JPH0679761B2 - 半導体ウエハのディップはんだ付け法 - Google Patents
半導体ウエハのディップはんだ付け法Info
- Publication number
- JPH0679761B2 JPH0679761B2 JP61238615A JP23861586A JPH0679761B2 JP H0679761 B2 JPH0679761 B2 JP H0679761B2 JP 61238615 A JP61238615 A JP 61238615A JP 23861586 A JP23861586 A JP 23861586A JP H0679761 B2 JPH0679761 B2 JP H0679761B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
- wafer
- solder
- molten solder
- soldering method
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0404—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
Landscapes
- Molten Solder (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
この発明は半導体ウエハの表面に予備はんだ層を被着形
成させるディップはんだ付け法に関する。
成させるディップはんだ付け法に関する。
半導体ウエハの表面に予備はんだ層を被覆形成させるは
んだ付け法として、ピンセット等を用いて手作業により
半導体ウエハを把持し、溶融はんだの入っているはんだ
槽内にウエハを浸漬してはんだ付けを行う方法が従来よ
り一般に採用されている。しかしてかかるディップはん
だ付け法では次記のような欠点がある。すなわち、 （１）半導体ウエハをはんだ槽から引き上げる際にはん
だの後垂れが生じてウエハの端部にはんだが余分に付着
残留し、ウエハ全面に均一な厚みのはんだ層を被覆形成
することが困難である。 （２）はんだ付けを手作業により１枚ずつ行うため作業
能率が低く、かつその浸漬操作の手加減によりウエハに
付着したはんだ被膜の膜厚に塗りむらが生じて安定した
ディップはんだ付けが得られず、良品率が低下する。 （３）半導体ウエハは通常0.1〜0.2mm程度の薄い板であ
り、ピンセットの把持によりウエハの板面に損傷を与え
る恐れがある。
んだ付け法として、ピンセット等を用いて手作業により
半導体ウエハを把持し、溶融はんだの入っているはんだ
槽内にウエハを浸漬してはんだ付けを行う方法が従来よ
り一般に採用されている。しかしてかかるディップはん
だ付け法では次記のような欠点がある。すなわち、 （１）半導体ウエハをはんだ槽から引き上げる際にはん
だの後垂れが生じてウエハの端部にはんだが余分に付着
残留し、ウエハ全面に均一な厚みのはんだ層を被覆形成
することが困難である。 （２）はんだ付けを手作業により１枚ずつ行うため作業
能率が低く、かつその浸漬操作の手加減によりウエハに
付着したはんだ被膜の膜厚に塗りむらが生じて安定した
ディップはんだ付けが得られず、良品率が低下する。 （３）半導体ウエハは通常0.1〜0.2mm程度の薄い板であ
り、ピンセットの把持によりウエハの板面に損傷を与え
る恐れがある。
この発明は上記の点にかんがみてなされたものであり、
上記した従来のディップはんだ付け法の欠点を除去し、
半導体ウエハの表面に均一な厚みの予備はんだ層を被覆
形成でき、かつその作業能率の向上が図れるようにした
半導体ウエハのディップはんだ付け法を提供することを
目的とする。
上記した従来のディップはんだ付け法の欠点を除去し、
半導体ウエハの表面に均一な厚みの予備はんだ層を被覆
形成でき、かつその作業能率の向上が図れるようにした
半導体ウエハのディップはんだ付け法を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するために、この発明は半導体ウエハの
周縁を把持する少なくとも３本の爪から成るチャック機
構と、該チャック機構の回転駆動部とから成り、回転駆
動部の運転によりチャック機構を介して半導体ウエハを
高速回転操作する回転式ウエハ保持具により半導体ウエ
ハを把持し、溶融はんだ内への浸漬時に半導体ウエハを
水平より傾けて浸漬し、溶融はんだからの引き上げ時に
半導体ウエハを水平より傾けて引き上げ、溶融ハンダか
