JPH06349728A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH06349728A JPH06349728A JP5141706A JP14170693A JPH06349728A JP H06349728 A JPH06349728 A JP H06349728A JP 5141706 A JP5141706 A JP 5141706A JP 14170693 A JP14170693 A JP 14170693A JP H06349728 A JPH06349728 A JP H06349728A
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- resist
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- layer resist
- forming
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層レジストにおける上層レジストのパター
ンが厳密に形成できるレジストパターンの形成方法を提
供する。 【構成】 下層のネガ型レジスト露光部１２Ａ表面及び
基体１１表面にライトエッチングを施して親水性表面に
しておくことで、上層のポジ型レジスト１３の現像液が
下地によく濡れるため、微細パターンの隙間の露光部１
３Ｂを確実に除去し、厳密なパターンが形成できる。
ンが厳密に形成できるレジストパターンの形成方法を提
供する。 【構成】 下層のネガ型レジスト露光部１２Ａ表面及び
基体１１表面にライトエッチングを施して親水性表面に
しておくことで、上層のポジ型レジスト１３の現像液が
下地によく濡れるため、微細パターンの隙間の露光部１
３Ｂを確実に除去し、厳密なパターンが形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レジストパターンの
形成方法に関し、更に詳しくは、固体撮像装置のオンチ
ップレンズの形成や微細加工に用いられる２層のレジス
トでなるレジストパターンの形成方法に係る。
形成方法に関し、更に詳しくは、固体撮像装置のオンチ
ップレンズの形成や微細加工に用いられる２層のレジス
トでなるレジストパターンの形成方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のレジストパターンの形成
方法としては、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すような例が
知られている。この方法は、図３（Ａ）に示すように基
体１上に下層レジスト（ネガレジスト）２を塗布し、パ
ターニングした後、全面に上層レジスト（ポジレジス
ト）３を塗布し、この上層レジスト３を露光する。図３
（Ａ）中３ａは、上層レジストの露光部を示している。
次に、現像液を用いて現像してパターンを形成してい
る。
方法としては、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すような例が
知られている。この方法は、図３（Ａ）に示すように基
体１上に下層レジスト（ネガレジスト）２を塗布し、パ
ターニングした後、全面に上層レジスト（ポジレジス
ト）３を塗布し、この上層レジスト３を露光する。図３
（Ａ）中３ａは、上層レジストの露光部を示している。
次に、現像液を用いて現像してパターンを形成してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、下層レ
ジスト２が疎水性であるある場合、上層レジスト３の現
像液が下層レジストにたいして濡れ性が悪く、現像液が
微細なパターンの隙間に作用しない問題があった。この
ような場合、上層レジスト３の露光部３ａ間や下層レジ
スト２の段差部に上層レジスト３の現像残り３ｂが残っ
てしまい、パターンの拡大やくずれが生じ、微細パター
ンでは致命的な問題であった。
ジスト２が疎水性であるある場合、上層レジスト３の現
像液が下層レジストにたいして濡れ性が悪く、現像液が
微細なパターンの隙間に作用しない問題があった。この
ような場合、上層レジスト３の露光部３ａ間や下層レジ
スト２の段差部に上層レジスト３の現像残り３ｂが残っ
てしまい、パターンの拡大やくずれが生じ、微細パター
ンでは致命的な問題であった。
【０００４】この発明が解決しようとする課題は、上層
レジストのパターンを厳密に形成するには、どのような
手段を講じればよいかという点にある。
レジストのパターンを厳密に形成するには、どのような
手段を講じればよいかという点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この出願の請求項１記載
の発明は、基体上に下層レジストを形成し、該下層レジ
スト上に上層レジストを塗布し、該上層レジストを露光
・現像してレジストパターンを形成する方法において、
前記下層レジストの表面に、前記上層レジストの現像液
との濡れ性を高める表面処理を施した後、上層レジスト
を形成することを、解決手段としている。
の発明は、基体上に下層レジストを形成し、該下層レジ
スト上に上層レジストを塗布し、該上層レジストを露光
・現像してレジストパターンを形成する方法において、
前記下層レジストの表面に、前記上層レジストの現像液
との濡れ性を高める表面処理を施した後、上層レジスト
を形成することを、解決手段としている。
【０００６】請求項２記載の発明は、上記親水性処理は
ライトエッチングであることを特徴としている。
ライトエッチングであることを特徴としている。
【０００７】
【作用】この出願の請求項１記載の発明においては、下
層レジストが表面処理されているため、上層レジストの
現像液が、微細なパターンの隙間にも濡れ、厳密なパタ
