JPH0678386B2 - オレフィンの重合方法 - Google Patents
オレフィンの重合方法Info
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- JPH0678386B2 JPH0678386B2 JP5087987A JP5087987A JPH0678386B2 JP H0678386 B2 JPH0678386 B2 JP H0678386B2 JP 5087987 A JP5087987 A JP 5087987A JP 5087987 A JP5087987 A JP 5087987A JP H0678386 B2 JPH0678386 B2 JP H0678386B2
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- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、オレフィン重合体の製造法に関する。更に詳
しくは、種々の重合プロセス(スラリー重合、気相重合
等)において遷移金属当りの活性が極めて高い固体触媒
成分を用い、オレフィン重合体を製造する方法に関する
ものである。又固体触媒成分の粒子形状を極めて良好に
制御し、スラリー重合、気相重合等においては嵩密度が
高く、微粉の少ない流動性良好で、且つ分子量分布の広
いオレフィン重合体を製造する方法に関するものであ
る。
しくは、種々の重合プロセス(スラリー重合、気相重合
等)において遷移金属当りの活性が極めて高い固体触媒
成分を用い、オレフィン重合体を製造する方法に関する
ものである。又固体触媒成分の粒子形状を極めて良好に
制御し、スラリー重合、気相重合等においては嵩密度が
高く、微粉の少ない流動性良好で、且つ分子量分布の広
いオレフィン重合体を製造する方法に関するものであ
る。
オレフィン重合体を製造する場合に使用する触媒の活性
(単位触媒当りの重合量)、特に遷移金属当りの活性が
高いことは、重合後に得られた重合体から触媒残渣を除
去する必要がなく、重合体の製造工程を簡略化し得るの
で工業的に極めて利用価値が高いことは言うまでもな
い。
(単位触媒当りの重合量)、特に遷移金属当りの活性が
高いことは、重合後に得られた重合体から触媒残渣を除
去する必要がなく、重合体の製造工程を簡略化し得るの
で工業的に極めて利用価値が高いことは言うまでもな
い。
一方、重合槽への付着が多いことは、操業上種々の障害
を生じ操業効率を低下させる原因となる為、重合槽への
付着はできる限り少ないことが望ましい。又、スラリー
重合もしくは気相重合を行なう場合には、操業の安定
性、操業効率の面から重合体粉末のかさ密度が高く、粒
度分布が狭く、流動性が良好なことが望ましい。
を生じ操業効率を低下させる原因となる為、重合槽への
付着はできる限り少ないことが望ましい。又、スラリー
重合もしくは気相重合を行なう場合には、操業の安定
性、操業効率の面から重合体粉末のかさ密度が高く、粒
度分布が狭く、流動性が良好なことが望ましい。
又、得られる重合体の分子量分布は重合体の加工性、加
工品の外観、物性を支配する因子であり、例えば分子量
分布の狭い重合体または射出成形用、回転成形用とし
て、又分子量分布の広い重合体はブロー成形、押出成形
或はフィルム成形用として適している。従って、簡単な
操作により重合体の分子量分布を任意に制御できれば、
種々の用途に適する重合体を幅広く製造できることにな
り、工業的に極めて有利である。
工品の外観、物性を支配する因子であり、例えば分子量
分布の狭い重合体または射出成形用、回転成形用とし
て、又分子量分布の広い重合体はブロー成形、押出成形
或はフィルム成形用として適している。従って、簡単な
操作により重合体の分子量分布を任意に制御できれば、
種々の用途に適する重合体を幅広く製造できることにな
り、工業的に極めて有利である。
<従来の技術> 従来、オレフィンの重合用触媒として周期律表のIVa〜V
Ia族遷移金属の化合物と周期律表I〜III族金属の有機
金属化合物との組合せから成る触媒系(いわゆるチーグ
ラー触媒)が有効であることは周知のところである。し
かしながら、これらの触媒は一般に触媒活性が低く、重
合後に触媒残渣を重合体から除去する必要があり、必ら
ずしも上記の性状を満足するものではなく、工業的に充
分優位なものとは言い得ない。又、従来のオレフィン重
合触媒を用いて重合体の分子量分布を広げようとする
と、差に触媒活性が低下し、単位重合体当りの触媒量が
増加し多量の触媒が必要となり工業的に充分優位なもの
とは言い得ない。
Ia族遷移金属の化合物と周期律表I〜III族金属の有機
金属化合物との組合せから成る触媒系(いわゆるチーグ
ラー触媒)が有効であることは周知のところである。し
かしながら、これらの触媒は一般に触媒活性が低く、重
合後に触媒残渣を重合体から除去する必要があり、必ら
ずしも上記の性状を満足するものではなく、工業的に充
分優位なものとは言い得ない。又、従来のオレフィン重
合触媒を用いて重合体の分子量分布を広げようとする
と、差に触媒活性が低下し、単位重合体当りの触媒量が
増加し多量の触媒が必要となり工業的に充分優位なもの
とは言い得ない。
チーグラー触媒については従来より種々の改良が行なわ
れている。例えば、(1)水酸化有機化合物、(2)金
属マグネシウム、(3)周期律表IVa,Va,VIa族金属の有
機酸素化化合物、(4)周期律表IVa,Va,VIa族金属のハ
ロゲン含有化合物及び(5)アルミニウムハロゲン化物
の加熱反応生成物と有機金属化合物とからなる触媒系
(特公昭52−39714号公報)、(1)マグネシウム、カ
ルシウム、マンガン又は亜鉛のジハロゲン化物、(2)
チタン、ジルコニウム又はバナジウムの有機酸素化合物
及び(3)有機アルミニウムハロゲン化合物の固体反応
生成物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒系(特
公昭51−37195号公報)、(1)マグネシウムの酸素含
有有機化合物又はハロゲン含有化合物、(2)チタンの
酸素含有有機化合物又はハロゲン含有化合物、(3)ジ
ルコニウムの酸素含有有機化合物又はハロゲン含有化合
物及び(4)有機ハロゲン化アルミニウム化合物を特定
量比で反応させて得られる固体触媒と有機アルミニウム
化合物とからなる触媒系(特公昭55−8083号公報)、
(1)不活性な微粒子支持物質、(2)有機マグネシウ
ム化合物、(3)ジルコニウム化合物、(4)ハロゲン
化物質、(5)4価のチタニウム化合物をこの順に特定
量比で反応させて得られる重合触媒(特開昭61−19607
号公報)、固体無機酸化物の存在下に有機マグネシウム
化合物とホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、リン、
アンチモン、ビスマス、亜鉛のハロゲン化物、又は有機
マグネシウム化合物と塩素水素との反応生成物にチタン
化合物、ジルコニウム化合物及び有機金属化合物を反応
させて得られる固体触媒成分と有機金層化合物とからな
る触媒系(特開昭57−155206号公報)について報告され
ている。然しながらこれらの触媒系でも、上記の触媒活
性、重合体の粉体特性などの点で必ずしても工業的に満
足し得るものとは言い得ない。又これらの触媒系は特公
昭52−39714、特公昭55−8083、特開昭57−155206及び
特開昭60−19607号公報以外はいずれも分子量分布の狭
い重合体を与えることにすぎず、分子量分布の広い重合
体を与えない。
れている。例えば、(1)水酸化有機化合物、(2)金
属マグネシウム、(3)周期律表IVa,Va,VIa族金属の有
機酸素化化合物、(4)周期律表IVa,Va,VIa族金属のハ
ロゲン含有化合物及び(5)アルミニウムハロゲン化物
の加熱反応生成物と有機金属化合物とからなる触媒系
(特公昭52−39714号公報)、(1)マグネシウム、カ
ルシウム、マンガン又は亜鉛のジハロゲン化物、(2)
チタン、ジルコニウム又はバナジウムの有機酸素化合物
及び(3)有機アルミニウムハロゲン化合物の固体反応
生成物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒系(特
公昭51−37195号公報)、(1)マグネシウムの酸素含
有有機化合物又はハロゲン含有化合物、(2)チタンの
酸素含有有機化合物又はハロゲン含有化合物、(3)ジ
ルコニウムの酸素含有有機化合物又はハロゲン含有化合
物及び(4)有機ハロゲン化アルミニウム化合物を特定
量比で反応させて得られる固体触媒と有機アルミニウム
化合物とからなる触媒系(特公昭55−8083号公報)、
(1)不活性な微粒子支持物質、(2)有機マグネシウ
ム化合物、(3)ジルコニウム化合物、(4)ハロゲン
化物質、(5)4価のチタニウム化合物をこの順に特定
量比で反応させて得られる重合触媒(特開昭61−19607
号公報)、固体無機酸化物の存在下に有機マグネシウム
化合物とホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、リン、
アンチモン、ビスマス、亜鉛のハロゲン化物、又は有機
マグネシウム化合物と塩素水素との反応生成物にチタン
化合物、ジルコニウム化合物及び有機金属化合物を反応
させて得られる固体触媒成分と有機金層化合物とからな
る触媒系(特開昭57−155206号公報)について報告され
ている。然しながらこれらの触媒系でも、上記の触媒活
性、重合体の粉体特性などの点で必ずしても工業的に満
足し得るものとは言い得ない。又これらの触媒系は特公
昭52−39714、特公昭55−8083、特開昭57−155206及び
特開昭60−19607号公報以外はいずれも分子量分布の狭
い重合体を与えることにすぎず、分子量分布の広い重合
体を与えない。
<発明が解決しようとする問題点> かかる現状において、本発明の解決すべき問題点即ち本
発明の目的は、触媒残渣の除去が不必要となる程、遷移
金属当りの触媒活性が充分高い固体触媒成分を用い、分
子量分布が広く、しかも嵩密度が高く、微粉の少ない流
動性良好なオレフィン重合体を製造する方法を提供する
ことにある。
発明の目的は、触媒残渣の除去が不必要となる程、遷移
金属当りの触媒活性が充分高い固体触媒成分を用い、分
子量分布が広く、しかも嵩密度が高く、微粉の少ない流
動性良好なオレフィン重合体を製造する方法を提供する
ことにある。
<問題点を解決するための手段> 本発明は、 1.(A)平均粒子径が10〜200μmで、かつ細孔半径7
5〜200,000Åにおける細孔容量が0.3ml/g以上のシリカ
ゲル、アルミナ、シリカアルミナ、マグネシア、ジルコ
ニア、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、
スチレン−ジビニルベンゼン共重合体からなる群から選
ばれる単独又は2種以上の多孔質単体の存在下に、 (B)Si−O結合を有する有機ケイ素化合物と、 (C)一般式Ti(OR1)lX4-l(式中、R1は炭素原子1〜
20個を含有する炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を
示し、lは0<l≦4の数字を示す。)で表わされるチ
タン化合物と、 (D)一般式Zr(OR2)mX4-m式中、R2は炭素原子1〜20
個を含有する炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示
し、mは0<m≦4の数字を示す。)で表わされるジル
コニウム化合物、及び/又は一般式Hf(OR3)nX4-n式
中、R3は炭素原子1〜20個を含有する炭素水素基を示
し、Xはハロゲン原子を示し、nは0<n≦4の数字を
示す。)で表わされるハフニウム化合物とを反応させて
反応混合物(I)を得、 次に、該反応混合物(I)に(E)有機マグネシウム
化合物又は有機マグネシウム化合物と有機金属化合物と
の炭化水素可溶性錯体を反応させて中間生成物(II)を
得、 次に、該中間生成物(II)と(F)酸素を反応させて
反応生成物(III)を得、 次に、該反応生成物(III)と(G)一般式R4cAlX3-c
(式中、R4は炭素原子1〜20個を含有する炭素原子基を
示し、cは0<c<3の数字を示す。)で表わされる有
機ハロゲン化アルミニウム化合物とを接触させて得られ
る固体触媒成分、及び 2.(H)有機アルミニウム化合物 を組合せてなる触媒系の存在下にオレフィンを重合又は
共重合することを特徴とするオレフィンの重合方法であ
る。
5〜200,000Åにおける細孔容量が0.3ml/g以上のシリカ
ゲル、アルミナ、シリカアルミナ、マグネシア、ジルコ
ニア、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、
スチレン−ジビニルベンゼン共重合体からなる群から選
ばれる単独又は2種以上の多孔質単体の存在下に、 (B)Si−O結合を有する有機ケイ素化合物と、 (C)一般式Ti(OR1)lX4-l(式中、R1は炭素原子1〜
20個を含有する炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を
