JPH0673370B2 - 集積回路のコンタクト製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は半導体ウエハに集積回路を製造する方法であ
って、前記ウエハの活性領域に形成された絶縁ゲート電
界効果装置と、フィールド酸化物領域と、金属相互接続
層と、半導体ウエハの領域と前記相互接続層との間の電
気コンタクトを含む如くして成る集積回路の製造方法に
関する。

背景技術 上記の種類の方法は公表された国際特許出願第WO82/013
80号から知ることができ、この公知の方法はCMOS集積回
路構造の形成に関するもので、相補電界効果トランジス
タを形成後、ウエハの上に厚い酸化物層を設け、ソース
及びドレイン領域にコンタクト孔を開口し、その領域に
金属コンタクトが設けられる。

発明の開示 この発明の目的は金属相互接続層と半導体ウエハの領域
との間に信頼性のある電気コンタクトを形成するように
なした種類の製造方法を提供することである。

この発明によると、コンタクト領域を画定するために前
記ウエハに輪郭を定め（delineate）、前記コンタクト
領域を保護しながらフィールド酸化物を形成し、前記コ
ンタクト領域の上に広がるように前記ウエハ上にゲート
誘電体材料の層を形成し、前記コンタクト領域の上に広
がるように前記ウエハ上に電極材料の層を形成し、前記
コンタクト領域をカバーする領域を残すように前記電極
材料層に輪郭を定め、電界効果デバイスの完成後に前記
コンタクト領域を画定するため前記ウエハ上にエッチン
グ・マスクで輪郭を定め、前記電極材料及び誘電体材料
の各層を順次エッチングし、前記コンタクト領域の上に
広がるように前記ウエハ上に金属材料層を形成する各工
程を含む種類の製造方法を提供する。

従って、この発明による方法は、比較的厚い二酸化シリ
コン層（フィールド酸化物）によって隣接する活性領域
から分離された自己整合コンタクト構造を形成する一連
の工程を提供するということがわかるであろう。

この発明による製造方法は、ドープド・エピタキシャル
層（以下EPI層という）と金属相互接続層との間に信頼
性の高いコンタクトを提供するのに適用される。この方
法は、EPI層に電界効果デバイスを形成するために行うE
PI層へのソース／ドレイン（S/D）の拡散処理中、エピ
タキシャル・コンタクト領域を直接マスキングするよう
にしたものである。

この発明の好ましい実施例を要約すると、エピタキシャ
ル（以下EPIという）コンタクト領域はウエハの処理の
早い段階で画定される。すなわちウエハの表面に活性及
びフィールド酸化物領域の輪郭を定めるときとほとんど
同時にコンタクト領域が画定される。フィールド酸化物
及びゲート酸化物層の形成後、多結晶シリコンの第１電
極層（ポリ１）がデポジションされて、EPIコンタクト
領域をカバーするようホトリソグラフィによって画成さ
れる。ポリＩのカバーは、後続する処理工程中にその下
に存在するコンタクト領域を保護するとともに初期の整
合位置を保持するように作用しながら、酸化され、エッ
チされ、再酸化される。EPIコンタクトの製造はポリ（p
oly）及び酸化物層を除去するための一連の選択的エッ
チングと、露出されたコンタクト領域のエンハンスメン
ト注入と、水素環境下のアニール動作と、金属相互接続
層のデポジション及びパターン化等によって完了する。

図面の簡単な説明 次に、下記添付図面を参照してこの発明の一実施例を説
明する。

第１図乃至第21図は、EPI層の能動装置及びコンタクト
の製造中の連続する各段階における半導体のウエハ構造
を概略例示した横断面図である。

発明を実施するための最良の形態 この発明の実施例が適用される複合製造方法は電界効果
トランジスタ（FET）と、シリコン−窒化物−酸化物半
導体（SNOS）装置と、半導体ウエハの電気絶縁EPI層の
相互接続コンタクトとを製造するために、ダブル・レベ
ル・ポリ（double level poly）及び金属電極を使用す
ることを特徴とするものである。この実施例の焦点は上
記の複合製造方法の各工程からあまり離れることなく、
金属とEPI層材料との間に信頼性のある電気コンタクト
を形成するところにある。

