JPH0679717A - 半導体ウエハのスライシング方法及びその装置 - Google Patents

半導体ウエハのスライシング方法及びその装置

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JPH0679717A
JPH0679717A JP4295313A JP29531392A JPH0679717A JP H0679717 A JPH0679717 A JP H0679717A JP 4295313 A JP4295313 A JP 4295313A JP 29531392 A JP29531392 A JP 29531392A JP H0679717 A JPH0679717 A JP H0679717A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 ブレードの有効刃渡りを半導体材料の径より
も小さくでき、且つ半導体ウエハの中心部に切断残り部
を残さない。 【構成】 内周刃１０は、矢印Ａ方向に回転可能に取り
付けられて移動架台１６に保持される。移動架台１６
は、レール１８、１８に沿って矢印Ｂ方向に移動可能で
ある。内周刃１０の内周部には、ワーク２２が配置さ
れ、ワーク２２はモータ２５によってその軸芯を中心に
揺動される。モータ２５は梁部材２３に固定される。内
周刃１０を矢印Ａ方向に回転させた後、移動架台１６を
矢印Ｂ方向に送り、内周刃１０にワーク２２を押し付け
て、ワーク２２を所定量切断する。次に、移動架台１６
を停止させると共に、モータ２５を駆動してワーク２２
をその軸芯を中心に所定量揺動し、残りの部分を切断す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハのスライシ
ング方法及びその装置に係り、特に内周刃型スライシン
グマシンによる半導体ウエハのスライシング方法及びそ
の装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハのような薄状片
は、円柱状の半導体材料（以下、「ワーク」と称する）
を薄い切断刃でスライスして製造される。このような切
断刃には、ドーナツ状に形成されたブレードの内周縁に
ダイヤモンド砥粒を電着して成る内周刃がよく用いられ
る。この内周刃は、ワークを精度良く薄片状にスライス
する為にブレードの外周側がブレード保持装置で所定の
張力により張り上げられている。
【０００３】従来、前記内周刃による半導体ウエハのス
ライシング方法として、図２９に示すように、ブレード
２を矢印Ａ方向に回転させながら、ワーク１を矢印Ｂ方
向に送って前記ワーク１を内周刃３で切断する方法があ
る。しかし、このスライシング方法では、ブレード４の
内径をＤ1 、外径をＤ2 とした場合のブレード２の内外
径間の径差〔（Ｄ2 −Ｄ1 ）／２〕（以下、「有効刃わ
たり」と称する）を、ワーク１の径Ｄよりも大きくしな
ければならない。
【０００４】前記ブレード２は、圧延された帯状薄板を
プレス打抜きして形成されるものであり、ブレード２は
外観的には円形の為に方向性はないが、内在的には圧延
方向とこれに直交する方向とに抗張力の差が生じてい
る。この為、ブレード２径が大きくなるとブレード２の
張力調整が困難となる。従って、前記方法では、ワーク
１の大口径化に伴いブレード４の内外径が大きくなるこ
とにより、ブレード４の剛性が低下して半導体エウハの
加工精度が低下すると共に、ブレードの張力調整が極め
て困難になるという欠点がある。
【０００５】そこで、このような不具合を解消する半導
体ウエハのスライシング方法として、図３０に示す方法
が従来から提案されている。このスライシング方法は、
ワーク１自身を矢印Ｃ方向に回転させると共に、ブレー
ド４を矢印Ｄ方向に回転させながら矢印Ｅ方向に送って
ワーク１を切断するものである。この方法によれば、ワ
ーク１を回転しながら切断することができるので、ブレ
ード４の有効刃渡りをワーク径の１／２にできる。従っ
て、ブレード４を図１３に示したブレード２よりも小型
化できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３０
に示した従来の半導体ウエハのスライシング方法では、
切断された半導体ウエハの中心部にへそ状の突起物（切
断残り部）が残るという欠点がある。本発明はこのよう
な事情に鑑みてなされたもので、ブレードの有効刃渡り
を半導体材料の径よりも小さくでき、且つ半導体ウエハ
の中心部に切断残り部を残さない半導体ウエハのスライ
シング方法及びその装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本願第１発明は、前記目的
を達成する為に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
ウエハのスライシング方法に於いて、前記内周刃又は半
導体材料を相対的に近づく方向に所定量移動した後、前
記半導体材料をその軸芯を中心に所定量両方向に揺動し
て半導体ウエハを製造することを特徴としている。
【０００８】本願第２発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング方法に於いて、前記内周刃又は半導体材料を相
対的に近づく方向に所定量移動した後、前記半導体材料
をその軸芯を中心に所定量両方向に揺動し、前記内周刃
又は半導体材料の移動と、前記半導体材料の揺動とを交
互に繰り返して半導体ウエハを製造することを特徴とし
ている。
【０００９】本願第３発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング方法に於いて、前記半導体材料を、該半導体材
料の進行方向に対して斜行移動させて半導体ウエハを製
造することを特徴としている。
【００１０】本願第４発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記内周刃又は半導体材料を相
対的に近づく方向に移動させる移動手段と、半導体材料
をその軸芯を中心に揺動させる揺動手段と、前記移動手
段と揺動手段とを駆動制御する制御手段と、を備えたこ
とを特徴としている。
【００１１】本願第５発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記内周刃の両側に配設された
一対の平行なレールと、前記一対のレールに沿ってそれ
ぞれ走行移動可能な第１及び第２のスライダと、その一
端部が前記第１のスライダに回動自在に支持され、その
他端部が前記第２のスライダに摺動自在に取り付けられ
て、第１及び第２のスライダを移動することにより前記
内周刃の平面上で揺動可能なアームであって、その略中
央部に前記半導体材料が前記内周刃に向けて垂下して固
定されたアームと、前記第１及び第２のスライダ台車を
駆動制御する制御部と、を備えたことを特徴としてい
る。
【００１２】本願第６発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記内周刃の両側でＸ方向に配
設された一対の平行なレールと、前記一対のレール間で
Ｙ方向に架け渡されて、その両端部が一対のレールにス
ライド移動自在に取り付けられ、駆動されることにより
前記内周刃の平面上でＸ方向に移動可能なアームと、ア
ームに沿って移動可能であって、前記半導体材料が前記
内周刃に向けて垂下して固定されたスライド部材と、前
記アームとスライド部材とを駆動制御する制御部と、を
備えたことを特徴としている。
【００１３】本願第７発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング方法に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させて、前記内周刃又は半導
体材料を相対的に近づく方向に所定量移動しながら、前
記半導体材料の切断面の中心を通り前記ブレード面に直
交する軸を揺動支点として半導体材料を揺動して半導体
ウエハを製造することを特徴としている。
【００１４】本願第８発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング方法に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させて、前記内周刃又は半導
体材料を相対的に近づく方向に所定量移動しながら、前
記半導体材料の切断面の中心から所定量オフセットした
位置を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点とし
て半導体材料を揺動して半導体ウエハを製造することを
特徴としている。
【００１５】本願第９発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング方法に於いて、前記内周刃又は半導体材料を相
対的に近づく方向に所定量移動した後、（１）前記半導
体材料をその軸芯を中心に一方側に所定角度揺動し、内
周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間切断動作をさせ
た後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止し、この切断動
作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返した後、（２）
前記半導体材料をその軸芯を中心に他方側に所定角度揺
動し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ 1 の間切断動
作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止し、こ
の切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返して行
い、以下、前記（１）、（２）の操作を繰り返して半導
体ウエハを製造することを特徴としている。
【００１６】本願第１０発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング方法に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させて、内周刃又は半導体材
料を相対的に近づく方向に所定量移動した後、（１）前
記半導体材料の切断面の中心を通り前記ブレード面に直
交する軸を揺動支点として半導体材料を一方側に所定角
度揺動し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間切
断動作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止
し、この切断動作と切断停止を所定時間Ｔ 3 の間繰り返
した後、（２）半導体材料を前記揺動支点を中心に他方
側に所定角度揺動し、内周刃又は半導体材料を所定時間
Ｔ1 の間切断動作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操
作を停止し、この切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の
間繰り返して行い、以下、前記（１）、（２）の操作を
繰り返して半導体ウエハを製造することを特徴としてい
る。
【００１７】本願第１１発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング方法に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させて、前記内周刃又は半導
体材料を相対的に近づく方向に所定量移動した後、
（１）前記半導体材料の切断面の中心から所定量オフセ
ットされた位置を通り前記ブレード面に直交する軸を揺
動支点として半導体材料を一方側に所定角度揺動し、内
周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間切断動作をさせ
た後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止し、この切断動
作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返した後、（２）
半導体材料を前記揺動支点を中心に他方側に所定角度揺
動し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間切断動
作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止し、こ
の切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返して行
い、以下、前記（１）、（２）の操作を繰り返して半導
体ウエハを製造することを特徴としている。
【００１８】本願第１２発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング方法に於いて、前記内周刃又は半導体材料を相
対的に近づく方向に所定量移動し、内周刃に半導体材料
を押し付けて半導体ウエハ部分を切断した後、前記半導
体材料をその軸芯を中心に所定量両方向に揺動して半導
体材料のスライスベースを切断し、半導体ウエハを製造
することを特徴としている。