らウエハを引き上げた直後に前記のウエハ保持具を介し
て半導体ウエハをその板面中心を軸とする自転の高速回
転をさせ、ウエハ表面に付着している余分なはんだを遠
心力により振り切って飛散除去させることにより、ウエ
ハの表面に均一な厚さのはんだ層を被覆形成させるよう
にしたものである。
周縁を把持する少なくとも３本の爪から成るチャック機
構と、該チャック機構の回転駆動部とから成り、回転駆
動部の運転によりチャック機構を介して半導体ウエハを
高速回転操作する回転式ウエハ保持具により半導体ウエ
ハを把持し、溶融はんだ内への浸漬時に半導体ウエハを
水平より傾けて浸漬し、溶融はんだからの引き上げ時に
半導体ウエハを水平より傾けて引き上げ、溶融ハンダか
らウエハを引き上げた直後に前記のウエハ保持具を介し
て半導体ウエハをその板面中心を軸とする自転の高速回
転をさせ、ウエハ表面に付着している余分なはんだを遠
心力により振り切って飛散除去させることにより、ウエ
ハの表面に均一な厚さのはんだ層を被覆形成させるよう
にしたものである。
第１図はこの発明のディップはんだ付け法を実施するた
めの回転式ウエハ保持具の構成図、第２図は第１図のウ
エハ保持具を使用して行うディップはんだ付け法の工程
説明図で、まず第１図により回転ウエハ保持具の構成を
説明する。図において１は半導体ウエハであり、該ウエ
ハ１を把持するウエハ保持具２は、半導体ウエハ１の周
縁を把持するチャック機構３と、該チャック機構３を高
速回転操作する回転駆動部４とから構成されている。こ
こでチャック機構３は縦軸の回転軸31と、該回転軸31の
先端より30〜45度の曲げ角度αを与えて等角ピッチに分
岐したウエハ把持用の３本の爪32とから成り、かつ爪32
ははんだの付着し難い弾性金属線材，例えば0.6〜1.2φ
程度のステンレス鋼線で作られ、さらにその爪先端部に
はウエハ１との当接部にはんだの溜りが生じないように
フッ素樹脂がコーティングされている。 一方、回転駆動部４は駆動モータ41と、駆動モータ41に
直結された駆動歯車42と、駆動歯車42を挟んでその両側
に結合した２連の従動歯車43と、これら歯車機構を収容
したケーシング44と、ケーシング44を駆動モータ41に結
合する支持枠45と、およびケーシング44の下面中央から
下方に張り出す隔壁46とから成り、この２連の従動歯車
43に前記したチャック機構３の回転軸41が連結されるよ
うに構成されている。かかる構成で駆動モータ41を始動
することにより歯車機構を介して同時に２組のチャック
機構３が1900rpm程度の回転速度で高速回転され、また
駆動モータ41を停止すればチャック機構３が急速停止さ
れる。 次に上記したウエハ保持具２を使用して半導体ウエハ１
の表面に予備はんだ層を被覆形成させるディップはんだ
付け法の操作を第２図により説明する。図中５は槽内に
溶融はんだ51を収容したはんだ槽であり、この上方に前
記したウエハ保持具２が図示されない取扱移送機構に支
持されている。ここではんだ槽５の槽外で半導体ウエハ
１をウエハ保持具２に装備した２組のチャック機構３の
爪32に一枚宛装着する。この装着操作は爪32を手で外方
に広げ、ここに半導体ウエハ１を水平姿勢に挟み込んで
その周縁を３点支持方式により把持する。 次にウエハ保持具２を下方に吊り降ろしてチャック機構
３に把持されている半導体ウエハ１をはんだ槽内の溶融
はんだ51の中に浸漬させる。この場合にウエハの板面に
加わる抵抗を抑えて浸漬操作を素早く行うため、および
浸漬の際にウエハ１の裏面側で溶融はんだ内に空気を巻
き込まないようにするために、図示のようにウエハ保持
具２の全体姿勢を水平より角度βだけ傾けながらウエハ
１を溶融はんだ内に浸漬させる。続いてウエハ保持具２
を同じく角度βだけ傾け上昇操作して半導体ウエハ１を
溶融はんだから引き上げた直後に、ここでウエハ１の表
面に付着したはんだが溶融状態に在る間にウエハ保持具
２の駆動モータ41を始動する。 この回転駆動によりウエハ１はチャック機構３の回転軸
31を中心として自転の高速回転がされる。したがって高
速回転に伴う遠心力作用によりウエハ１の表面に付着し
ている余分なはんだ，およびウエハの引き上げに伴って
付着したはんだ槽内の浮遊酸化物等はウエハの周縁より
周囲に飛散し、したがってウエハ１の表面には均一な厚
さの予備はんだ層が被覆形成されるようになる。しかも
ここで回転数を適宜選択することにより予備はんだ層の
膜厚をコントロールすることも可能であり、かつこの回
転数をあらかじめ設定しておくことにより、バラツキな