電気絶縁されたEPI層の必要性は、通常SNOS不揮発性メ
モリー装置を“書込み”又は“消去する”ために20V以
上の相当高い電圧が使用されることから生じたものであ
る。通常、半導体チップに使用できる公称電源電圧とし
て5Vが広く普及している標準であるから、高い電圧を発
生し制御することが要求される。EPI層の使用により共
通のチップ上の他の能動装置との間の高電圧絶縁が可能
となる。しかしながら、EPI層に形成される不揮発性メ
モリーのしきい値の変動幅を小範囲に制限する必要があ
る場合、制御電源がEPI層に直接接続される場合には、E
PI層と金属相互接続層との間に抵抗性コンタクトを形成
する必要がある。

一連の処理工程を通していかに上記の目的を達成するこ
とができるかを理解するために、以下第１図から始まる
横断面図に注意を向けよう。前述した基本的SNOS処理又
は製造方法に対する本発明独特の改善点は、この好まし
い複合製造方法の処理中に表われるので明確にわかるで
あろう。

半導体装置の製造は＜100＞カット及び２〜３Ω−cmの
固有抵抗を持つｎ形基板１から始まる。固有抵抗15〜20
Ω−cmの軽くドープされたｐ形EPI層２がその基板に15
〜18ミクロン厚に成長される。この成長方法自体は従来
のものであるが、ここで説明する厚さは浅くn⁺にドープ
されたEPIのソース及びドレイン領域とp^-にドープされ
たEPIとn^-にドープされた基板との組合わせによって形
成される寄生npnバイポーラ装置の電流利得を抑制する
ように選ばれる。EPI層２の表面は、約550Å厚の二酸化
シリコン層で覆われる。最後の層４は低圧化学蒸着法
（LPCVD）による約1100Å厚の窒化シリコン（窒化物）
である。この窒化物層の厚さは、最終的にはオキシナイ
トライド（oxynitride）に変換されて、表面研磨処理に
より除去される約400Å厚を含んでいる。

第２図は、基本的SNOS製造方法の次の段階におけるウエ
ハの断面を表わしている。同図に表わすように、ウエハ
はマスク＃１で規定されたホトレジスト層（図示してい
ない）を使用したホトリソグラフィによるパターン形成
と、適切なエッチング剤（幾何学的な考慮に基づく寸法
と利用可能性とに従ってプラズマから又は湿式エッチン
グを行う）による位置６における窒化物層４及び酸化物
層３のエッチングと、残存ホトレジストの除去と、三塩
化ホスホリス（POCL₃）のディポジション（燐ディポジ
ション）と、緩衝処理済弗化水素（HF）による表面研磨
とが施されている。この表面研磨により約700Åの窒化
物が残る。燐ディポジションが第２図におけるEPI層２
のn⁺ドープド領域７に行われている。領域７は周囲を取
り囲んでおり最終的には電気絶縁されたEPI層２のセグ
メントを画定する。

その後、第３図に例示するように、ウエハには絶縁のた
めの酸化工程が施行され、位置６において燐ドープドEP
I領域７から約1,000Åの酸化物８が成長される。この酸
化物８は、直後に続く処理中ドープドEPI領域７を適当
に保護する。さらに、酸化物８は窒化物層４のプラズマ
・エッチング中、マスクとして作用する。第４図はこの
製造方法の後続する工程におけるウエハの断面構造を例
示する。図に示すように、n⁺ドープドEPI領域７は拡散
されて、EPI層２を貫通する領域９を形成する。この拡
散処理はEPI層２の電気絶縁領域或はセグメントを形成
し、以下絶縁EPI（ISO EPI）11と呼ぶことにする。EPI
層２の厚さが与えられれば、この絶縁領域を形成するに
必要な処理パラメータは当業者にとって周知のものであ
る。

第４図の構造はマスク＃２により行われるホトレジスト
（PR）層12のホトリソグラフ処理と、その後の窒化物エ
ッチング処理の結果を表わす。ホトレジスト（PR）はフ
ィールド領域に対するボロン13のイオン注入のパターン
を形成する。ここでも処理の各パラメータは従来通りで
ある。

この時点において、この発明の実施に必要な初期の工夫
がまず行なわれる。特に、EPIコンタクト位置14はあた
かもそれが能動領域であるかのようにマスク＃２で輪郭
が定められ、PR層12及び窒化物層４でカバーされた状態
が維持される。同一の広がりを持つPRと窒化物層とは、
さらに第４図で数字16及び17で全体的に指定されている
ISO EPI層11の２つの他の能動領域をも画定していると
いうことに注意を払うべきである。