ーンニングを可能にする。上層レジストの現像液が親水
性であるならば、この表面処理は下層レジストの表面を
親水性にする表面処理を行えばよい。一方、その現像液
が疎水性であれば、下層レジスト表面を疎水性処理を行
えばよい。しかし、現行の現像液は、アルカリ水溶液な
どの親水性のものが多いため、下層レジストの表面に親
水性処理を要する。請求項２記載の発明は、この親水性
処理をライトエッチングで行うことによって、上層レジ
ストの現像液との濡れ性を高めている。
層レジストが表面処理されているため、上層レジストの
現像液が、微細なパターンの隙間にも濡れ、厳密なパタ
ーンニングを可能にする。上層レジストの現像液が親水
性であるならば、この表面処理は下層レジストの表面を
親水性にする表面処理を行えばよい。一方、その現像液
が疎水性であれば、下層レジスト表面を疎水性処理を行
えばよい。しかし、現行の現像液は、アルカリ水溶液な
どの親水性のものが多いため、下層レジストの表面に親
水性処理を要する。請求項２記載の発明は、この親水性
処理をライトエッチングで行うことによって、上層レジ
ストの現像液との濡れ性を高めている。
【０００８】
【実施例】以下、この発明に係るレジストパターンの形
成方法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
本実施例は、固体撮像装置のフィルタ上にオンチップレ
ンズを形成する場合に適用することができる。
成方法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
本実施例は、固体撮像装置のフィルタ上にオンチップレ
ンズを形成する場合に適用することができる。
【０００９】本実施例は、図１（Ａ）に示すように、基
体（例えばフィルタ）１１上にＤｅｅｐＵＶ用のネガ型
レジスト１２を所定の厚さになるように、回転塗布す
る。次に、図１（Ｂ）に示すように、ネガ型レジスト１
２を所定のマスクを用いて露光する。同図中１２Ａは露
光部１２Ａであり、１２Ｂは未露光部である。
体（例えばフィルタ）１１上にＤｅｅｐＵＶ用のネガ型
レジスト１２を所定の厚さになるように、回転塗布す
る。次に、図１（Ｂ）に示すように、ネガ型レジスト１
２を所定のマスクを用いて露光する。同図中１２Ａは露
光部１２Ａであり、１２Ｂは未露光部である。
【００１０】次に、ネガ型レジスト１２を現像する。図
１（Ｃ）に示すように、現像することにより未露光部１
２Ｂが除去される。このネガ型レジストの未露光部１２
Ｂが除去された部分は、固体撮像装置のパッド部のエッ
チングが施される領域である。
１（Ｃ）に示すように、現像することにより未露光部１
２Ｂが除去される。このネガ型レジストの未露光部１２
Ｂが除去された部分は、固体撮像装置のパッド部のエッ
チングが施される領域である。
【００１１】このようにして、パターニングされたネガ
型レジスト１２Ａ表面及び露出する基体１１表面に対し
て、図１（Ｄ）に示すようにライトエッチングを施す。
このライトエッチングは以下に示す条件で５秒間行っ
た。
型レジスト１２Ａ表面及び露出する基体１１表面に対し
て、図１（Ｄ）に示すようにライトエッチングを施す。
このライトエッチングは以下に示す条件で５秒間行っ
た。
【００１２】・エッチングガス及びその流量 酸素（Ｏ2）……５０ＳＣＣＭ 四沸化炭素（ＣＦ4）……５０ＳＣＣＭ ・圧力……０．５Ｔｏｒｒ ・ステージ温度……１００℃ ・ＲＦパワー………１７０Ｗ このライトエッチング処理によって被エッチング面は、
親水性になり、現像液との濡れ性が良くなる。
親水性になり、現像液との濡れ性が良くなる。
【００１３】次に、図２（Ａ）に示すように、全面にポ
ジ型レジスト１３を回転塗布する。その後、図２（Ｂ）
に示すように、ポジ型レジスト１３を露光する。この露
光は、オンチップレンズを形成する部分以外を露光し
て、露光部１３Ｂと未露光部１３Ａとを形成する。
ジ型レジスト１３を回転塗布する。その後、図２（Ｂ）
に示すように、ポジ型レジスト１３を露光する。この露
光は、オンチップレンズを形成する部分以外を露光し
て、露光部１３Ｂと未露光部１３Ａとを形成する。
【００１４】その後、親水性のアルカリ水溶液系の現像
液を用いて現像を行うことにより図２（Ｃ）に示すよう
なレジストパターンが形成できる。この場合、現像液
は、ポジ型レジストの未露光部１３Ａどうしの微細な隙
間に作用し、下地のネガ型レジストのパターンである露
光部１２Ａが露出した場合でも、下地が親水性であるた
め、現像液が下地を濡らして厳密な現像ができる。この
ようにしてパターニングされたポジ型レジスト１３のパ
ターンは断面が矩形となり、パターンのムラやパターン
のくずれは生じない。
液を用いて現像を行うことにより図２（Ｃ）に示すよう
なレジストパターンが形成できる。この場合、現像液
は、ポジ型レジストの未露光部１３Ａどうしの微細な隙
間に作用し、下地のネガ型レジストのパターンである露
光部１２Ａが露出した場合でも、下地が親水性であるた
め、現像液が下地を濡らして厳密な現像ができる。この
ようにしてパターニングされたポジ型レジスト１３のパ
ターンは断面が矩形となり、パターンのムラやパターン
のくずれは生じない。
【００１５】以上、本発明を固体撮像装置のオンチップ
レンズの形成に供されるパターンに適用した本実施例に
ついて説明したが、この発明はこれに限定されるもので
はなく、各種の多層レジストによる微細パターンを形成
する場合に適用が可能である。
レンズの形成に供されるパターンに適用した本実施例に
ついて説明したが、この発明はこれに限定されるもので
はなく、各種の多層レジストによる微細パターンを形成
する場合に適用が可能である。
【００１６】上記実施例においては、下層レジストがネ
ガ型で上層レジストがポジ型であったが、レジストの組
合わせは変更が可能である。
ガ型で上層レジストがポジ型であったが、レジストの組
