JPH0682864B2 - 半導体発光素子とその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0682864B2 JPH0682864B2 JP1266988A JP1266988A JPH0682864B2 JP H0682864 B2 JPH0682864 B2 JP H0682864B2 JP 1266988 A JP1266988 A JP 1266988A JP 1266988 A JP1266988 A JP 1266988A JP H0682864 B2 JPH0682864 B2 JP H0682864B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- znse
- layer
- emitting device
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、青色半導体発光素子とその製造方法に関する
ものである。
ものである。
高効率の発光素子を作製するためには、半導体材料にpn
接合が形成できることが大きな要件である。しかし、Zn
Seはｎ型伝導を有するものは比較的容易に得られるが、
ｐ型伝導を有するものを得ることは非常に困難である。
上記のように一方の伝導型しか得られない現象は、広い
バンドギャップを持つ半導体を用いた場合にみられ、自
己補償効果あるいは不純物による汚染が原因であるとい
われている。また、最近ZnSe単結晶層の形成に、非熱平
衡状態下で、かつ低温成長が可能な分子線エピタキシャ
ル（MBE）法や有機金属気相成長（MOVPE）法が用いられ
るようになった。しかし、依然としてｐ型伝導を有する
ものは得られていない。ｐ型伝導を有するZnSe単結晶膜
を得るためには、さらにドナー濃度を低減して結晶性を
高める必要がある。
接合が形成できることが大きな要件である。しかし、Zn
Seはｎ型伝導を有するものは比較的容易に得られるが、
ｐ型伝導を有するものを得ることは非常に困難である。
上記のように一方の伝導型しか得られない現象は、広い
バンドギャップを持つ半導体を用いた場合にみられ、自
己補償効果あるいは不純物による汚染が原因であるとい
われている。また、最近ZnSe単結晶層の形成に、非熱平
衡状態下で、かつ低温成長が可能な分子線エピタキシャ
ル（MBE）法や有機金属気相成長（MOVPE）法が用いられ
るようになった。しかし、依然としてｐ型伝導を有する
ものは得られていない。ｐ型伝導を有するZnSe単結晶膜
を得るためには、さらにドナー濃度を低減して結晶性を
高める必要がある。
上記MBE法やMOVPE法を用いてZnSe単結晶層を成長する場
合、基板としてGaAsが用いられているが、上記GaAs基板
には約103個/cm2の転位が存在し、この上にZnSe単結晶
層を成長すると、上記基板の転位がそのまま引き継がれ
る。加えて、ZnSeとGaAsとの格子不整合率が0.27％と大
きく、これによて界面にミスフィット転位が発生し、上
記ZnSe層へ伝ぱんする。これらの転位は、伝導型制御の
ためにドープした元素と複合欠陥を作り、深い不純物準
位を形成する。また、成長中にはGaAs基板からガリウム
やひ素が拡散し、ZnSeのドナーやアクセプタ不純物にな
る。これらがｐ型伝導層の形成を妨げることになる。こ
のようにして、上記転位と不純物との問題がZnSeの伝導
型制御を妨げており、本発明は上記の各課題を解決し、
ｐ型伝導層を有するZnSe層を得ることを目的とするもの
である。
合、基板としてGaAsが用いられているが、上記GaAs基板
には約103個/cm2の転位が存在し、この上にZnSe単結晶
層を成長すると、上記基板の転位がそのまま引き継がれ
る。加えて、ZnSeとGaAsとの格子不整合率が0.27％と大
きく、これによて界面にミスフィット転位が発生し、上
記ZnSe層へ伝ぱんする。これらの転位は、伝導型制御の
ためにドープした元素と複合欠陥を作り、深い不純物準
位を形成する。また、成長中にはGaAs基板からガリウム
やひ素が拡散し、ZnSeのドナーやアクセプタ不純物にな
る。これらがｐ型伝導層の形成を妨げることになる。こ
のようにして、上記転位と不純物との問題がZnSeの伝導
型制御を妨げており、本発明は上記の各課題を解決し、
ｐ型伝導層を有するZnSe層を得ることを目的とするもの
である。
上記目的は、GaAs基板上にバッファ層を成長し、上記バ
ッファ層上にZnSe発光層を形成するとともに、上記ZnSe
発光層におけるｎ型層の形成にはよう素を、ｐ型層の形
成には窒素をドープすることによって達成される。
ッファ層上にZnSe発光層を形成するとともに、上記ZnSe