く常に安定した厚さの予備はんだ層を被覆形成すること
ができる。なお周囲に飛散したはんだの液滴ははんだ槽
５の中に滴下回収される。続いて駆動モータ41を停止
し、はんだが固化した状態でウエハ保持具２をウエハ回
収位置まで移送し、ここでクラッチ機構３の爪32を広げ
て半導体ウエハ１を回収させる。なおこの回収操作の際
には先記のように爪32がフッ素樹脂コーティングされて
いるので、爪32とウエハ１との間がはんだ接合されるこ
とはなく、容易にウエハ１を爪32より離脱させることが
できる。しかも爪32は弾性のある金属線材より成り，か
つその把持方式もウエハ１の周縁を把持するので、チャ
ックミスによる半導体ウエハの割れや破損，およびはん
だ被覆層に損傷を与える恐れはない。 また図示実施例のようにウエハ保持具２に２組のチャッ
ク機構３を装備しておくことにより、同時に２枚の半導
体ウエハをはんだ付け処理できるので作業能率の向上が
図れ、かつこの場合に左右のチャック機構３の間には隔
壁46が設けてあり、高速回転操作によりウエハ１の周縁
から飛散したはんだ滴が互いに他のウエハに付着し合う
ことがない。なお図示例では２連形のものを示したが必
要によりチャック機構３を同じ保持具に３組以上装備し
て同時に３枚以上の半導体ウエハをディップはんだ付け
することも可能である。
めの回転式ウエハ保持具の構成図、第２図は第１図のウ
エハ保持具を使用して行うディップはんだ付け法の工程
説明図で、まず第１図により回転ウエハ保持具の構成を
説明する。図において１は半導体ウエハであり、該ウエ
ハ１を把持するウエハ保持具２は、半導体ウエハ１の周
縁を把持するチャック機構３と、該チャック機構３を高
速回転操作する回転駆動部４とから構成されている。こ
こでチャック機構３は縦軸の回転軸31と、該回転軸31の
先端より30〜45度の曲げ角度αを与えて等角ピッチに分
岐したウエハ把持用の３本の爪32とから成り、かつ爪32
ははんだの付着し難い弾性金属線材，例えば0.6〜1.2φ
程度のステンレス鋼線で作られ、さらにその爪先端部に
はウエハ１との当接部にはんだの溜りが生じないように
フッ素樹脂がコーティングされている。 一方、回転駆動部４は駆動モータ41と、駆動モータ41に
直結された駆動歯車42と、駆動歯車42を挟んでその両側
に結合した２連の従動歯車43と、これら歯車機構を収容
したケーシング44と、ケーシング44を駆動モータ41に結
合する支持枠45と、およびケーシング44の下面中央から
下方に張り出す隔壁46とから成り、この２連の従動歯車
43に前記したチャック機構３の回転軸41が連結されるよ
うに構成されている。かかる構成で駆動モータ41を始動
することにより歯車機構を介して同時に２組のチャック
機構３が1900rpm程度の回転速度で高速回転され、また
駆動モータ41を停止すればチャック機構３が急速停止さ
れる。 次に上記したウエハ保持具２を使用して半導体ウエハ１
の表面に予備はんだ層を被覆形成させるディップはんだ
付け法の操作を第２図により説明する。図中５は槽内に
溶融はんだ51を収容したはんだ槽であり、この上方に前
記したウエハ保持具２が図示されない取扱移送機構に支
持されている。ここではんだ槽５の槽外で半導体ウエハ
１をウエハ保持具２に装備した２組のチャック機構３の
爪32に一枚宛装着する。この装着操作は爪32を手で外方
に広げ、ここに半導体ウエハ１を水平姿勢に挟み込んで
その周縁を３点支持方式により把持する。 次にウエハ保持具２を下方に吊り降ろしてチャック機構
３に把持されている半導体ウエハ１をはんだ槽内の溶融
はんだ51の中に浸漬させる。この場合にウエハの板面に
加わる抵抗を抑えて浸漬操作を素早く行うため、および
浸漬の際にウエハ１の裏面側で溶融はんだ内に空気を巻
き込まないようにするために、図示のようにウエハ保持
具２の全体姿勢を水平より角度βだけ傾けながらウエハ
１を溶融はんだ内に浸漬させる。続いてウエハ保持具２
を同じく角度βだけ傾け上昇操作して半導体ウエハ１を
溶融はんだから引き上げた直後に、ここでウエハ１の表
面に付着したはんだが溶融状態に在る間にウエハ保持具
２の駆動モータ41を始動する。 この回転駆動によりウエハ１はチャック機構３の回転軸
31を中心として自転の高速回転がされる。したがって高
速回転に伴う遠心力作用によりウエハ１の表面に付着し
ている余分なはんだ，およびウエハの引き上げに伴って
付着したはんだ槽内の浮遊酸化物等はウエハの周縁より
周囲に飛散し、したがってウエハ１の表面には均一な厚
さの予備はんだ層が被覆形成されるようになる。しかも