示し、lは0<l≦4の数字を示す。)で表わされるチ
タン化合物と、 (D)一般式Zr(OR2)mX4-m式中、R2は炭素原子1〜20
個を含有する炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示
し、mは0<m≦4の数字を示す。)で表わされるジル
コニウム化合物、及び/又は一般式Hf(OR3)nX4-n式
中、R3は炭素原子1〜20個を含有する炭素水素基を示
し、Xはハロゲン原子を示し、nは0<n≦4の数字を
示す。)で表わされるハフニウム化合物とを反応させて
反応混合物(I)を得、 次に、該反応混合物(I)に(E)有機マグネシウム
化合物又は有機マグネシウム化合物と有機金属化合物と
の炭化水素可溶性錯体を反応させて中間生成物(II)を
得、 次に、該中間生成物(II)と(F)酸素を反応させて
反応生成物(III)を得、 次に、該反応生成物(III)と(G)一般式R4cAlX3-c
(式中、R4は炭素原子1〜20個を含有する炭素原子基を
示し、cは0<c<3の数字を示す。)で表わされる有
機ハロゲン化アルミニウム化合物とを接触させて得られ
る固体触媒成分、及び 2.(H)有機アルミニウム化合物 を組合せてなる触媒系の存在下にオレフィンを重合又は
共重合することを特徴とするオレフィンの重合方法であ
る。
本触媒系の使用により前記目的が達成される。
以下、本発明について具体的に説明する。
(A) 多孔質担体 本発明に使用される多孔質担体としては、シリカゲル、
アルミナ、シリカ−アルミナ、マグネシア、ジルコニア
等の固体無機酸化物があげられる。又ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリスチレン、スチレン−ジビニルベン
ゼン共重合体等のポリマーがあげられる。これらは単独
又は2種以上の混合物が使われる。好ましくは固体無機
酸化物が使われ、更に好ましくはシリカゲル、アルミ
ナ、シリカ−アルミナが使われる。多孔質担体の粒径
は、好ましくは5〜250μmの範囲であり、更に好まし
くは10〜200μmの範囲である。又、平均粒子径は好ま
しくは10〜200μmであり、更に好ましくは20〜150μm
である。そして、平均細孔半径は好ましくは50Å以上で
あり、更に好ましくは75Å以上である。又、細孔半径75
〜20,000Å間における細孔容量は、好ましくは0.3ml/g
以上であり、更に好ましくは0.4ml/g以上、特に好まし
くは0.6ml/g以上である。
アルミナ、シリカ−アルミナ、マグネシア、ジルコニア
等の固体無機酸化物があげられる。又ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリスチレン、スチレン−ジビニルベン
ゼン共重合体等のポリマーがあげられる。これらは単独
又は2種以上の混合物が使われる。好ましくは固体無機
酸化物が使われ、更に好ましくはシリカゲル、アルミ
ナ、シリカ−アルミナが使われる。多孔質担体の粒径
は、好ましくは5〜250μmの範囲であり、更に好まし
くは10〜200μmの範囲である。又、平均粒子径は好ま
しくは10〜200μmであり、更に好ましくは20〜150μm
である。そして、平均細孔半径は好ましくは50Å以上で
あり、更に好ましくは75Å以上である。又、細孔半径75
〜20,000Å間における細孔容量は、好ましくは0.3ml/g
以上であり、更に好ましくは0.4ml/g以上、特に好まし
くは0.6ml/g以上である。
更に、多孔質担体は吸着された水を排除したものを使用
するのが好ましい。具体的には、300℃程度以上の温度
でか焼するか、或は100℃程度以上の温度で真空乾燥し
たものを有機マグネシウム等の有機金属化合物で処理し
て使用する方法等が挙げられる。
するのが好ましい。具体的には、300℃程度以上の温度
でか焼するか、或は100℃程度以上の温度で真空乾燥し
たものを有機マグネシウム等の有機金属化合物で処理し
て使用する方法等が挙げられる。
(B) Si−O結合を有する有機ケイ素化合物 本発明の固体触媒成分の合成に使用されるSi−O結合を
有する有機ケイ素化合物としては、下記の一般式で表わ
されるものである。
有する有機ケイ素化合物としては、下記の一般式で表わ
されるものである。
Si(OR5)pR6 4-p R7(▲R8 2▼SiO)qSi▲R9 3▼ 又は(▲R10 2▼SiO)r ここに、R5は炭素数が1〜20の炭素水素基、R6,R7,R8,R
9及びR10は炭素数が1〜20の炭化水素基又は水素原子で
あり、mは0<p≦4の数字であり、qは1〜1000の整
数であり、rは2〜1000の整数である。
9及びR10は炭素数が1〜20の炭化水素基又は水素原子で
あり、mは0<p≦4の数字であり、qは1〜1000の整
数であり、rは2〜1000の整数である。
有機ケイ素化合物の具体例としては、下記のようなもの
を例示することができる。
を例示することができる。
テトラメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、テ
トラエトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、ジエ
トキシジエチルシラン、エトキシトリエチルシラン、テ
トラーiso−プロポキシシラン、ジ−iso−プロポキシ−
ジ−iso−プロピルシラン、テトラプロポキシシラン、
ジプロポキシジプロピルシラン、テトラ−n−ブトキシ
シラン、ジ−n−ブトキシ−ジ−n−ブチルシラン、ジ
シクロペントキシジエチルシラン、ジエトキシジフェニ
ルシラン、シクロヘキシロキシトリメチルシラン、フェ
ノキシトリメチルシラン、テトラフェノキシシラン、ト
リエトキシフェニルシラン、ヘキサメチルジシロキサ
ン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサプロピルジシロ
キサン、オクタエチルトリシロキサン、ジメチルポリシ
ロキサン、ジフェニルポリシロキサン、メチルヒドロポ
リシロキサン、フェニルヒドロポリシロキサン等を例示
することができる。
トラエトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、ジエ
トキシジエチルシラン、エトキシトリエチルシラン、テ
トラーiso−プロポキシシラン、ジ−iso−プロポキシ−
ジ−iso−プロピルシラン、テトラプロポキシシラン、
ジプロポキシジプロピルシラン、テトラ−n−ブトキシ
シラン、ジ−n−ブトキシ−ジ−n−ブチルシラン、ジ
シクロペントキシジエチルシラン、ジエトキシジフェニ
ルシラン、シクロヘキシロキシトリメチルシラン、フェ
ノキシトリメチルシラン、テトラフェノキシシラン、ト
リエトキシフェニルシラン、ヘキサメチルジシロキサ
ン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサプロピルジシロ
キサン、オクタエチルトリシロキサン、ジメチルポリシ
ロキサン、ジフェニルポリシロキサン、メチルヒドロポ
リシロキサン、フェニルヒドロポリシロキサン等を例示
することができる。
これらの有機ケイ素化合物のうち好ましいものは一般式
Si(OR5)pR6 4-pで表わされるアルコキシシラン化合物
であり、好ましくは1≦p≦4であり、特にp=4のテ
トラアルコキシシラン化合物が好ましい。
Si(OR5)pR6 4-pで表わされるアルコキシシラン化合物
であり、好ましくは1≦p≦4であり、特にp=4のテ
トラアルコキシシラン化合物が好ましい。
(C) チタン化合物 本発明において使用されるチタン化合物は一般式Ti(OR
1)lX4-l(R1は炭素数が1〜20の炭化水素基、Xはハロ
ゲン原子、lは0<l≦4の数字を表わす。)で表わさ
れる。R1の具体例としては、メチル、エチル、n−プロ
ピル、iso−プロピル、n−ブチル、iso−ブチル、n−
アミル、iso−アミル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、
n−オクチル、n−デシル、n−ドデシル等のアルキル
基、フェニル、クレジル、キシリル、ナフチル等のアリ
ール基、シクロヘキシル、シクロペンチル等のシクロア
ルキル基、プロペニル等のアリル基、ベンジル等のアラ
ルキル基等が例示される。これらの化合物のうち炭素数
2〜18のアルキル基及び炭素数6〜18のアリール基が好
ましい。特に炭素数2〜18の直鎖状アルキル基が好まし
い。2種以上の異なるOR1基を有するチタン化合物を用
いることも可能である。
1)lX4-l(R1は炭素数が1〜20の炭化水素基、Xはハロ
ゲン原子、lは0<l≦4の数字を表わす。)で表わさ
れる。R1の具体例としては、メチル、エチル、n−プロ
ピル、iso−プロピル、n−ブチル、iso−ブチル、n−
アミル、iso−アミル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、
n−オクチル、n−デシル、n−ドデシル等のアルキル
基、フェニル、クレジル、キシリル、ナフチル等のアリ
ール基、シクロヘキシル、シクロペンチル等のシクロア
ルキル基、プロペニル等のアリル基、ベンジル等のアラ
ルキル基等が例示される。これらの化合物のうち炭素数
2〜18のアルキル基及び炭素数6〜18のアリール基が好
ましい。特に炭素数2〜18の直鎖状アルキル基が好まし
い。2種以上の異なるOR1基を有するチタン化合物を用
いることも可能である。
Xで表わされるハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨ
ウ素が例示できる。特に塩素が好ましい結果を与える。
ウ素が例示できる。特に塩素が好ましい結果を与える。
一般式Ti(OR1)lX4-lで表わされるチタン化合物のlの
値としては0<l≦4、好ましくは2≦l≦4、特に好
ましくはl=4である。
値としては0<l≦4、好ましくは2≦l≦4、特に好
ましくはl=4である。
一般式Ti(OR1)lX4-l(0<l≦4)で表わされるチタ
ン化合物の合成方法としては公知の方法が使用できる。
例えばTi(OR1)4とTiX4を所定の割合で反応させる方
法、或はTiX4と対応するアルコール類を所定量反応させ
る方法が使用できる。
ン化合物の合成方法としては公知の方法が使用できる。
例えばTi(OR1)4とTiX4を所定の割合で反応させる方
法、或はTiX4と対応するアルコール類を所定量反応させ
る方法が使用できる。
(D) ジルコニウム化合物及びハフニウム化合物 本発明において使用されるジルコニウム化合物又はハフ
ニウム化合物は一般式Zr(OR2)mX4−m又はHf(OR3)n
X4−n(R2、R3は炭素数が1〜20の炭化水素基、Xはハ
ロゲン原子、m,nは0<m≦4、0<n≦4の数字を表
わす。)で表わされる。R2,R3の具体例としては、メチ
ル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチ
ル、iso−ブチル、n−アミル、iso−アミル、n−ヘキ
シル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−デシル、n−
ドデシル等のアルキル基、フェニル、クレジル、キシリ
ル、ナフチル等のアリール基、シクロヘキシル、シクロ
ペンチル等のシクロアルキル基、プロペニル等のアリル
基、ベンジル等のアラルキル基等が例示される。これら
の化合物のうち炭素数2〜18のアルキル基および炭素数
6〜18のアリール基が好ましい。特に炭素数2〜18の直
鎖状アルキル基が好ましい。2種以上の異なるOR2基又
はOR3基を有するチタン化合物を用いることも可能であ
る。
ニウム化合物は一般式Zr(OR2)mX4−m又はHf(OR3)n
X4−n(R2、R3は炭素数が1〜20の炭化水素基、Xはハ
ロゲン原子、m,nは0<m≦4、0<n≦4の数字を表
わす。)で表わされる。R2,R3の具体例としては、メチ
ル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチ
ル、iso−ブチル、n−アミル、iso−アミル、n−ヘキ
シル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−デシル、n−
ドデシル等のアルキル基、フェニル、クレジル、キシリ
ル、ナフチル等のアリール基、シクロヘキシル、シクロ
ペンチル等のシクロアルキル基、プロペニル等のアリル
基、ベンジル等のアラルキル基等が例示される。これら
の化合物のうち炭素数2〜18のアルキル基および炭素数
6〜18のアリール基が好ましい。特に炭素数2〜18の直
鎖状アルキル基が好ましい。2種以上の異なるOR2基又
はOR3基を有するチタン化合物を用いることも可能であ
る。
Xで表わされるハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨ
ウ素が例示できる。特に塩素が好ましい結果を与える。
ウ素が例示できる。特に塩素が好ましい結果を与える。
一般式Zr(OR2)xX4−m又はHf(OR3)nX4−nで表わさ
れるジルコニウム化合物又はハフニウム化合物のm,nの