発光層におけるｎ型層の形成にはよう素を、ｐ型層の形
成には窒素をドープすることによって達成される。
本発明ではGaAs基板上にバッファ層が存在するために、
ZnSeとGaAsとの格子不整による転位は界面に発生しな
い。また、GaAs基板に存在する転位はバッファ層に吸収
され、ZnSe発光層に伝ぱんされる転位数は大幅に減少す
る。さらに、GaAs基板からのガリウムやひ素もバッファ
層に吸収され、ZnSe発光層に拡散することが無くなる。
また、よう素および窒素は、それぞれ亜鉛位置およびセ
レン位置を置換してそれぞれ浅いドナーおよび浅いアク
セプタ準位を形成するとともに、ZnSe中においては極め
て安定に存在する元素である。この結果、非常に良質の
結晶性を有するｎおよびｐ型伝導性のZnSe発光層を得る
ことができる。
ZnSeとGaAsとの格子不整による転位は界面に発生しな
い。また、GaAs基板に存在する転位はバッファ層に吸収
され、ZnSe発光層に伝ぱんされる転位数は大幅に減少す
る。さらに、GaAs基板からのガリウムやひ素もバッファ
層に吸収され、ZnSe発光層に拡散することが無くなる。
また、よう素および窒素は、それぞれ亜鉛位置およびセ
レン位置を置換してそれぞれ浅いドナーおよび浅いアク
セプタ準位を形成するとともに、ZnSe中においては極め
て安定に存在する元素である。この結果、非常に良質の
結晶性を有するｎおよびｐ型伝導性のZnSe発光層を得る
ことができる。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。第１図
は本発明による半導体発光素子の一実施例を示す断面構
造図、第２図は上記実施例の製造におけるMOVPE成長装
置の構成図、第３図は上記実施例で形成したZnSe発光層
の77Kにおけるホトルミネッセンス特性図、第４図は本
発明による半導体発光素子の他の実施例を示す断面構造
図である。第１図において、１はGaAs基板、２はZnSeと
ZnSとの多層構造からなる歪超格子バッファ層、３はpn
接合を有するZnSe発光層を示している。４および５はオ
ーミック電極である。ZnSe発光層３は、バッファ層２上
に窒素をドープしたｐ型ZnSe層６、よう素をドープした
ｎ型ZnSe層７を、この順序にMOVPE法を用いてエピタキ
シャル成長させて構成している。第２図は上記実施例に
使用したMOVPE成長装置の構成を示す系統図であり、原
料のジエチル亜鉛（（C2H5）2Zn）、不純物ドーピング
用のよう化エチル（C2H5I）の有機金属はバブラー容器
８および９をそれぞれ所定の温度に保温し、ガス流量コ
ントローラ10,11,12により流量制御された水素により反
応容器17に送られる。一方、セレン化水素（H2Se）、硫
化水素（H2S）、アンモニア（NH3）はそれぞれのガスボ
ンベ22,23,24から水素で希釈したものを用い、ガス流量
コントローラ14,15,16によって流量制御して反応容器17
に送る。これら原料のキャリアガスとしては水素を用い
る。25は水素ボンベを示し、13はガス流量コントローラ
を示している。GaAs基板１は反応容器17内の基板ホルダ
18の上に配置され、高周波加熱コイル19により所定の温
度に加熱する。上記反応容器17は、排気口20から排気装
置（図示せず）により、内部を減圧状態に保つことがで
きる。
は本発明による半導体発光素子の一実施例を示す断面構
造図、第２図は上記実施例の製造におけるMOVPE成長装
置の構成図、第３図は上記実施例で形成したZnSe発光層
の77Kにおけるホトルミネッセンス特性図、第４図は本
発明による半導体発光素子の他の実施例を示す断面構造
図である。第１図において、１はGaAs基板、２はZnSeと
ZnSとの多層構造からなる歪超格子バッファ層、３はpn
接合を有するZnSe発光層を示している。４および５はオ
ーミック電極である。ZnSe発光層３は、バッファ層２上
に窒素をドープしたｐ型ZnSe層６、よう素をドープした
ｎ型ZnSe層７を、この順序にMOVPE法を用いてエピタキ
シャル成長させて構成している。第２図は上記実施例に
使用したMOVPE成長装置の構成を示す系統図であり、原
料のジエチル亜鉛（（C2H5）2Zn）、不純物ドーピング
用のよう化エチル（C2H5I）の有機金属はバブラー容器
８および９をそれぞれ所定の温度に保温し、ガス流量コ
ントローラ10,11,12により流量制御された水素により反
応容器17に送られる。一方、セレン化水素（H2Se）、硫
化水素（H2S）、アンモニア（NH3）はそれぞれのガスボ
ンベ22,23,24から水素で希釈したものを用い、ガス流量
コントローラ14,15,16によって流量制御して反応容器17
に送る。これら原料のキャリアガスとしては水素を用い
