの雰囲気下に徐々に加えた。遊離体が溶解す
ると、反応混合物は最初に黄色から次に橙色に変化し、
生成物が温溶液から沈殿した。反応混合物を50°Cで
15分間撹拌し、冷却して吸引濾過した。濾取した生成
物を、水、エタノール及びジエチルエーテルで洗浄し
た。粗生成物をCH2 Cl2 の80mlに温時溶解し、シ
リカゲル800gによるクロマトグラフィーに付した
[溶出液:CH2 Cl2 /ヘキサン(1:1)]。主溶
離帯から243.5〜244°Cの融点を有する橙色結
晶108mg(64.6%)を得た。MS(m/e):3
34(M+ ,100%)、IR(νmax ,KBr):1
558cm-1(C=C)。
ト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]
チアジンの製造(A法) 無水のジメチルホルムアミド4mlに懸濁した4,8−ジ
ブロモ−1,5−ジイソチオシアナトナフタレン200
mg(0.5mmol)の懸濁液に、ナトリウムメタンチオラ
ート100mg(1.5mmol)を、撹拌しながら50°C
でアルゴンの雰囲気下に徐々に加えた。遊離体が溶解す
ると、反応混合物は最初に黄色から次に橙色に変化し、
生成物が温溶液から沈殿した。反応混合物を50°Cで
15分間撹拌し、冷却して吸引濾過した。濾取した生成
物を、水、エタノール及びジエチルエーテルで洗浄し
た。粗生成物をCH2 Cl2 の80mlに温時溶解し、シ
リカゲル800gによるクロマトグラフィーに付した
[溶出液:CH2 Cl2 /ヘキサン(1:1)]。主溶
離帯から243.5〜244°Cの融点を有する橙色結
晶108mg(64.6%)を得た。MS(m/e):3
34(M+ ,100%)、IR(νmax ,KBr):1
558cm-1(C=C)。
【0057】実施例A2: 2’,7’−ビス(フェニルチオ)ナフト[1,8−d
e:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジンの製造
(B法) ジメチルホルムアミド4mlに懸濁した4,8−ジブロモ
−1,5−ジイソシアナトナフタレン200mg(0.5
mmol)及びトリエチルアミン130mg(1.2mmol)の
懸濁液に、アルゴン雰囲気下に撹拌しながら50°C
で、ジメチルホルムアミド4mlに溶解したチオフェノー
ル135mg(1.2mmol)の溶液を滴下した。遊離体が
溶解すると、反応混合物は黄色から次に濃橙色に変化
し、生成物は温溶液から析出した。50°Cに15時間
保った後、懸濁液を冷却して吸引濾過し、濾取した生成
物を、ジメチルホルムアミド、水及びジエチルエーテル
で洗浄した。粗生成物をトルエン50mlから再結晶して
橙色結晶180mgを得た。m.p.299.4°C:M
S(m/e):458(M+ ,100%)、IR(ν
max ,KBr):1558cm-1(C=C);収率87.
3%。
e:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジンの製造
(B法) ジメチルホルムアミド4mlに懸濁した4,8−ジブロモ
−1,5−ジイソシアナトナフタレン200mg(0.5
mmol)及びトリエチルアミン130mg(1.2mmol)の
懸濁液に、アルゴン雰囲気下に撹拌しながら50°C
で、ジメチルホルムアミド4mlに溶解したチオフェノー
ル135mg(1.2mmol)の溶液を滴下した。遊離体が
溶解すると、反応混合物は黄色から次に濃橙色に変化
し、生成物は温溶液から析出した。50°Cに15時間
保った後、懸濁液を冷却して吸引濾過し、濾取した生成
物を、ジメチルホルムアミド、水及びジエチルエーテル
で洗浄した。粗生成物をトルエン50mlから再結晶して
橙色結晶180mgを得た。m.p.299.4°C:M
S(m/e):458(M+ ,100%)、IR(ν
max ,KBr):1558cm-1(C=C);収率87.