第５図の断面図はフィールド酸化と窒化物エッチングと
パッド酸化物エッチングとゲート酸化物の成長とを含む
一連の製造処理工程の結果を表わす。約18,000Å厚のフ
ィールド酸化物18はパターン化された窒化物４（第４
図）によってカバーされていない露出された基板シリコ
ン上に従来方法に従って成長される。フィールド酸化物
の成長中、前に注入されたボロン不純物は数字19によっ
て全体に指定されているように、フィールド酸化物領域
の下のシリコン中にドライブされる。前述した窒化物及
びパッド酸化物のエッチングの後、ウエハは各能動領域
において、約775Åの純粋なゲート酸化物21を成長させ
るに適当な従来方法による酸化を受ける。

第６図は、ホトリングラフィ処理によるマスク＃３を施
用してPR層23をパターン化した後に行なわれる、活性領
域17に対するボロンのエンハンスメント注入（全体的に
22で指定される）を例示する。周知のように、この工程
は活性領域17に形成されるエンハンスメント・モードEF
Tのしきい値特性を調節する。

第７図はその後に続き、能動領域16に行われる燐不純物
の注入24を描いたものである。注入パターンはマスク＃
４の処理により作成されたPR層26で画定される。この注
入において、燐不純物は領域16に形成されるべきデプリ
ーション・モードEETのしきい値特性を調節するもので
ある。

この実施例の次の処理シーケンスにおいては、領域16に
形成されるべきFETのS/D（ソース／ドレイン）領域に対
するポリＩコンタクトの形成を含んでいる。

第８図を見ると、希望するポリＩとS/D領域とのコンタ
クトの場所である位置28を露出するためにマスク＃５で
ホトリソグラフ処理が行われた後のPR層27が表わされて
いる。

このコンタクトと位置14に形成した金属体EPIコンタク
トとを混同してはいけない。上記のポリＩ−S/Dコンタ
クトの形成中に、ポリＩ層はｎ形不純物でドープされ
て、EPI層11に対するｐ−ｎジャンクションを形成す
る。

第９図の構成に進み、位置28はマスクとしてPR27を施用
して酸化物エッチングを受ける。PR27が除去された後、
約4,500Å厚のポリＩ層29が蒸着される。その後、ポリ
Ｉ層26に燐が注入されて希望するポリ抵抗を得るための
適切なシート抵抗が与えられる。そのような処理も又当
業者が通常行う方法によって達成される。第９図に表わ
す構造に導く最後の工程はマスク＃６を使用して行われ
るPR層31のパターンのホトリソグラフィによる画成であ
る。

マスク＃６と第９図に表わされるパターンを用いて行な
われる処理は、最終的に位置14においてISO EPI層11と
金属相互接続層とを接続するべき低い抵抗のコンタクト
を形成するように進められる。特に、マスク＃６はPR31
が位置14でポリＩ層の上に保持されることを保証する。
ポリが保持されているための効果は以下処理シーケンス
が進んだときに明白となるであろう。

第10図は、ポリＩのマスクされていない部分のエッチン
グとデプリーション注入と絶縁酸化物の成長との組合せ
工程を行った後の構造を例示する。特に特別な場合、従
来のポリＩエッチング工程に続き、PR31（第９図）の除
去及び燐不純物を使用した従来のブランケット（blanke
t）注入が行われる。この注入の目的はポリII層ゲート
電極を持つデプリーションFETのしきい値特性を設定す
ることである。この注入は、第10図のポリＩ電極32,33,
34,36のようなポリＩの残留領域によってゲート酸化物
がカバーされていない場所のすべてのゲート酸化物層21
（第９図）に浸透する。故に、ゲート電極33,34,36の下
のチャンネルの特性は別個に変更することはできない。
ポリＩ層の遮蔽効果は、希望する金属−EPIコンタクト
領域をカバーしているポリＩ部分37も同様に有してい
る。第10図の構造を製造するための工程は、ポリＩ層電
極をその後に製造されるポリII層電極から電気絶縁する
ために、絶縁酸化物38を十分な厚さに成長させることに
より終了する。この実施例においては、絶縁酸化物38の
厚さは残されているポリＩの上に約2,000Å厚に行われ
る。

位置39においてポリＩ電極32とISO EPI層11とが直接接
触しているのに注意しよう。次に続く処理工程において
ポリーS/Dコタクトを形成する。この構造配列はしばし
ばバリード（buried）コンタクトと呼ばれる。