る。25は水素ボンベを示し、13はガス流量コントローラ
を示している。GaAs基板１は反応容器17内の基板ホルダ
18の上に配置され、高周波加熱コイル19により所定の温
度に加熱する。上記反応容器17は、排気口20から排気装
置（図示せず）により、内部を減圧状態に保つことがで
きる。
つぎに、第２図に示す装置を用いて、第１図に示す半導
体発光素子を製造する方法を説明する。GaAs基板１上に
バッファ層２として、ZnSe層とZnS0.06Se0.94層とをそ
れぞれ100Åずつ計2000Å成長させた。上記GaAs基板１
の基板温度を300℃として、５℃に保ったジエチル亜鉛
バブラー容器８を通過させた25cc/分の流量の水素ガス
を１リットル／分の水素ガスで混合希釈し、反応容器17
内へ導入ノズル26を通して供給しながら、ZnSe層の成長
の場合には、水素ガスで希釈した５容積％セレン化水素
ガス100cc/分の流量に、さらに１リットル／分の流量の
水素ガスにより混合希釈したのち、導入ノズル26を通し
て供給する。一方、ZnS0.06Se0.94層の成長の場合に
は、セレン化水素と硫化水素の合計の流量を100cc/分、
セレン化水素と硫化水素の流量比を0.94:0.06とし、さ
らに１リットル／分の流量の水素ガスによって混合希釈
後、同様に導入ノズル26を通して供給した。上記バッフ
ァ層２が成長終了したのち、原料ガスを全べて停止し、
基板１の温度を350℃にする。
体発光素子を製造する方法を説明する。GaAs基板１上に
バッファ層２として、ZnSe層とZnS0.06Se0.94層とをそ
れぞれ100Åずつ計2000Å成長させた。上記GaAs基板１
の基板温度を300℃として、５℃に保ったジエチル亜鉛
バブラー容器８を通過させた25cc/分の流量の水素ガス
を１リットル／分の水素ガスで混合希釈し、反応容器17
内へ導入ノズル26を通して供給しながら、ZnSe層の成長
の場合には、水素ガスで希釈した５容積％セレン化水素
ガス100cc/分の流量に、さらに１リットル／分の流量の
水素ガスにより混合希釈したのち、導入ノズル26を通し
て供給する。一方、ZnS0.06Se0.94層の成長の場合に
は、セレン化水素と硫化水素の合計の流量を100cc/分、
セレン化水素と硫化水素の流量比を0.94:0.06とし、さ
らに１リットル／分の流量の水素ガスによって混合希釈
後、同様に導入ノズル26を通して供給した。上記バッフ
ァ層２が成長終了したのち、原料ガスを全べて停止し、
基板１の温度を350℃にする。
（１）ｐ型層形成： ５℃のジエチル亜鉛のバブラー容器８を通過した25cc/
分の水素ガスを、１リットル／分の水素ガスに混合希釈
し反応容器17内に導入する。また、水素ガスで希釈した
５容積％セレン化水素ガス100cc/分の流量を、さらに１
リットル／分の流量の水素ガスによって混合希釈したの
ち反応容器17内に導入する。同時に、純度99.999容積％
のアンモニアガス10cc/分を、100cc/分の流量の水素ガ
スに混合希釈したのち反応容器17内に導入し、GaAs基板
１上に吹き付けることにより、窒素を約1016個/cc含む
ｐ型ZnSe層を、２μm/時間の速度で約１μｍの厚さに成
長させた。
分の水素ガスを、１リットル／分の水素ガスに混合希釈
し反応容器17内に導入する。また、水素ガスで希釈した
５容積％セレン化水素ガス100cc/分の流量を、さらに１
リットル／分の流量の水素ガスによって混合希釈したの
ち反応容器17内に導入する。同時に、純度99.999容積％
のアンモニアガス10cc/分を、100cc/分の流量の水素ガ
スに混合希釈したのち反応容器17内に導入し、GaAs基板
１上に吹き付けることにより、窒素を約1016個/cc含む
ｐ型ZnSe層を、２μm/時間の速度で約１μｍの厚さに成
長させた。
（２）ｎ型層形成： ５℃のジエチル亜鉛のバブラー容器８を通過した25cc/
分の水素ガスと、−10℃のよう化エチルのバブラー容器
９を通過した2cc/分の水素ガスとを、１リットル／分の
水素ガスに混合希釈したのちの原料ガスと、水素ガスで
希釈した５容積％セレン化水素ガス100cc/分の原料ガス
とを反応容器17に導入し、GaAs基板１上に吹き付けるこ
とにより、よう素を1017〜1019個/cc含むｎ型ZnSe層
を、１時間当り２μｍの速度で約２μｍの厚さに成長さ
せた。上記バッファ層２の厚さは実施例では200nmとし
た場合を示したが、何らこれに限るものではなく、GaAs
基板１とZnSe発光層３との間の格子定数のずれが、ZnSe
発光層３の形成に何ら影響しない値であればよい。
分の水素ガスと、−10℃のよう化エチルのバブラー容器
９を通過した2cc/分の水素ガスとを、１リットル／分の