値としては0<m≦4、0<n≦4、好ましくは2≦m
≦4、2≦n≦4、特に好ましくはm=4、n=4であ
る。
れるジルコニウム化合物又はハフニウム化合物のm,nの
値としては0<m≦4、0<n≦4、好ましくは2≦m
≦4、2≦n≦4、特に好ましくはm=4、n=4であ
る。
一般式Zr(OR2)mX4-m(0<m≦4)又はHf(OR3)nX
4-n(0<n≦4)で表わされるジルコニウム化合物又
はハフニウム化合物の合成方法としては公知の方法が使
用できる。例えばZrX4又はHfX4と対応するアルコール類
を所定量反応させる方法が使用できる。
4-n(0<n≦4)で表わされるジルコニウム化合物又
はハフニウム化合物の合成方法としては公知の方法が使
用できる。例えばZrX4又はHfX4と対応するアルコール類
を所定量反応させる方法が使用できる。
(E) 有機マグネシウム化合物 次に、本発明で用いる有機マグネシウムはマグネシウム
一炭素の結合を含有する任意の型の有機マグネシウム化
合物を使用することができる。特に一般式R11MgX(式
中、R11は炭素数1〜20の炭素水素基を、Xはハロゲン
原子を表わす。)で表わされるグリニャール化合物及び
一般式R12R13Mg(式中、R12及びR13は炭素数1〜20の炭
化水素基を表わす。)で表わされるジアルキルマグネシ
ウム化合物又はジアリールマグネシウム化合物が好適に
使用される。ここでR11,R12,R13は同一でも異なってい
てもよく、メチル、エチル、n−プロピル、iso−プロ
ピル、n−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、n−
アミル、iso−アミル、n−ヘキシル、n−オクチル、
2−エチルヘキシル、フェニル、ベンジル等の炭素数1
〜20のアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はア
ルケニル基を示す。
一炭素の結合を含有する任意の型の有機マグネシウム化
合物を使用することができる。特に一般式R11MgX(式
中、R11は炭素数1〜20の炭素水素基を、Xはハロゲン
原子を表わす。)で表わされるグリニャール化合物及び
一般式R12R13Mg(式中、R12及びR13は炭素数1〜20の炭
化水素基を表わす。)で表わされるジアルキルマグネシ
ウム化合物又はジアリールマグネシウム化合物が好適に
使用される。ここでR11,R12,R13は同一でも異なってい
てもよく、メチル、エチル、n−プロピル、iso−プロ
ピル、n−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、n−
アミル、iso−アミル、n−ヘキシル、n−オクチル、
2−エチルヘキシル、フェニル、ベンジル等の炭素数1
〜20のアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はア
ルケニル基を示す。
具体的には、グリニャール化合物として、メチルマグネ
シウムクロリド、エチルマグネシウムクロリド、エチル
マグネシウムブロミド、エチルマグネシウムアイオダイ
ド、n−プロピルマグネシウムクロリド、n−プロピル
マグネシウムブロミド、n−ブチルマグネシウムクロリ
ド、n−ブチルマグネシウムブロミド、sec−ブチルマ
グネシウムクロリド、sec−ブチルマグネシウムブロミ
ド、tert−ブチルマグネシウムクロリド、tert−ブチル
マグネシウムブロミド、n−アミルマグネシウムクロリ
ド、iso−アミルマグネシウムクロリド、フェニルマグ
ネシウムクロリド、フェニルマグネシウムブロミド等
が、R12R13Mgで表わされる化合物としてジエチルマグネ
シウム、ジ−n−プロピルマグネシウム、ジ−iso−プ
ロピルマグネシウム、ジ−n−ブチルマグネシウム、ジ
−sec−ブチルマグネシウム、ジ−tert−ブチルマグネ
シウム、n−ブチル−sec−ブチルマグネシウム、ジ−
n−アミルマグネシウム、ジフェニルマグネシウム等が
挙げられる。
シウムクロリド、エチルマグネシウムクロリド、エチル
マグネシウムブロミド、エチルマグネシウムアイオダイ
ド、n−プロピルマグネシウムクロリド、n−プロピル
マグネシウムブロミド、n−ブチルマグネシウムクロリ
ド、n−ブチルマグネシウムブロミド、sec−ブチルマ
グネシウムクロリド、sec−ブチルマグネシウムブロミ
ド、tert−ブチルマグネシウムクロリド、tert−ブチル
マグネシウムブロミド、n−アミルマグネシウムクロリ
ド、iso−アミルマグネシウムクロリド、フェニルマグ
ネシウムクロリド、フェニルマグネシウムブロミド等
が、R12R13Mgで表わされる化合物としてジエチルマグネ
シウム、ジ−n−プロピルマグネシウム、ジ−iso−プ
ロピルマグネシウム、ジ−n−ブチルマグネシウム、ジ
−sec−ブチルマグネシウム、ジ−tert−ブチルマグネ
シウム、n−ブチル−sec−ブチルマグネシウム、ジ−
n−アミルマグネシウム、ジフェニルマグネシウム等が
挙げられる。
上記の有機マグネシウム化合物の合成溶媒としては、ジ
エチルエーテル、ジ−n−プロピルエーテル、ジ−iso
−プロピルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、ジ−is
o−ブチルエーテル、ジ−n−アミルエーテル、ジ−iso
−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、ジ−n
−オクチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジル
エーテル、フェネトール、アニソール、テトラヒドロフ
ラン、テトラヒドロピラン等のエーテルを用いることが
できる。又、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の炭化水素、或はエーテルと炭化水素との混
合溶媒を用いてもよい。有機マグネシウム化合物は、エ
ーテル溶液の状態で使用することが好ましい。この場合
のエーテル化合物としては、分子内で炭素数6個以上を
含有するエーテル化合物又は環状構造を有するエーテル
化合物が用いられる。
エチルエーテル、ジ−n−プロピルエーテル、ジ−iso
−プロピルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、ジ−is
o−ブチルエーテル、ジ−n−アミルエーテル、ジ−iso
−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、ジ−n
−オクチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジル
エーテル、フェネトール、アニソール、テトラヒドロフ
ラン、テトラヒドロピラン等のエーテルを用いることが
できる。又、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の炭化水素、或はエーテルと炭化水素との混
合溶媒を用いてもよい。有機マグネシウム化合物は、エ
ーテル溶液の状態で使用することが好ましい。この場合
のエーテル化合物としては、分子内で炭素数6個以上を
含有するエーテル化合物又は環状構造を有するエーテル
化合物が用いられる。
又、上記の有機マグネシウム化合物と有機金属化合物と
の炭化水素可溶性錯体も使用することもできる。有機金
属化合物の例としては、Li,Be,B,Al又はZn等の有機化合
物が挙げられる。
の炭化水素可溶性錯体も使用することもできる。有機金
属化合物の例としては、Li,Be,B,Al又はZn等の有機化合
物が挙げられる。
(F)酸素 本発明で使用される酸素としては、酸素又は酸素と不活
性ガスの任意の混合比からなる混合ガスが用いられ、不
活性ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム等が用い
られる。
性ガスの任意の混合比からなる混合ガスが用いられ、不
活性ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム等が用い
られる。
(G) 有機ハロゲン化アルミニウム化合物 本発明で使用される有機ハロゲン化アルミニウム化合物
は、一般式▲R4 c▼AlX3 -c(式中、R4は炭素原子1〜20
個、好ましくは1〜6個を含有する有機基、好ましくは
炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、cは0<
c<3の数を示す。で表わされる。Xとしては塩素が特
に好ましく、cは好ましくは1≦c≦2、特に好ましく
はc=1である。R4は好ましくはアルキル、シクロアル
キル、アリール、アラルキル、アルケニル基から選ばれ
る。
は、一般式▲R4 c▼AlX3 -c(式中、R4は炭素原子1〜20
個、好ましくは1〜6個を含有する有機基、好ましくは
炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、cは0<
c<3の数を示す。で表わされる。Xとしては塩素が特
に好ましく、cは好ましくは1≦c≦2、特に好ましく
はc=1である。R4は好ましくはアルキル、シクロアル
キル、アリール、アラルキル、アルケニル基から選ばれ
る。
成分(G)の例としてはエチルアルミニウムジクロリ
ド、イソブチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミ
ニウムセスキクロリド、イソブチルアルミニウムセスキ
クロリド、ジエチルアルミニウムモノクロリド、イソブ
チルアルミニウムモノクロリド等が挙げられる。これら
のうちでもエチルアルミニウムジクロリド、イソブチル
アルミニウムジクロリド等のアルキルアルミニウムジク
ロリドが特に好ましく使用できる。
ド、イソブチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミ
ニウムセスキクロリド、イソブチルアルミニウムセスキ
クロリド、ジエチルアルミニウムモノクロリド、イソブ
チルアルミニウムモノクロリド等が挙げられる。これら
のうちでもエチルアルミニウムジクロリド、イソブチル
アルミニウムジクロリド等のアルキルアルミニウムジク
ロリドが特に好ましく使用できる。
成分(G)として複数の異なる有機ハロゲン化アルミニ
ウム化合物を使用することもでき、又この場合、ハロゲ
ン量を調整するために有機ハロゲン化アルミニウム化合
物と共にトリエチルアルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム等のトリアルキルアルミニウム、或はトリアル
ケニルアルミニウムを使用することもできる。
ウム化合物を使用することもでき、又この場合、ハロゲ
ン量を調整するために有機ハロゲン化アルミニウム化合
物と共にトリエチルアルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム等のトリアルキルアルミニウム、或はトリアル
ケニルアルミニウムを使用することもできる。
固体触媒成分の合成 本発明の固体触媒成分は多孔質担体の存在下、Si−O結
合を有する有機ケイ素化合物と一般式Ti(OR1)lX4-lで
表わされるチタン化合物と一般式Zr(OR1)mX4-mで表わ
されるジルコニウム化合物及び/又は一般式Hf(OR3)n
X4-nで表わされるハフニウム化合物との反応混合物
(I)を有機マグネシウム化合物と反応させて得られる
中間生成物(II)と酸化性化合物との反応生成物(II
I)を、有機ハロゲン化アルミニウム化合物と接触させ
て得られる。その際、有機マグネシウム化合物との反応
による固体の折出は多孔質担体上で生じ、固体生成物は
多孔質担体の形状を保持しており、微粉が生成しないこ
とが望ましい。
合を有する有機ケイ素化合物と一般式Ti(OR1)lX4-lで
表わされるチタン化合物と一般式Zr(OR1)mX4-mで表わ
されるジルコニウム化合物及び/又は一般式Hf(OR3)n
X4-nで表わされるハフニウム化合物との反応混合物
(I)を有機マグネシウム化合物と反応させて得られる
中間生成物(II)と酸化性化合物との反応生成物(II
I)を、有機ハロゲン化アルミニウム化合物と接触させ
て得られる。その際、有機マグネシウム化合物との反応
による固体の折出は多孔質担体上で生じ、固体生成物は
多孔質担体の形状を保持しており、微粉が生成しないこ
とが望ましい。
固体触媒成分の合成は酸素との接触を除いてすべて窒
素、アルゴン等の不活性気体雰囲気下で行なわれる。多
孔質担体の存在下、成分(B)の有機ケイ素化合物と成
分(C)のチタン化合物と成分(D)のジルコニウム化
合物及び/又はハフニウム化合物との反応は、成分
(B)、成分(C)、成分(D)をそのままもしくは適
当な溶媒に溶解もしくは希釈して、通常−50〜150℃の
温度で、数分ないし数時間の間行なわれる。成分
(B)、成分(C)、成分(D)の添加方法は任意であ
り、成分(B)に成分(C)、成分(D)を添加する方
法、成分(C)、成分(D)に成分(B)を添加する方
法又は成分(B)、成分(C)、成分(D)を同時に添