第11図及び第12図は特にSNOS形不揮発性（NV）メモリー
装置の製造のための処理工程を描く。第11図はマスク＃
７を用いてホトリソグラフィによって画定され、次に続
くボロン43のメモリー注入のためにSNOSメモリーFETを
位置42に位置決めするPR層41を表わす。ボロンはSNOSメ
モリーFETのしきい値電圧を設定する。その後、PR41は
メモリーFETの位置42における酸化物層をエッチングす
るためのマスクとなる。酸化物のエッチングは第12図に
表わすようにISO EPI層11の単結晶シリコン面を露出す
る。

酸化物エッチング工程後に、PRの除去と、メモリー誘電
体層の形成と、ポリII層のディポジションと、複合SNOS
形NVメモリー装置のホトリソグラフによる画成とが続い
て行われる。第13図におけるメモリー誘電体層の形成は
全体として３つの処理工程から成り、それは約20Å厚の
薄いメモリー酸化物の成長に続き、単一継続的反応炉処
理による約20Å厚のオキシナイトライドの成長及び約34
0Å厚の窒化物の成長を伴うものである。その効果は第1
3図に全体的に描かれているようなメモリー酸化物43及
びオキシナイトライド／窒化物複合層44となる。3,000
Å厚のポリII層の蒸着がそれに続き、その層はホトリソ
グラフ・マスク＃８で画成されたPRパターン47によって
カバーされる。

PRパターン47を使用して、第13図の構造は第14図に表わ
す横断面構造に至るエッチング処理を受ける。この工程
の目的はその後に拡散ドーピング処理を行なうためにIS
O EPI層11のS/D領域および電極を露出することである。
層の特定の順序及び材料の種類により適切なエッチング
剤の進行の停止が確定されるということに注意するべき
である。ポリII、窒素物及び酸化物のエッチングの完了
におけるウエハの構造は第14図に表わすようになる。

第14図から明白となるように、金属−EPIコンタクトの
位置におけるポリＩ層の部分37は、又選択的エッチング
・シーケンスの終了後も前のままに維持されて、そし後
に続く酸化物エッチング剤に対する位置14のゲート酸化
物層21のマスクとなる。優先的エッチング率がエッチン
グ剤として作用する材料の進行の停止と一致することを
保証するためにエッチング剤の選択に注意を払わなけれ
ばならない。この実施例のために選ばれたそれに適した
ものはSF₆に続きC₂CLF₅（フレオン115）を使用してポリ
II層46とオキシナイトライド／窒化物層44の両方をエッ
チングするプラナ・プラズマである。残った酸化物はそ
の後7:1の緩衝HFで除去される。

第15図の構造は、第14図の構造に更に２つの製造工程、
すなわちｎ形ドーパントであるPOCl₃のディポジション
及び第２の絶縁酸化の各工程による処理を加えて形成さ
れる。第15図において、POCl₂はポリＩ相互接続電極32
とポリＩマスク37とポリIIゲート電極48とポリＩゲート
電極33,34及び36とをドープする。同時に、ディポジシ
ョンによってp^-ISO EPI層11にn⁺層形S/D拡散層49を形成
する。次に、ポリＩ電極32を通す燐の拡散によって、位
置51におけるバリード・ポリＩコンタクトの形成が完了
する。第15図に数字35で表わされている第２の絶縁酸化
物層はISO EPI層11の上に約350Å厚に熱的に成長され
る。

位置17における複合SNOS形NVメモリー装置の特徴はこの
コンタクト製造方法に対して二次的なものであるから、
その詳細な説明は国際特許出願第WO82/02275号の記載を
見るとよい。

この時点において、この金属−EPIコンタクトの製造方
法は燐ドーパントがコンタクト14においてISO EPI層11
に拡散されないということを保証するということに注意
しよう。これはポリＩ層37がゲート酸化物層21と組合わ
されたときに形成される停止効果のために起きるもので
ある。そのような構成において、ゲート酸化物層はISO
EPI層11の表面に対する燐拡散の非常に有効なバリヤ又
は障壁となる。

次に、第16図に注意を向けると、そこに表わすように、
第15図の最後に描かれている構造の上は約10,000Å厚の
低温蒸着末ドープ酸化物52によってカバーされている。
酸化物52はその後全体的に既知の方法による付着強化処
理を受けて、更にホトリソグラフによりパターン化され
たPR層53によってカバーされる。位置14における金属対
EPIコンタクトは初めから自己整合されたままに維持さ
れるということに注意しよう。これはPR層53パターン化
するに使用されるマスク＃９の整列に大きな誤差を許容
することになる。

