JPH0682073B2 - 焦電型赤外線センサ - Google Patents
焦電型赤外線センサInfo
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- JPH0682073B2 JPH0682073B2 JP63215372A JP21537288A JPH0682073B2 JP H0682073 B2 JPH0682073 B2 JP H0682073B2 JP 63215372 A JP63215372 A JP 63215372A JP 21537288 A JP21537288 A JP 21537288A JP H0682073 B2 JPH0682073 B2 JP H0682073B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
- H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08B—SIGNALLING SYSTEMS, e.g. PERSONAL CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/18—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength
- G08B13/189—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems
- G08B13/19—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems
- G08B13/191—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems using pyroelectric sensor means
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、人体等の移動体から発せられる赤外線を感知
する焦電型赤外線センサに関するものである。
する焦電型赤外線センサに関するものである。
〔従来の技術〕 近年、人間の室内侵入を検出する装置として焦電型赤外
線センサが広く使用されている。この焦電型赤外線セン
サは、人体から発せられる赤外線を感知するエレメント
を備えており、このエレメントから出力される赤外線量
に対応する電気信号を利用して防犯等の管理が行われて
いる。最近においては、装置の小型化および取り扱いの
容易性の観点から焦電型赤外線センサをハイブリットIC
化したものが広く利用されている。
線センサが広く使用されている。この焦電型赤外線セン
サは、人体から発せられる赤外線を感知するエレメント
を備えており、このエレメントから出力される赤外線量
に対応する電気信号を利用して防犯等の管理が行われて
いる。最近においては、装置の小型化および取り扱いの
容易性の観点から焦電型赤外線センサをハイブリットIC
化したものが広く利用されている。
第３図にはこの種のハイブリットIC化された焦電型赤外
線センサの構成が示されている。同図において、アルミ
ナ（Al2O3）からなる基板１の上側に赤外線量に対応し
た電流を出力する一対のエレメント２が配設されてい
る。こエレメント２の検出感度を高めるためには、赤外
線によって得た熱量を効率的に電気信号（電流）に変換
することが必要であり、このため、従来の装置において
は、エレメント２で受けた赤外線の熱量を熱伝導性の良
いアルミナ基板１（この種のアルミナ基板の熱伝導率は
0.07〜0.4（cal/cm sec℃）の値を有している。）を通
って逃げないように、エレメント２を基板１に対して一
定の間隙３を保って配置し、このエレメント２と基板１
とを導電ペースト４によって４点で支持固定している。
線センサの構成が示されている。同図において、アルミ
ナ（Al2O3）からなる基板１の上側に赤外線量に対応し
た電流を出力する一対のエレメント２が配設されてい
る。こエレメント２の検出感度を高めるためには、赤外
線によって得た熱量を効率的に電気信号（電流）に変換
することが必要であり、このため、従来の装置において
は、エレメント２で受けた赤外線の熱量を熱伝導性の良
いアルミナ基板１（この種のアルミナ基板の熱伝導率は
0.07〜0.4（cal/cm sec℃）の値を有している。）を通
って逃げないように、エレメント２を基板１に対して一
定の間隙３を保って配置し、このエレメント２と基板１
とを導電ペースト４によって４点で支持固定している。
基板１には抵抗体５とFET（Field Fffect Transistor）
６が設けられており、エレメント２によって出力される
電流は抵抗体５によるインピーダンス変換によって電圧
信号に変換され、この電圧信号に基づき、FET6はエレメ
ント２から外部へ出力される電流をオン・オフ制御して
いる。なお、図中７はエレメント２、抵抗体５、FET6等
の回路を駆動する駆動電力を供給し、かつ、エレメメン
ト２からの検出信号（電流）を取り出す端子ピンであ
る。また、８はこの端子ピン７を支持するステムであ
る。
６が設けられており、エレメント２によって出力される
電流は抵抗体５によるインピーダンス変換によって電圧
信号に変換され、この電圧信号に基づき、FET6はエレメ
ント２から外部へ出力される電流をオン・オフ制御して
いる。なお、図中７はエレメント２、抵抗体５、FET6等
の回路を駆動する駆動電力を供給し、かつ、エレメメン
ト２からの検出信号（電流）を取り出す端子ピンであ
る。また、８はこの端子ピン７を支持するステムであ
る。
しかしながら、上記従来の焦電型赤外線センサは基板１
に熱伝導性の良いアルミナ板を使用しているため、エレ
メント２を支持している４点の各位置の導電ペースト４
の直径等の形状が異なると、この各導電ペースト４を伝
わって基板１側に逃げる熱量がが区々となり、一対のエ
レメント２から出力される電流信号のバランスが崩れ、
信号処理を行う上で支障となる。このような支障を避け
るためには、各位置における導電ペースト４の直径およ
び長さ等の形状を一定にそろえなければらず、このこと
はセンサ製造の上で非常に困難なものとなっていた。
に熱伝導性の良いアルミナ板を使用しているため、エレ
メント２を支持している４点の各位置の導電ペースト４
の直径等の形状が異なると、この各導電ペースト４を伝
わって基板１側に逃げる熱量がが区々となり、一対のエ
レメント２から出力される電流信号のバランスが崩れ、
信号処理を行う上で支障となる。このような支障を避け
るためには、各位置における導電ペースト４の直径およ
び長さ等の形状を一定にそろえなければらず、このこと
はセンサ製造の上で非常に困難なものとなっていた。
また、従来のセンサは、エレメント２から出力される電
流信号を、一旦、抵抗体５によってインピーダンス変換
して電圧信号に変換し、この電圧信号に基づいてFET6を
オン・オフ動作させているため、赤外線センサの感度は
赤外線の熱を電流信号に変換する際の熱時定数τＴと、
FET6がオン・オフ動作する際の電気時定数τＥの両方の
影響を受け、赤外線センサの検出感度を高めることがで
きないという問題があった。
流信号を、一旦、抵抗体５によってインピーダンス変換
して電圧信号に変換し、この電圧信号に基づいてFET6を
オン・オフ動作させているため、赤外線センサの感度は
赤外線の熱を電流信号に変換する際の熱時定数τＴと、
FET6がオン・オフ動作する際の電気時定数τＥの両方の
影響を受け、赤外線センサの検出感度を高めることがで
きないという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであ
り、その目的は、焦電型赤外線センサの製造時おける基
板とエレメントとの組立ての困難性を解消し、かつ、同
センサの検出感度を充分高めることができる焦電型赤外
線センサを提供することにある。
り、その目的は、焦電型赤外線センサの製造時おける基
板とエレメントとの組立ての困難性を解消し、かつ、同
センサの検出感度を充分高めることができる焦電型赤外
線センサを提供することにある。
本発明は上記を目的を達成するために、次のように構成
されている。すなわち、本発明の焦電型赤外線センサ
は、赤外線量に対応した電気信号を出力するエレメント
が配設されてなるエレメント基板を回路基板として兼用
し、前記エレメント基板0.04（cal/cm sec℃）以下の低
熱伝導率を有する基板によって構成されるとともに、当
該エレメント基板に熱伝導性能を低くするための孔が穿
設され、このエレメント基板にはエレメントから出力さ
れる電流を増幅する増幅回路と、高周波のノイズ成分を
除去するローパスフィルタを含む信号増幅処理回路が一
体形成されていることを特徴として構成されている。
されている。すなわち、本発明の焦電型赤外線センサ
は、赤外線量に対応した電気信号を出力するエレメント
が配設されてなるエレメント基板を回路基板として兼用
し、前記エレメント基板0.04（cal/cm sec℃）以下の低
熱伝導率を有する基板によって構成されるとともに、当
該エレメント基板に熱伝導性能を低くするための孔が穿
設され、このエレメント基板にはエレメントから出力さ
れる電流を増幅する増幅回路と、高周波のノイズ成分を
除去するローパスフィルタを含む信号増幅処理回路が一
体形成されていることを特徴として構成されている。
上記のように構成されている本発明では、エレメントに
より得られる赤外線の熱量は低熱伝導性のエレメント基
板側にはほとんど逃げず、エレメントで得た赤外線の熱
量は効率良く電流出力としてエレメントから出力され
る。そして、この電流出力は増幅回路によって増幅がな
され、高周波ノイズ成分がローパスフィルタの回路で除
去され、この増幅された電流出力はセンサ出力として外
部へ取り出される。
より得られる赤外線の熱量は低熱伝導性のエレメント基
板側にはほとんど逃げず、エレメントで得た赤外線の熱
量は効率良く電流出力としてエレメントから出力され
る。そして、この電流出力は増幅回路によって増幅がな
され、高周波ノイズ成分がローパスフィルタの回路で除
去され、この増幅された電流出力はセンサ出力として外
部へ取り出される。
以下、本発明の一実施例を図面にに基づいて説明する。
なお、本実施例の説明において、従来例と同一部分には
同一符号を付し、重複説明を省略することにする。
なお、本実施例の説明において、従来例と同一部分には
同一符号を付し、重複説明を省略することにする。
説明の順序として、先ず、実施例の説明の前に本発明の
背景について説明する。
背景について説明する。
一般に従来の焦電型赤外線センサのように、エレメント
２からの出力電流をインピーダンス変換により電圧信号
に変換してFET6を動作する電圧モードにおける検出信号
感度は次のように表される。
２からの出力電流をインピーダンス変換により電圧信号
に変換してFET6を動作する電圧モードにおける検出信号
感度は次のように表される。
Ｒｖ＝V/I0 ＝（ηωARλ/G）（１＋ω２τ２ Ｔ）−1/2 （１＋ω２τ２ Ｅ）−1/2 …（１） ただし、V:入力電圧、I0:入射パワー（Ｗ）、η：放射
率、ω：角周波数（Hz）、A:受光面積（cm2）、R:合成
抵抗（Ω）、λ：焦電係数、G:熱拡散（J/KS）、τＴ：
熱時定数、τＥ：電気時定数。
率、ω：角周波数（Hz）、A:受光面積（cm2）、R:合成
抵抗（Ω）、λ：焦電係数、G:熱拡散（J/KS）、τＴ：
熱時定数、τＥ：電気時定数。
一方、一対のエレメントからの出力電流を例えばオペア
ンプ等の増幅回路によって増幅する電流モードの場合に
は、前記（１）式の電気時定数に係わる項がなくなるの
でエレメントからの出力電流ＩＰは次のようになる。
ンプ等の増幅回路によって増幅する電流モードの場合に
は、前記（１）式の電気時定数に係わる項がなくなるの
でエレメントからの出力電流ＩＰは次のようになる。
ＩＰ＝ηI0λωA/｛2G（１＋（ωτＴ）２）1/2｝ ……
（２） そして電流感度Ｒｉは次式のように表される。
（２） そして電流感度Ｒｉは次式のように表される。
Ｒｉ＝ＩＰ/I0 ＝ηλωA/｛2G（１＋（ωτＴ）２）1/2｝ ……
（３） したがって、（３）式によれば、電流感度Ｒｉは電気時
定数には無関係となり、熱時定数によってのみ左右され
ることとなる。すなわち、熱時定数を小さくすることに
より、換言すれば、低熱伝導率の基板を用いることによ
り、電流感度を高め得ることが理解できる。本発明はか
かる点に着目してなされるものである。
（３） したがって、（３）式によれば、電流感度Ｒｉは電気時
定数には無関係となり、熱時定数によってのみ左右され
ることとなる。すなわち、熱時定数を小さくすることに
より、換言すれば、低熱伝導率の基板を用いることによ
り、電流感度を高め得ることが理解できる。本発明はか
かる点に着目してなされるものである。
第１図には本発明にかかる焦電型赤外線センサの一実施
例が示されている。同図においてエレメント基板10は0.