水素ガスに混合希釈したのちの原料ガスと、水素ガスで
希釈した５容積％セレン化水素ガス100cc/分の原料ガス
とを反応容器17に導入し、GaAs基板１上に吹き付けるこ
とにより、よう素を1017〜1019個/cc含むｎ型ZnSe層
を、１時間当り２μｍの速度で約２μｍの厚さに成長さ
せた。上記バッファ層２の厚さは実施例では200nmとし
た場合を示したが、何らこれに限るものではなく、GaAs
基板１とZnSe発光層３との間の格子定数のずれが、ZnSe
発光層３の形成に何ら影響しない値であればよい。
得られたZnSe発光層３の表面は、凹凸がない平滑な鏡面
が形成されていた。また、ZnSe発光層３のＸ線ロッキン
グカーブの半値幅は、80秒以下であり、GaAs基板１上に
直接ZnSe層を成長させた場合の値400秒より大幅に低下
した。さらに、ZnSe発光層３のホトルミネッセンス特性
は、第３図に示す曲線27のように青色発光（約462nm付
近）だけが極めて強く、バッファ層２がない場合の曲線
28と比較して、転位に関するYo発光や、複合欠陥による
SA発光は殆んど観察できず、結晶性、純度ともに大きに
改善されていることが判った。また、オーミック電極４
および５を第１図に示すように設けて、ZnSe発光層３の
pn接合のＩ−Ｖ特性を測定したところ良好な整流特性を
示すとともに、その順方向特性はヒステリシスや経時変
化を示さなかった。また、順方向バイアス時に室温で発
光したが、その発光スペクトルは青色発光が支配的であ
った。
が形成されていた。また、ZnSe発光層３のＸ線ロッキン
グカーブの半値幅は、80秒以下であり、GaAs基板１上に
直接ZnSe層を成長させた場合の値400秒より大幅に低下
した。さらに、ZnSe発光層３のホトルミネッセンス特性
は、第３図に示す曲線27のように青色発光（約462nm付
近）だけが極めて強く、バッファ層２がない場合の曲線
28と比較して、転位に関するYo発光や、複合欠陥による
SA発光は殆んど観察できず、結晶性、純度ともに大きに
改善されていることが判った。また、オーミック電極４
および５を第１図に示すように設けて、ZnSe発光層３の
pn接合のＩ−Ｖ特性を測定したところ良好な整流特性を
示すとともに、その順方向特性はヒステリシスや経時変
化を示さなかった。また、順方向バイアス時に室温で発
光したが、その発光スペクトルは青色発光が支配的であ
った。
つぎに本発明による半導体発光素子の他の実施例を第４
図に示すが、本半導体発光素子は、MOVPE法を用いエピ
タキシャル成長させて構成している。第４図において、
１はGaAs基板、21はZnS0.03Se0.97からなるバッファ
層、３はpn接合を有するZnSe発光層、４および５はオー
ミック電極である。GaAs基板１上に設けたバッファ層21
として、ZnS0.03Se0.97層を200nm成長させた。GaAs基板
１の温度を300℃として、５℃に保ったジエチル亜鉛バ
ブラー容器を通過させた25cc/分の流量の水素ガスを１
リットル／分の水素ガスで混合希釈し、第２図に示す反
応容器17内へ導入ノズル26を通して供給しながら、セレ
ン化水素と硫化水素の合計の流量を100cc/分、セレン化
水素と硫化水素の流量比を0.97:0.03とし、さらに１リ
ットル／分の流量の水素ガスによって混合希釈したの
ち、導入ノズル26を通して供給した。上記バッファ層２
の成長終了後、原料ガスを全べて停止し、基板１の温度
を350℃とし、前記実施例と同様の方法でZnSe発光層３
を形成した。第４図における６は窒素ドープｐ型ZnSe層
で、７はよう素ドープｎ型ZnSe層である。
図に示すが、本半導体発光素子は、MOVPE法を用いエピ
タキシャル成長させて構成している。第４図において、
１はGaAs基板、21はZnS0.03Se0.97からなるバッファ
層、３はpn接合を有するZnSe発光層、４および５はオー
ミック電極である。GaAs基板１上に設けたバッファ層21
として、ZnS0.03Se0.97層を200nm成長させた。GaAs基板
１の温度を300℃として、５℃に保ったジエチル亜鉛バ
ブラー容器を通過させた25cc/分の流量の水素ガスを１
リットル／分の水素ガスで混合希釈し、第２図に示す反
応容器17内へ導入ノズル26を通して供給しながら、セレ
ン化水素と硫化水素の合計の流量を100cc/分、セレン化
水素と硫化水素の流量比を0.97:0.03とし、さらに１リ
ットル／分の流量の水素ガスによって混合希釈したの
ち、導入ノズル26を通して供給した。上記バッファ層２
の成長終了後、原料ガスを全べて停止し、基板１の温度
を350℃とし、前記実施例と同様の方法でZnSe発光層３
を形成した。第４図における６は窒素ドープｐ型ZnSe層