加する方法等のいずれも用いることができる。成分
(B)と成分(C)、成分(D)の反応割合は、成分
(B)中のケイ素原子と成分(C)、成分(D)中の遷
移金属(Ti+Zr+Hf)原子の原子比で1:50〜50:1、好ま
しくは1:20〜20:1、さらに好ましくは1:10〜10:1の範囲
で行われる。成分(C)と成分(D)の反応割合は、成
分(C)中のチタン原子と成分(D)中のジルコニウム
及び/又はハフニウム原子の原子比で1:50〜50:1、好ま
しくは1:20〜20:1、特に好ましくは1:10〜10:1の範囲で
行われるのが、より分子量分布の広い重合体を与える固
体触媒成分を得る上で好適である。
素、アルゴン等の不活性気体雰囲気下で行なわれる。多
孔質担体の存在下、成分(B)の有機ケイ素化合物と成
分(C)のチタン化合物と成分(D)のジルコニウム化
合物及び/又はハフニウム化合物との反応は、成分
(B)、成分(C)、成分(D)をそのままもしくは適
当な溶媒に溶解もしくは希釈して、通常−50〜150℃の
温度で、数分ないし数時間の間行なわれる。成分
(B)、成分(C)、成分(D)の添加方法は任意であ
り、成分(B)に成分(C)、成分(D)を添加する方
法、成分(C)、成分(D)に成分(B)を添加する方
法又は成分(B)、成分(C)、成分(D)を同時に添
加する方法等のいずれも用いることができる。成分
(B)と成分(C)、成分(D)の反応割合は、成分
(B)中のケイ素原子と成分(C)、成分(D)中の遷
移金属(Ti+Zr+Hf)原子の原子比で1:50〜50:1、好ま
しくは1:20〜20:1、さらに好ましくは1:10〜10:1の範囲
で行われる。成分(C)と成分(D)の反応割合は、成
分(C)中のチタン原子と成分(D)中のジルコニウム
及び/又はハフニウム原子の原子比で1:50〜50:1、好ま
しくは1:20〜20:1、特に好ましくは1:10〜10:1の範囲で
行われるのが、より分子量分布の広い重合体を与える固
体触媒成分を得る上で好適である。
多孔質担体の使用量は固体触媒成分中におけるその重量
が、20〜90重量%、好ましくは30〜75重量%の範囲であ
る。
が、20〜90重量%、好ましくは30〜75重量%の範囲であ
る。
この反応に使用される溶媒としては、例えばペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香
族炭化水素、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂環
式炭化水素、及びジエチルエーテル、ジブチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等のエーテル化合物等が挙げら
れる。これらの溶媒は単独もしくは混合して使用され
る。
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香
族炭化水素、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂環
式炭化水素、及びジエチルエーテル、ジブチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等のエーテル化合物等が挙げら
れる。これらの溶媒は単独もしくは混合して使用され
る。
次に、反応混合物(I)を成分(E)の有機マグネシウ
ム化合物成分と反応させて中間生成分(II)を得る。こ
の反応は反応混合物(I)と成分(E)をそのまま、も
しくは適当な溶媒に溶解もしくは希釈して、通常−70〜
150℃、好ましくは−30〜50℃の温度で数分ないし数時
間、好ましくは30分〜5時間の間行なわれる。反応混合
物(I)と成分(E)の添加方法は任意であり、反応混
合物(I)に成分(E)を添加する方法、成分(E)に
反応混合物(I)を添加する方法、反応混合物(I)と
成分(E)を同時に添加する方法等のいずれも用いるこ
とができる。反応混合物(I)と成分(E)の反応割合
は、反応混合物(I)中のケイ素原子と遷移金属原子の
和と成分(E)中のマグネシウム原子の原子比で1:10〜
10:1、好ましくは1:5〜5:1、さらに好ましくは1:2〜2:1
の範囲で行なわれる。この反応に使用される溶媒として
は、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等
の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、シクロヘキサン、シクロペンタン等の
脂環式炭化水素及びジエチルエーテル、ジブチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル化合
物等が挙げられる。これらの溶媒は単独もしくは混合し
て使用される。このようにして得られる中間生成物(I
I)はそのまま、或は乾固、別後乾燥、別後溶媒で
充分洗滌した後成分(F)と接触させる。
ム化合物成分と反応させて中間生成分(II)を得る。こ
の反応は反応混合物(I)と成分(E)をそのまま、も
しくは適当な溶媒に溶解もしくは希釈して、通常−70〜
150℃、好ましくは−30〜50℃の温度で数分ないし数時
間、好ましくは30分〜5時間の間行なわれる。反応混合
物(I)と成分(E)の添加方法は任意であり、反応混
合物(I)に成分(E)を添加する方法、成分(E)に
反応混合物(I)を添加する方法、反応混合物(I)と
成分(E)を同時に添加する方法等のいずれも用いるこ
とができる。反応混合物(I)と成分(E)の反応割合
は、反応混合物(I)中のケイ素原子と遷移金属原子の
和と成分(E)中のマグネシウム原子の原子比で1:10〜
10:1、好ましくは1:5〜5:1、さらに好ましくは1:2〜2:1
の範囲で行なわれる。この反応に使用される溶媒として
は、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等
の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、シクロヘキサン、シクロペンタン等の
脂環式炭化水素及びジエチルエーテル、ジブチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル化合
物等が挙げられる。これらの溶媒は単独もしくは混合し
て使用される。このようにして得られる中間生成物(I
I)はそのまま、或は乾固、別後乾燥、別後溶媒で
充分洗滌した後成分(F)と接触させる。
前記、中間生成物(II)と成分(F)の反応は種々の方
法にて実施することが可能である。例えば中間生成物
(II)を適当な溶媒に溶解もしくは懸濁させ、ついで酸
素を溶媒中に流通または溶解させることにより酸化性化
合物と接触させる方法、中間生成物(II)を気体状酸化
剤を含有する雰囲気において実質的に乾燥状態において
接触させる方法等がある。
法にて実施することが可能である。例えば中間生成物
(II)を適当な溶媒に溶解もしくは懸濁させ、ついで酸
素を溶媒中に流通または溶解させることにより酸化性化
合物と接触させる方法、中間生成物(II)を気体状酸化
剤を含有する雰囲気において実質的に乾燥状態において
接触させる方法等がある。
この反応は、通常−70〜150℃、好ましくは−30〜80℃
の温度で数分ないし数十時間、好ましくは30分〜10時間
の間行なわれる。中間生成物(II)と成分(F)の反応
割合は広い範囲で選ぶことができる。通常、遷移金属化
合物の酸化の割合は処理時間又は使用する酸化性化合物
の量により調整することが可能である。酸化性化合物の
使用量は遷移金属1モルに対し0.1モル以上が好まし
い。一般に中間生成物(II)に対する酸素の反応割合を
増加させることにより、得られる重合体の分子量分布を
より広くすることができる。この反応に使用される溶媒
としては、例えばペンタン、ヘキシン、ヘプタン、オク
タン等の脂肪族炭化水素、四塩化炭素、ジクロルエタン
等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン度の芳香族炭化水素等が挙げられ
る。これらの溶媒は単独もしくは混合して使用される。
このようにして反応生成物(III)が得られる。
の温度で数分ないし数十時間、好ましくは30分〜10時間
の間行なわれる。中間生成物(II)と成分(F)の反応
割合は広い範囲で選ぶことができる。通常、遷移金属化
合物の酸化の割合は処理時間又は使用する酸化性化合物
の量により調整することが可能である。酸化性化合物の
使用量は遷移金属1モルに対し0.1モル以上が好まし
い。一般に中間生成物(II)に対する酸素の反応割合を
増加させることにより、得られる重合体の分子量分布を
より広くすることができる。この反応に使用される溶媒
としては、例えばペンタン、ヘキシン、ヘプタン、オク
タン等の脂肪族炭化水素、四塩化炭素、ジクロルエタン
等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン度の芳香族炭化水素等が挙げられ
る。これらの溶媒は単独もしくは混合して使用される。
このようにして反応生成物(III)が得られる。
反応生成物(III)と成分(G)の接触は、スラリー状
態で通常−70〜200℃、好ましくは−30〜150℃、更に好
ましくは30〜100℃の温度で数分ないし数時間の間行わ
れる。反応生成物(III)と成分(G)の添加方法は任
意であり、反応生成物(III)に成分(G)を添加する
方法、成分(G)に反応生成物(III)を添加する方
法、反応生成物(III)と成分(G)を同時に添加する
方法等のいずれも同いることができる。反応生成物(II
I)と成分(G)の反応割合は広い範囲で選ぶことがで
きる。反応生成物(III)と成分(G)の反応割合を変
化させることによって重合体の分子量分布を調整するこ
とができる。一般に反応生成物(III)に対する成分
(G)の反応割合を増加させることによって重合体の分
子量分布をより広くすることができる。通常、反応生成
物(III)1g当り成分(G)の量を成分(G)中に含有
されるハロゲン原子を基準にして0.01〜0.1グラム当量
の範囲に選ぶのが好ましい。この反応に使用される溶媒
としては、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オク
タン等の脂肪族炭化水素、四塩化炭素、ジクロルエタン
等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサ
ン、シクロペンタン等の脂環式炭化水素等が挙げられ
る。これらの溶媒は単独もしくは混合して使用される。
このようにして固体触媒成分が得られる。
態で通常−70〜200℃、好ましくは−30〜150℃、更に好
ましくは30〜100℃の温度で数分ないし数時間の間行わ
れる。反応生成物(III)と成分(G)の添加方法は任
意であり、反応生成物(III)に成分(G)を添加する
方法、成分(G)に反応生成物(III)を添加する方
法、反応生成物(III)と成分(G)を同時に添加する
方法等のいずれも同いることができる。反応生成物(II
I)と成分(G)の反応割合は広い範囲で選ぶことがで
きる。反応生成物(III)と成分(G)の反応割合を変
化させることによって重合体の分子量分布を調整するこ
とができる。一般に反応生成物(III)に対する成分
(G)の反応割合を増加させることによって重合体の分
子量分布をより広くすることができる。通常、反応生成
物(III)1g当り成分(G)の量を成分(G)中に含有
されるハロゲン原子を基準にして0.01〜0.1グラム当量
の範囲に選ぶのが好ましい。この反応に使用される溶媒
としては、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オク
タン等の脂肪族炭化水素、四塩化炭素、ジクロルエタン
等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサ
ン、シクロペンタン等の脂環式炭化水素等が挙げられ
る。これらの溶媒は単独もしくは混合して使用される。
このようにして固体触媒成分が得られる。
以上のようにして得られた固体触媒成分は多孔質担体の
形状を保持しており、微粉がなく粒度分布が狭く、嵩密
度が高く、流動性の良好な粉末である。又、この固体触
媒成分はマグネシウム、チタン、ジルコニウム及び/又
はハフニウム更にハロゲンを含有し、一般に非晶性もし
くは極めて弱い結晶性を示し、X線回折ピークは殆ど見
られないが若しくは面間隔d=5.9、2.8、1.8Å付近に
極めてブロードもしくは弱い回折ピークを与えるにすぎ
ないものが多い。
形状を保持しており、微粉がなく粒度分布が狭く、嵩密
度が高く、流動性の良好な粉末である。又、この固体触
媒成分はマグネシウム、チタン、ジルコニウム及び/又
はハフニウム更にハロゲンを含有し、一般に非晶性もし
くは極めて弱い結晶性を示し、X線回折ピークは殆ど見
られないが若しくは面間隔d=5.9、2.8、1.8Å付近に
極めてブロードもしくは弱い回折ピークを与えるにすぎ
ないものが多い。
固体生成物は通常、過後炭化水素希釈剤で充分洗滌
し、そのまま或は乾燥してオレフィン重合触媒成分とし
て使用する。
し、そのまま或は乾燥してオレフィン重合触媒成分とし
て使用する。
本発明方法の実施に際し、オレフィン重合を行なうに先
立って、公知の方法により中間生成物(II)、反応生成
物(III)又は固体触媒成分は、周期律表I〜III族金属
の有機金属化合物の存在下、少量のオレフィン(例えば
エチレン、C3〜C10のa−オレフィン等)と予備重合も
しくは予備共重合処理を行うこともできる。予備重合処
理は若干の水素の存在下で行うのが好ましい。重合温度
は室温から100℃、好ましくは室温〜50℃の範囲であ
る。予備重合量は中間生成物(II)、反応生成物(II
I)又は最終固体触媒成分1g当り0.005〜20g、特に0.01
〜10gの範囲で行なうことが好ましい。
立って、公知の方法により中間生成物(II)、反応生成
物(III)又は固体触媒成分は、周期律表I〜III族金属
の有機金属化合物の存在下、少量のオレフィン(例えば
エチレン、C3〜C10のa−オレフィン等)と予備重合も
しくは予備共重合処理を行うこともできる。予備重合処
理は若干の水素の存在下で行うのが好ましい。重合温度
は室温から100℃、好ましくは室温〜50℃の範囲であ
る。予備重合量は中間生成物(II)、反応生成物(II
I)又は最終固体触媒成分1g当り0.005〜20g、特に0.01
〜10gの範囲で行なうことが好ましい。
(H) 有機アルミニウム化合物 本発明において、上述した固体触媒成分と組合せて使用
する有機アルミニウム化合物は、少なくとも分子内に1
個のAl−炭素結合を有するものである。代表的なものを
一般式で下記に示す。
する有機アルミニウム化合物は、少なくとも分子内に1
個のAl−炭素結合を有するものである。代表的なものを
一般式で下記に示す。
R14aAlY3−a R15R16Al−O−AlR17R18 ここで、R14,R15,R16,R17及びR18は炭素数が1〜8個の
炭化水素基、Yはハロゲン原子、水素原子又はアルコキ
シ基を表わす。aは2≦a≦3で表わされる数字であ
る。
炭化水素基、Yはハロゲン原子、水素原子又はアルコキ
シ基を表わす。aは2≦a≦3で表わされる数字であ
る。
有機アルミニウム化合物の具体例としてはトリエチルア
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシ
ルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム、ジエチ
ルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウ
ムハイドライド等のジアルキルアルミニウムハイドライ
ド、ジエチルアルミニウムクロライド等のジアルキルア
ルミニウムハライド、トリアルキルアルミニウムとジア
ルキルアルミニウムハライドの混合物、テトラエチルジ
アルモキサン、テトラブチルジアルモキサン等のアルキ
ルアルモキサンが例示できる。
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシ
ルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム、ジエチ
ルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウ
ムハイドライド等のジアルキルアルミニウムハイドライ
ド、ジエチルアルミニウムクロライド等のジアルキルア
ルミニウムハライド、トリアルキルアルミニウムとジア
ルキルアルミニウムハライドの混合物、テトラエチルジ
アルモキサン、テトラブチルジアルモキサン等のアルキ
ルアルモキサンが例示できる。
これら有機アルミニウム化合物のうち、トリアルキルア
ルミニウム、トリアルキルアルミニウムとジアルキルア
ルミニウムハライドの混合物、アルキルアルモキサンが
好ましく、とりわけトリエチルアルミニウム、トリイソ
ブチルアルミニウム、トリエチルアルミニウムとジエチ
ルアルミニウムクロリドの混合物及びテトラエチルジア
ルモキサンが好ましい。
ルミニウム、トリアルキルアルミニウムとジアルキルア
ルミニウムハライドの混合物、アルキルアルモキサンが
好ましく、とりわけトリエチルアルミニウム、トリイソ
ブチルアルミニウム、トリエチルアルミニウムとジエチ
ルアルミニウムクロリドの混合物及びテトラエチルジア
ルモキサンが好ましい。
有機アルミニウム化合物の使用量は、固体触媒中のチタ
ン原子1モル当り1〜1000モルのごとく広範囲に選ぶこ
とができるが、特に5〜600モルの範囲が好ましい。
ン原子1モル当り1〜1000モルのごとく広範囲に選ぶこ
とができるが、特に5〜600モルの範囲が好ましい。
(I) オレフィンの重合方法 各触媒成分を重合槽に供給する方法としては、窒素、ア
ルゴン等の不活性ガス中で水分のない状態で供給する以
外は特に制限すべき条件はない。
ルゴン等の不活性ガス中で水分のない状態で供給する以
外は特に制限すべき条件はない。
固体触媒成分、有機アルミニウム化合物成分は個別に供
給してもいいし、予め接触させて供給してもよい。
給してもいいし、予め接触させて供給してもよい。
重合は−30〜200℃迄にわたって実施することができ
る。
る。
重合圧力に関しては特に制限はないが、工業的かつ経済
的であるという点で、3〜100気圧程度の圧力が望まし
い。重合法は連続式でバッチ式でもいずれも可能であ
る。又、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、オクタンの如き不活性炭化水素溶媒を用いたスラ
リー重合、無溶媒での液相重合又は気相重合も可能であ
る。
的であるという点で、3〜100気圧程度の圧力が望まし
い。重合法は連続式でバッチ式でもいずれも可能であ
る。又、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、オクタンの如き不活性炭化水素溶媒を用いたスラ
リー重合、無溶媒での液相重合又は気相重合も可能であ
る。
本発明に用いるオレフィンとしては、炭素数2〜20個、
好ましくは2〜10個で末端が不飽和であるオレフィン類
例えばエチレン、プロピレン、ブテン−1、4−メチル
ペンテン−1、ヘキセン−1、オクテン−1等が挙げら
れる。
好ましくは2〜10個で末端が不飽和であるオレフィン類
例えばエチレン、プロピレン、ブテン−1、4−メチル
ペンテン−1、ヘキセン−1、オクテン−1等が挙げら
れる。
又これらのオレフィン複数種の共重合、及びこれらのオ
レフィン類と好ましくは4〜20個の炭素原子を有するジ
オレフィン類との共重合を行うこともできる。ジオレフ
ィン類としては1,4−ヘキサジエン、1,7−オクタジエ
ン、ビニルシクロヘキセン、1,3−ジビニルシクロヘキ
セン、シクロペンタジエン、1,5−シクロオクタジエ
ン、ジシクロペンタジエン、ノルボルナジエン、5−ビ
ニルノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブタジエ
ン、イソプレン等が例示できる。
レフィン類と好ましくは4〜20個の炭素原子を有するジ
オレフィン類との共重合を行うこともできる。ジオレフ
ィン類としては1,4−ヘキサジエン、1,7−オクタジエ
ン、ビニルシクロヘキセン、1,3−ジビニルシクロヘキ
セン、シクロペンタジエン、1,5−シクロオクタジエ
ン、ジシクロペンタジエン、ノルボルナジエン、5−ビ
ニルノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブタジエ
ン、イソプレン等が例示できる。
本発明は、特にエチレンの単独重合体もしくは少なくと
も90モル%のエチレンを含有するエチレンと他のオレフ
ィン(特にプロピレン、ブテン−1,4−メチルペンテン
−1、ヘキセン−1、オクテン−1)との共重合体の製
造に有効に適用できる。
も90モル%のエチレンを含有するエチレンと他のオレフ
ィン(特にプロピレン、ブテン−1,4−メチルペンテン
−1、ヘキセン−1、オクテン−1)との共重合体の製
造に有効に適用できる。
又、重合を2段以上にして行うヘテロブロック共重合も
容易に行うことができる。
容易に行うことができる。
重合体の分子量を調節するために、水素等の連鎖移動剤
を添加することも可能である。
を添加することも可能である。
又、重合体の立体規則性、分子量分布を制御する目的で
重合系に公知の電子供与性化合物を添加することも可能
である。かかる電子供与性化合物として代表的な化合部
を例示すると、メタクリル酸メチル、トルイル酸メチル
等の有機カルボン酸エステル、トリフェニルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、テトラエトキシシラン、フェ
ニルトリエトキシシラン等のケイ酸エステル等である。
重合系に公知の電子供与性化合物を添加することも可能
である。かかる電子供与性化合物として代表的な化合部
を例示すると、メタクリル酸メチル、トルイル酸メチル
等の有機カルボン酸エステル、トリフェニルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、テトラエトキシシラン、フェ
ニルトリエトキシシラン等のケイ酸エステル等である。
<実施例> 以下、実施例及び比較例によって本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
実施例における重合体の性質は下記の方法によって測定
した。
した。
密度はJIS K−6760、嵩密度はJIS K−6721に従って
求めた。
求めた。
溶融流動性の尺度として流出量比(MFR)を採用した。M
FRはASTM 1238−57Tにおけるメルトインデックス(MI)
の測定法において、21.60kgの荷重をかけた時の流出量
と2.160kgの荷重をかけた時の流出量(MI)との比とし
て表わされる。
FRはASTM 1238−57Tにおけるメルトインデックス(MI)
の測定法において、21.60kgの荷重をかけた時の流出量
と2.160kgの荷重をかけた時の流出量(MI)との比とし
て表わされる。
一般に、重合体の分子量分布が広い程MFRの値が大きく
なることが知られている。
なることが知られている。
重合体粉末の粒度分布測定は次の方法により行った。即
ち、生成した重合体粉末を目開き0.125〜1.68mmのJIS標
準篩を用いて分級し、各篩上に残留するポリマーの重量
を計り、全ポリマー重量に対するその比率を求め少粒径
側から累積した。
ち、生成した重合体粉末を目開き0.125〜1.68mmのJIS標
準篩を用いて分級し、各篩上に残留するポリマーの重量
を計り、全ポリマー重量に対するその比率を求め少粒径
側から累積した。
実施例1 (1) 有機マグネシウム化合物の合成 撹拌機、還流冷却器、滴下ロート、温度計を備えた3
のフラスコにグリニヤール用削状マグネシウム96.0gを
入れ、系内をアルゴンで充分置換することにより、空気
及び湿気を除去した。滴下ロートにn−ブチルクロリド
360gとジ−n−ブチルエーテル1500mlを仕込み、フラス
コ内に約90ml滴下し反応を開始させた。反応開始後50℃
で約4時間にわたって敵下を続け、滴下終了後60℃で更
に1時間反応を続けた。その後反応溶液を室温に冷却
し、固形分を別した。
のフラスコにグリニヤール用削状マグネシウム96.0gを
入れ、系内をアルゴンで充分置換することにより、空気
及び湿気を除去した。滴下ロートにn−ブチルクロリド
360gとジ−n−ブチルエーテル1500mlを仕込み、フラス
コ内に約90ml滴下し反応を開始させた。反応開始後50℃
で約4時間にわたって敵下を続け、滴下終了後60℃で更
に1時間反応を続けた。その後反応溶液を室温に冷却
し、固形分を別した。
このジ−n−ブチルエーテル中のn−ブチルマグネシウ
ムクロリドを1規定硫酸で加水分解し、1規定水酸化ナ
トリウム水溶液で逆滴定して濃度を決定したところ(指
示薬としてフェノールフタレインを使用)、濃度は2.03
mol/であった。
ムクロリドを1規定硫酸で加水分解し、1規定水酸化ナ
トリウム水溶液で逆滴定して濃度を決定したところ(指
示薬としてフェノールフタレインを使用)、濃度は2.03
mol/であった。
(2) 反応混合物(I)、中間生成物(II)の合成 撹拌器、滴下ロートを備えた内容積3のフラスコをア
ルゴンで置換した後、富士デビソン化学(株)製シリカ
ゲル(ポリシメーター測定の結果、細孔半径75〜20,000
Å間における細孔容量(以後dvp(ml/g)と略す。)がd
vp=0.89ml/g、平均細孔半径350Åであった。)をアル
ゴン雰囲気下800℃で6時間か焼したもの200gと、n−
ブチルエーテル1000mlを投入し、撹拌下に(1)で合成
した有機マグネシウム化合物560mlをフラスコ内の温度
を80℃に保ちながら滴下ロートから1時間かけて滴下
し、更に同温度で1時間処理を行なった。その後n−ブ
チルエーテル1000mlで1回、n−ヘプタン1000mlで2回
洗浄を繰り返した後、減圧乾燥してシリカゲルの有機マ
グネシウム処理物2555gを得た。
ルゴンで置換した後、富士デビソン化学(株)製シリカ
ゲル(ポリシメーター測定の結果、細孔半径75〜20,000
Å間における細孔容量(以後dvp(ml/g)と略す。)がd
vp=0.89ml/g、平均細孔半径350Åであった。)をアル
ゴン雰囲気下800℃で6時間か焼したもの200gと、n−
ブチルエーテル1000mlを投入し、撹拌下に(1)で合成
した有機マグネシウム化合物560mlをフラスコ内の温度
を80℃に保ちながら滴下ロートから1時間かけて滴下
し、更に同温度で1時間処理を行なった。その後n−ブ
チルエーテル1000mlで1回、n−ヘプタン1000mlで2回
洗浄を繰り返した後、減圧乾燥してシリカゲルの有機マ
グネシウム処理物2555gを得た。
次に撹拌機、滴下ロートを備えた内容積800mlのフラス
コをアルゴンで置換した後、先に得られたシリカゲルの
有機マグネシウム処理物31.0gとn−ヘプタン120ml、Ti
(O−n−C4H9)4 1.3g(4.1mmol)、予め調製したZr
(O−n−C4H9)4のn−ヘプタン溶液11.3ml(Zr(O
−n−C4H9)4 19.0mmol)を添加し、20℃で10分間撹拌
した。更にSi(OC4H9)4 9.5g(25.0mmol)を20℃で15
分かけて滴下した後、20℃で20分間撹拌を続けると淡黄
色のスラリー溶液(反応混合物(I))が得られた。
コをアルゴンで置換した後、先に得られたシリカゲルの
有機マグネシウム処理物31.0gとn−ヘプタン120ml、Ti
(O−n−C4H9)4 1.3g(4.1mmol)、予め調製したZr
(O−n−C4H9)4のn−ヘプタン溶液11.3ml(Zr(O
−n−C4H9)4 19.0mmol)を添加し、20℃で10分間撹拌
した。更にSi(OC4H9)4 9.5g(25.0mmol)を20℃で15
分かけて滴下した後、20℃で20分間撹拌を続けると淡黄
色のスラリー溶液(反応混合物(I))が得られた。
この反応混合物(I)を5℃に冷却した後、温度を5℃
に保ちながら上記(I)で合成したn−C4H9MgClのジ−
n−ブチルエーテル溶液23.6ml(47.9mmol)を45分かけ
て滴下した。滴下にともなって反応液は茶色に変化し
た。滴下終了後、20℃で更に2時間反応を継続した後、
過により液相を除去し、n−ヘプタン120mlで5回洗
滌、過を繰返し、室温で減圧乾燥して茶色粉末(中間
生成物(II))29.9gを得た。この粉末を分析したとこ
ろTi 0.6%、Zr 5.3%、Mg 3.5%、Cl 5.3%、(n−C4
H9)2O 0.6%(いずれも重量%)を含有していた。
に保ちながら上記(I)で合成したn−C4H9MgClのジ−
n−ブチルエーテル溶液23.6ml(47.9mmol)を45分かけ
て滴下した。滴下にともなって反応液は茶色に変化し
た。滴下終了後、20℃で更に2時間反応を継続した後、
過により液相を除去し、n−ヘプタン120mlで5回洗
滌、過を繰返し、室温で減圧乾燥して茶色粉末(中間
生成物(II))29.9gを得た。この粉末を分析したとこ
ろTi 0.6%、Zr 5.3%、Mg 3.5%、Cl 5.3%、(n−C4
H9)2O 0.6%(いずれも重量%)を含有していた。
(3) 反応生成物(III)の合成 上記(2)で合成した中間生成物(II)10.0gを採取
し、これにn−ヘプタン100ml添加した後、撹拌下に室
温で酸素10%、窒素90%を含む乾燥気体を12l/hの割合
で2時間流通し反応させた。反応終了後、過により液
相を除去し、n−ヘプタン100mlで5回洗滌、過を繰
返し、室温で減圧乾燥して淡黄色粉末9.4gを得た。
し、これにn−ヘプタン100ml添加した後、撹拌下に室
温で酸素10%、窒素90%を含む乾燥気体を12l/hの割合
で2時間流通し反応させた。反応終了後、過により液
相を除去し、n−ヘプタン100mlで5回洗滌、過を繰
返し、室温で減圧乾燥して淡黄色粉末9.4gを得た。
(4) 固体触媒成分の合成 上記(3)で合成した反応生成物(III)8.5gを採取
し、これにn−ヘプタン25mlを添加した後、C2H5AlCl2
のn−ヘプタン溶液12.3ml(C2H5AlCl2 42.5mmol)を60
℃で30分かけて滴下し、滴下終了後65℃で1時間反応さ
せた。反応終了後過により液相を除去し、n−ヘプタ
ン50mlで5回洗滌、過を繰返し、室温で減圧乾燥して
茶色粉末7.9gを得た。この粉末を分析したところTi 0.5
%、Zr 5.5%、Mg 3.9、Cl 19.9%、Al 1.2%(いずれ
も重量%)を含有していた。
し、これにn−ヘプタン25mlを添加した後、C2H5AlCl2
のn−ヘプタン溶液12.3ml(C2H5AlCl2 42.5mmol)を60
℃で30分かけて滴下し、滴下終了後65℃で1時間反応さ
せた。反応終了後過により液相を除去し、n−ヘプタ
ン50mlで5回洗滌、過を繰返し、室温で減圧乾燥して
茶色粉末7.9gを得た。この粉末を分析したところTi 0.5
%、Zr 5.5%、Mg 3.9、Cl 19.9%、Al 1.2%(いずれ
も重量%)を含有していた。
この粉末の顕微鏡観察を行なったところほぼ球状であ
り、又粒度分布の狭いものであった。
り、又粒度分布の狭いものであった。
(5) エチレンの重合 1の電磁誘導撹拌機付オートクレーブを窒素で充分置
換した後、n−ヘプタン500ml、トリイソブチルアルミ
ニウム1.0mmolを加えた。70℃迄昇温した後、水素を全
圧が5kg/cm2になる迄加え、次にエチレンを全圧が15kg/
cm2になる迄加えた。上記(4)で合成した固定触媒成
分13.6mgを加えて重合を開始した。その後エチレンを連
続して供給しつつ全圧を一定に保ちながら70℃で1時間
重合を行なった。
換した後、n−ヘプタン500ml、トリイソブチルアルミ
ニウム1.0mmolを加えた。70℃迄昇温した後、水素を全
圧が5kg/cm2になる迄加え、次にエチレンを全圧が15kg/
cm2になる迄加えた。上記(4)で合成した固定触媒成
分13.6mgを加えて重合を開始した。その後エチレンを連
続して供給しつつ全圧を一定に保ちながら70℃で1時間
重合を行なった。
重合終了後、生成した重合体を過し60℃にて減圧乾燥
した。重合体の収量は31.7gであった。この場合の触媒
活性は42,400g重合体/g遷移金属、hrであった。この重
合体のMIは0.51g/10分、MFRは99、嵩密度は0.40g/cm3で
あり、重合体粉末の形状はほぼ球形で、表−1に示す様
に粒度分布の狭い流動性の良好なものであった。又、粒
子径125μm以下の微細粒子は0.4wt%とごく少量であっ
た。
した。重合体の収量は31.7gであった。この場合の触媒
活性は42,400g重合体/g遷移金属、hrであった。この重
合体のMIは0.51g/10分、MFRは99、嵩密度は0.40g/cm3で
あり、重合体粉末の形状はほぼ球形で、表−1に示す様
に粒度分布の狭い流動性の良好なものであった。又、粒
子径125μm以下の微細粒子は0.4wt%とごく少量であっ
た。
実施例2 実施例1のエチレンの重合において、トリイソブチルア
ルミニウムの代りにトリエチルアルミニウム1.0mmolお
よび固体触媒成分18.3mgを使用したこと以外は実施例1
(5)と同様に重合を行ない46.8gの重合体を得た。こ
の場合の触媒活性は46,500g重合体/g遷移金属、hrであ
った。この重合体のMIは0.52g/10分、MFRは65、嵩密度
は0.39g/m3であり、重合体粉末の形状はほぼ球形で、粒
度分布の狭い流動性の良好なものであった。
ルミニウムの代りにトリエチルアルミニウム1.0mmolお
よび固体触媒成分18.3mgを使用したこと以外は実施例1
(5)と同様に重合を行ない46.8gの重合体を得た。こ
の場合の触媒活性は46,500g重合体/g遷移金属、hrであ
った。この重合体のMIは0.52g/10分、MFRは65、嵩密度
は0.39g/m3であり、重合体粉末の形状はほぼ球形で、粒
度分布の狭い流動性の良好なものであった。
比較例1 固体触媒成分として実施例1(2)で合成した中間生成
物(III)45.3mgを使用したこと以外は実施例1(5)
と同様にエチレンの重合を行なったが痕跡量の重合体し
か得られなかった。
物(III)45.3mgを使用したこと以外は実施例1(5)
と同様にエチレンの重合を行なったが痕跡量の重合体し
か得られなかった。
比較例2 固体触媒成分として実施例1(3)で合成した反応生成
物(III)49.3mgを使用したこと以外は実施例1(5)
と同様にエチエンの重合を行なったが痕跡量の重合体し
か得られなかった。
物(III)49.3mgを使用したこと以外は実施例1(5)
と同様にエチエンの重合を行なったが痕跡量の重合体し
か得られなかった。
比較例3 (1) 固体触媒成分の合成 実施例1(2)で合成した中間生成物(II)7.0gを採取
し、実施例1(4)と同様の方法でC2H5AlCl2と反応さ
せて茶色粉末6.7gを得た。この粉末を分析したところTi
0.6重量%、Zr 5.4重量%含有していた。
し、実施例1(4)と同様の方法でC2H5AlCl2と反応さ
せて茶色粉末6.7gを得た。この粉末を分析したところTi
0.6重量%、Zr 5.4重量%含有していた。
(2) エチレンの重合 上記(1)で得た茶色粉末24.5mgを使用したこと以外は
実施例1(5)と同様にエチレンの重合を行ない39.2g
の重合体を得た。この場合の触媒活性は26,700g重合体/
g遷移金属、hrであり遷移金属当りの触媒活性が実施例
1に比べて劣るものであった。
実施例1(5)と同様にエチレンの重合を行ない39.2g
の重合体を得た。この場合の触媒活性は26,700g重合体/
g遷移金属、hrであり遷移金属当りの触媒活性が実施例
1に比べて劣るものであった。
比較例4 (1) 反応混合物(1)、中間生成物(II)の合成 Ti(O−n−C4H9)4 5.0g(14.6mmol)をn−ヘプタン
150mlに溶解させた。次に予め調製したZr(O−n−C4H
9)4のn−ヘプタン溶液43.6ml(Zr(O−n−C4H9)4
72.9mmol)を添加し、室温で10分間撹拌した。更にSi
(OC2H5)4 20.0g(90.0mmol)を室温で15分かけて滴下
した後、室温で20分間撹拌を続けると淡黄色の均一溶液
(反応混合物(I))が得られた。
150mlに溶解させた。次に予め調製したZr(O−n−C4H
9)4のn−ヘプタン溶液43.6ml(Zr(O−n−C4H9)4
72.9mmol)を添加し、室温で10分間撹拌した。更にSi
(OC2H5)4 20.0g(90.0mmol)を室温で15分かけて滴下
した後、室温で20分間撹拌を続けると淡黄色の均一溶液
(反応混合物(I))が得られた。
この反応混合物(I)を5℃に冷却した後、温度を5℃
に保ちながら実施例1(1)で合成したn−C4H9MgClの
ジn−ブチルエーテル溶液93.0ml(189mmol)を35分か
けて滴下した。滴下にともなって反応液は茶色に変化し
固体が生成した。滴下終了後、20℃でさらに2時間反応
を継続した後、過により液相を除去し、n−ヘプタン
350mlで5回洗滌、過を繰返し、室温で減圧乾燥して
茶色粉末(中間生成物(II))41.4gを得た。この粉末
を分析したところTi 1.8%、Zi 17.8%、Mg 11.6%、Cl
16.1%、(n−C4H9)2O 0.7%(いずれも重量%)を
含有していた。
に保ちながら実施例1(1)で合成したn−C4H9MgClの
ジn−ブチルエーテル溶液93.0ml(189mmol)を35分か
けて滴下した。滴下にともなって反応液は茶色に変化し
固体が生成した。滴下終了後、20℃でさらに2時間反応
を継続した後、過により液相を除去し、n−ヘプタン
350mlで5回洗滌、過を繰返し、室温で減圧乾燥して
茶色粉末(中間生成物(II))41.4gを得た。この粉末
を分析したところTi 1.8%、Zi 17.8%、Mg 11.6%、Cl
16.1%、(n−C4H9)2O 0.7%(いずれも重量%)を
含有していた。
(2) 反応生成物(III)の合成 上記(1)で合成した中間生成物10.0gを採取した以外
は実施例1(3)と同様の方法で酸化性化合物と反応さ
せて茶色粉末9.0gを得た。
は実施例1(3)と同様の方法で酸化性化合物と反応さ
せて茶色粉末9.0gを得た。
(3) 固体触媒成分の合成 上記(2)で合成した反応生成物(III)8.0gを採取
し、これにn−ヘプタン23mlを添加した後、C2H5AlCl2
のn−ヘプタン溶液46.2ml(C2H5AlCl2 80mmol)を60℃
で30分かけて滴下し、滴下終了後65℃で1時間反応させ
た。反応終了後過により液相を除去し、n−ヘプタン
50mlで5回洗滌、過を繰返し、室温で減圧乾燥して茶
色粉末4.8gを得た。
し、これにn−ヘプタン23mlを添加した後、C2H5AlCl2
のn−ヘプタン溶液46.2ml(C2H5AlCl2 80mmol)を60℃
で30分かけて滴下し、滴下終了後65℃で1時間反応させ
た。反応終了後過により液相を除去し、n−ヘプタン
50mlで5回洗滌、過を繰返し、室温で減圧乾燥して茶
色粉末4.8gを得た。