3%。
【0058】実施例A3: 2’−n−ブチルチオ−4−ブロモ−5−イソチオシア
ナトナフト[1,8−de][1,3]チアジンの製造 無水のテトラヒドロフラン15mlに懸濁した4,8−ジ
ブロモ−1,5−ジイソシアナトナフタレン400mg
(1mmol)及びトリエチルアミン130mg(1.2mmo
l)の懸濁液に、n−ブチルメルカプタン(97%)1
10mg(1.2mmol)を室温で加え、混合物を還流下に
加熱した。加熱の過程で、最初に均質な反応混合物が形
成し、5分後に黄橙色の溶液から(C2 H5 )3 NHB
rが沈殿した。反応混合物を4時間還流下に加熱し、減
圧下に濃縮乾固した。残渣をベンゼン/ヘキサン(1:
2)に溶解し、シリカゲル50gを用いたクロマトグラ
フィーに付し、同じ混合溶媒で溶離した。淡黄色の主要
溶離帯から、標記の化合物を淡黄色の結晶として213
mg(51%)の収量で得た。m.p.93.5〜94°
C:MS(m/e):410(M+ ,100%)、IR
(νmax ,KBr):2110(N=C=S)、155
0(C=C)cm-1。
ナトナフト[1,8−de][1,3]チアジンの製造 無水のテトラヒドロフラン15mlに懸濁した4,8−ジ
ブロモ−1,5−ジイソシアナトナフタレン400mg
(1mmol)及びトリエチルアミン130mg(1.2mmo
l)の懸濁液に、n−ブチルメルカプタン(97%)1
10mg(1.2mmol)を室温で加え、混合物を還流下に
加熱した。加熱の過程で、最初に均質な反応混合物が形
成し、5分後に黄橙色の溶液から(C2 H5 )3 NHB
rが沈殿した。反応混合物を4時間還流下に加熱し、減
圧下に濃縮乾固した。残渣をベンゼン/ヘキサン(1:
2)に溶解し、シリカゲル50gを用いたクロマトグラ
フィーに付し、同じ混合溶媒で溶離した。淡黄色の主要
溶離帯から、標記の化合物を淡黄色の結晶として213
mg(51%)の収量で得た。m.p.93.5〜94°
C:MS(m/e):410(M+ ,100%)、IR
(νmax ,KBr):2110(N=C=S)、155
0(C=C)cm-1。
【0059】実施例A4〜A7:実施例A3に記載した
一般的方法に準じて、以下の化合物を合成し、第1表に
示した。これらの化合物は式(I)の非対称の化合物の
製造に用いることができる。
一般的方法に準じて、以下の化合物を合成し、第1表に
示した。これらの化合物は式(I)の非対称の化合物の
製造に用いることができる。
【0060】
【表1】
【0061】実施例A8: 2’−n−ブチルチオ−7’−メチルチオナフト[1,
8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン
の製造 ジメチルホルムアミド3mlに溶解した実施例A3の標記
化合物102mg(0.25mmol)の溶液に、CH3 SN
aの23mg(0.33mmol)をアルゴン雰囲気下に50
°Cで滴下した。溶液は直ちに赤色に変化した。60°
Cに2時間保持した後、懸濁液を冷却し、水10mlで希
釈してCH2 Cl2 で抽出した。抽出液を水洗し、Mg
SO4 で乾燥して減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲル
75gを用いたクロマトグラフィーに付した[溶出液:
ベンゼン/ヘキサン(1:2)]。二番目の橙赤色の溶
離帯から標記化合物を、橙赤色結晶として得た。収量:
31mg(33%)、m.p.121.5〜122°C:
MS(m/e):376(M+ ,100%)、IR(ν
max ,KBr):1556cm-1(C=C)。
8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン
の製造 ジメチルホルムアミド3mlに溶解した実施例A3の標記
化合物102mg(0.25mmol)の溶液に、CH3 SN
aの23mg(0.33mmol)をアルゴン雰囲気下に50
°Cで滴下した。溶液は直ちに赤色に変化した。60°
Cに2時間保持した後、懸濁液を冷却し、水10mlで希
釈してCH2 Cl2 で抽出した。抽出液を水洗し、Mg
SO4 で乾燥して減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲル
75gを用いたクロマトグラフィーに付した[溶出液:
ベンゼン/ヘキサン(1:2)]。二番目の橙赤色の溶
離帯から標記化合物を、橙赤色結晶として得た。収量:
31mg(33%)、m.p.121.5〜122°C:
MS(m/e):376(M+ ,100%)、IR(ν
max ,KBr):1556cm-1(C=C)。
【0062】実施例A9〜A20:実施例A8に記載し
た一般的方法に準じて、以下の化合物を合成し、第2表
に示した。
た一般的方法に準じて、以下の化合物を合成し、第2表
に示した。
【0063】
【表2】
【0064】実施例B1: [2’,7’−ビス(メチルチオ)ナフト[1,8−d
e:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジノ]2 ヘ
キサフルオロホスファートの製造。 2’,7’−ビス(メチルチオ)ナフト[1,8−d
e:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン5mg
(0.015mmol)を、6ml容量の電解槽の陽極(アノ
ード)領域に添加した。テトラブチルアンモニウム−P
F6 15mg(0.04mmol)を導電性電極として用い、
アルゴン雰囲気下に槽に加えた。ジクロロメタン3mlを
溶媒として用いた。次いで、0.5μAの電流を通じた
(Ptワイヤー電極1x10mm)。2日後に、標記化合
物の厚い黒色針状晶を得た。単結晶として、この錯体の
電導度はδRT=25 S/cm(四点法で測定)であった。
化学量論量は、X線構造解析によって決定した。
e:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジノ]2 ヘ
キサフルオロホスファートの製造。 2’,7’−ビス(メチルチオ)ナフト[1,8−d
e:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン5mg
(0.015mmol)を、6ml容量の電解槽の陽極(アノ
ード)領域に添加した。テトラブチルアンモニウム−P
F6 15mg(0.04mmol)を導電性電極として用い、
アルゴン雰囲気下に槽に加えた。ジクロロメタン3mlを
溶媒として用いた。次いで、0.5μAの電流を通じた
(Ptワイヤー電極1x10mm)。2日後に、標記化合
物の厚い黒色針状晶を得た。単結晶として、この錯体の
電導度はδRT=25 S/cm(四点法で測定)であった。
化学量論量は、X線構造解析によって決定した。
【0065】実施例B2: [2’,7’−ビス(メチルチオ)ナフト[1,8−d
e:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジノ](I
3 )o.46の製造 温トルエン3mlに溶解した2’,7’−ビス(メチルチ
オ)ナフト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス
[1,3]チアジン33.4mg(0.1mmol)の溶液
に、トルエン1mlに溶解したヨウ素19mg(0.075
mmol)の溶液を加えた。溶液を冷却した後、析出した黄
金色結晶を単離し、少量のトルエンで洗浄し、風乾し
た。収量:48mg(90%)、m.p.:205°C。
単結晶の電導度は150 S/cm(四点法で測定)であっ
た。構造は元素分析で決定した。
e:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジノ](I
3 )o.46の製造 温トルエン3mlに溶解した2’,7’−ビス(メチルチ
オ)ナフト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス
[1,3]チアジン33.4mg(0.1mmol)の溶液
に、トルエン1mlに溶解したヨウ素19mg(0.075
mmol)の溶液を加えた。溶液を冷却した後、析出した黄
金色結晶を単離し、少量のトルエンで洗浄し、風乾し
た。収量:48mg(90%)、m.p.:205°C。
単結晶の電導度は150 S/cm(四点法で測定)であっ
た。構造は元素分析で決定した。
Claims (19)
- 【請求項1】 式(I): 【化1】 (式中、X1 及びX2 は、それぞれ互いに独立して、
O、S又はSeであり;そしてR1 及びR2 は、それぞ
れ互いに独立して、非置換又はNH2 、C1 −C6アル
キル、C1 −C6 アルコキシ、フェニル若しくはC3 −
C8 シクロアルキルで置換された、1ないし20個の炭
素原子を有する脂肪族又は芳香族炭化水素の1価の基で
ある)で示される化合物。 - 【請求項2】 X1 及びX2 が同一である請求項1記載
の式(I)の化合物。 - 【請求項3】 X1 及びX2 がSである請求項2記載の
式(I)の化合物。 - 【請求項4】 X1 及びX2 がOである請求項2記載の
式(I)の化合物。 - 【請求項5】 炭化水素基R1 及び/又はR2 が、C1
−C18アルキル、C3 −C8 シクロアルキル、C7 −C
12アラルキル及びC6 −C18アリールよりなる群から選
ばれる請求項1記載の式(I)の化合物。 - 【請求項6】 脂肪族炭化水素基が、C1 −C12アルキ
ル、C4 −C6 シクロアルキル及びC7 −C12アラルキ
ルよりなる群から選ばれ、そして芳香族炭化水素基がC
6 −C12アリールである請求項5記載の式(I)の化合
物。 - 【請求項7】 R1 及びR2 がC1 −C18アルキルある
いは非置換又は請求項1で定義した置換基を有する、C
5 −C6 シクロアルキル、フェニル若しくはベンジルで