第17図はPR層53のパターンを使用した酸化物エッチング
工程の結果後のウエハの横断面を例示したものである。
そこに例示するように、位置54におけるS/D拡散は酸化
物のエッチング動作によって露出されるが、金属−EPI
コンタクト（位置14における）はポリＩ層37のマスク効
果によって酸化物エッチング剤から保護されてそのまま
に残る。PRマスク53は処理の後まで位置14のエッチング
を延ばすようにパターン化されていても、54におけるコ
ンタクト開口をエッチングするときに相当厚い酸化物層
52が従来方式によって位置14から除去されるだけであ
る。酸化物のエッチングは燐のPOCL₃ディポジションが
その後に続き、露出されたS/Dコンタクト領域をエンハ
ンス（enhance）する。燐不純物はISO EPI層11と位置54
における金属−S/D開口を越えて横方向へとそれら両方
に拡散する。横方向の拡散はマスク整列の許容誤差を有
効にゆるくする。拡散の深さは第17図の数字50から明ら
かなように増大している。そし後、ウエハ適切なブラケ
ット・エッチングを伴う簡単なデクレーズ動作を受けさ
せ、位置54のようなS/Dコンタクト領域を清浄にする。

第18図に表わす横断面構造を引出すために、第17図の構
造にまず適切な酸化を受けさせて、位置54における露出
S/D領域から約250Å厚の酸化物56を成長させる。この酸
化物はPR材料に共通なナトリウムの影響によるS/Dの汚
染を防止する。この汚染材料はしきい値安定性に対する
問題を生ずるものである。ポリＩ層37から成長した酸化
物58は重要なものではない。酸化工程の終了と共に、PR
層57がディポジットされ、マスク＃10によってホトリン
グラフ処理が行われ、位置14における金属−EPIコンタ
クト周辺の領域を露出する。PR層57の開口は位置14にお
ける前のPR開口より明らかに大きく、コンタクト領域自
体よりも比較的大きいということに注目しよう。これは
この製造方法における自己整合の特徴を再び例示するも
のであり、その特徴はマスク整合及び製造方法のための
許容誤差の大きさを増大することによって能動成分の密
度を大きくしうることである。

PR層57によって規定されたマスクを使用して第18図のウ
エハはエッチング・シーケンスを受ける。そのシーケン
スは7:1緩衝HFを使用して酸化物58の湿式エッチングか
ら始まり、ポリＩ層37の従来の湿式又はプラズマ・エッ
チングがそれに続き、7:1緩衝HFを使用したゲート酸化
物層21の湿式エッチングで終了する。第19図はエッチン
グ・シーケンスが終了したときの横断面を表わす。上記
のエッチング・シーケンスにおいてもそうであるよう
に、優先的（preferential）エッチング材及び規定され
た材料の特定の連続的使用はISO EPI層11の表面59で終
了する自己限定的なエッチング剤の進行の停止として作
用する。厚い酸化物層52のエッチングは前述したように
このシーケンスまで遅らせて行うこともできるが、フィ
ールド酸化物の破損の危険性が大きく増加するだけで特
に利益はない。

金属相互接続層とｐ−ドープドISO EPI面との間のコン
タクトを改良するために追加のポロンの注入61が行われ
る。この注入により、接合面59における金属接合層とEP
I層とのオーミック・コンタクトをより確実なものとす
ることができる。その好ましい注入剤は約50KeVのエネ
ルギと１平方糎当り約１×10¹⁵原子のボロン線量（dos
e）を有するものである。その注入工程は、もし金属の
相互接続が適当な障壁材料、すなわちISO EPI層11の表
面59に接続されたときにダイオード・ジャンクションを
形成しないような材料で形成される場合には省略するこ
とができる。この実施例に利用された金属材料はそのよ
うな材料ではなかった。

金属−EPIコンタクトの構成はPR層57が取除かれた後に
ウエハに行われる水素アニール処理によって更に強化さ
れる。約900℃で30分間行われるアニール工程は表面59
の注入破損を除去し、ボロン不純物を活性化する。完成
したウエハとの関係において水素アニール・サイクルは
ポリＩ層抵抗及びSNOS形NVメモリー装置の装置特性をも
改善する。

次に、金属及びPRのディポジション後のウエハを表わす
第20図に注意を向けよう。第20図の処理段階に到達する
ために、アイールされたウエハはまず20:1緩衝HFを用い
て金属コンタクト前ブランケット（blanket）エッチン
グを受ける。そのエッチングは位置54における金属対S/
Dコンタクトの位置にある薄い酸化物層56（第18図）と
残留汚染物質とを除去する。第20図に表わすように、エ
ッチングされた構造は約1.2％シリコンのアルミニウム
から成る金属合金層62によってカバーされる。層62の厚
さは約10,000Åである。金属層62はPR層63によってカバ
ーされ、その後マスク＃11を使用してホトリソグラフに
よりパターン化されて、金属相互接続パターンが画成さ
れる。

