JPH0682637B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0682637B2 JPH0682637B2 JP11610488A JP11610488A JPH0682637B2 JP H0682637 B2 JPH0682637 B2 JP H0682637B2 JP 11610488 A JP11610488 A JP 11610488A JP 11610488 A JP11610488 A JP 11610488A JP H0682637 B2 JPH0682637 B2 JP H0682637B2
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- JP
- Japan
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- aluminum
- etching
- layers
- layer
- resistance
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に半導体ウェーハにパタ
ーンを加工する際の拡散状態及びエッチング状態を調べ
る為のチェック用素子を有する半導体装置に関する。
ーンを加工する際の拡散状態及びエッチング状態を調べ
る為のチェック用素子を有する半導体装置に関する。
半導体集積回路等の半導体装置は半導体ウェーハ上に通
常十数回のパターニングをくり返して、Ｎ型・Ｐ型不純
物層およびポリシリコン層を必要ケ所に注入し、能動素
子・受動素子を形成してゆく。その最終工程でアルミを
蒸着、エッチングし、それぞれの素子を接続し、電子回
路が構成され、半導体装置が完成する。その中で配線用
アルミニウムのエッチングの状態をチェックするのが半
導体ウェーハアルミエッチングチェック素子（以下チェ
ック素子と呼ぶ）で、このチェック素子はパイロットウ
ェーハあるいは半導体素子が形成された量産用ウェーハ
に作り込まれている。
常十数回のパターニングをくり返して、Ｎ型・Ｐ型不純
物層およびポリシリコン層を必要ケ所に注入し、能動素
子・受動素子を形成してゆく。その最終工程でアルミを
蒸着、エッチングし、それぞれの素子を接続し、電子回
路が構成され、半導体装置が完成する。その中で配線用
アルミニウムのエッチングの状態をチェックするのが半
導体ウェーハアルミエッチングチェック素子（以下チェ
ック素子と呼ぶ）で、このチェック素子はパイロットウ
ェーハあるいは半導体素子が形成された量産用ウェーハ
に作り込まれている。
次にこのチェック素子の従来技術を説明する。従来技術
では第３図のごとくアルミエッチングの状態と比例した
異なる幅をもつ短冊状のアルミニウム１を複数配列した
パターンよりなっている。すなわち第３図のＡはアンダ
ーエッチングの下限に相当する幅を持ち、Ｂは適性エッ
チングに相当する幅を持ち、Ｃはオーバーエッチングに
相当する幅を持っている。
では第３図のごとくアルミエッチングの状態と比例した
異なる幅をもつ短冊状のアルミニウム１を複数配列した
パターンよりなっている。すなわち第３図のＡはアンダ
ーエッチングの下限に相当する幅を持ち、Ｂは適性エッ
チングに相当する幅を持ち、Ｃはオーバーエッチングに
相当する幅を持っている。
エッチング量がアンダーエッチングの限界以下ではA,B,
Cの短冊状のアルミニウムが残っており、オーバーエッ
チングの限界を越えるとＡ、Ｂ、Ｃの短冊状のアルミニ
ウムがすべて消滅し、適性エッチングならばその中間の
状態となる。
Cの短冊状のアルミニウムが残っており、オーバーエッ
チングの限界を越えるとＡ、Ｂ、Ｃの短冊状のアルミニ
ウムがすべて消滅し、適性エッチングならばその中間の
状態となる。
この様に従来技術ではエッチング状態判定方法はチェッ
ク素子を形成するそれぞれの短冊状のアルミニウムの有
無を作業者が顕微鏡にて目視で判定していた。
ク素子を形成するそれぞれの短冊状のアルミニウムの有
無を作業者が顕微鏡にて目視で判定していた。
近年の高集積化，高速化の要求より微細加工技術は半導
体集積回路等半導体装置において最も重要な技術となっ
ている。
体集積回路等半導体装置において最も重要な技術となっ
ている。
従来技術では上述のごとくエッチング状態のチェクは作
業者による目視チェックが多かった。このため作業者の
判断基準の違い等であいまいな点又判定ミスが多く、精
度よくパターニング状態をチェックできなかった。又チ
ェック素子をチップ上より検出する為の時間が無視でき
ない。特に大規模集積回路ではなおさらである。
業者による目視チェックが多かった。このため作業者の
判断基準の違い等であいまいな点又判定ミスが多く、精
度よくパターニング状態をチェックできなかった。又チ
ェック素子をチップ上より検出する為の時間が無視でき
ない。特に大規模集積回路ではなおさらである。
本発明は作業者の主観的、人的ミスを防止しエッチング
の状態を精度良くチェックする為のチェック素子を提供
するものである。
の状態を精度良くチェックする為のチェック素子を提供
するものである。
本発明は、幅の異なる複数のアルミニウム層が設けら
れ、該アルミニウム層の両端に、コンタクトホールが設
けられ、該アルミニウム層の両端に該コンタクトホール
を介して低濃度不純物層が接続され、該低濃度不純物層
の他端はコンタクトホールにより、該低濃度不純物層が
並列となる様アルミニウム層で接続された事を特徴とす
る構成である。
れ、該アルミニウム層の両端に、コンタクトホールが設
けられ、該アルミニウム層の両端に該コンタクトホール
を介して低濃度不純物層が接続され、該低濃度不純物層
の他端はコンタクトホールにより、該低濃度不純物層が
並列となる様アルミニウム層で接続された事を特徴とす
る構成である。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
構成は1A、1B、1Cはアルミニウム層でこれはエッチング
状態のアンダーエッチング量、適性エッチング量、オー
バーエッチ量に比例した幅を持っている。これら各アル
ミニウム層1A、1B、1Cの両端はコンタクトホール２を介
してそれぞれ低濃度の不純物層3A、3B、3Cに接合されて
いる。不純物層3A、3B、3Cは不純物拡散又はイオン注入
により形成している。
状態のアンダーエッチング量、適性エッチング量、オー
バーエッチ量に比例した幅を持っている。これら各アル
ミニウム層1A、1B、1Cの両端はコンタクトホール２を介
してそれぞれ低濃度の不純物層3A、3B、3Cに接合されて
いる。不純物層3A、3B、3Cは不純物拡散又はイオン注入
により形成している。
さらに低濃度の不純物層はコンタクトホール２によりア
ルミニウム層４に接続される。アルミニウム層４はアル
ミニウム層1A、1B、1Cと同時に形成され、それぞれの低
濃度不純物層3A、3B、3Cを並列となる様に設けられ、又
外部よりの探針チェックに用いられる。
ルミニウム層４に接続される。アルミニウム層４はアル
ミニウム層1A、1B、1Cと同時に形成され、それぞれの低
濃度不純物層3A、3B、3Cを並列となる様に設けられ、又
外部よりの探針チェックに用いられる。
ここで低濃度の不純物層3A、3B、3Cは抵抗として用いら
れている（低濃度不純物層は以下単に抵抗層と呼
ぶ。）。すなわちアンダーエッチの限界に設定されたア
ルミニウム1Aに接続される抵抗層3A、適性エッチに設定
されたアルミニウム層1Bに接続される抵抗層3B、オーバ
ーエッチの限界に設定されたアルミニウム層1Cに接続さ
れる抵抗層3Cの各抵抗RA、RB、RCを下記の様に抵抗比を
設定すると、 アンダーエッチングの限界をオーバーした場合はアルミ
ニウム層４間の抵抗はアルミニウム層1A、1B、1Cはすべ
てつながっているのでRA、RB、RCが並列となるので となる。次にオーバーエッチングの限界をオーバーし場
合はアルミニウム層４間の抵抗はアルミニウム層1A、1
B、1Cがすべて消滅するので無限大となる。
れている（低濃度不純物層は以下単に抵抗層と呼
ぶ。）。すなわちアンダーエッチの限界に設定されたア
ルミニウム1Aに接続される抵抗層3A、適性エッチに設定
されたアルミニウム層1Bに接続される抵抗層3B、オーバ
ーエッチの限界に設定されたアルミニウム層1Cに接続さ
れる抵抗層3Cの各抵抗RA、RB、RCを下記の様に抵抗比を
設定すると、 アンダーエッチングの限界をオーバーした場合はアルミ
ニウム層４間の抵抗はアルミニウム層1A、1B、1Cはすべ
てつながっているのでRA、RB、RCが並列となるので となる。次にオーバーエッチングの限界をオーバーし場
合はアルミニウム層４間の抵抗はアルミニウム層1A、1
B、1Cがすべて消滅するので無限大となる。
適性エッチングでは抵抗層3Aにつながアルミニウム層1A
が消滅、又は抵抗層3Aと3Bにつながるアルミニウム層1
A、1Bが消滅しているのでアルミニウム層４間の抵抗は の値を示している。すなわちアルミニウム層４間の抵抗
値でエッチング状態が判定できる。
が消滅、又は抵抗層3Aと3Bにつながるアルミニウム層1
A、1Bが消滅しているのでアルミニウム層４間の抵抗は の値を示している。すなわちアルミニウム層４間の抵抗
値でエッチング状態が判定できる。
したがって、パイロットウェーハ又は量産ウェーハチェ
ック時にアルミニウム層４に探針がのり、その抵抗値又
は電流値が自動的に測定出来れば人為的エラーの防止、
測定時間短縮が可能となる。
ック時にアルミニウム層４に探針がのり、その抵抗値又
は電流値が自動的に測定出来れば人為的エラーの防止、
測定時間短縮が可能となる。
エッチングのより高い精度が要求される場合はこの実施
例では３本並列で説明したが、アルミニウム層及び低抵
抗層の本数を増やせば簡単に対応できる。又実施例では
アルミニウム層1A、1B、1Cを同一長で説明したがレイア
ウトの関係で自由に設定できる。ただこの場合はエッチ
ング条件がアルミニウム層の長さで異なる事が予想され
るので同一長にする事が好ましい。
例では３本並列で説明したが、アルミニウム層及び低抵
抗層の本数を増やせば簡単に対応できる。又実施例では