ある請求項1記載の式(I)の化合物。 - 【請求項8】 R1 及びR2 がC1 −C12アルキル、フ
ェニル又はベンジルである請求項1記載の式(I)の化
合物。 - 【請求項9】 2’,7’−ビス(メチルチオ)ナフト
[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チ
アジンである請求項1記載の式(I)の化合物。 - 【請求項10】 2’,7’−ビス(メトキシ)ナフト
[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チ
アジンである請求項1記載の式(I)の化合物。 - 【請求項11】 2’−メチルチオ−7’−エトキシナ
フト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,
3]チアジンである請求項1記載の式(I)の化合物。 - 【請求項12】 2’−n−ブチルチオ−7’−エチル
チオナフト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス
[1,3]チアジンである請求項1記載の式(I)の化
合物。 - 【請求項13】 請求項1記載の式(I)の化合物の製
造方法であって、(i)塩の形態であってもよい式(I
I): 【化2】 の4,8−ジブロモ−1,5−ジアミノナフタレンを、
不活性溶媒及びNa2 CO3 の存在下にチオホスゲン化
して、式(III ): 【化3】 の4,8−ジブロモ−1,5−ジイソチオシアナトナフ
タレンとし、(ii)式(III )の4,8−ジブロモ−
1,5−ジイソチオシアナトナフタレンを、溶媒の存在
下に、1価の金属塩若しくはアンモニウム塩R1 X1 -
M+ 、又はアルカリ土類金属塩(R1 X1 -)2 E2+の2
当量と反応させて、式(Ia): 【化4】 (式中、M+ は1価の金属陽イオン又はアンモニウム陽
イオンR3 R4 R5 R6N+ (式中、R3 、R4 、R5
及びR6 は、それぞれ互いに独立して、H又はC1 −C
4 アルキルである)であり;そしてE2+はアルカリ土類
金属陽イオンである)で示される化合物に変換するか、
又は最初に式(III )の4,8−ジブロモ−1,5−ジ
イソチオシアナトナフタレンを、1価の金属塩若しくは
アンモニウム塩R1 X1 -M+ 又はアルカリ土類金属塩
(R1 X1 -)2 E2+の1当量と反応させ、次いで反応生
成物を別の1価の金属塩若しくはアンモニウム塩R2 X
2 - M+ 又は別のアルカリ土類金属塩(R2 X2 - )2
E2+と反応させて、式(I): 【化5】 (式中、R1 、R2 、X1 及びX2 は前記と同義であ
る)で示される化合物に段階的に変換することを特徴と
する方法。 - 【請求項14】 式(III ): 【化6】 の化合物、4,8−ジブロモ−1,5−ジイソチオシア
ナトナフタレン。 - 【請求項15】 式(IV): 【化7】 [式中、Zは式(I)の化合物の陽イオン基であり、A
は無機酸の陰イオンであり、そして1≦x/y≦3であ
る]で示される電荷移動錯体。 - 【請求項16】 陰イオンAが、F- 、Cl- 、Br
- 、I- 、CN- 、OCN- 、SCN- 、SeCN- 、
N3 -、I3 -、I2 Br- 、IBr2 -、BrICl- 、B
r3 -、ICl2 -、CuCl2 -、CuBr2 -、AgC
l2 -、AgBr2 -、AgI2 -、Ag(CN)2 -、AuC
l2 -、AuBr2 -、AuI2 -、Au(CN)2 -、N
O3 -、C(CN)3 -、ClO4 -、BrO4 -、IO4 -、R
eO4 -、FSO3 - 、PO2 F2 -、BF4 -、InB
r4 -、InI4 -、TlBr4 -、TlI4 -、FeCl4 -、
AuCl4 -、AuBr4 -、ICl4 -、SiF5 -、TeF
5 -、PF6 -、AsF6 -、SbF6 -、SbCl6 -、NbF
6 -及びTaF6 -よりなる群から選ばれる請求項15記載
の式(IV)の電荷移動錯体。 - 【請求項17】 [2’,7’−ビス(メチルチオ)ナ
フト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,
3]チアジノ]2 ヘキサフルオロホスファートを含む請
求項15記載の電荷移動錯体。 - 【請求項18】 [2’,7’−ビス(メチルチオ)ナ
フト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,
3]チアジノ](I3 )0.46を含む請求項15記載の電
荷移動錯体。 - 【請求項19】 導電体としての、請求項15に請求さ
れた式(IV)の電荷移動錯体の用途。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH208792 | 1992-07-02 | ||
| CH2087/92-3 | 1992-07-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673065A true JPH0673065A (ja) | 1994-03-15 |
Family
ID=4225593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160798A Pending JPH0673065A (ja) | 1992-07-02 | 1993-06-30 | 置換ナフト[1,8−de:5,4−d’e’]ビス[1,3]チアジン類、それらの製法及びその用途 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5349062A (ja) |
| EP (1) | EP0577560A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0673065A (ja) |
| CA (1) | CA2099465A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156878A1 (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
| WO2015046523A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス |
| JP2015192118A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物、パターン形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2224746A1 (de) * | 1972-05-20 | 1973-11-29 | Bayer Ag | Tetracyclisches chlor-bis-1,3-thiazin und ein verfahren zu seiner herstellung |
| DE3814534A1 (de) * | 1988-04-29 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Mercaptopyrene, ihre herstellung und ihre verwendung zur herstellung von charge-transfer-komplexen |
-
1993
- 1993-06-24 EP EP93810454A patent/EP0577560A1/de not_active Withdrawn
- 1993-06-28 US US08/083,814 patent/US5349062A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-06-30 CA CA002099465A patent/CA2099465A1/en not_active Abandoned
- 1993-06-30 JP JP5160798A patent/JPH0673065A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156878A1 (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
| JP2014209583A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-11-06 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 |
| CN105051928A (zh) * | 2013-03-27 | 2015-11-11 | 富士胶片株式会社 | 有机薄膜晶体管 |
| US9899605B2 (en) | 2013-03-27 | 2018-02-20 | Fujifilm Corporation | Organic thin film transistor |
| WO2015046523A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス |
| JP2015192118A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物、パターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0577560A1 (de) | 1994-01-05 |
| CA2099465A1 (en) | 1994-01-03 |
| US5349062A (en) | 1994-09-20 |
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|---|---|---|---|
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