04（cal/cm sec℃）以下の低熱伝導率を有する材料、例
えば、ガラスとエポキシ樹脂からなる複合材料や、その
他の適宜の低熱伝導率の材料（例えば、BaO−SiO2−Al2
O3−B2O3−Cr2O3の成分を有する材料）によって構成さ
れている。そして、このエレメント基板10の中央部に
は、熱伝導性を低くするための孔11が設けられている。
そして、エレメント基板10の表面側には一対のエレメン
ト2a,2b（エレメント2bは図示せず）が導電ペースト等
を用いてエレメント基板10に全面が接触した状態で配設
固定されている。また、エレメント基板10は回路基板を
兼用し、エレメント基板10の裏面側には前記の孔11を塞
いだ格好で、前記エレメント2a,2bからの出力電流を増
幅する増幅回路、本実施例ではオペアンプ（Operationa
l Amplifier）12を含む第２図に示すような信号増幅処
理回路が形成されている。
例が示されている。同図においてエレメント基板10は0.
04（cal/cm sec℃）以下の低熱伝導率を有する材料、例
えば、ガラスとエポキシ樹脂からなる複合材料や、その
他の適宜の低熱伝導率の材料（例えば、BaO−SiO2−Al2
O3−B2O3−Cr2O3の成分を有する材料）によって構成さ
れている。そして、このエレメント基板10の中央部に
は、熱伝導性を低くするための孔11が設けられている。
そして、エレメント基板10の表面側には一対のエレメン
ト2a,2b（エレメント2bは図示せず）が導電ペースト等
を用いてエレメント基板10に全面が接触した状態で配設
固定されている。また、エレメント基板10は回路基板を
兼用し、エレメント基板10の裏面側には前記の孔11を塞
いだ格好で、前記エレメント2a,2bからの出力電流を増
幅する増幅回路、本実施例ではオペアンプ（Operationa
l Amplifier）12を含む第２図に示すような信号増幅処
理回路が形成されている。
この回路は、エレメント2a,2bと、オペアンプ12と、帰
還抵抗器13と、第１のローパスフィルタ14と、第２のロ
ーパスフィルタ15と、抵抗器16,17と、入力電源18とか
らなる。オペアンプ12はエレメント2a,2bの差動出力電
流を増幅するものである。また第１および第２のローパ
スフィルタ14,15は高周波のノイズ成分を除去するもの
であり、抵抗器16,17はオペアンプ12で増幅された信号
をさらにもう一度オペアンプ12に戻して信号増幅をさせ
る役割を果たす。このようにオペアンプ12によって増幅
され、さらに、ノイズ成分が除去されたエレメント2a,2
bからの検出電流は端子ピン７から外部に取り出される
のである。
還抵抗器13と、第１のローパスフィルタ14と、第２のロ
ーパスフィルタ15と、抵抗器16,17と、入力電源18とか
らなる。オペアンプ12はエレメント2a,2bの差動出力電
流を増幅するものである。また第１および第２のローパ
スフィルタ14,15は高周波のノイズ成分を除去するもの
であり、抵抗器16,17はオペアンプ12で増幅された信号
をさらにもう一度オペアンプ12に戻して信号増幅をさせ
る役割を果たす。このようにオペアンプ12によって増幅
され、さらに、ノイズ成分が除去されたエレメント2a,2
bからの検出電流は端子ピン７から外部に取り出される
のである。
上記実施例によれば、エレメント基板10は低熱伝導率を
有する材料により構成されているので、赤外線を受ける
ことにより得られるエレメント2a,2bの熱量がエレメン
ト基板10を通して逃げることがほとんどなく、したがっ
て、エレメント2a,2bとエレメント基板10との間に第３
図に示すような間隙３を形成する必要はなく、エレメン
ト2a,2bの全面をエレメント基板10に接触させて配設す
ることが可能となる。また、従来のセンサにおいては、
導電ペースト４の断面積や長さ等の形状をそろえる必要
があったが、本実施例の場合には、エレメント基板10を
伝わって熱量が逃げることがほとんどないので、エレメ
ント2a,2bをエレメント基板10に導電ペースト４を用い
て固定配設する際に、これら導電ペースト４の形状や量
に関して特別の注意を払う必要がなく、エレメント2a,2
bとエレメント基板10との組み立て作業は非常に容易化
されることとなる。
有する材料により構成されているので、赤外線を受ける
ことにより得られるエレメント2a,2bの熱量がエレメン
ト基板10を通して逃げることがほとんどなく、したがっ
