JPH067576B2 - 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法 - Google Patents
多層配線構造を有する半導体装置の製造方法Info
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- JPH067576B2 JPH067576B2 JP13464287A JP13464287A JPH067576B2 JP H067576 B2 JPH067576 B2 JP H067576B2 JP 13464287 A JP13464287 A JP 13464287A JP 13464287 A JP13464287 A JP 13464287A JP H067576 B2 JPH067576 B2 JP H067576B2
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- layer
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線構
造を有する半導体装置の配線層間の接続の形成方法に関
する。
造を有する半導体装置の配線層間の接続の形成方法に関
する。
従来、この種の半導体装置の製造方法は、下層の配線層
上に層間絶縁膜を形成したのちコンタクト孔を設けて上
層の配線層を形成するというものであった。
上に層間絶縁膜を形成したのちコンタクト孔を設けて上
層の配線層を形成するというものであった。
つまり上述した従来の多層配線構造を有する半導体装置
の製造方法は、下層の配線層と上層の配線層を接続する
ことのみ目的としているためたとえば第１層目の配線と
第３層目の配線を接続するというような多層間の接続に
おいては、２層目の配線がない層間絶縁膜で被われた部
分のみにコンタクト孔を開孔しなければならず集積度を
低下させるという欠点があった。
の製造方法は、下層の配線層と上層の配線層を接続する
ことのみ目的としているためたとえば第１層目の配線と
第３層目の配線を接続するというような多層間の接続に
おいては、２層目の配線がない層間絶縁膜で被われた部
分のみにコンタクト孔を開孔しなければならず集積度を
低下させるという欠点があった。
本発明の多層配線構造を有する半導体装置の製造方法
は、半導体基板又はその上に絶縁層を介して設けられた
導電層上に少なくとも第１の絶縁膜，第１の配線層及び
第２の絶縁膜を順次形成する工程と、前記第２の絶縁
膜、前記第１の配線層及び前記第１の絶縁膜を選択的に
エッチングして前記第１の配線層部に横穴を有する開孔
を形成する工程と、第３の絶縁膜を被着したのち異方性
エッチングを行ない前記開孔の側面に絶縁性側壁を設け
てなるコンタクト孔を形成する工程を含むというもので
ある。
は、半導体基板又はその上に絶縁層を介して設けられた
導電層上に少なくとも第１の絶縁膜，第１の配線層及び
第２の絶縁膜を順次形成する工程と、前記第２の絶縁
膜、前記第１の配線層及び前記第１の絶縁膜を選択的に
エッチングして前記第１の配線層部に横穴を有する開孔
を形成する工程と、第３の絶縁膜を被着したのち異方性
エッチングを行ない前記開孔の側面に絶縁性側壁を設け
てなるコンタクト孔を形成する工程を含むというもので
ある。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの縦断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの縦断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すごとく、シリコンからなるｐ
型半導体基板１１に選択的にｎ型拡散層１２を形成し、
その上に厚さ５００ｎｍのＰＳＧからなる第１の絶縁膜
１３，厚さ３００ｎｍの多結晶シリコンからなる第１の
配線層１４、厚さ５００ｎｍのＰＳＧからなる第２の絶
縁膜１５を順次形成する。次に、ホトレジストマスク１
６を形成し、第１図（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜
１５をケミカルエッチング又はプラズマエッチングによ
り選択的に除去し、さらに第１の配線層１４をケミカル
あるいはプラズマなどの等法性エッチングを用いて選択
的に除去し第１の配線層１４に横穴１７を形成する。さ
らに反応性イオン（ＲＩＥ）などの異方性エッチングを
用いて第１の絶縁膜１３を選択的に除去し、ｎ型拡散層
１２に達する開孔１８を形成する。
型半導体基板１１に選択的にｎ型拡散層１２を形成し、
その上に厚さ５００ｎｍのＰＳＧからなる第１の絶縁膜
１３，厚さ３００ｎｍの多結晶シリコンからなる第１の
配線層１４、厚さ５００ｎｍのＰＳＧからなる第２の絶
縁膜１５を順次形成する。次に、ホトレジストマスク１
６を形成し、第１図（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜
１５をケミカルエッチング又はプラズマエッチングによ
り選択的に除去し、さらに第１の配線層１４をケミカル
あるいはプラズマなどの等法性エッチングを用いて選択
的に除去し第１の配線層１４に横穴１７を形成する。さ
らに反応性イオン（ＲＩＥ）などの異方性エッチングを
用いて第１の絶縁膜１３を選択的に除去し、ｎ型拡散層
１２に達する開孔１８を形成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、ホトレジストマスク
１６を除去し半導体基板の全面にＣＶＤ法により厚さ３
００ｎｍの窒化膜を堆積して第３の絶縁膜１９を形成す
る。このとき第１の配線層１４に形成された横穴１７は
第３図の絶縁膜１９で完全に埋めこまれる。さらに半導
体基板の全面をＲＩＥなどの異方性エッチングを行なっ
て第１図（ｄ）に示すように、ｎ型拡散層上の第３の絶
縁膜を除去して開孔１８の側面に絶縁性側壁２０を設
け、ｎ型拡散層１２に達するコンタクト孔２１を得るこ
とができる。さらに、第１図（ｅ）に示すように、Ａｌ
からなる第２の配線層２２を形成する。
１６を除去し半導体基板の全面にＣＶＤ法により厚さ３
００ｎｍの窒化膜を堆積して第３の絶縁膜１９を形成す
る。このとき第１の配線層１４に形成された横穴１７は
第３図の絶縁膜１９で完全に埋めこまれる。さらに半導
体基板の全面をＲＩＥなどの異方性エッチングを行なっ
て第１図（ｄ）に示すように、ｎ型拡散層上の第３の絶
縁膜を除去して開孔１８の側面に絶縁性側壁２０を設
け、ｎ型拡散層１２に達するコンタクト孔２１を得るこ