【００１９】本願第１３発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記内周刃又は半導体材料を相
対的に近づく方向に断続的に移動させる移動手段と、半
導体材料をその軸芯を中心に一方側で所定角度、及び他
方側で所定角度、交互に揺動させる揺動手段と、前記移
動手段と揺動手段とを駆動制御する制御手段と、を備え
たことを特徴としている。
【００２０】本願第１４発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させるチルチング手段と、前
記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動さ
せる移動手段と、半導体材料の切断面の中心を通り前記
ブレード面に直交する軸を揺動支点として揺動させる揺
動手段と、を備えたことを特徴としている。
【００２１】本願第１５発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させるチルチング手段と、前
記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続的
に移動させる移動手段と、半導体材料の切断面の中心を
通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として一方
側で所定角度、及び他方側で所定角度、交互に半導体材
料を揺動させる揺動手段と、を備えたことを特徴として
いる。
【００２２】本願第１６発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させるチルチング手段と、前
記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動さ
せる移動手段と、半導体材料の切断面の中心から所定量
オフセットした位置を通り前記ブレード面に直交する軸
を揺動支点として揺動させる揺動手段と、を備えたこと
を特徴としている。
【００２３】本願第１７発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させるチルチング手段と、前
記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続的
に移動させる移動手段と、半導体材料の切断面の中心か
ら所定量オフセットした位置を通り前記ブレード面に直
交する軸を揺動支点として一方側で所定角度、及び他方
側で所定角度、交互に半導体材料を揺動させる揺動手段
と、を備えたことを特徴としている。
【００２４】本願第１８発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記内周刃又は半導体材料を相
対的に近づく方向に断続的に移動させる移動手段と、半
導体材料をその軸芯を中心に一方側で所定角度、及び他
方側で所定角度、交互に揺動させる揺動手段と、切断中
の半導体ウエハ、又は切断後の半導体ウエハの平面を研
削する研削手段と、を備えたことを特徴としている。
【００２５】本願第１９発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させるチルチング手段と、前
記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動さ
せる移動手段と、半導体材料の切断面の中心を通り前記
ブレード面に直交する軸を揺動支点として揺動させる揺
動手段と、切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体
ウエハの平面を研削する研削手段と、を備えたことを特
徴としている。
【００２６】本願第２０発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させるチルチング手段と、前
記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続的
に移動させる移動手段と、半導体材料の切断面の中心を
通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として一方
側で所定角度、及び他方側で所定角度、交互に半導体材
料を揺動させる揺動手段と、切断中の半導体ウエハ、又
は切断後の半導体ウエハの平面を研削する研削手段と、
を備えたことを特徴としている。
【００２７】本願第２１発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させるチルチング手段と、前
記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動さ
せる移動手段と、半導体材料の切断面の中心から所定量
オフセットした位置を通り前記ブレード面に直交する軸
を揺動支点として揺動させる揺動手段と、切断中の半導
体ウエハ、又は切断後の半導体ウエハの平面を研削する
研削手段と、を備えたことを特徴としている。
【００２８】本願第２２発明は、前記目的を達成する為
に、ドーナツ状のブレードの内周縁に形成された内周刃
を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半導体材料を
押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウエハのスラ
イシング装置に於いて、前記半導体材料を前記ブレード
の面に対して所定角度傾斜させるチルチング手段と、前
記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続的
に移動させる移動手段と、半導体材料の切断面の中心か
ら所定量オフセットした位置を通り前記ブレード面に直
交する軸を揺動支点として一方側で所定角度、及び他方
側で所定角度、交互に半導体材料を揺動させる揺動手段
と、切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体ウエハ
の平面を研削する研削手段と、を備えたことを特徴とし
ている。
【００２９】
【作用】本発明に係る半導体ウエハのスライシング方法
の第１の発明によれば、回転している内周刃に半導体材
料を押し付けて、内周刃又は半導体材料を相対的に近づ
く方向に所定量移動し、半導体材料を所定量切断する。
そして、半導体材料をその軸芯を中心に所定量揺動して
残りの部分を切断する。
【００３０】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。本発明
に係る半導体ウエハのスライシング方法の第２の発明に
よれば、回転している内周刃に半導体材料を押し付け
て、内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に所定
量移動し、半導体材料を所定量切断する。そして、半導
体材料をその軸芯を中心に所定量揺動して所定量切断す
る。そして、前記前記内周刃又は半導体材料の移動と、
前記半導体材料の揺動とを交互に繰り返して残りを切断
する。
【００３１】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。本発明
に係る半導体ウエハのスライシング方法の第３の発明に
よれば、半導体材料を進行方向に対して斜行方向に移動
させて切断する。これにより、ブレードの有効刃渡りを
半導体材料の径よりも小さくできる。また、切断された
半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。
【００３２】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第１の発明によれば、制御手段で移動手段を駆動
制御して、内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向
に移動させて半導体材料を所定量切断する。そして、前
記制御手段で揺動手段を駆動制御して、半導体材料をそ
の軸芯を中心に揺動させて残りの部分を切断する。これ
により、ブレードの有効刃渡りを半導体材料の径よりも
小さくできる。また、切断された半導体ウエハの中心部
には、切断残り部が残らない。
【００３３】また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触
で検知するセンサと、センサで検知した変位量に基づい
てその変位を修正するエアーパッドと、を設けることに
より内周刃の反りコントロールを行うことができる。本
発明に係る半導体ウエハのスライシング装置の第２の発
明によれば、制御部で第１及若しくは第２のスライダを
駆動制御してアームを揺動させることにより、半導体材
料をその軸芯を中心に揺動させて切断する。
【００３４】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知するセンサ
と、センサで検知した変位量に基づいてその変位を修正
するエアーパッドと、を設けることにより内周刃の反り
コントロールを行うことができる。
【００３５】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第３の発明によれば、制御部でアームとスライド
部材とを駆動制御して半導体材料を内周刃の平面上でＸ
・Ｙ方向に移動しながら切断する。これにより、ブレー
ドの有効刃渡りを半導体材料の径よりも小さくできる。
また、切断された半導体ウエハの中心部には、切断残り
部が残らない。
【００３６】また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触
で検知するセンサと、センサで検知した変位量に基づい
てその変位を修正するエアーパッドと、を設けることに
より内周刃の反りコントロールを行うことができる。本
発明に係る半導体ウエハのスライシング方法の第４の発
明によれば、半導体材料をブレードの面に対して所定角
度傾斜させ、回転している内周刃と半導体材料とを相対
的に押し付けて、内周刃又は半導体材料を相対的に近づ
く方向に移動しながら、半導体材料の切断面の中心を通
り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として揺動し
て半導体材料を切断する。
【００３７】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
内周刃の軸方向の変位を非接触で検出し、この変位が所
定値以上になった時に、内周刃又は半導体材料の移動と
半導体材料の揺動とを停止して内周刃のみを継続回転さ
せ、前記変位が所定値以下に戻った時に前記移動と揺動
とを再開するようにしたので、半導体材料を円滑に切断
できる。また、前記内周刃の軸方向の変位が所定値以上
になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所定
値以下に戻すようにしても良い。
【００３８】更に、半導体材料の揺動切断と同時に或い
は切断後、半導体ウエハの平面を研削しても良い。本発
明に係る半導体ウエハのスライシング方法の第５の発明
によれば、半導体材料をブレードの面に対して所定角度
傾斜させ、回転している内周刃と半導体材料とを相対的
に押し付けて、内周刃又は半導体材料を相対的に近づく
方向に移動しながら、半導体材料の切断面の中心から所
定量オフセットした位置を通り前記ブレード面に直交す
る軸を揺動支点として揺動して半導体材料を切断する。
【００３９】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
内周刃の軸方向の変位を非接触で検出し、この変位が所
定値以上になった時に、内周刃又は半導体材料の移動と
半導体材料の揺動とを停止して内周刃のみを継続回転さ
せ、前記変位が所定値以下に戻った時に前記移動と揺動
とを再開するようにしたので、半導体材料を円滑に切断
できる。また、前記内周刃の軸方向の変位が所定値以上
になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所定
値以下に戻すようにしても良い。
【００４０】更に、半導体材料の揺動切断と同時に或い
は切断後、半導体ウエハの平面を研削しても良い。本発
明に係る半導体ウエハのスライシング方法の第６の発明
によれば、内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向
に所定量移動し、そして、（１）前記半導体材料をその
軸芯を中心に一方側に所定角度揺動し、内周刃又は半導
体材料を所定時間Ｔ1 の間切断動作をさせた後、所定時
間Ｔ2 の間切断操作を停止し、この切断動作と切断停止
を所定時間Ｔ3 の間繰り返した後、（２）前記半導体材
料をその軸芯を中心に他方側に所定角度揺動し、内周刃
又は半導体材料を所定時間Ｔ 1 の間切断動作をさせた
後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止し、この切断動作
と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返して行い、この
（１）、（２）の操作を繰り返して半導体材料を切断す
る。
【００４１】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