ここで回転数を適宜選択することにより予備はんだ層の
膜厚をコントロールすることも可能であり、かつこの回
転数をあらかじめ設定しておくことにより、バラツキな
く常に安定した厚さの予備はんだ層を被覆形成すること
ができる。なお周囲に飛散したはんだの液滴ははんだ槽
５の中に滴下回収される。続いて駆動モータ41を停止
し、はんだが固化した状態でウエハ保持具２をウエハ回
収位置まで移送し、ここでクラッチ機構３の爪32を広げ
て半導体ウエハ１を回収させる。なおこの回収操作の際
には先記のように爪32がフッ素樹脂コーティングされて
いるので、爪32とウエハ１との間がはんだ接合されるこ
とはなく、容易にウエハ１を爪32より離脱させることが
できる。しかも爪32は弾性のある金属線材より成り，か
つその把持方式もウエハ１の周縁を把持するので、チャ
ックミスによる半導体ウエハの割れや破損，およびはん
だ被覆層に損傷を与える恐れはない。 また図示実施例のようにウエハ保持具２に２組のチャッ
ク機構３を装備しておくことにより、同時に２枚の半導
体ウエハをはんだ付け処理できるので作業能率の向上が
図れ、かつこの場合に左右のチャック機構３の間には隔
壁46が設けてあり、高速回転操作によりウエハ１の周縁
から飛散したはんだ滴が互いに他のウエハに付着し合う
ことがない。なお図示例では２連形のものを示したが必
要によりチャック機構３を同じ保持具に３組以上装備し
て同時に３枚以上の半導体ウエハをディップはんだ付け
することも可能である。
以上述べたようにこの発明によれば、半導体ウエハの周
縁を把持する少なくとも３本の爪から成るチャック機構
と、該チャック機構の回転駆動部とから成り、回転駆動
部の運転によりチャック機構を介して半導体ウエハを高
速回転操作する回転式ウエハ保持具により半導体ウエハ
を把持し、溶融はんだ内への浸漬時に半導体ウエハを水
平より傾けて浸漬し、溶融はんだからの引き上げ時に半
導体ウエハを水平より傾けて引き上げ、溶融はんだから
ウエハを引き上げた直後に前記保持具を介して半導体ウ
エハをその板面中心を軸とする自転の高速回転をさせ、
ウエハ表面に付着している余分なはんだを遠心力により
飛散除去するようにしたことにより、ピンセット等を用
いて半導体ウエハを１枚ずつ溶融はんだに浸漬して引き
上げる従来の作業方法で問題になっている余分なはんだ
の付着残存，塗りむら，はんだ層膜厚の不均一性などの
発生を防止し、高い作業能率で常に均一な膜厚のはんだ
層を被着形成させてその良品率の大幅な向上を図ること
ができる。また、溶融はんだへの浸漬時及び引き上げ時
に半導体ウエハを水平より傾けることによる半導体ウエ
ハの裏面側で溶融はんだ内に空気を巻き込むことがなく
なり空気の巻き込みによる塗りむらが生じなくなった。
縁を把持する少なくとも３本の爪から成るチャック機構
と、該チャック機構の回転駆動部とから成り、回転駆動
部の運転によりチャック機構を介して半導体ウエハを高
速回転操作する回転式ウエハ保持具により半導体ウエハ
を把持し、溶融はんだ内への浸漬時に半導体ウエハを水
平より傾けて浸漬し、溶融はんだからの引き上げ時に半
導体ウエハを水平より傾けて引き上げ、溶融はんだから
ウエハを引き上げた直後に前記保持具を介して半導体ウ
エハをその板面中心を軸とする自転の高速回転をさせ、
ウエハ表面に付着している余分なはんだを遠心力により
飛散除去するようにしたことにより、ピンセット等を用
いて半導体ウエハを１枚ずつ溶融はんだに浸漬して引き
上げる従来の作業方法で問題になっている余分なはんだ
の付着残存，塗りむら，はんだ層膜厚の不均一性などの
発生を防止し、高い作業能率で常に均一な膜厚のはんだ
層を被着形成させてその良品率の大幅な向上を図ること
ができる。また、溶融はんだへの浸漬時及び引き上げ時
に半導体ウエハを水平より傾けることによる半導体ウエ
ハの裏面側で溶融はんだ内に空気を巻き込むことがなく
なり空気の巻き込みによる塗りむらが生じなくなった。
第１図はこの発明によるディップはんだ付け法を実施す
る際に用いるウエハ保持具の構成断面図、第２図はディ
ップはんだ付け法の作業工程説明図である。各図におい
て、 1:半導体ウエハ、2:ウエハ保持具、3:チャック機構、4:
回転駆動部、51:溶融はんだ。
る際に用いるウエハ保持具の構成断面図、第２図はディ
ップはんだ付け法の作業工程説明図である。各図におい
て、 1:半導体ウエハ、2:ウエハ保持具、3:チャック機構、4:
回転駆動部、51:溶融はんだ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハを溶融状態のはんだに浸漬
し、半導体ウエハの表面に予備はんだ層を被覆形成する
ディップはんだ付け法において、半導体ウエハの周縁を
把持する少なくとも３本の爪から成るチャック機構と、
該チャック機構の回転駆動部とから成り、回転駆動部の
運転によりチャック機構を介して半導体ウエハを高速回
転操作する回転式ウエハ保持具により半導体ウエハを把
持し、溶融はんだ内への浸漬時に半導体ウエハを水平よ
り傾けて浸漬し、溶融はんだからの引き上げ時に半導体
ウエハを水平より傾けて引き上げ、溶融はんだから半導
体ウエハを引き上げた直後に前記ウエハ保持具を介して
半導体ウエハをその板面中心を軸とする自転の高速回転
をさせ、半導体ウエハ表面に付着している余分なはんだ
を遠心力により飛散除去するようにしたことを特徴とす
る半導体ウエハのディップはんだ付け法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238615A JPH0679761B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体ウエハのディップはんだ付け法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238615A JPH0679761B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体ウエハのディップはんだ付け法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393468A JPS6393468A (ja) | 1988-04-23 |
| JPH0679761B2 true JPH0679761B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=17032800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238615A Expired - Lifetime JPH0679761B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体ウエハのディップはんだ付け法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0679761B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0735650Y2 (ja) * | 1989-10-13 | 1995-08-16 | ミツミ電機株式会社 | 回転式浸漬半田付装置 |
| FR2671107B1 (fr) * | 1990-12-27 | 1993-12-31 | Alcatel Cit | Procede et dispositif d'etamage de plages etamables d'un boitier de composant electronique. |
| US5937896A (en) * | 1998-08-07 | 1999-08-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Check valve and seating valve |
| DE102008045257A1 (de) * | 2008-09-01 | 2010-03-04 | Rena Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Handhaben von Substraten |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58221665A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-23 | Fujitsu Ltd | 部品の予備半田付方法 |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238615A patent/JPH0679761B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6393468A (ja) | 1988-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |