JPS6242516A - 有機金属熱分解気相成長装置 - Google Patents
有機金属熱分解気相成長装置Info
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- JPS6242516A JPS6242516A JP18226485A JP18226485A JPS6242516A JP S6242516 A JPS6242516 A JP S6242516A JP 18226485 A JP18226485 A JP 18226485A JP 18226485 A JP18226485 A JP 18226485A JP S6242516 A JPS6242516 A JP S6242516A
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- Japan
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- susceptor
- gas
- compound
- supply opening
- phosphorus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
りんの如き可燃性の物質が気相処理装置の排ガス部に析
出蓄積する装置において、当該装置を大気中にさらした
場合に、直接大気とりんが接触することのないように砒
素（Ａｓ）またはＡｓ化合物の析出を利用する装置であ
る。
出蓄積する装置において、当該装置を大気中にさらした
場合に、直接大気とりんが接触することのないように砒
素（Ａｓ）またはＡｓ化合物の析出を利用する装置であ
る。
本発明は有機金属熱分解気相成長（ＭＯ−ＣＶＤ）装置
に関するもので、さらに詳しく言えば、りんを含む化合
物半導体を成長するＭＯ−ＣＶＤ装置の改良に関するも
のである。
に関するもので、さらに詳しく言えば、りんを含む化合
物半導体を成長するＭＯ−ＣＶＤ装置の改良に関するも
のである。
従来用いられたＭＯ−ＣＶＤ装置は第３図の断面図に示
され、同図において、１１は石英で作られた反応管、１
２は矢印方向に回転するサセプタ１３上に載置された基
鈑、１４はＲＦコイル（ヒータ）、１５は排ガス処理装
置、１６．１７．１８．１９．２０はＴＥｉＧ、 ＴＥ
Ｉｎ。
され、同図において、１１は石英で作られた反応管、１
２は矢印方向に回転するサセプタ１３上に載置された基
鈑、１４はＲＦコイル（ヒータ）、１５は排ガス処理装
置、１６．１７．１８．１９．２０はＴＥｉＧ、 ＴＥ
Ｉｎ。
ＤＥＺｎ、 ｔ’ｌ１３ 、 Ａｓｔ１３ガスのボン
ベ、２１はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）をそれぞ
れ示す。これらの気相反応ガスをＭＦＣ２１で適宜コン
トロールして反応室１１に送り、ＲＦコイル１４で加熱
しつつ基板１２上に所望の化合物半導体を堆積させる。
ベ、２１はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）をそれぞ
れ示す。これらの気相反応ガスをＭＦＣ２１で適宜コン
トロールして反応室１１に送り、ＲＦコイル１４で加熱
しつつ基板１２上に所望の化合物半導体を堆積させる。
上記した従来の装置においては、基板１２以外のところ
、すなわちサセプタ１３の周囲の反応管内壁、マニホー
ルド、排ガス管内などに気相反応ガスの残留成分が付着
Ｎ積される。この付着する物質にりんが含まれる場合、
反応管を酸素を含む雰囲気（大気）に開放した場合に発
火する危険があり、反応管を開放するについては細心の
注意が必要であった。また、サセプタに付着したりんの
化合物が加熱された場合に蒸発し、エピタキシャル結晶
の特性を劣化させる原因となっていた。さらには、りん
が燃えた後にはＰ２１７５やりん酸が反応管内壁に吸着
し内壁を汚染する問題もある。
、すなわちサセプタ１３の周囲の反応管内壁、マニホー
ルド、排ガス管内などに気相反応ガスの残留成分が付着
Ｎ積される。この付着する物質にりんが含まれる場合、
反応管を酸素を含む雰囲気（大気）に開放した場合に発
火する危険があり、反応管を開放するについては細心の
注意が必要であった。また、サセプタに付着したりんの
化合物が加熱された場合に蒸発し、エピタキシャル結晶
の特性を劣化させる原因となっていた。さらには、りん
が燃えた後にはＰ２１７５やりん酸が反応管内壁に吸着
し内壁を汚染する問題もある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、反応
管を大気に開放したときにりんの発火が発生しないＭＯ
−ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
管を大気に開放したときにりんの発火が発生しないＭＯ
−ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