内周刃の軸方向の変位を非接触で検出し、この変位が所
定値以上になった時に、内周刃又は半導体材料の移動と
半導体材料の揺動とを停止して内周刃のみを継続回転さ
せ、前記変位が所定値以下に戻った時に前記移動と揺動
とを再開するようにしたので、半導体材料を円滑に切断
できる。また、前記内周刃の軸方向の変位が所定値以上
になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所定
値以下に戻すようにしても良い。
【００４２】更に、半導体材料の揺動切断と同時に或い
は切断後、半導体ウエハの平面を研削しても良い。本発
明に係る半導体ウエハのスライシング方法の第７の発明
によれば、半導体材料をブレードの面に対して所定角度
傾斜させて、内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方
向に所定量移動し、そして、（１）前記半導体材料の切
断面の中心を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支
点として半導体材料を一方側に所定角度揺動し、内周刃
又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間切断動作をさせた
後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止し、この切断動作
と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返した後、（２）半
導体材料を前記揺動支点を中心に他方側に所定角度揺動
し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間切断動作
をさせた後、所定時間Ｔ 2 の間切断操作を停止し、この
切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返して行
い、この（１）、（２）の操作を繰り返して半導体材料
を切断する。
【００４３】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
内周刃の軸方向の変位を非接触で検出し、この変位が所
定値以上になった時に、内周刃又は半導体材料の移動と
半導体材料の揺動とを停止して内周刃のみを継続回転さ
せ、前記変位が所定値以下に戻った時に前記移動と揺動
とを再開するようにしたので、半導体材料を円滑に切断
できる。また、前記内周刃の軸方向の変位が所定値以上
になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所定
値以下に戻すようにしても良い。
【００４４】更に、半導体材料の揺動切断と同時に或い
は切断後、半導体ウエハの平面を研削しても良い。本発
明に係る半導体ウエハのスライシング方法の第８の発明
によれば、半導体材料をブレードの面に対して所定角度
傾斜させて、内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方
向に所定量移動し、そして、（１）前記半導体材料の切
断面の中心から所定量オフセットされた位置を通り前記
ブレード面に直交する軸を揺動支点として半導体材料を
一方側に所定角度揺動し、内周刃又は半導体材料を所定
時間Ｔ1 の間切断動作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切
断操作を停止し、この切断動作と切断停止を所定時間Ｔ
3 の間繰り返した後、（２）半導体材料を前記揺動支点
を中心に他方側に所定角度揺動し、内周刃又は半導体材
料を所定時間Ｔ1 の間切断動作をさせた後、所定時間Ｔ
2 の間切断操作を停止し、この切断動作と切断停止を所
定時間Ｔ3 の間繰り返して行い、この（１）、（２）の
操作を繰り返して半導体材料を切断する。
【００４５】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
内周刃の軸方向の変位を非接触で検出し、この変位が所
定値以上になった時に、内周刃又は半導体材料の移動と
半導体材料の揺動とを停止して内周刃のみを継続回転さ
せ、前記変位が所定値以下に戻った時に前記移動と揺動
とを再開するようにしたので、半導体材料を円滑に切断
できる。また、前記内周刃の軸方向の変位が所定値以上
になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所定
値以下に戻すようにしても良い。
【００４６】更に、半導体材料の揺動切断と同時に或い
は切断後、半導体ウエハの平面を研削しても良い。本発
明に係る半導体ウエハのスライシング方法の第９の発明
によれば、内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向
に所定量移動し、内周刃に半導体材料を押し付けて半導
体ウエハ部分を切断した後、前記半導体材料をその軸芯
を中心に所定量両方向に揺動して半導体材料のスライス
ベースを切断し、半導体材料を切断する。
【００４７】これにより、ブレードの有効刃渡りをスラ
イスベースの揺動切断分だけ小さくできる。また、切断
された半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らな
い。また、前記内周刃又は半導体材料の移動動作と同時
に半導体ウエハの平面を研削し、前記スライスベースの
揺動切断時には前記平面研削を停止しても良い。本発明
に係る半導体ウエハのスライシング装置の第４の発明に
よれば、移動手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近
づく方向に断続的に移動させ、そして、揺動手段で半導
体材料をその軸芯を中心に一方側で所定角度、及び他方
側で所定角度、交互に揺動させながら半導体材料を切断
する。
【００４８】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知するセンサ
と、センサで検知した変位量に基づいてその変位を修正
するエアーパッドと、を設けることにより内周刃の反り
コントロールを行うことができるので、半導体材料を均
一の厚さで切断することができる。
【００４９】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第５の発明によれば、チルチング手段で半導体材
料をブレードの面に対して所定角度傾斜させた後、移動
手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移
動させながら、揺動手段で半導体材料の切断面の中心を
通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として揺動
させて切断する。
【００５０】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知するセンサ
と、センサで検知した変位量に基づいてその変位を修正
するエアーパッドと、を設けることにより内周刃の反り
コントロールを行うことができるので、半導体材料を均
一の厚さで切断することができる。
【００５１】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第６の発明によれば、チルチング手段で半導体材
料をブレードの面に対して所定角度傾斜させた後、移動
手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断
続的に移動させながら、揺動手段で半導体材料の切断面
の中心を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点と
して一方側で所定角度、及び他方側で所定角度、交互に
半導体材料を揺動させて半導体材料を切断する。
【００５２】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知するセンサ
と、センサで検知した変位量に基づいてその変位を修正
するエアーパッドと、を設けることにより内周刃の反り
コントロールを行うことができるので、半導体材料を均
一の厚さで切断することができる。
【００５３】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第７の発明によれば、チルチング手段で半導体材
料をブレードの面に対して所定角度傾斜させた後、移動
手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移
動させながら、揺動手段で半導体材料の切断面の中心か
ら所定量オフセットした位置を通り前記ブレード面に直
交する軸を揺動支点として揺動させて切断する。
【００５４】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知するセンサ
と、センサで検知した変位量に基づいてその変位を修正
するエアーパッドと、を設けることにより内周刃の反り
コントロールを行うことができるので、半導体材料を均
一の厚さで切断することができる。
【００５５】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第８の発明によれば、チルチング手段で半導体材
料をブレードの面に対して所定角度傾斜させた後、移動
手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断
続的に移動させながら、揺動手段で半導体材料の切断面
の中心から所定量オフセットした位置を通り前記ブレー
ド面に直交する軸を揺動支点として一方側で所定角度、
及び他方側で所定角度、交互に半導体材料を揺動させて
半導体材料を切断する。
【００５６】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半導
体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。また、
前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知するセンサ
と、センサで検知した変位量に基づいてその変位を修正
するエアーパッドと、を設けることにより内周刃の反り
コントロールを行うことができるので、半導体材料を均
一の厚さで切断することができる。
【００５７】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第９の発明によれば、移動手段で内周刃又は半導
体材料を相対的に近づく方向に断続的に移動させた後、
揺動手段で半導体材料をその軸芯を中心に一方側で所定
角度、及び他方側で所定角度、交互に揺動させながら、
研削手段で切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体
ウエハの平面を研削する。
【００５８】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできると共に、平面研削を半導
体ウエハの切断と同時に或いは切断後行うので、半導体
ウエハを効率良く製造することができる。また、切断さ
れた半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らな
い。また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知す
るセンサと、センサで検知した変位量に基づいてその変
位を修正するエアーパッドと、を設けることにより内周
刃の反りコントロールを行うことができるので、半導体
材料を均一の厚さで切断することができる。
【００５９】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第１０の発明によれば、チルチング手段で半導体
材料をブレードの面に対して所定角度傾斜させた後、移
動手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に
移動させながら、揺動手段で半導体材料の切断面の中心
を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として半
導体材料を揺動させて半導体材料を切断し、そして、研
削手段で切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体ウ
エハの平面を研削する。
【００６０】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできると共に、平面研削を半導
体ウエハの切断と同時に或いは切断後行うので、半導体
ウエハを効率良く製造することができる。また、切断さ
れた半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らな
い。また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知す
るセンサと、センサで検知した変位量に基づいてその変
位を修正するエアーパッドと、を設けることにより内周
刃の反りコントロールを行うことができるので、半導体
材料を均一の厚さで切断することができる。