て、エレメント2a,2bとエレメント基板10との間に第３
図に示すような間隙３を形成する必要はなく、エレメン
ト2a,2bの全面をエレメント基板10に接触させて配設す
ることが可能となる。また、従来のセンサにおいては、
導電ペースト４の断面積や長さ等の形状をそろえる必要
があったが、本実施例の場合には、エレメント基板10を
伝わって熱量が逃げることがほとんどないので、エレメ
ント2a,2bをエレメント基板10に導電ペースト４を用い
て固定配設する際に、これら導電ペースト４の形状や量
に関して特別の注意を払う必要がなく、エレメント2a,2
bとエレメント基板10との組み立て作業は非常に容易化
されることとなる。
また、エレメント2a,2bから出力される電流はオペアン
プ12によって増幅され、この増幅信号が直ちに取り出さ
れるようになっており、従来のセンサのようにエレメン
トから出力される電流を一旦抵抗体５によってインピー
ダンス変換を行い電圧信号に変換し、さらに電圧信号に
基づいてFET6によってオン・オフ動作をさせる必要はな
いから、前記従来のセンサにおいては避けることのでき
ない電気時定数の影響が全くなく、エレメント2a,2bの
出力信号の信頼性をより高めることが可能となる。
プ12によって増幅され、この増幅信号が直ちに取り出さ
れるようになっており、従来のセンサのようにエレメン
トから出力される電流を一旦抵抗体５によってインピー
ダンス変換を行い電圧信号に変換し、さらに電圧信号に
基づいてFET6によってオン・オフ動作をさせる必要はな
いから、前記従来のセンサにおいては避けることのでき
ない電気時定数の影響が全くなく、エレメント2a,2bの
出力信号の信頼性をより高めることが可能となる。
なお、本発明は上記実施例に限定されることはなく様々
な実施の態様を採り得るものである。例えば、上記実施
例では、エレメント基板10に孔11を設けているが、同孔
11の形状やその穿設位置は任意に定め得るものである。
な実施の態様を採り得るものである。例えば、上記実施
例では、エレメント基板10に孔11を設けているが、同孔
11の形状やその穿設位置は任意に定め得るものである。
また、上記実施例では、増幅回路としてオペアンプ12を
採用したが、もちろん他の種類の増幅器によってこれを
構成することも可能である。
採用したが、もちろん他の種類の増幅器によってこれを
構成することも可能である。
本発明は以上説明したように、エレメントが配設される
基板を低熱伝導率のエレメント基板によって構成したも
のであるから、エレメントが受けた赤外線の熱量がエレ
メント基板を通して逃げることがなく、したがって、エ
レメントとエレメント基板との間にエレメントの熱を逃
げにくくするような従来のセンサにおいて必要であった
各種の工夫が不必要となり、エレメント基板とエレメン
トとの組み立て作業が非常に容易化される。
基板を低熱伝導率のエレメント基板によって構成したも
のであるから、エレメントが受けた赤外線の熱量がエレ
メント基板を通して逃げることがなく、したがって、エ
レメントとエレメント基板との間にエレメントの熱を逃
げにくくするような従来のセンサにおいて必要であった
各種の工夫が不必要となり、エレメント基板とエレメン
トとの組み立て作業が非常に容易化される。
また、エレメントからの出力電流を増幅する増幅回路を
設けたので、その増幅された電流信号をエレメントの検
出信号として直接取り出すことが可能であり、従来のセ
ンサのような、一旦エレメントの出力電流をインピーダ
ンス変換し、さらにこのインピーダンス変換により得ら
れた電圧信号を用いてFETをオン・オフ動作させるとい
う必要はないので、エレメントからの検出電流信号は電
気時定数の影響を受けることがなく、これにより、エレ
メントの検出信号の信頼性および感度をより高めること
が可能となる。
設けたので、その増幅された電流信号をエレメントの検
出信号として直接取り出すことが可能であり、従来のセ
ンサのような、一旦エレメントの出力電流をインピーダ
ンス変換し、さらにこのインピーダンス変換により得ら
れた電圧信号を用いてFETをオン・オフ動作させるとい
う必要はないので、エレメントからの検出電流信号は電
気時定数の影響を受けることがなく、これにより、エレ
メントの検出信号の信頼性および感度をより高めること
が可能となる。
さらに、エレメント基板にはローパスフィルタの回路が
設けられているので、エレメントの出力電流に乗る高周