第１図は本発明実施例の断面図である。
第１図のりんを含む化合物半導体の？ｌ０−Ｃシυ用の
装置において、高周波誘導加熱のサセプタ１３の上流部
から有機金属および■族元素水素化合物等のガスを供給
するに加え、サセプタ１３の下流部から有機金属もしく
はアルシンガス、またはアルシンガスと有機金属ガスを
供給する構成とする。
装置において、高周波誘導加熱のサセプタ１３の上流部
から有機金属および■族元素水素化合物等のガスを供給
するに加え、サセプタ１３の下流部から有機金属もしく
はアルシンガス、またはアルシンガスと有機金属ガスを
供給する構成とする。
上記装置においては、基板以外の部分に付着したりん、
りん化合物等酸化し易い析出物が、反応管が大気にさら
された場合に直接大気に接触しないようにするため、り
んを含む析出物の上にＡｓを含む析出物で被覆（カバー
）する装置を設け、サセプタの上流部、下流部に析出蓄
積したりん化合物およびりんの上をＡｓ化合物とＡｓの
析出物でカバーする。そのために、基板上へのエピタキ
シャル成長の目的のためのガス供給口以外に、Ａｓおよ
びＡｓ化合物を析出させるためのガス供給口を設け、さ
らにはＡｓおよびＡｓ化合物の析出を促進させるための
加熱手段をサセプタ以外のところに設けるものである。
りん化合物等酸化し易い析出物が、反応管が大気にさら
された場合に直接大気に接触しないようにするため、り
んを含む析出物の上にＡｓを含む析出物で被覆（カバー
）する装置を設け、サセプタの上流部、下流部に析出蓄
積したりん化合物およびりんの上をＡｓ化合物とＡｓの
析出物でカバーする。そのために、基板上へのエピタキ
シャル成長の目的のためのガス供給口以外に、Ａｓおよ
びＡｓ化合物を析出させるためのガス供給口を設け、さ
らにはＡｓおよびＡｓ化合物の析出を促進させるための
加熱手段をサセプタ以外のところに設けるものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明によるＭＯ−ＣＶＤ装置の断面図で、２
２はＴＭＧガスボンベである。第３図に示した従来のＭ
Ｏ−ＣＶＤ装置と異なるところは、Ａｓ）Ｉ ３とＴＭ
Ｇの供給ライン２３と、サセフ１夕１３を加熱するＲＦ
コイル１４以外に電気抵抗式のヒータ２４、サセプタ下
流部のガスが基板の方に逆流することを防止する治具２
６が設けられていることである。なお第１図において、
２５はヒータ２４のための電源である。
２はＴＭＧガスボンベである。第３図に示した従来のＭ
Ｏ−ＣＶＤ装置と異なるところは、Ａｓ）Ｉ ３とＴＭ
Ｇの供給ライン２３と、サセフ１夕１３を加熱するＲＦ
コイル１４以外に電気抵抗式のヒータ２４、サセプタ下
流部のガスが基板の方に逆流することを防止する治具２
６が設けられていることである。なお第１図において、
２５はヒータ２４のための電源である。
ＩｎＰの成長を行う場合には、ＩｎＰの成長が終了する
約２０分前からＡｓ１１３とＴＭＧを含むガスをライン
２３、第２ガス供給口２８から供給しく成長用ガスは従
来と同じく第１ガス供給口２７から供給される）、ヒー
タ２４の温度を、基板１２へ影響することのないよう、
サセプタ１３の温度より低い５０℃〜１００℃に保ち、
それによってガスの対流などが発生することな（一方向
に流れるようにする。
約２０分前からＡｓ１１３とＴＭＧを含むガスをライン
２３、第２ガス供給口２８から供給しく成長用ガスは従
来と同じく第１ガス供給口２７から供給される）、ヒー
タ２４の温度を、基板１２へ影響することのないよう、
サセプタ１３の温度より低い５０℃〜１００℃に保ち、
それによってガスの対流などが発生することな（一方向
に流れるようにする。
ＩｎＰの成長を停止した場合、ＴＥＩｎとＰＨ３の供給
を停止した後さらにＴＭＧとＡＳＨ３の供給を約２０分
続ける。このような処理をなすことにより、基板１２以
外のところに析出するりんおよびりん化合物は、Ａｓお
よびＧａによって希釈され、さらにＡｓとＧａ−Ａｓに
よってカバーされる。
を停止した後さらにＴＭＧとＡＳＨ３の供給を約２０分
続ける。このような処理をなすことにより、基板１２以
外のところに析出するりんおよびりん化合物は、Ａｓお
よびＧａによって希釈され、さらにＡｓとＧａ−Ａｓに
よってカバーされる。
第２図は第１図のサセプタ１３の変形例を示し、本来の
サセプタ１３に第２サセプタ１３ａを加えた二重構造と
し、サセプタ１３と第２サセプタ１３ａの間に逆流防止
仕切板２６ａを配置し、反応ガスが矢印で示す如く流れ
るようにする。
サセプタ１３に第２サセプタ１３ａを加えた二重構造と
し、サセプタ１３と第２サセプタ１３ａの間に逆流防止
仕切板２６ａを配置し、反応ガスが矢印で示す如く流れ
るようにする。
以上述べたＭＯ−ＣＶＤ装置を用いることにより、基板
へのエピタキシャル成長の後に、基板取出しや各種治具
の洗浄のためにサセプタ、治具を大気にさらした場合、
りんの発火が防止され、安全衛生上の改善がなされる。
へのエピタキシャル成長の後に、基板取出しや各種治具
の洗浄のためにサセプタ、治具を大気にさらした場合、
りんの発火が防止され、安全衛生上の改善がなされる。
りんは燃えやすいだけでなくそれ自体有害であるが、有
毒性ではあるが活性でなく取り扱い易いＡｓでカバーす
ることにより、りんについて発生した従来の問題が解決
されたのである。
毒性ではあるが活性でなく取り扱い易いＡｓでカバーす
ることにより、りんについて発生した従来の問題が解決
されたのである。
以上述べてきたようち本発明によれば、■りんおよびり
ん化合物の蓄積物の発火が防止され安全性が高まり、■
りんおよびりん化合物の蓄積物からのりん蒸気の発散が
低減され、基板／エピタキシャル層界面の特性劣化が低
減する効果がある。
ん化合物の蓄積物の発火が防止され安全性が高まり、■
りんおよびりん化合物の蓄積物からのりん蒸気の発散が
低減され、基板／エピタキシャル層界面の特性劣化が低
減する効果がある。
第１図は本発明実施例断面図、
第２図は第１図のサセプタの変形例断面図、第３図は従
来のＭＯ−ＣＶＤ装置の断面図である。 第１図ないし第３図において、 １１は反応管、 １２は基板、 １３はサセプタ、 １３ａは第２サセプタ、 １４はＲＦコイル、 １５は排ガス処理装置、 １６はＴＥＧガスボンベ、 １７はＴＥＩｎガスボンベ、 １８はＤＥＺｎガスボンベ、 １９はＰＨ３ガスボンベ、 ２０はへｓＨ３ガスボンベ、 ２１はＭＦＣ。 ２２はＴＭＧガスボンベ、 ２３はＡｓＨ３とＴＭＧガスの供給ライン、２４はヒー
タ、 ２５は電源、 ２６はガス逆流防止治具、 ２６ａはガス逆流防止仕切板、 ２７は第１ガス供給口、 ２８は第２ガス供給口である。
来のＭＯ−ＣＶＤ装置の断面図である。 第１図ないし第３図において、 １１は反応管、 １２は基板、 １３はサセプタ、 １３ａは第２サセプタ、 １４はＲＦコイル、 １５は排ガス処理装置、 １６はＴＥＧガスボンベ、 １７はＴＥＩｎガスボンベ、 １８はＤＥＺｎガスボンベ、 １９はＰＨ３ガスボンベ、 ２０はへｓＨ３ガスボンベ、 ２１はＭＦＣ。 ２２はＴＭＧガスボンベ、 ２３はＡｓＨ３とＴＭＧガスの供給ライン、２４はヒー
タ、 ２５は電源、 ２６はガス逆流防止治具、 ２６ａはガス逆流防止仕切板、 ２７は第１ガス供給口、 ２８は第２ガス供給口である。
Claims (2)
- （１）りんを含む化合物半導体成長用の装置において、 高周波誘導加熱型サセプタ（１３、１３ａ）の上方に成
長用ガスを供給する第１ガス供給口（２７）を設け、 サセプタ（１３、１３ａ）の下方に有機金属と砒素また
は砒素化合物を供給する第２ガス供給口（２８）を設け
たことを特徴とする有機金属熱分解気相成長装置。 - （２）サセプタ（１３）の下方を加熱するヒータ（２４
）を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の有機金属熱分解気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18226485A JPS6242516A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 有機金属熱分解気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18226485A JPS6242516A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 有機金属熱分解気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242516A true JPS6242516A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16115212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18226485A Pending JPS6242516A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 有機金属熱分解気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019151344A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 株式会社トーモク | トレー及び包装箱 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18226485A patent/JPS6242516A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019151344A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 株式会社トーモク | トレー及び包装箱 |
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