【００６１】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第１１の発明によれば、チルチング手段で半導体
材料をブレードの面に対して所定角度傾斜させた後、移
動手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に
断続的に移動させながら、揺動手段で半導体材料の切断
面の中心を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点
として一方側で所定角度、及び他方側で所定角度、交互
に半導体材料を揺動させて半導体材料を切断し、そし
て、研削手段で切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半
導体ウエハの平面を研削する。
【００６２】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできると共に、平面研削を半導
体ウエハの切断と同時に或いは切断後行うので、半導体
ウエハを効率良く製造することができる。また、切断さ
れた半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らな
い。また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知す
るセンサと、センサで検知した変位量に基づいてその変
位を修正するエアーパッドと、を設けることにより内周
刃の反りコントロールを行うことができるので、半導体
材料を均一の厚さで切断することができる。
【００６３】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第１２の発明によれば、チルチング手段で半導体
材料をブレードの面に対して所定角度傾斜させた後、移
動手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に
移動させながら、揺動手段で半導体材料の切断面の中心
から所定量オフセットした位置を通り前記ブレード面に
直交する軸を揺動支点として半導体材料を揺動させるて
切断し、そして、研削手段で 切断中の半導体ウエハ、
又は切断後の半導体ウエハの平面を研削する。
【００６４】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできると共に、平面研削を半導
体ウエハの切断と同時に或いは切断後行うので、半導体
ウエハを効率良く製造することができる。また、切断さ
れた半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らな
い。また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知す
るセンサと、センサで検知した変位量に基づいてその変
位を修正するエアーパッドと、を設けることにより内周
刃の反りコントロールを行うことができるので、半導体
材料を均一の厚さで切断することができる。
【００６５】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
装置の第１３の発明によれば、チルチング手段で半導体
材料をブレードの面に対して所定角度傾斜させた後、移
動手段で内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に
断続的に移動させながら、揺動手段で半導体材料の切断
面の中心から所定量オフセットした位置を通り前記ブレ
ード面に直交する軸を揺動支点として一方側で所定角
度、及び他方側で所定角度、交互に半導体材料を揺動さ
せて切断し、そして、研削手段で半導体ウエハ、又は切
断後の半導体ウエハの平面を研削する。
【００６６】これにより、ブレードの有効刃渡りを半導
体材料の径よりも小さくできると共に、平面研削を半導
体ウエハの切断と同時に或いは切断後行うので、半導体
ウエハを効率良く製造することができる。また、切断さ
れた半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らな
い。また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検知す
るセンサと、センサで検知した変位量に基づいてその変
位を修正するエアーパッドと、を設けることにより内周
刃の反りコントロールを行うことができるので、半導体
材料を均一の厚さで切断することができる。
【００６７】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る半導体ウ
エハのスライシング方法及びその装置の好ましい実施例
について詳説する。図１は本発明に係る半導体ウエハの
スライシング装置の第１実施例である。内周刃１０は、
ドーナツ状に形成されたブレード１２の内周縁にダイヤ
モンド砥粒が電着されて形成される。前記内周刃１０
は、図示しないチャックボディにそのブレード１２の外
周縁が張り上げられると共に、図示しないスピンドルか
らの回転力により矢印Ａ方向に回転可能となっている。
また、内周刃１０は、前記スピンドルと共に矩形状の移
動架台１６に保持される。
【００６８】前記移動架台１６は、内周刃１０の両側に
平行に配設されたレール１８、１８に沿って矢印Ｂ方向
に移動可能に載置されており、制御部２０からの指令信
号によって駆動されるようになっている。前記内周刃１
０には、ワーク２２が配置される。ワーク２２は、スラ
イシング装置本体に固定された梁部材２３にその軸芯を
中心に回転自在に配置される。また、ワーク２２の上端
部２２ａにはプーリ２４が固着され、このプーリ２４は
モータ２５、ベルト２６から成る揺動機構に接続されて
いる。前記モータ２５は前記梁部材２３に固定されてい
る。また、前記モータ２５は、前述した制御部２０から
の指令信号によって駆動されるようになっている。
【００６９】前記ブレード１２の図中手前側には、非接
触式の一対のブレードセンサ２８、２８、エアーパッド
３０、３０が配置されている。このブレードセンサ２
８、２８は図示しない制御装置と接続され、制御装置は
ブレードセンサ２８、２８で検出したブレード１２の変
位量に基づいて図示しないエアー圧力調整装置を制御し
てエアーパッド３０、３０を作動する。これにより、ブ
レード１２の変位（反り）を修正することができる。
【００７０】次に、前記の如く構成された半導体ウエハ
のスライシング装置によれば、先ず、内周刃１０を矢印
Ａ方向に回転させた後、制御部２０で移動架台１６を矢
印Ｂ方向に送り、ワーク２２に内周刃１０の砥石１４を
押し付けて、ワーク２２を所定量切断する。次に、制御
部５２で移動架台１６を停止させると共に、モータ２５
を駆動してワーク２２をその軸芯を中心に所定量揺動
し、残りの部分を切断する。
【００７１】これにより、ブレード１２の有効刃渡りを
ワーク２２の径よりも小さくできる。また、切断された
半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。図
２乃至図５、及び図９は、前記半導体ウエハのスライシ
ング装置で切断された半導体ウエハ３２表面の切断軌跡
を示す実施例である。図２によれば、１−１乃至１−５
までの切断軌跡は、図１で示した移動架台１６を矢印Ｂ
方向に送ることで形成されたもので、２−１乃至２−３
までの切断軌跡は、移動架台１６を停止させた状態でワ
ーク２２を反時計方向回りに揺動することで形成された
ものである。そして、３−１乃至３−３までの切断軌跡
は、ワーク２２を時計方向回りに揺動することで形成さ
れたものである。これにより、半導体ウエハ３２の中心
部には、切断残り部が残らない。
【００７２】図３によれば、１乃至６までの切断軌跡
は、図１で示した移動架台１６を矢印Ｂ方向に送りなが
らワーク２２を交互に揺動することにより形成されたも
のである。この場合も、半導体ウエハ３２の中心部に
は、切断残り部が残らない。図４によれば、１乃至６ま
で切断軌跡は、移動架台１６の送り速度を図３の場合よ
りも遅くすると共に、ワーク２２の揺動角度を大きく
し、ワーク２２を交互に揺動することにより形成された
ものである。この場合も、半導体ウエハ３２の中心部に
は、切断残り部が残らない。
【００７３】図５によれば、１−１乃至１−３までの切
断軌跡は、ワーク２２を反時計方向に小角度揺動して断
続切断（切断と送りを繰り返す切断）することで形成さ
れたもので、２−１乃至２−３までの切断軌跡は、ワー
ク２２を時計方向に小角度揺動して断続切断することで
形成されたものである。そして、３−１乃至３−３から
９−１乃至９−３までの切断軌跡は、前述した１−１乃
至１−３から２−１乃至２−３までの断続切断を交互に
繰り返すことで形成されたものである。これにより、半
導体ウエハ３２の中心部には、切断残り部が残らない。
【００７４】また、図５による切断方法では、半時計方
向回りと時計方向回りとの境界部に生じる切断段差のピ
ッチを、従来技術で先に出願されている特開昭６２−１
２７２０６号公報に開示された半導体ウエハのスライシ
ング方法と比較して大幅小さくできるので、後加工のラ
ップ加工で撓みが発生しない。また、一般に切断抵抗、
切断長さ、ワーク２２の送りスピードとの関係は、切断
長さが長くなる程切断抵抗は大きくなり、またワーク２
２の送りスピードが速くなる程切断抵抗は大きくなる。
また、切断抵抗が大きくなると当然のことながらブレー
ド１２の変位が大きくなり、ブレード１２は返り易くな
る。ブレード１２の返りは、非接触式の一対のブレード
センサ２８、２８によって検出される。そこで、本発明
の実施例では図６に示すように、切断長が長くなるに従
ってブレード変位が徐々に大きくなり、その変位が予め
定められた所定値を越えると、ワーク２２の送りを停止
する。これにより、ブレード１２の切断抵抗は急激に小
さくなり、ブレード１２は自己復元力により（予めブレ
ード１２には張力が与えられているので）元の位置に復
帰しようとする。これにより、内周刃１０の変位は零に
近づく。内周刃１０の変位が零に近づくと、再びワーク
２２を内周刃１０に向けて送る。これを繰り返すことに
より、図５で示した断続切断を行うことができる。そし
て、切断される半導体ウエハは、内周刃１０の変位が図
７に示すように修正されながら切断されるので、平坦な
ものとなる。
【００７５】前記実施例では、ブレードセンサ２８でブ
レード１２の変位を検出し、これに基づいてワーク２２
を断続切断するとしたが、これに限られるものではな
い。即ち、予め切断送り時間Ｔ1 、停止時間Ｔ2 、及び
間欠揺動時間Ｔ3 とを定めておき、例えば図８に示すよ
うに、ワーク２２を反時計方向回りに揺動してＴ1 （３
秒）経過するとＴ2 （０．５秒）時間停止させる動作を
Ｔ3 （１１秒）間繰り返し、そしてワーク２２を時計方
向回りに揺動してＴ1 （３秒）経過するとＴ2 （０．５
秒）時間停止させる動作をＴ3 （１１秒）間繰り返す。
これにより、この実施例においても平坦な半導体ウエハ
を加工することができる。
【００７６】また、ブレード１２の返り変位が所定値を
越えた場合に、ブレード１２の回転数を変えて、その変
位を所定値内に戻すようにしても良い。図９によれば、
１−１乃至１−１１までの切断軌跡は、図１で示した移
動架台１６を矢印Ｂ方向に送ることで形成されたもの
で、この動作で半導体ウエハ３２を略切断する。そし
て、２−１乃至２−３から３−１乃至２−４までの切断
軌跡は、ワーク２２を反時計方向回り、そして時計方向
回りに揺動することで形成されたもので、この動作でス
ライスベース２１を切断する。これにより、ブレード１
２の有効刃渡りをスライスベース２１の揺動切断分だけ
ワーク２２の径よりも小さくできる。また、切断された
半導体ウエハ３２の中心部には、切断残り部が残らな
い。
【００７７】図１０は本発明に係る半導体ウエハのスラ
イシング装置の第２実施例であり、図１に示した第１実
施例中と同一の部材については同一の符号を付してその
説明は省略する。内周刃１０は、スピンドルからの回転
力により矢印Ａ方向に回転可能となっており、この内周
刃１０の両側にはレール３４、３６が平行に配設され
る。
【００７８】前記レール３４、３６には、スライダ３
８、４０がそれぞれ走行移動可能に配置されている。前
記スライダ３８、４０は、制御部４２からの指令信号に
よって駆動されるようになっている。前記スライダ３
８、４０間にはアーム４４が架け渡されており、このア
ーム４４の左端部４４ａはスライダ３８に植設されたピ
ン３９に回動自在に支持されている。前記アーム４４の
右端部４４ｂにはアーム４４の長手方向に沿って長孔４
６が形成されており、この長孔４６に前記スライダ４０
に植設されたピン４１が摺動自在に配置されている。こ
れにより、前記アーム４４は、スライダ３８、４０を適
宜移動することにより内周刃１０の平面上で揺動可能と
なっている。
【００７９】また、アームの略中央部には、ワーク２２
が内周刃１０の内周部に向けて垂下して固定されてい
る。次に、前記の如く構成された半導体ウエハのスライ
シング装置によれば、先ず、内周刃１０を矢印Ａ方向に
回転させた後、制御部４２でスライダ３８を矢印Ｂ方向
に移動することにより、アーム４４を時計回り方向回り
に揺動させて内周刃１０の砥石１４にワーク２２を押し
付け、ワーク２２を斜行させて所定量切断する。次に、
制御部４２でスライダ４０を矢印Ｃ方向に移動すること