とができる。さらに、第１図（ｅ）に示すように、Ａｌ
からなる第２の配線層２２を形成する。
尚、第２の絶縁膜１５をエッチングする場合、第２の絶
縁膜１５と第１の配線層１４のエッチングの選択比を大
きくとることによりエッチングのばらつきが第１の配線
層の部分で緩和され均一性のよいコンタクト孔を得るこ
とができる。
縁膜１５と第１の配線層１４のエッチングの選択比を大
きくとることによりエッチングのばらつきが第１の配線
層の部分で緩和され均一性のよいコンタクト孔を得るこ
とができる。
このように、中間に配線層がある場所においても、上層
の配線層と下層の配線層間にコンタクト孔を設けて接続
することができるので、半導体装置の集積度が改善され
る。
の配線層と下層の配線層間にコンタクト孔を設けて接続
することができるので、半導体装置の集積度が改善され
る。
第２図は本発明の応用例を示す半導体チップの縦断面図
である。
である。
これはＭＯＳ集積回路を本発明を適用して製造したもの
であり、厚さ３００ｎｍのＡｌからなる第１の配線層３
４をシールド層として設けてある。ＭＯＳトランジスタ
のソース領域であるｎ型拡散層３２′とドレイン電極で
ある第２の配線層４２の間の相互干渉を遮断することが
できるので雑音が低減できる利点がある。
であり、厚さ３００ｎｍのＡｌからなる第１の配線層３
４をシールド層として設けてある。ＭＯＳトランジスタ
のソース領域であるｎ型拡散層３２′とドレイン電極で
ある第２の配線層４２の間の相互干渉を遮断することが
できるので雑音が低減できる利点がある。
以上説明したように本発明は、多層配線の上層配線層と
下層の配線層を接続するコンタクト孔を形成するのに、
中間に配線層がある場合に、その中間の配線層部に横穴
のある開孔を設けたのち、開孔の側面に絶縁性側壁を設
けることにより、中間の配線層と絶縁された状態で上層
と下層の配線層を接続することができるので、コンタク
ト孔を設ける場所的制約がなくなるから、多層配線構造
を有する半導体装置の集積度を改善できる効果がある。
下層の配線層を接続するコンタクト孔を形成するのに、
中間に配線層がある場合に、その中間の配線層部に横穴
のある開孔を設けたのち、開孔の側面に絶縁性側壁を設
けることにより、中間の配線層と絶縁された状態で上層
と下層の配線層を接続することができるので、コンタク
ト孔を設ける場所的制約がなくなるから、多層配線構造
を有する半導体装置の集積度を改善できる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に配置した半導体チップの断面図、第２図は
本発明の応用例を示すＭＯＳ集積回路チップの断面図で
ある。 １１，３１…ｐ型半導体基板、１２，３２，３２′…ｎ
型拡散層、１３，３３…第１の絶縁膜、１４，３４…第
１の配線層、１５，３５…第２の絶縁膜、１６…ホトレ
ジストマスク、１７…横穴、１８…開孔、１９…第３の
絶縁膜、２０，３０…絶縁性側壁、２１…コンタクト
孔、２２，４２…第２の配線層、４３…ゲート絶縁膜、
４４…ゲート電極。
めの工程順に配置した半導体チップの断面図、第２図は
本発明の応用例を示すＭＯＳ集積回路チップの断面図で
ある。 １１，３１…ｐ型半導体基板、１２，３２，３２′…ｎ
型拡散層、１３，３３…第１の絶縁膜、１４，３４…第
１の配線層、１５，３５…第２の絶縁膜、１６…ホトレ
ジストマスク、１７…横穴、１８…開孔、１９…第３の
絶縁膜、２０，３０…絶縁性側壁、２１…コンタクト
孔、２２，４２…第２の配線層、４３…ゲート絶縁膜、
４４…ゲート電極。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板又はその上に絶縁層を介して設
けられた導電層上に少なくとも第１の絶縁膜，第１の配
線層及び第２の絶縁膜を順次形成する工程と、前記第２
の絶縁膜、前記第１の配線層及び前記第１の絶縁膜を選
択的にエッチングして前記第１の配線層部に横穴を有す
る開孔を形成する工程と、第３の絶縁膜を被着したのち
異方性エッチングを行ない前記開孔の側面に絶縁性側壁
を設けてなるコンタクト孔を形成する工程を含むことを
特徴とする多層配線構造を有する半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13464287A JPH067576B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13464287A JPH067576B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299142A JPS63299142A (ja) | 1988-12-06 |
| JPH067576B2 true JPH067576B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=15133139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13464287A Expired - Lifetime JPH067576B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067576B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02161755A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
| DE4309611A1 (de) * | 1993-03-24 | 1994-09-29 | Siemens Ag | Herstellverfahren für ein Kontaktloch |
| JP2616706B2 (ja) | 1994-08-04 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN110021603B (zh) * | 2019-04-11 | 2021-09-14 | 德淮半导体有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP13464287A patent/JPH067576B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63299142A (ja) | 1988-12-06 |
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