第21図は金属エッチング、金属の合金、シロックス（si
lox）64の蒸着及びチップ・パッドの画定のためのシロ
ックス・エッチングなどの従来方法による工程の後の完
成した装置の横断面を例示する。ISO EPI層11と位置14
における金属層62との間に形成されたコンタクトは直接
明白に表わされている。第21図の完成した構造は、位置
14におけるSNOS装置17から金属−EPIコンタクトを分離
するような、フィールド酸化物18のセグメントによる有
効な絶縁をも示している。該コンタクトの自己整合特性
が良いということも又、酸化物52の開口がISO EPI層11
の表面59における実際のコンタクトより明らかに拾いと
いう第21図の構造から証明される。その上、この製造方
法の多能性（Versatility）は、このコンタクトを形成
する方法が多重ポリ電極層及び金属相互接続層を使用し
たSNOS装置17とエピタキシャリィに絶縁されたFET16と
を同時に製造するための相当複雑な処理工程に組入れら
れているこの実施例全体によって明白に示されている。

以上説明した金属対EPIコンタクトの製造方法は相当広
い範囲の潜在的適用性があるということは疑いなく認め
られる。故に、この好ましい実施例に例示した基本的教
示から離れることなく相当多種類の製造方法を導くこと
が可能である。例えば、この製造方法又はプロセスの特
徴は基板自体に対する金属コンタクトの製造に、基板に
形成された重くドープされた拡散井戸に又は軽くドープ
された井戸に等しい価値で適用することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9170−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/08 １０２ Ｄ (72)発明者 ツ−リ−・レイモンド・アリグザンダ− アメリカ合衆国45342オハイオ・マイアミ ズバ−グ・マントン・ドライブ2258 (72)発明者 トウピツチ・ジエイムズ・アンソニ− アメリカ合衆国45459オハイオ・センタヴ イル・ロングクリ−ク・ドライブ8200 (56)参考文献 特開 昭55−138874（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−160183（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−1197（ＪＰ，Ａ) 特公 昭50−26909（ＪＰ，Ｂ１)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャ
   ル層（２）における能動領域に不揮発性メモリーの絶縁
   ゲート電界効果デバイス（16、17）を形成し前記能動領
   域の輪郭を画するフィールド酸化物領域（18）を形成す
   る集積回路の製造工程において、 前記ウエハに対して電位を供給するコンタクト領域（1
   4）の輪郭を前記能動領域の輪郭と共に画定する工程
   と、 前記コンタクト領域（14）と前記能動領域を保護しつ
   つ、前記フィールド酸化物領域（18）を形成する工程
   と、 前記ウエハ上に前記コンタクト領域（14）を覆う第１ゲ
   ート誘電体層（21）を形成する工程と、 前記ウエハ上に前記コンタクト領域（14）を覆う第１電
   極材料層（29）を形成する工程と、 前記コンタクト領域（14）をマスクした後に、前記第１
   電極材料層（29）をエッチングして第１電極層（32、3
   3、34、36）の輪郭（31）を画する工程と、 前記ウエハ上に前記コンタクト領域（14）を覆う第２誘
   電体層（36）を形成する工程と、 前記ウエハ上に前記第２誘電体層（38）を覆う第２電極
   材料層（46）を形成する工程と、 前記第２電極材料層（46）をエッチングして第２電極層
   （48）を形成する工程と 前記コンタクト領域（14）上の前記第２誘電体層（3
   8）、前記第１電極材料層（29）及び前記第１ゲート誘
   電体層（21）をエッチングして前記エピタキシャル層
   （２）を露出させる工程と、 前記コンタクト領域（14）に対し、オーミック・コンタ
   クトを確保するに必要な濃度であってエピタキシャル層
   （２）と同一型の不純物イオンを注入した後、水素環境
   下において前記ウエハをアニールする工程と、 前記ウエハ上に前記コンタクト領域（14）を覆う金属材
   料層（62）を形成する工程とからなり、 以て、前記金属材料層（62）は、前記コンタクト領域
   （14）において、外部電源と前記エピタキシャル層
   （２）とを電気的に相互接続することを特徴とする不揮
   発性メモリのための集積回路におけるコンタクト製造方
   法。