波のノイズ成分を効果的に除去することができ、赤外線
検出の信頼性を高めることができる。このように、ロー
パスフィルタの回路を設けたので、高周波ノイズ成分の
侵入を阻止するシールドケースを別途設けてエレメント
基板の回路を覆う必要もなく、シールドケースを省略で
きる分だけセンサの小型化を図ることができる。
設けられているので、エレメントの出力電流に乗る高周
波のノイズ成分を効果的に除去することができ、赤外線
検出の信頼性を高めることができる。このように、ロー
パスフィルタの回路を設けたので、高周波ノイズ成分の
侵入を阻止するシールドケースを別途設けてエレメント
基板の回路を覆う必要もなく、シールドケースを省略で
きる分だけセンサの小型化を図ることができる。
さらに、本発明では、エレメントを配設するエレメント
基板を回路基板として兼用し、エレメント基板に増幅回
路とローパスフィルタを含む信号増幅処理回路をエレメ
ントとともに形成したものであるから、センサの回路形
成が容易となり、実装密度を高めることがきるととも
に、回路のコンパクト化が図れ、その取り扱いも容易と
なる。また、エレメント基板に信号増幅処理回路が一体
にハイブリット形成できるので、回路の導体リードも短
くなり、電波ノイズを防止できるという優れた効果が得
られる。
基板を回路基板として兼用し、エレメント基板に増幅回
路とローパスフィルタを含む信号増幅処理回路をエレメ
ントとともに形成したものであるから、センサの回路形
成が容易となり、実装密度を高めることがきるととも
に、回路のコンパクト化が図れ、その取り扱いも容易と
なる。また、エレメント基板に信号増幅処理回路が一体
にハイブリット形成できるので、回路の導体リードも短
くなり、電波ノイズを防止できるという優れた効果が得
られる。
第１図は本発明に係る焦電型赤外線センサの一実施例を
示す断面構成図、第２図は同実施例における信号増幅処
理回路の回路図、第３図は従来の焦電型赤外線センサを
示す断面図ある。 １……基板、2,2a,2b……エレメント、３……間隙、４
……導電ペースト、５……抵抗体、６……FET（Field E
ffect Transistor）、７……端子ピン、８……ステム、
10……エレメント基板、11……孔、12……オペアンプ
（Operational Amplifier）、13……帰還抵抗器、14…
…第１のローパスフィルタ、15……第２のローパスフィ
ルタ、16,17……抵抗器、18……入力電源。
示す断面構成図、第２図は同実施例における信号増幅処
理回路の回路図、第３図は従来の焦電型赤外線センサを
示す断面図ある。 １……基板、2,2a,2b……エレメント、３……間隙、４
……導電ペースト、５……抵抗体、６……FET（Field E
ffect Transistor）、７……端子ピン、８……ステム、
10……エレメント基板、11……孔、12……オペアンプ
（Operational Amplifier）、13……帰還抵抗器、14…
…第１のローパスフィルタ、15……第２のローパスフィ
ルタ、16,17……抵抗器、18……入力電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 聡 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭62−100619（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−28223（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−209328（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】赤外線量に対応した電気信号を出力するエ
レメントが配設されてなるエレメント基板を回路基板と
して兼用し、前記エレメント基板は0.04（cal/cm sec
℃）以下の低熱伝導率を有する基板によって構成される
とともに、当該エレメント基板には熱伝導性能を低くす
るための孔が穿設され、このエレメント基板にはエレメ
ントから出力される電流を増幅する増幅回路と、高周波
のノイズ成分を除去するローパスフィルタを含む信号増
幅処理回路が一体形成されている焦電型赤外線センサ。
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