アルミニウム層1A、1B、1Cを同一長で説明したがレイア
ウトの関係で自由に設定できる。ただこの場合はエッチ
ング条件がアルミニウム層の長さで異なる事が予想され
るので同一長にする事が好ましい。
さらにアルミニウム層４は適当なケ所まで引き回わせば
探針チェックの場所は自由に設定できる。又、実施例で
はアンダーエッチング、オーバーエッチング等に比例す
る値に抵抗層3A、3B、3Cを設定したが、アルミニウム層
４間の抵抗値で判定できるので自由に設定可能である。
探針チェックの場所は自由に設定できる。又、実施例で
はアンダーエッチング、オーバーエッチング等に比例す
る値に抵抗層3A、3B、3Cを設定したが、アルミニウム層
４間の抵抗値で判定できるので自由に設定可能である。
又、抵抗層は自由な形状をとる事もできる。
本発明の第２の実施例を第２図にて説明する。
本実施例の構成は第１図と同様であるが、抵抗層3A、3
B、3Cはそれぞれのアルミニウム層1A、1B、1Cに関係な
く同一の抵抗値となるように設定している。
B、3Cはそれぞれのアルミニウム層1A、1B、1Cに関係な
く同一の抵抗値となるように設定している。
本実施例ではアンダーエッチング、オーバーエッチング
をチェックするのではなく、適性エッチングであるか否
かをチェックできる。すなわち適性エッチングの範囲を
オーバーすると抵抗値が変化する（この場合アンダーエ
ッチングかオーバーエッチングかは不明）ので、エッチ
ング範囲を自動チェックできる。
をチェックするのではなく、適性エッチングであるか否
かをチェックできる。すなわち適性エッチングの範囲を
オーバーすると抵抗値が変化する（この場合アンダーエ
ッチングかオーバーエッチングかは不明）ので、エッチ
ング範囲を自動チェックできる。
以上説明した様に、本発明によれば追加工程なく現状の
プロセス工程で、作業者の主観・人為的ミスによらず精
度良くパターニング状態をチェックでき、しかもチェッ
ク時間の短縮が計れる。
プロセス工程で、作業者の主観・人為的ミスによらず精
度良くパターニング状態をチェックでき、しかもチェッ
ク時間の短縮が計れる。
今後の微細加工技術において自動化という面で本発明の
効果は大である。
効果は大である。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図、第２図は本発
明の第２の実施例の平面図、第３図は従来例を示す図で
ある。 1A、1B、1C……アルミニウム層、２……コンタクトホー
ル、3A、3B、3C……低濃度不純物層、４……アルミニウ
ム層。
明の第２の実施例の平面図、第３図は従来例を示す図で
ある。 1A、1B、1C……アルミニウム層、２……コンタクトホー
ル、3A、3B、3C……低濃度不純物層、４……アルミニウ
ム層。
Claims (1)
- 【請求項１】幅の異なる複数のアルミニウム層が設けら
れ、該アルミニウム層の両端に、コンタクトホールが設
けられ、該アルミニウム層の両端に該コンタクトホール
を介して低濃度不純物層が接続され、該低濃度不純物層
の他端は、コンタクトホールにより、該低濃度不純物層
が並列となる様アルミニウム層で接続された事を特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11610488A JPH0682637B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11610488A JPH0682637B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286312A JPH01286312A (ja) | 1989-11-17 |
| JPH0682637B2 true JPH0682637B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=14678798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11610488A Expired - Lifetime JPH0682637B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682637B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5321805B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2013-10-23 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP11610488A patent/JPH0682637B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01286312A (ja) | 1989-11-17 |
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