この粉末を分析したところTi 1.9%、Zr 18.2%、Mg 1
3.0%、C l61.9%、Al 3.3%(いずれも重量%)を含有
していた。
3.0%、C l61.9%、Al 3.3%(いずれも重量%)を含有
していた。
(4) エチレンの重合 上記(3)で合成した固体3.8mgを固体触媒成分として
使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの重合
を行い、35.0gの重合体を得た。この場合の触媒活性は4
5,600g重合体/g遷移金属、hrであった。この重合体の嵩
密度は0.36g/cm3であり、表−1に示す様に重合体粉末
の嵩密度、流動性の点で不満足なものであった。又、粒
子径125μm以下の微細粒子は5.2wt%あり実施例1に比
べて多かった。
使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの重合
を行い、35.0gの重合体を得た。この場合の触媒活性は4
5,600g重合体/g遷移金属、hrであった。この重合体の嵩
密度は0.36g/cm3であり、表−1に示す様に重合体粉末
の嵩密度、流動性の点で不満足なものであった。又、粒
子径125μm以下の微細粒子は5.2wt%あり実施例1に比
べて多かった。
比較例5 実施例1(2)の固体生成物の合成において、シリカゲ
ルとして富士デビソン化学(株)製スーパーマイクロビ
ーズシリカゲル4Bタイプ(dvp=0.15ml/g)を100℃で真
空乾燥したものを用いた以外は実施例1と同様な方法で
固体触媒成分を合成した。この粉末を分析したところTi
0.6%、Zr 5.5%(いずれも重量%)含有していた。
ルとして富士デビソン化学(株)製スーパーマイクロビ
ーズシリカゲル4Bタイプ(dvp=0.15ml/g)を100℃で真
空乾燥したものを用いた以外は実施例1と同様な方法で
固体触媒成分を合成した。この粉末を分析したところTi
0.6%、Zr 5.5%(いずれも重量%)含有していた。
上記固体30.2mgを固体触媒成分として使用した以外は実
施例1(5)と同様にエチレンの重合を行い、16.2gの
重合体を得た。この場合の触媒活性は8,800g重合体/g遷
移金属、hrであり遷移金属当りの触媒活性が劣るもので
あった。この重合体の嵩密度は0.35g/cm3であり、表−
1に示す様に重合体粉末の嵩密度、流動性の点で不満足
なものであった。又、粒子径125μm以下の微細粒子は
3.9wt%あり実施例1に比べて多かった。
施例1(5)と同様にエチレンの重合を行い、16.2gの
重合体を得た。この場合の触媒活性は8,800g重合体/g遷
移金属、hrであり遷移金属当りの触媒活性が劣るもので
あった。この重合体の嵩密度は0.35g/cm3であり、表−
1に示す様に重合体粉末の嵩密度、流動性の点で不満足
なものであった。又、粒子径125μm以下の微細粒子は
3.9wt%あり実施例1に比べて多かった。
比較例6 (1) 固体触媒成分の合成 実施例1(2)で得られたシリカゲルの有機マグネシウ
ム処理物19.8gとn−ヘプタン120ml、Ti(O−n−C
4H9)4 0.9g(2.6mmol)、予め調製したZr(O−n−C4
H9)4のn−ヘプタン溶液8.7ml(Zr(O−n−C4H9)4
14.6mmol)を添加し、20℃で30分間撹拌した。このス
ラリー溶液を5℃に冷却した後、温度を5℃に保ちなが
ら実施例1(1)で合成したn−C4H9MgClのジ−n−ブ
チルエーテル溶液13.0ml(26.3mmol)を40分かけて滴下
した。滴下にともなって反応液は茶色に変化した。滴下
終了後、20℃で更に2時間反応を継続した後、過によ
り液相を除去しn−ヘプタン120mlで5回洗浄、過を
繰返し、室温で減圧乾燥して茶色粉末23.0gを得た。次
にこの茶色粉末12.3gを採取し、これにn−ヘプタン130
mlを添加した後、実施例1(3)と同様の方法で酸化製
化合物と反応させて薄茶色粉末12.0gを得た。更にこの
粉末9.8gを採取し、実施例1(4)と同様な方法でC2H5
AlCl2と反応して茶色粉末9.1gを得た。この粉末を分析
したところTi 1.4重量%、Zr 7.3重量%を含有してい
た。
ム処理物19.8gとn−ヘプタン120ml、Ti(O−n−C
4H9)4 0.9g(2.6mmol)、予め調製したZr(O−n−C4
H9)4のn−ヘプタン溶液8.7ml(Zr(O−n−C4H9)4
14.6mmol)を添加し、20℃で30分間撹拌した。このス
ラリー溶液を5℃に冷却した後、温度を5℃に保ちなが
ら実施例1(1)で合成したn−C4H9MgClのジ−n−ブ
チルエーテル溶液13.0ml(26.3mmol)を40分かけて滴下
した。滴下にともなって反応液は茶色に変化した。滴下
終了後、20℃で更に2時間反応を継続した後、過によ
り液相を除去しn−ヘプタン120mlで5回洗浄、過を
繰返し、室温で減圧乾燥して茶色粉末23.0gを得た。次
にこの茶色粉末12.3gを採取し、これにn−ヘプタン130
mlを添加した後、実施例1(3)と同様の方法で酸化製
化合物と反応させて薄茶色粉末12.0gを得た。更にこの
粉末9.8gを採取し、実施例1(4)と同様な方法でC2H5
AlCl2と反応して茶色粉末9.1gを得た。この粉末を分析
したところTi 1.4重量%、Zr 7.3重量%を含有してい
た。
(2) エチレンの重合 上記(1)で合成した茶色粉末18.2mgを固体触媒成分と
して使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの
重量を行ない28.0gの重合体を得た。この場合の触媒活
性は17,700g重合体/g遷移金属、hrであり遷移金属当り
の接触活性が劣るものであった。
して使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの
重量を行ない28.0gの重合体を得た。この場合の触媒活
性は17,700g重合体/g遷移金属、hrであり遷移金属当り
の接触活性が劣るものであった。
又、この重合体のMIは0.38g/10分、MFRは58、嵩密度は
0.37g/cm3であり、表−1に示す様に重合体粉末の嵩密
度、流動性の点で不満足なものであった。又、125μm
以下の微細粒子は2.7wt%あり実施例1に比べて多かっ
た。
0.37g/cm3であり、表−1に示す様に重合体粉末の嵩密
度、流動性の点で不満足なものであった。又、125μm
以下の微細粒子は2.7wt%あり実施例1に比べて多かっ
た。
比較例7 (1) 固体触媒成分の合成 実施例1(2)で得られたシリカゲルの有機マグネシウ
ム処理物10.1gとn−ヘプタン60ml、Ti(O−n−C
4H9)4 0.5g(1.5mmol)、Si(OEt)4 2.0g(9.7mmol)
を添加し、20℃で30分間撹拌した。このスラリー溶液を
5℃に冷却した後、温度を5℃に保ちながら実施例1
(1)で合成したn−C4H9MgClのジn−ブチルエーテル
溶液18.2ml(37mmol)を40分かけて滴下した。滴下にと
もなって反応液は茶色に変化した。滴下終了後20℃で更
に2時間反応を継続した後過により液相を除去し、n
−ヘプタン120mlで5回洗浄、過を繰返し、室温で減
圧乾燥して茶色粉末14.8gを得た。次にこの茶色粉末10.
0gを採取し、実施例1(3)と同様に酸化性化合物と反
応して薄茶色粉末9.8gを得た。更にこの薄茶色粉末7.2g
を実施例1(4)と同様の方法でC2H5AlCl2と反応させ
て茶色粉末6.8gを得た。この粉末を分析したところTi
2.2重量%を含有していた。
ム処理物10.1gとn−ヘプタン60ml、Ti(O−n−C
4H9)4 0.5g(1.5mmol)、Si(OEt)4 2.0g(9.7mmol)
を添加し、20℃で30分間撹拌した。このスラリー溶液を
5℃に冷却した後、温度を5℃に保ちながら実施例1
(1)で合成したn−C4H9MgClのジn−ブチルエーテル
溶液18.2ml(37mmol)を40分かけて滴下した。滴下にと
もなって反応液は茶色に変化した。滴下終了後20℃で更
に2時間反応を継続した後過により液相を除去し、n
−ヘプタン120mlで5回洗浄、過を繰返し、室温で減
圧乾燥して茶色粉末14.8gを得た。次にこの茶色粉末10.
0gを採取し、実施例1(3)と同様に酸化性化合物と反
応して薄茶色粉末9.8gを得た。更にこの薄茶色粉末7.2g
を実施例1(4)と同様の方法でC2H5AlCl2と反応させ
て茶色粉末6.8gを得た。この粉末を分析したところTi
2.2重量%を含有していた。
(2) エチレンの重合 上記(1)で合成した茶色粉末8.2mgを固体触媒成分と
して使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの
重合を行い25.4gの重合体を得た。この場合の触媒活性
は118,000g重合体/g遷移金属、hrであった。
して使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの
重合を行い25.4gの重合体を得た。この場合の触媒活性
は118,000g重合体/g遷移金属、hrであった。
又この重合体のMIは8.5g/10分、MFRは32、嵩密度は0.36
g/cm3でありMFRが小さい点で不満足であった。
g/cm3でありMFRが小さい点で不満足であった。
比較例8 (1) 固体触媒成分の合成 実施例1(2)で得られたシリカゲルの有機マグネシウ
ム処理物11.2gとn−ヘプタン60ml、予め調製したZr
(O−n−C4H9)4のn−ヘプタン溶液4.5ml(Zr(O
−n−C4H9)4 7.8mmol)、Si(OEt)4 2.0g(9.7mmo
l)を添加し20℃で30分間撹拌した。このスラリー溶液
を5℃に冷却した後、温度を5℃に保ちながら実施例1
(1)で合成したn−C4H9MgClのジ−n−ブチルエーテ
ル溶液18.2ml(37mmol)を40分かけて滴下した。滴下に
ともなって反応液は茶色に変化した。滴下終了後20℃で
更に2時間反応を継続した後、過により液相を除去し
n−ヘプタン120mlで5回洗浄、過を繰返し、室温で
減圧乾燥して茶色粉末18.9gを得た。次にこの茶色粉末1
1.1gを採取し、実施例1(3)と同様の方法で酸化性化
合物と反応して薄茶色粉末11.0gを得た。更にこの薄茶
色粉末10,0gを実施例1(4)と同様の方法でC2H5AlCl2
と反応させて茶色粉末9.1gを得た。この粉末を分析した
ところZr 7.8重量%を含有していた。
ム処理物11.2gとn−ヘプタン60ml、予め調製したZr
(O−n−C4H9)4のn−ヘプタン溶液4.5ml(Zr(O
−n−C4H9)4 7.8mmol)、Si(OEt)4 2.0g(9.7mmo
l)を添加し20℃で30分間撹拌した。このスラリー溶液
を5℃に冷却した後、温度を5℃に保ちながら実施例1
(1)で合成したn−C4H9MgClのジ−n−ブチルエーテ
ル溶液18.2ml(37mmol)を40分かけて滴下した。滴下に
ともなって反応液は茶色に変化した。滴下終了後20℃で
更に2時間反応を継続した後、過により液相を除去し
n−ヘプタン120mlで5回洗浄、過を繰返し、室温で
減圧乾燥して茶色粉末18.9gを得た。次にこの茶色粉末1
1.1gを採取し、実施例1(3)と同様の方法で酸化性化
合物と反応して薄茶色粉末11.0gを得た。更にこの薄茶
色粉末10,0gを実施例1(4)と同様の方法でC2H5AlCl2
と反応させて茶色粉末9.1gを得た。この粉末を分析した
ところZr 7.8重量%を含有していた。
(2) エチレンの重合 上記(1)で合成した茶色粉末38.4mgを固体触媒成分と
して使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの
重合を行ない27.3gの重合体を得た。この場合の触媒活
性は9,100g重合体/g遷移金属、hrであり遷移金属当りの
触媒活性が劣るものであった。
して使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの
重合を行ない27.3gの重合体を得た。この場合の触媒活
性は9,100g重合体/g遷移金属、hrであり遷移金属当りの
触媒活性が劣るものであった。
又、この重合体のMIは0.05g/10分、MFRは73、嵩密度は
0.38g/cm3であった。
0.38g/cm3であった。
実施例3 1の電磁誘電撹拌機付オートクレーブを窒素で充分置
換した後、ブタン200g、トリイソブチルアルミニウム10
mmol、ブテン−1、50gを加えた。65℃迄昇温した後、
水素を全圧が5kg/cm2になる迄加え、次にエチレンを全
圧が15kg/cm2になる迄加えた。実施例1(5)で合成し
た固体触媒成分11.3mgを加えて重合を開始した。その後
エチレンを連続して供給しつつ全圧を一定に保ちながら
65℃で1時間エチレンとブテン−1の共重合を行なっ
た。重合終了後、生成した重合体を過し、60℃で減圧
乾燥した。重合体の収量は29.4gであった。この場合の
触媒活性は47,300g重合体/g遷移金属、hrであった。こ
の共重合体中には炭素数1000個当り16.4個のエチル基が
存在しており、密度は0.928g/cm3、MIは0.48g/10分、MF
Rは81、嵩密度は0.39g/cm3であり、重合体粉末の形状は
ほぼ球形で粒度分布の狭い流動性良好なものであった。
換した後、ブタン200g、トリイソブチルアルミニウム10
mmol、ブテン−1、50gを加えた。65℃迄昇温した後、
水素を全圧が5kg/cm2になる迄加え、次にエチレンを全
圧が15kg/cm2になる迄加えた。実施例1(5)で合成し
た固体触媒成分11.3mgを加えて重合を開始した。その後
エチレンを連続して供給しつつ全圧を一定に保ちながら
65℃で1時間エチレンとブテン−1の共重合を行なっ
た。重合終了後、生成した重合体を過し、60℃で減圧
乾燥した。重合体の収量は29.4gであった。この場合の
触媒活性は47,300g重合体/g遷移金属、hrであった。こ
の共重合体中には炭素数1000個当り16.4個のエチル基が
存在しており、密度は0.928g/cm3、MIは0.48g/10分、MF
Rは81、嵩密度は0.39g/cm3であり、重合体粉末の形状は
ほぼ球形で粒度分布の狭い流動性良好なものであった。
実施例4 (1) 固体触媒成分の合成 シリカゲルとして富士デビソン化学(株)製952グレー
ドシリカゲル(dvp=0.94ml/g)を800℃で6時間か焼し
たもの30.0gとn−ヘプタン120ml、Ti(O−n−C4H9)
4 1.4g(4mmol)、Zr(O−n−C4H9)4のn−ヘプタン
溶液11.4ml(Zr(O−n−C4H9)4 19mmol)を添加し、20℃で10分間撹拌した。更にSi(OE
t)4 5.2g(25mmol)を20℃で15分かけて滴下した後、2
0℃で20分間撹拌を続けた。次に温度を5℃に保ちなが
らMg(n−C6H13)2のn−ヘプタン溶液64ml(48mmo
l)を45分かけて滴下した。滴下終了後、20℃で更に2
時間反応を継続した後、過により液相を除去しn−ヘ
プタン150mlで5回洗浄、過を繰返し、室温で減圧乾
燥して茶色粉末38.5gを得た。この粉末20gを採取し、こ
れに直接乾燥酸素ガスを流した。室温下に10/hrの割
合で2時間反応した。反応終了後、n−ヘプタン100ml
で5回洗浄、過を繰返し、室温で減圧乾燥して淡黄色
粉末16.5gを得た。この粉末14.3gを採取し、これにn−
ヘプタン23mlを添加した後、C2H5AlCl2のn−ヘプタン
溶液20.6ml(C2H5AlCl2 71.5mmol)を60℃で30分かけて
滴下し、滴下終了後65℃で1時間反応させた。反応終了
後、過により液相を除去しn−ヘプタン50mlで5回洗
浄、過を繰返し、室温で減圧乾燥して茶色粉末12.9g
を得た。この粉末を分析したところ、Ti 3.0重量%、Zr
5.1重量%を含有していた。
ドシリカゲル(dvp=0.94ml/g)を800℃で6時間か焼し
たもの30.0gとn−ヘプタン120ml、Ti(O−n−C4H9)
4 1.4g(4mmol)、Zr(O−n−C4H9)4のn−ヘプタン
溶液11.4ml(Zr(O−n−C4H9)4 19mmol)を添加し、20℃で10分間撹拌した。更にSi(OE
t)4 5.2g(25mmol)を20℃で15分かけて滴下した後、2
0℃で20分間撹拌を続けた。次に温度を5℃に保ちなが
らMg(n−C6H13)2のn−ヘプタン溶液64ml(48mmo
l)を45分かけて滴下した。滴下終了後、20℃で更に2
時間反応を継続した後、過により液相を除去しn−ヘ
プタン150mlで5回洗浄、過を繰返し、室温で減圧乾
燥して茶色粉末38.5gを得た。この粉末20gを採取し、こ
れに直接乾燥酸素ガスを流した。室温下に10/hrの割
合で2時間反応した。反応終了後、n−ヘプタン100ml
で5回洗浄、過を繰返し、室温で減圧乾燥して淡黄色
粉末16.5gを得た。この粉末14.3gを採取し、これにn−
ヘプタン23mlを添加した後、C2H5AlCl2のn−ヘプタン
溶液20.6ml(C2H5AlCl2 71.5mmol)を60℃で30分かけて
滴下し、滴下終了後65℃で1時間反応させた。反応終了
後、過により液相を除去しn−ヘプタン50mlで5回洗
浄、過を繰返し、室温で減圧乾燥して茶色粉末12.9g
を得た。この粉末を分析したところ、Ti 3.0重量%、Zr
5.1重量%を含有していた。
(2) エチレンの重合 上記(1)で合成した固体11.8mgを固体触媒成分として
使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの重合
を行ない、22.8gの重合体を得た。この場合の触媒活性
は33,900g重合体/g遷移金属、hrであった。この重合体
のMIは0.80g/10分、MFRは70であり、嵩密度は0.40g/cm3
であり粒度分布の狭い流動性良好なものであった。
使用した以外は実施例1(5)と同様にエチレンの重合
を行ない、22.8gの重合体を得た。この場合の触媒活性
は33,900g重合体/g遷移金属、hrであった。この重合体
のMIは0.80g/10分、MFRは70であり、嵩密度は0.40g/cm3
であり粒度分布の狭い流動性良好なものであった。
実施例5〜10 種々の化合物を用いて実施例1と同様の方法により固体
触媒成分の合成とエチレンの重合を行なった。固体触媒
成分の合成条件を表−2に、エチレンの重合結果を表−
3に示す。
触媒成分の合成とエチレンの重合を行なった。固体触媒
成分の合成条件を表−2に、エチレンの重合結果を表−
3に示す。
実施例11 実施例1(2)の反応混合物の合成において、多孔質担
体として、スチレン−ジビニルエンゼン共重合体(dvp
=1.05ml/g,平均細孔半径370Å,平均粒子径31μm)を
80℃で5時間減圧乾燥したものを、シリカゲルの代わり
に用いた以外は、実施例1の(1)〜(4)と同様に固
体触媒成分を合成した。得られた茶色粉末を分析したと
ころ、TiおよびZrの含有量は、それぞれ、0.6重量%お
よび5.4重量%であった。この粉末は、ほぼ球形であ
り、又、粒度分布の狭いものであった。
体として、スチレン−ジビニルエンゼン共重合体(dvp
=1.05ml/g,平均細孔半径370Å,平均粒子径31μm)を
80℃で5時間減圧乾燥したものを、シリカゲルの代わり
に用いた以外は、実施例1の(1)〜(4)と同様に固
体触媒成分を合成した。得られた茶色粉末を分析したと
ころ、TiおよびZrの含有量は、それぞれ、0.6重量%お
よび5.4重量%であった。この粉末は、ほぼ球形であ
り、又、粒度分布の狭いものであった。
上記粉末18.3mgを固体触媒成分として使用した以外は、
実施例1(5)と同様に、エチレンの重合を行い、38.3
gの重合体を得た。この場合の触媒活性は、35,000g重合
体/g遷移金属,hrであった。この重合体のMIは、0.42g/1
0分、MFRは79であり、嵩密度は0.42g/cm3であり、粒度
分布の狭い流動性良好なものであった。又、粒度径125
μm以下の微細粒子は0.2重量%であった。
実施例1(5)と同様に、エチレンの重合を行い、38.3
gの重合体を得た。この場合の触媒活性は、35,000g重合
体/g遷移金属,hrであった。この重合体のMIは、0.42g/1
0分、MFRは79であり、嵩密度は0.42g/cm3であり、粒度
分布の狭い流動性良好なものであった。又、粒度径125
μm以下の微細粒子は0.2重量%であった。
<発明の効果> 本発明のオルフィンの重合方法では、遷移金属当りの触
媒活性が高いことにより、生成する重合体中の触媒残存
量が少なく、触媒除去工程を省略できる。又、重合時に
重合槽への付着が少なく、スラリー重合もしくは気相重
合を行なった場合には粒度分布が狭く、ほぼ球形もしく
は長球形の嵩密度が高く流動性良好な重合体粉末を与え
るので、ペレット化工程の省略も可能となり、重合の効
率、操業性が極めて優れている。又、固体触媒成分の製
造に用いる各成分の種類、使用量の選択等により生成す
る重合体の分子量分布を制御できるため、射出成形、回
転成形、押出成形、フィルム成形、中空成形等広範な用
途に適する重合体を製造することができる。
媒活性が高いことにより、生成する重合体中の触媒残存
量が少なく、触媒除去工程を省略できる。又、重合時に
重合槽への付着が少なく、スラリー重合もしくは気相重
合を行なった場合には粒度分布が狭く、ほぼ球形もしく
は長球形の嵩密度が高く流動性良好な重合体粉末を与え
るので、ペレット化工程の省略も可能となり、重合の効
率、操業性が極めて優れている。又、固体触媒成分の製
造に用いる各成分の種類、使用量の選択等により生成す
る重合体の分子量分布を制御できるため、射出成形、回
転成形、押出成形、フィルム成形、中空成形等広範な用
途に適する重合体を製造することができる。
第1図は、本発明の理解を助けるためのフローチャート
図である。本フローチャート図は本発明の実施態様の代
表例であり、本発明は、何らこれに限定されるものでは
ない。
図である。本フローチャート図は本発明の実施態様の代
表例であり、本発明は、何らこれに限定されるものでは
ない。
Claims (2)
- 【請求項1】(A)平均粒子径が10〜200μmで、か
つ細孔半径75〜200,000Åにおける細孔容量が0.3ml/g以
上のシリカゲル、アルミナ、シリカアルミナ、マグネシ
ア、ジルコニア、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体からな
る群から選ばれる単独又は2種以上の多孔質単体の存在
下に、 (B)Si−O結合を有する有機ケイ素化合物と、 (C)一般式Ti(OR1)lX4-l(式中、R1は炭素原子1〜
20個を含有する炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を
示し、lは0<l≦4の数字を示す。)で表わされるチ
タン化合物と、 (D)一般式Zr(OR2)mX4-m式中、R2は炭素原子1〜20
個を含有する炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示
し、mは0<m≦4の数字を示す。)で表わされるジル
コニウム化合物、及び/又は一般式Hf(OR3)nX4-n式
中、R3は炭素原子1〜20個を含有する炭化水素基を示
し、Xはハロゲン原子を示し、nは0<n≦4の数字を
示す。)で表わされるハフニウム化合物とを反応させて
反応混合物(I)を得、 次に、該反応混合物(I)に(E)有機マグネシウム
化合物又は有機マグネシウム化合物と有機金属化合物と
の炭化水素可溶性錯体を反応させて中間生成物(II)を
得、 次に、該中間生成物(II)と(F)酸素を反応させて
反応生成物(III)を得、 次に、該反応生成物(III)と(G)一般式R4cAlX3-c
(式中、R4は炭素原子1〜20個を含有する炭素原子基を
示し、cは0<c<3の数字を示す。)で表わされる有
機ハロゲン化アルミニウム化合物とを接触させて得られ
る固体触媒成分、及び - 【請求項2】(H)有機アルミニウム化合物 を組合せてなる触媒系の存在下にオレフィンを重合又は
共重合することを特徴とするオレフィンの重合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5087987A JPH0678386B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | オレフィンの重合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5087987A JPH0678386B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | オレフィンの重合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215703A JPS63215703A (ja) | 1988-09-08 |
| JPH0678386B2 true JPH0678386B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=12871010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5087987A Expired - Lifetime JPH0678386B2 (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | オレフィンの重合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678386B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP5087987A patent/JPH0678386B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63215703A (ja) | 1988-09-08 |
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