により、アーム４４を時計回り方向に揺動させてワーク
２２をその軸芯を中心に所定量揺動し、残りの部分を切
断する。
【００８０】これにより、ブレード１２の有効刃渡りを
ワーク２２の径よりも小さくできる。また、切断された
半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。図
１１は、前記半導体ウエハのスライシング装置で切断さ
れた半導体ウエハ３２表面の切断軌跡を示す実施例であ
る。図１１によれば、１−１乃至１−１０までの切断軌
跡は、図１０で示したスライダ３８を矢印Ｂ方向に移動
することで形成されたもので、２−１乃至２−４までの
切断軌跡は、スライダ３８を矢印Ｂ方向に移動しながら
スライダ４０を矢印Ｃ方向に移動することで形成された
ものである。そして、３−１乃至３−３までの切断軌跡
は、スライダ３８を矢印Ｄ方向に移動しながらスライダ
４０を矢印Ｅ方向に移動することで形成されたものであ
る。これにより、半導体ウエハ３２の中心部には、切断
残り部が残らない。
【００８１】図１２は本発明に係る半導体ウエハのスラ
イシング装置の第３実施例であり、図１に示した第１実
施例中と同一の部材については同一の符号を付してその
説明は省略する。内周刃１０は、スピンドルからの回転
力により矢印Ａ方向に回転可能となっており、この内周
刃１０の両側にはレール４８、４８が平行に配設され
る。
【００８２】前記レール４８、４８間にはアーム５０が
架け渡されており、このアーム５０の左端部５０ａ及び
右端部５０ｂがレール４８、４８にスライド自在に取り
付けられている。また、アーム５０は、制御部５２から
の指令信号によって内周刃１０の平面上で矢印Ｂ、Ｅ方
向に移動可能となっている。また、アーム５０には、ス
ライド板５４がアーム５０の長手方向に沿ってスライド
移動自在に取り付けられており、このスライド板５４に
はワーク２２が内周刃１０の内周部に向けて垂下して固
定されている。前記スライド板５４は、制御部５２から
の指令信号によって内周刃１０の平面上で前記矢印Ｂ、
Ｅ方向に直交した矢印Ｃ、Ｄ方向に移動可能となってい
る。
【００８３】次に、前記の如く構成された半導体ウエハ
のスライシング装置によれば、先ず、内周刃１０を矢印
Ａ方向に回転させた後、例えば、制御部５２でアーム５
０を矢印Ｂ方向に送ると共にスライド板５４を矢印Ｃ方
向に送りワーク２２を斜行させ、内周刃１０の砥石１４
にワーク２２を押し付けて、ワーク２２を所定量切断す
る。次に、前記方向とは異なる方向にワーク２２を送る
ことにより残りの部分を切断する。
【００８４】これにより、ブレード１２の有効刃渡りを
ワーク２２の径よりも小さくできる。また、切断された
半導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。図
１３乃至図１５は、前記半導体ウエハのスライシング装
置で切断された半導体ウエハ３２表面の切断軌跡を示す
実施例である。図１３によれば、１−１乃至１−５まで
の切断軌跡は、図１２で示したアーム５０を矢印Ｂ方向
に送りながらスライド板５４を矢印Ｃ方向に送ることで
形成されたもので、２−１乃至２−８までの切断軌跡
は、スライド板５４を矢印Ｃ方向に送ることで形成され
たものである。これにより、半導体ウエハ３２の中心部
には、切断残り部が残らない。
【００８５】図１４によれば、１の切断軌跡は、スライ
ド板５４をＣ方向に送ることで形成されたもので、２−
１乃至２−１０までの切断軌跡は、アーム５０を矢印Ｂ
方向に送ることで形成されたもので、３−１、３−２の
切断軌跡は、スライド板５４を矢印Ｃ方向に送ることで
形成されたものである。そして、４−１乃至４−４まで
の切断軌跡は、アーム５０を矢印Ｅ方向に送りながらス
ライド板５４を矢印Ｄ方向に送ることで形成されたもの
である。この場合も、半導体ウエハ３２の中心部には、
切断残り部が残らない。
【００８６】図１５によれば、１−１乃至１−４までの
切断軌跡は、アーム５０を矢印Ｂ方向に送ることで形成
されたもので、２−１、２−４の切断軌跡は、スライド
板５４を矢印Ｃ方向に送ることで形成されたものであ
る。そして、３−１乃至３−４までの切断軌跡は、スラ
イド板５４矢印Ｄ方向に送ることで形成されたものであ
る。この場合も、半導体ウエハ３２の中心部には、切断
残り部が残らない。
【００８７】図１６は、図１、図１０、及び図１２に示
した半導体ウエハのスライシング装置にワーク２２の端
面を平面研削する機構を配置した第１実施例である。こ
の平面研削機構は、前記半導体ウエハのスライシング装
置で製造された半導体ウエハ表面に付く段差を平面研削
するものである。図によれば、内周刃１０が取り付けら
れた中空のスピンドル５６内に砥石軸５８が配置され、
この砥石軸５８はスピンドル５６と共に回転されると共
に移動することができる。砥石軸５８の先端には、平面
研削用の砥石６０が設けられている。即ち、ワーク２２
の半導体ウエハ切断時に、回転している前記砥石６０を
ワーク２２の端面２３に当て、ワーク２２又は内周刃１
０を相対的に近づく方向（矢印Ａ方向）に移動すると、
先ず端面２３が砥石６０によって研削され、次に内周刃
１０がワーク２２に切り込んで半導体ウエハに切断す
る。これにより、半導体ウエハがワーク２２から切断さ
れると同時に、その端面２３が研削される。
【００８８】また、スライスベース２１の切断時には、
スライスベース２１の端面を研削する必要がないので、
平面研削動作を停止しても良い。図１７は、前記半導体
ウエハのスライシング装置に平面研削する機構を配置し
た第２実施例である。図によれば、砥石軸６２をスピン
ドル５６の側方に配置している。内周刃１０で切断され
たワーク２２は、砥石軸６２の方向（矢印Ａ方向）に移
動され、そして砥石６０に当接した状態で矢印Ｂ方向に
送られることにより、ワーク２２の端面２３が平面研削
される。
【００８９】このように、本発明の半導体ウエハのスラ
イシング装置に、図１６、図１７に示した平面研削機構
を配置することにより、半導体ウエハのスライシング加
工と平面研削加工とを円滑に行うことができる。図１８
は本発明に係る半導体ウエハのスライシング装置７０の
第４実施例を示す斜視図、図１９はその断面図である。
【００９０】前記スライシング装置７０は架台７２の両
側にガイドレール７４、７４が図中Ｘ方向に敷設され、
このガイドレール７４、７４に矩形状のＸテーブル７６
が走行移動可能に載置されている。Ｘテーブル７６の側
端部には送り用ナット７８が固着されており、この送り
用ナット７８には前記ガイドレール７４と並設された送
り用ねじ８０が螺合されている。この送り用ねじ８０
は、基端部８０ａが駆動モータ８２に連結され、また先
端部８０ｂが架台７２に固着された軸受部８４に軸支さ
れている。これにより、前記Ｘテーブル７６は、駆動モ
ータ８２を正転駆動することにより、ガイドレール７
４、７４に沿ってＸ方向に移動して、後述するワーク８
６の切断方向に移動される。
【００９１】前記Ｘテーブル７６の下方には、ワーク８
６をウエハに切断する内周刃８８が設けられている。こ
の内周刃８８は、ドーナツ状に形成されたブレード９０
の内周縁にダイヤモンド砥粒が電着されて形成される。
また、内周刃８８は、チャックボディ９２にそのブレー
ド９０の外周縁が張り上げられると共に、カップ状のス
ピンドル９４からの回転力により高速回転される。
【００９２】前記ブレード９０の上方には、非接触式の
一対のブレードセンサ９６、９６、エアーパッド９８、
９８が配置されている。このブレードセンサ９６、９６
は図示しない制御装置に接続され、制御装置はブレード
センサ９６、９６で検出したブレード９０の変位量に基
づいて図示しないエアー圧力調整装置を制御してエアー
パッド９８、９８を作動する。これにより、ブレード９
０の変位（反り）が修正されるようになっている。
【００９３】一方、前記Ｘテーブル７６には図２０に示
すように、中空の台座１００が固定されている。この台
座１００には、３枚の摺動リング１０２、１０４、１０
６を介して円板状の揺動テーブル１０８が配置される。
前記ワーク８６（図中二点鎖線で示す）は、揺動テーブ
ル１０８、及び台座１００の中空部１００ａを介して配
置される。また、揺動テーブル１０８の下部にはプーリ
１１０が固着されており、このプーリ１１０はベルト１
１２を介して揺動モータ１１４に駆動力伝達可能に連結
されている。従って、前記揺動テーブル１０８は、揺動
モータ１１４が正転反転を交互に繰り返すことにより、
揺動テーブル１０８の中心軸１１６を揺動支点として揺
動自在となっている。
【００９４】前記揺動テーブル１０８の上面には図１８
に示すように、半円板上に形成された一対のチルチング
ベース１１８、１１８が取り付けられている。このチル
チングベース１１８は、揺動テーブル１０８の上面に対
してＸ方向にスライド移動自在となっており、所定の位
置で揺動テーブル１０８に位置決めされる。前記チルチ
ングベース１１８、１１８には、図１８に示すチルチン
グコラム１２０がチルチングベース１１８、１１８の弓
状摺動面１１８ａ、１１８ａに摺動自在に載置されてい
る。前記チルチングコラム１２０には、図１９に示すチ
ルチングベース１２２が固定される。このチルチングベ
ース１２２は、前記チルチングベース１１８に対して直
交方向、即ちＹ方向に配置され、チルチングベース１２
２の弓状摺動面１２２ａにワーク８６の割り出し部１２
４が摺動自在に載置されている。これにより、前記割り
出し部１２４は、チルチングベース１１８、１１８によ
ってＸ方向にチルチングされると共に、チルチングベー
ス１２２によってＹ方向にチルチングされる。
【００９５】前記割り出し部１２４は、ワーク１２６の
割り出し方向、即ちＺ方向に配置された割り出しねじ１
２６を有している。この割り出しねじ１２６は、その上
端部が駆動モータ１２８に連結され、また下端部が割り
出し部１２４の軸受１３０に軸支されている。また、割
り出しねじ１２６には割り出しナット１３２が螺合され
ており、この割り出しナット１３２にワーク８６の上端
部が接着された割り出し台１３４が固着されている。従
って、ワーク８６は、前記駆動モータ１２８を所定時間
駆動することにより、ウエハ１枚分の厚さだけＺ方向に
割り出される。
【００９６】次に、前記の如く構成された半導体ウエハ
のスライシング装置７０でウエハを切断する方法につい
て説明する。先ず、第１の切断方法として、ワーク８６
をチルチングベース１１８、１２０に沿って図２１、図
２２に示すようにθ°チルチングさせて、ウエハをワー
ク８６の結晶面に沿って切断するように設定する。
【００９７】次に、ワーク８６の切断面中心８６ａが揺
動テーブル１０８の中心軸１１６と一致するように、チ
ルチングベース１１８、１１８を揺動テーブル１０８に
対して位置決めする。次いで、図１９に示した割り出し
部１２４の駆動モータ１２８を駆動してワーク８６をウ
エハ１枚分の厚さだけＺ方向に送り出す。
【００９８】そして、内周刃８８を回転させると共にＸ
テーブル７６をＸ方向に移動してワーク８６を内周刃８
８に押し付ける。そして、ワーク８６を内周刃８８に近
づく方向に移動しながら、図２０に示した揺動モータ１
１４を駆動して揺動テーブル１０８を所定量両方向に揺
動させる。これにより、第１の切断方法によれば、ワー
ク８６をその切断面中心８６ａを通りブレード９０の面
に直交する軸Ｐ１を揺動支点として揺動しながら切断す
るようにしたので、ブレード９０の有効刃渡りをワーク
８６の径よりも小さくできる。また、切断された半導体
ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。
【００９９】図２３は、前記第１の切断方法で切断され
た半導体ウエハ１３６の表面の切断軌跡を示す実施例で
ある。図２３によれば、１乃至６までの切断軌跡は、図
２２で示したワーク８６をＸ方向に送りながらワーク８
６をその切断面中心８６ａを揺動支点として揺動するこ
とにより形成されたものである。従って、半導体ウエハ
１３６の中心部には、図２３に示すように切断残り部は
残らない。
【０１００】また、この第１の切断方法で断続切断を行
えば、図５に示した切断軌跡を有する半導体ウエハ１３
６が加工される。この場合、ブレード９０の変位で送り
動作と停止動作を制御するようにしても良く、また予め
切断送り時間Ｔ1 、停止時間Ｔ2 、及び間欠揺動時間Ｔ
3 とを定めておいて、図８に示した断続切断を行っても
良い。これにより、この実施例においても平坦な半導体
ウエハ１３６を加工することができる。
【０１０１】また、ブレード９０の返り変位が所定値を
越えた場合に、ブレード９０の回転数を変えて、その変
位を所定値内に戻すようにしても良い。次に、第２の切
断方法について説明する。先ず、ワーク８６をチルチン
グベース１１８、１２０に沿って図２４、図２５に示す
ようにθ°チルチングさせて、ウエハをワーク８６の結
晶面に沿って切断するよう設定する。
【０１０２】次に、チルチングベース１１８、１１８を
図２１の位置からＸ方向に所定量移動して、ワーク８６
の切断面中心８６ａが揺動テーブル１０８の中心軸１１
６からＳ寸法だけＸ方向にオフセットするように位置決
めする。次いで、図１９に示した割り出し部１２４の駆
動モータ１２８を駆動してワーク８６をウエハ１枚分の
厚さだけＺ方向に送り出す。
【０１０３】そして、内周刃８８を回転させると共にＸ
テーブル７６をＸ方向に移動してワーク８６を内周刃８