合わせは変更が可能である。
【００１７】また、上記実施例は、二層レジストの例で
あるが、勿論三相レジストにも適用が可能である。
あるが、勿論三相レジストにも適用が可能である。
【００１８】さらに、上記実施例においては、下層レジ
ストの表面処理を親水性処理としたが、上層レジストの
現像液の性質に応じて疎水性処理でもよい。
ストの表面処理を親水性処理としたが、上層レジストの
現像液の性質に応じて疎水性処理でもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１及び２記載の発明によれば、上層レジストの現像液が
微細なパターンの隙間に完全に作用することが可能とな
り、厳密にパターン形成が行える効果がある。このた
め、半導体装置の製造歩留りを向上すると共に、性能を
向上させる効果を奏する。
１及び２記載の発明によれば、上層レジストの現像液が
微細なパターンの隙間に完全に作用することが可能とな
り、厳密にパターン形成が行える効果がある。このた
め、半導体装置の製造歩留りを向上すると共に、性能を
向上させる効果を奏する。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の実施例を示す工程
断面図。
断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の実施例を示す工程
断面図。
断面図。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は従来の工程断面図。
１１…基体 １２…ネガ型レジスト １３…ポジ型レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 基体上に下層レジストを形成し、該下層
レジスト上に上層レジストを塗布し、該上層レジストを
露光・現像してレジストパターンを形成する方法におい
て、 前記下層レジストの表面に、前記上層レジストの現像液
との濡れ性を高める表面処理を施した後、上層レジスト
を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方
法。 - 【請求項２】 前記表面処理は、ライトエッチングであ
る請求項１記載に係るレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5141706A JPH06349728A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5141706A JPH06349728A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349728A true JPH06349728A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15298311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5141706A Pending JPH06349728A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349728A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382022B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2003-04-26 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성막 방법 |
| US7094519B2 (en) | 2002-12-30 | 2006-08-22 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a CMOS image sensor |
| KR20170121240A (ko) | 2015-02-26 | 2017-11-01 | 가부시키가이샤 아데카 | 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 제조한 전자 디바이스 |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP5141706A patent/JPH06349728A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382022B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2003-04-26 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성막 방법 |
| US7094519B2 (en) | 2002-12-30 | 2006-08-22 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a CMOS image sensor |
| KR20170121240A (ko) | 2015-02-26 | 2017-11-01 | 가부시키가이샤 아데카 | 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 제조한 전자 디바이스 |
| US10386721B2 (en) | 2015-02-26 | 2019-08-20 | Adeka Corporation | Pattern formation method and electronic device manufactured using same |
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