８に押し付ける。そして、ワーク８６を内周刃８８に近
づく方向に移動しながら、図２０に示した揺動モータ１
１４を駆動して揺動テーブル１０８を所定量両方向に揺
動させる。これにより、第２の切断方法によれば、ワー
ク８６をその切断面中心８６ａからオフセットした位置
を通りブレード９０の面に直交する軸Ｐ２を揺動支点と
して揺動しながら切断するようにしたので、第１の切断
方法と同様に、ブレード９０の有効刃渡りをワーク８６
の径よりも小さくできる。また、切断された半導体ウエ
ハの中心部には、切断残り部が残らない。
【０１０４】図２６は、前記第２の切断方法で切断され
た半導体ウエハ１３６表面の切断軌跡を示す実施例であ
る。図２６によれば、１乃至６までの切断軌跡は、図２
５で示したワーク８６をＸ方向に送りながら、ワーク８
６をその切断面中心８６ａからＳ寸法オフセットした位
置を揺動支点として揺動することにより形成されたもの
である。従って、半導体ウエハ１３６の中心部には、図
２６に示すように切断残り部は残らない。
【０１０５】また、この第２の切断方法で断続切断を行
えば、図５に示した切断軌跡を有する半導体ウエハ１３
６が加工される。この場合、ブレード９０の変位で送り
動作と停止動作を制御するようにしても良く、また予め
切断送り時間Ｔ1 、停止時間Ｔ2 、及び間欠揺動時間Ｔ
3 とを定めておいて、図８に示した断続切断を行っても
良い。これにより、この実施例においても平坦な半導体
ウエハを加工することができる。
【０１０６】また、ブレード９０の返り変位が所定値を
越えた場合に、ブレード９０の回転数を変えて、その変
位を所定値内に戻すようにしても良い。図２７は、図１
８に示した半導体ウエハのスライシング装置７０にワー
ク８６の端面を平面研削する機構を配置した第１実施例
である。この平面研削機構は、前記半導体ウエハのスラ
イシング装置７０で製造された半導体ウエハ表面に付く
段差を平面研削するものである。
【０１０７】図によれば、内周刃８８が中空のスピンド
ル１３８に取り付けられ、そしてスピンドル１３８内に
砥石軸１４０が配置される。この砥石軸１４０は、スピ
ンドル１３８と共に回転すると共に移動することができ
る。砥石軸１４０の先端には、平面研削用の砥石１４２
が設けられている。即ち、ワーク８６のウエハ切断時
に、回転している前記砥石１４２をワーク８６の端面８
７に当て、ワーク８６又は内周刃８８を相対的に近づく
方向（矢印Ａ方向）に移動すると、先ず端面８７が砥石
１４２によって研削され、次に内周刃８８がワーク８６
に切り込んで半導体ウエハに切断する。これにより、半
導体ウエハがワーク８６から切断されると同時に、その
端面８７を研削できる。
【０１０８】図２８は、前記半導体ウエハのスライシン
グ装置に平面研削する機構を配置した第２実施例であ
る。図によれば、砥石軸１４４がスピンドル１４６の側
方に配置されている。内周刃８８で切断されたワーク８
６は、砥石軸１４４の方向（矢印Ａ方向）に移動され、
そして砥石１４８に当接した状態で矢印Ｂ方向に送られ
ることにより、ワーク８６の端面８７が平面研削され
る。
【０１０９】このように、本発明の半導体ウエハのスラ
イシング装置７０に、図２７、図２８に示した平面研削
機構を配置することにより、半導体ウエハのスライシン
グ加工と平面研削加工とを円滑に行うことができる。
【０１１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウエハのスライシング方法の第１発明によれば、回転し
ている内周刃に半導体材料を押し付けて、内周刃又は半
導体材料を相対的に近づく方向に所定量移動し、半導体
材料を所定量切断した後、半導体材料をその軸芯を中心
に所定量揺動して残りの部分を切断するようにしたの
で、ブレードの有効刃渡りを半導体材料の径よりも小さ
くでき、且つ切断された半導体ウエハの中心部には切断
残り部が残らない。
【０１１１】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
方法の第２の発明によれば、回転している内周刃に半導
体材料を押し付けて、内周刃又は半導体材料を相対的に
近づく方向に所定量移動し、半導体材料を所定量切断
し、半導体材料をその軸芯を中心に所定量揺動して所定
量切断する。そして、前記前記内周刃又は半導体材料の
移動と、前記半導体材料の揺動とを交互に繰り返して残
りを切断する。これにより、ブレードの有効刃渡りを半
導体材料の径よりも小さくできる。また、切断された半
導体ウエハの中心部には、切断残り部が残らない。
【０１１２】本発明に係る半導体ウエハのスライシング
方法の第３発明によれば、半導体材料を該半導体材料の
進行方向に対して斜行移動させて切断するようにしたの
で、ブレードの有効刃渡りを半導体材料の径よりも小さ
くでき、且つ切断された半導体ウエハの中心部には切断
残り部が残らない。一方、本発明に係る半導体ウエハの
スライシング装置の第１発明によれば、制御手段で移動
手段を駆動制御して、内周刃又は半導体材料を相対的に
近づく方向に移動させて半導体材料を所定量切断した
後、前記制御手段で揺動手段を駆動制御して、半導体材
料をその軸芯を中心に揺動させて残りの部分を切断する
ようにしたので、ブレードの有効刃渡りを半導体材料の
径よりも小さくでき、且つ切断された半導体ウエハの中
心部には、切断残り部が残らない。
【０１１３】また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触
で検知するセンサと、センサで検知した変位量に基づい
てその変位を修正するエアーパッドと、を設けることに
より内周刃の反りコントロールを行うことができる。本
発明に係る半導体ウエハのスライシング装置の第２発明
によれば、制御部で第１及び第２のスライダを駆動制御
してアームを揺動させることにより、半導体材料をその
軸芯を中心に揺動させて切断するようにしたので、ブレ
ードの有効刃渡りを半導体材料の径よりも小さくでき、
且つ切断された半導体ウエハの中心部には切断残り部が
残らない。
【０１１４】また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触
で検知するセンサと、センサで検知した変位量に基づい
てその変位を修正するエアーパッドと、を設けることに
より内周刃の反りコントロールを行うことができる。本
発明に係る半導体ウエハのスライシング装置の第３発明
によれば、制御部でアームとスライド部材とを駆動制御
して半導体材料を内周刃の平面上でＸ・Ｙ方向に移動し
ながら切断するようにしたので、ブレードの有効刃渡り
を半導体材料の径よりも小さくでき、且つ切断された半
導体ウエハの中心部には切断残り部が残らない。
【０１１５】また、前記内周刃の軸方向の変位を非接触
で検知するセンサと、センサで検知した変位量に基づい
てその変位を修正するエアーパッドと、を設けることに
より内周刃の反りコントロールを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウエハのスライシング装置
の第１実施例を示す説明図
【図２】図１で示した半導体ウエハのスライシング装置
で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第１の実施
例
【図３】図１で示した半導体ウエハのスライシング装置
で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第２の実施
例
【図４】図１で示した半導体ウエハのスライシング装置
で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第３の実施
例
【図５】図１で示した半導体ウエハのスライシング装置
で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第４の実施
例
【図６】内周刃の局部的変位を示す説明図
【図７】内周刃の切断速度を示す説明図
【図８】第２実施例の内周刃の切断速度を示す説明図
【図９】図１で示した半導体ウエハのスライシング装置
で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第５の実施
例
【図１０】本発明に係る半導体ウエハのスライシング装
置の第２実施例を示す説明図
【図１１】図１０で示した半導体ウエハのスライシング
装置で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す実施例
【図１２】本発明に係る半導体ウエハのスライシング装
置の第３実施例を示す説明図
【図１３】図１２で示した半導体ウエハのスライシング
装置で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第１の
実施例
【図１４】図１２で示した半導体ウエハのスライシング
装置で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第２の
実施例
【図１５】図１２で示した半導体ウエハのスライシング
装置で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第３の
実施例
【図１６】半導体ウエハのスライシング装置に平面研削
機構を配置した第１の実施例
【図１７】半導体ウエハのスライシング装置に平面研削
機構を配置した第２の実施例
【図１８】本発明に係る半導体ウエハのスライシング装
置の第４実施例を示す斜視図
【図１９】図１８で示した半導体ウエハのスライシング
装置の断面構造図
【図２０】図１８で示した半導体ウエハのスライシング
装置に適用された揺動機構の断面図
【図２１】ワークの切断面の中心を揺動支点とした要部
平面図
【図２２】図２１における側断面図
【図２３】図１８で示した半導体ウエハのスライシング
装置で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第１の
実施例
【図２４】ワークの切断面中心からオフセットした位置
を揺動支点とした要部平面図
【図２５】図２４における側断面図
【図２６】図１８で示した半導体ウエハのスライシング
装置で切断された半導体ウエハの切断軌跡を示す第２の
実施例
【図２７】図１８で示した半導体ウエハのスライシング
装置に平面研削機構を配置した第１の実施例
【図２８】図１８で示した半導体ウエハのスライシング
装置に平面研削機構を配置した第２の実施例
【図２９】従来の半導体ウエハのスライシング方法の第
１実施例を示す説明図
【図３０】従来の半導体ウエハのスライシング方法の第
２実施例を示す説明図
【符号の説明】
１０…内周刃 １２…ブレード １６…移動架台 １８、３４、３６、４８…レール ２０、４２、５２…制御部 ２２…ワーク ２５…モータ ３８、４０…スライダ ４４、５０…アーム ５４…スライド板 ７０…スライシング装置 ７２…架台 ７６…Ｘテーブル ８６…ワーク ８８…内周刃 ９６…ブレードセンサ ９８…エアーパッド １０８…揺動テーブル １１４…揺動モータ １１８、１２２…チルチングベース １２０…チルチングコラム １２４…割り出し部 Ｐ１、Ｐ２…揺動支点

Claims (51)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成さ
    れた内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半
    導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウ
    エハのスライシング方法に於いて、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に所定
    量移動した後、前記半導体材料をその軸芯を中心に所定
    量両方向に揺動して半導体ウエハを製造することを特徴
    とする半導体ウエハのスライシング方法。
  2. 【請求項２】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成さ
    れた内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半
    導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウ
    エハのスライシング方法に於いて、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に所定
    量移動した後、前記半導体材料をその軸芯を中心に所定
    量両方向に揺動し、前記内周刃又は半導体材料の移動
    と、前記半導体材料の揺動とを交互に繰り返して半導体
    ウエハを製造することを特徴とする請求項１記載の半導
    体ウエハのスライシング方法。
  3. 【請求項３】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成さ
    れた内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半
    導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウ
    エハのスライシング方法に於いて、 前記半導体材料を、該半導体材料の進行方向に対して斜
    行移動させて半導体ウエハを製造することを特徴とする
    半導体ウエハのスライシング方法。
  4. 【請求項４】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成さ
    れた内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半
    導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウ
    エハのスライシング装置に於いて、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動
    させる移動手段と、 半導体材料をその軸芯を中心に揺動させる揺動手段と、 前記移動手段と揺動手段とを駆動制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  5. 【請求項５】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検
    知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項４記載の半導体ウエハ
    のスライシング装置。
  6. 【請求項６】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成さ
    れた内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半
    導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウ
    エハのスライシング装置に於いて、 前記内周刃の両側に配設された一対の平行なレールと、 前記一対のレールに沿ってそれぞれ走行移動可能な第１
    及び第２のスライダと、 その一端部が前記第１のスライダに回動自在に支持さ
    れ、その他端部が前記第２のスライダに摺動自在に取り
    付けられて、第１及び第２のスライダを移動することに
    より前記内周刃の平面上で揺動可能なアームであって、
    その略中央部に前記半導体材料が前記内周刃に向けて垂
    下して固定されたアームと、 前記第１及び第２のスライダを駆動制御する制御部と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  7. 【請求項７】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検
    知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項６記載の半導体ウエハ
    のスライシング装置。
  8. 【請求項８】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成さ
    れた内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の半
    導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体ウ
    エハのスライシング装置に於いて、 前記内周刃の両側でＸ方向に配設された一対の平行なレ
    ールと、 前記一対のレール間でＹ方向に架け渡されて、その両端
    部が一対のレールにスライド移動自在に取り付けられ、
    駆動されることにより前記内周刃の平面上でＸ方向に移
    動可能なアームと、 アームに沿ってＹ方向に移動可能であって、前記半導体
    材料が前記内周刃に向けて垂下して固定されたスライド
    部材と、 前記アームとスライド部材とを駆動制御する制御部と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  9. 【請求項９】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で検
    知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項８記載の半導体ウエハ
    のスライシング装置。
  10. 【請求項１０】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング方法に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させて、前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく
    方向に所定量移動しながら、前記半導体材料の切断面の
    中心を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点とし
    て半導体材料を揺動して半導体ウエハを製造することを
    特徴とする半導体ウエハのスライシング方法。
  11. 【請求項１１】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検出し、この変位が所定値以上になった時に、内周刃又
    は半導体材料の前記移動と半導体材料の前記揺動とを停
    止して内周刃のみを継続回転させ、前記変位が所定値以
    下に戻った時に前記移動と揺動とを再開するようにした
    ことを特徴とする請求項１０記載の半導体ウエハのスラ
    イシング方法。
  12. 【請求項１２】 前記内周刃の軸方向の変位が所定値以
    上になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所
    定値以下に戻すようにしたことを特徴とする請求項１１
    記載の半導体ウエハのスライシング方法。
  13. 【請求項１３】 前記半導体材料の揺動切断と同時に或
    いは切断後、半導体ウエハの平面を研削することを特徴
    とする請求項１０記載の半導体ウエハのスライシング方
    法。
  14. 【請求項１４】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング方法に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させて、前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく
    方向に所定量移動しながら、前記半導体材料の切断面の
    中心から所定量オフセットした位置を通り前記ブレード
    面に直交する軸を揺動支点として半導体材料を揺動して
    半導体ウエハを製造することを特徴とする半導体ウエハ
    のスライシング方法。
  15. 【請求項１５】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検出し、この変位が所定値以上になった時に、内周刃又
    は半導体材料の前記移動と半導体材料の前記揺動とを停
    止して内周刃のみを継続回転させ、前記変位が所定値以
    下に戻った時に前記移動と揺動とを再開するようにした
    ことを特徴とする請求項１４記載の半導体ウエハのスラ
    イシング方法。
  16. 【請求項１６】 前記内周刃の軸方向の変位が所定値以
    上になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所
    定値以下に戻すようにしたことを特徴とする請求項１５
    記載の半導体ウエハのスライシング方法。
  17. 【請求項１７】 前記半導体材料の揺動切断と同時に或
    いは切断後、半導体ウエハの平面を研削することを特徴
    とする請求項１４記載の半導体ウエハのスライシング方
    法。
  18. 【請求項１８】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング方法に於いて、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に所定
    量移動した後、 （１）前記半導体材料をその軸芯を中心に一方側に所定
    角度揺動し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間
    切断動作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止
    し、この切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返
    した後、 （２）前記半導体材料をその軸芯を中心に他方側に所定
    角度揺動し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間
    切断動作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止
    し、この切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返
    して行い、 以下、前記（１）、（２）の操作を繰り返して半導体ウ
    エハを製造することを特徴とする半導体ウエハのスライ
    シング方法。
  19. 【請求項１９】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検出し、この変位が所定値以上になった時に、内周刃又
    は半導体材料の前記移動と半導体材料の前記揺動とを停
    止して内周刃のみを継続回転させ、前記変位が所定値以
    下に戻った時に前記移動と揺動とを再開するようにした
    ことを特徴とする請求項１８記載の半導体ウエハのスラ
    イシング方法。
  20. 【請求項２０】 前記内周刃の軸方向の変位が所定値以
    上になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所
    定値以下に戻すようにしたことを特徴とする請求項１９
    記載の半導体ウエハのスライシング方法。
  21. 【請求項２１】 前記半導体材料の揺動切断と同時に或
    いは切断後、半導体ウエハの平面を研削することを特徴
    とする請求項１８記載の半導体ウエハのスライシング方
    法。
  22. 【請求項２２】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング方法に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させて、内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向
    に所定量移動した後、 （１）前記半導体材料の切断面の中心を通り前記ブレー
    ド面に直交する軸を揺動支点として半導体材料を一方側
    に所定角度揺動し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ
    1 の間切断動作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操作
    を停止し、この切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間
    繰り返した後、 （２）半導体材料を前記揺動支点を中心に他方側に所定
    角度揺動し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間
    切断動作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止
    し、この切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返
    して行い、 以下、前記（１）、（２）の操作を繰り返して半導体ウ
    エハを製造することを特徴とする半導体ウエハのスライ
    シング方法。
  23. 【請求項２３】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検出し、この変位が所定値以上になった時に、内周刃又
    は半導体材料の前記移動と半導体材料の前記揺動とを停
    止して内周刃のみを継続回転させ、前記変位が所定値以
    下に戻った時に前記移動と揺動とを再開するようにした
    ことを特徴とする請求項２２記載の半導体ウエハのスラ
    イシング方法。
  24. 【請求項２４】 前記内周刃の軸方向の変位が所定値以
    上になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所
    定値以下に戻すようにしたことを特徴とする請求項２３
    記載の半導体ウエハのスライシング方法。
  25. 【請求項２５】 前記半導体材料の揺動切断と同時に或
    いは切断後、半導体ウエハの平面を研削することを特徴
    とする請求項２２記載の半導体ウエハのスライシング方
    法。
  26. 【請求項２６】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング方法に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させて、前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく
    方向に所定量移動した後、 （１）前記半導体材料の切断面の中心から所定量オフセ
    ットされた位置を通り前記ブレード面に直交する軸を揺
    動支点として半導体材料を一方側に所定角度揺動し、内
    周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間切断動作をさせ
    た後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止し、この切断動
    作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返した後、 （２）半導体材料を前記揺動支点を中心に他方側に所定
    角度揺動し、内周刃又は半導体材料を所定時間Ｔ1 の間
    切断動作をさせた後、所定時間Ｔ2 の間切断操作を停止
    し、この切断動作と切断停止を所定時間Ｔ3 の間繰り返
    して行い、 以下、前記（１）、（２）の操作を繰り返して半導体ウ
    エハを製造することを特徴とする半導体ウエハのスライ
    シング方法。
  27. 【請求項２７】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検出し、この変位が所定値以上になった時に、内周刃又
    は半導体材料の前記移動と半導体材料の前記揺動とを停
    止して内周刃のみを継続回転させ、前記変位が所定値以
    下に戻った時に前記移動と揺動とを再開するようにした
    ことを特徴とする請求項２６記載の半導体ウエハのスラ
    イシング方法。
  28. 【請求項２８】 前記内周刃の軸方向の変位が所定値以
    上になった時に、内周刃の回転数を変えて前記変位を所
    定値以下に戻すようにしたことを特徴とする請求項２７
    記載の半導体ウエハのスライシング方法。
  29. 【請求項２９】 前記半導体材料の揺動切断と同時に或
    いは切断後、半導体ウエハの平面を研削することを特徴
    とする請求項２６記載の半導体ウエハのスライシング方
    法。
  30. 【請求項３０】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング方法に於いて、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に所定
    量移動し、内周刃に半導体材料を押し付けて半導体ウエ
    ハ部分を切断した後、前記半導体材料をその軸芯を中心
    に所定量両方向に揺動して半導体材料のスライスベース
    を切断し、半導体ウエハを製造することを特徴とする半
    導体ウエハのスライシング方法。
  31. 【請求項３１】 前記内周刃又は半導体材料の移動動作
    と同時に半導体ウエハの平面を研削し、前記スライスベ
    ースの揺動切断時には前記平面研削を停止することを特
    徴とする請求項３０記載の半導体ウエハのスライシング
    方法。
  32. 【請求項３２】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続
    的に移動させる移動手段と、 半導体材料をその軸芯を中心に一方側で所定角度、及び
    他方側で所定角度、交互に揺動させる揺動手段と、 前記移動手段と揺動手段とを駆動制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  33. 【請求項３３】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項３２記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  34. 【請求項３４】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させるチルチング手段と、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動
    させる移動手段と、 半導体材料の切断面の中心を通り前記ブレード面に直交
    する軸を揺動支点として揺動させる揺動手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  35. 【請求項３５】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項３４記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  36. 【請求項３６】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させるチルチング手段と、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続
    的に移動させる移動手段と、 半導体材料の切断面の中心を通り前記ブレード面に直交
    する軸を揺動支点として一方側で所定角度、及び他方側
    で所定角度、交互に半導体材料を揺動させる揺動手段
    と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  37. 【請求項３７】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項３６記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  38. 【請求項３８】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させるチルチング手段と、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動
    させる移動手段と、 半導体材料の切断面の中心から所定量オフセットした位
    置を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として
    揺動させる揺動手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  39. 【請求項３９】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項３８記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  40. 【請求項４０】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させるチルチング手段と、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続
    的に移動させる移動手段と、 半導体材料の切断面の中心から所定量オフセットした位
    置を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として
    一方側で所定角度、及び他方側で所定角度、交互に半導
    体材料を揺動させる揺動手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  41. 【請求項４１】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項４０記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  42. 【請求項４２】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続
    的に移動させる移動手段と、 半導体材料をその軸芯を中心に一方側で所定角度、及び
    他方側で所定角度、交互に揺動させる揺動手段と、 切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体ウエハの平
    面を研削する研削手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  43. 【請求項４３】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項４２記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  44. 【請求項４４】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させるチルチング手段と、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動
    させる移動手段と、 半導体材料の切断面の中心を通り前記ブレード面に直交
    する軸を揺動支点として揺動させる揺動手段と、 切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体ウエハの平
    面を研削する研削手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  45. 【請求項４５】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項４４記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  46. 【請求項４６】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させるチルチング手段と、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続
    的に移動させる移動手段と、 半導体材料の切断面の中心を通り前記ブレード面に直交
    する軸を揺動支点として一方側で所定角度、及び他方側
    で所定角度、交互に半導体材料を揺動させる揺動手段
    と、 切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体ウエハの平
    面を研削する研削手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  47. 【請求項４７】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項４６記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  48. 【請求項４８】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させるチルチング手段と、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に移動
    させる移動手段と、 半導体材料の切断面の中心から所定量オフセットした位
    置を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として
    揺動させる揺動手段と、 切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体ウエハの平
    面を研削する研削手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  49. 【請求項４９】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項４８記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
  50. 【請求項５０】 ドーナツ状のブレードの内周縁に形成
    された内周刃を回転させると共に、該内周刃に円柱状の
    半導体材料を押し付けて半導体ウエハを製造する半導体
    ウエハのスライシング装置に於いて、 前記半導体材料を前記ブレードの面に対して所定角度傾
    斜させるチルチング手段と、 前記内周刃又は半導体材料を相対的に近づく方向に断続
    的に移動させる移動手段と、 半導体材料の切断面の中心から所定量オフセットした位
    置を通り前記ブレード面に直交する軸を揺動支点として
    一方側で所定角度、及び他方側で所定角度、交互に半導
    体材料を揺動させる揺動手段と、 切断中の半導体ウエハ、又は切断後の半導体ウエハの平
    面を研削する研削手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハのスライシング
    装置。
  51. 【請求項５１】 前記内周刃の軸方向の変位を非接触で
    検知するセンサと、 前記センサで検知した変位量に基づいて、その変位を修
    正するエアーパッドと、 を設けたことを特徴とする請求項５０記載の半導体ウエ
    ハのスライシング装置。
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