で、７はよう素ドープｎ型ZnSe層である。
得られたZnSe発光層３の表面は凹凸がない平滑な鏡面が
形成されていた。また、ZnSe発光層３のＸ線ロッキング
カーブの半値幅は170秒以下であり、GaAs基板１上に直
接ZnSe層を成長させた場合の値である400秒よりも大幅
に低下した。さらに、ZnSe発光層のホトルミネッセンス
特性は青色発光（約460nm付近）だけが極めて強く、バ
ッファ層がない場合と比較して、転位に関するYo発光や
複合欠陥によるSA発光はほとんど観察できず、結晶性や
純度もともに大きく改善されていることが判った。
形成されていた。また、ZnSe発光層３のＸ線ロッキング
カーブの半値幅は170秒以下であり、GaAs基板１上に直
接ZnSe層を成長させた場合の値である400秒よりも大幅
に低下した。さらに、ZnSe発光層のホトルミネッセンス
特性は青色発光（約460nm付近）だけが極めて強く、バ
ッファ層がない場合と比較して、転位に関するYo発光や
複合欠陥によるSA発光はほとんど観察できず、結晶性や
純度もともに大きく改善されていることが判った。
ZnSeにおけるpn接合のＩ−Ｖ特性を測定したところ、良
好な整流特性を示すとともに、その順方向特性はヒステ
リシスや経時変化を示さなかった。また、順方向バイア
ス時に室温で強い青色発光を示した。
好な整流特性を示すとともに、その順方向特性はヒステ
リシスや経時変化を示さなかった。また、順方向バイア
ス時に室温で強い青色発光を示した。
上記のように本発明による半導体発光素子とその製造方
法は、ZnSe発光層がバッファ層を介しGaAs基板上に形成
された半導体発光素子とその製造方法において、上記Ga
As基板上にバッファ層を形成したのち、上記バッファ層
上に、よう素をドープしたｎ型伝導層と窒素をドープし
たｐ型伝導層とからなるZnSe発光層を形成する工程を備
えたことにより、上記基板からの転位による伝ぱんおよ
びミスフィット転位の発生が少なく、かつ、上記基板か
らの不純物拡散が少ない、結晶性と純度の点ですぐれた
ZnSe発光層を得ることができる。さらに、上記ZnSe発光
層に窒素をドープすることにより、ｐ型伝導を有するZn
Se層を得ることができ、その結果、整流特性が良好であ
って経時変化を示さず、かつ、順方向バイアスで強い青
色発光だけを示すpn接合を得ることができる。したがっ
て、従来、光ディスク、光プリンタ、表示素子などの情
報処理分野における機器・装置の開発で最も強く望まれ
ていた青色レーザの実現が有望になる。
法は、ZnSe発光層がバッファ層を介しGaAs基板上に形成
された半導体発光素子とその製造方法において、上記Ga
As基板上にバッファ層を形成したのち、上記バッファ層
上に、よう素をドープしたｎ型伝導層と窒素をドープし
たｐ型伝導層とからなるZnSe発光層を形成する工程を備
えたことにより、上記基板からの転位による伝ぱんおよ
びミスフィット転位の発生が少なく、かつ、上記基板か
らの不純物拡散が少ない、結晶性と純度の点ですぐれた
ZnSe発光層を得ることができる。さらに、上記ZnSe発光
層に窒素をドープすることにより、ｐ型伝導を有するZn
Se層を得ることができ、その結果、整流特性が良好であ
って経時変化を示さず、かつ、順方向バイアスで強い青
色発光だけを示すpn接合を得ることができる。したがっ
て、従来、光ディスク、光プリンタ、表示素子などの情
報処理分野における機器・装置の開発で最も強く望まれ
ていた青色レーザの実現が有望になる。
第１図は本発明による半導体発光素子の一実施例を示す
断面構造図、第２図は上記実施例の製造におけるMOVPE
成長装置を示す構成図、第３図は上記実施例で形成した
ZnSe発光層の77Kにおけるホトルミネッセンス特性図、
第４図は本発明による半導体発光素子の他の実施例を示
す断面構造図である。 １……GaAs基板 ２……バッファ層 ３……ZnSe発光層 ６……窒素ドープｐ型伝導層 ７……よう素ドープｎ型伝導層
断面構造図、第２図は上記実施例の製造におけるMOVPE
成長装置を示す構成図、第３図は上記実施例で形成した
ZnSe発光層の77Kにおけるホトルミネッセンス特性図、
第４図は本発明による半導体発光素子の他の実施例を示
す断面構造図である。 １……GaAs基板 ２……バッファ層 ３……ZnSe発光層 ６……窒素ドープｐ型伝導層 ７……よう素ドープｎ型伝導層
Claims (4)
- 【請求項１】ZnSe発光層がバッファ層を介しGaAs基板上
に形成された半導体発光素子において、上記ZnSe発光層
が、よう素をドープしたｎ型伝導層と窒素をドープした
ｐ型伝導層とからなることを特徴とする半導体発光素
子。 - 【請求項２】上記バッファ層は、ZnSeとZnSとの多層構
造からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載した半導体発光素子。 - 【請求項３】上記バッファ層は、ZnSeとZnSとの固溶体
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載し
た半導体発光素子。 - 【請求項４】ZnSe発光層がバッファ層を介しGaAs基板上
に形成された半導体発光素子の製造方法において、上記
GaAs基板上にバッファ層を形成したのち、上記バッファ
層上に、よう素をドープしたｎ型伝導層と窒素をドープ
したｐ型伝導層とからなるZnSe発光層を形成する工程を
備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266988A JPH0682864B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266988A JPH0682864B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189178A JPH01189178A (ja) | 1989-07-28 |
| JPH0682864B2 true JPH0682864B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=11811779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266988A Expired - Fee Related JPH0682864B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682864B2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1266988A patent/JPH0682864B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01189178A (ja) | 1989-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3124861B2 (ja) | 薄膜成長方法および半導体装置の製造方法 | |
| US5886367A (en) | Epitaxial wafer device including an active layer having a two-phase structure and light-emitting device using the wafer | |
| US6372981B1 (en) | Semiconductor substrate, solar cell using same, and fabrication methods thereof | |
| JPH05243614A (ja) | 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| US5442201A (en) | Semiconductor light emitting device with nitrogen doping | |
| JP3143040B2 (ja) | エピタキシャルウエハおよびその製造方法 | |
| US5387544A (en) | Method of making a semiconductor device including carbon as a dopant | |
| JPH01179411A (ja) | ３−５族化合物半導体気相成長方法 | |
| JPH05243613A (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
| JPH0682864B2 (ja) | 半導体発光素子とその製造方法 | |
| JPH08335555A (ja) | エピタキシャルウエハの製造方法 | |
| JP2001015803A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード | |
| JP3090063B2 (ja) | 化合物半導体素子 | |
| JPH0463040B2 (ja) | ||
| JP3242571B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JP2003137700A (ja) | ＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶および半導体装置 | |
| JPH0754805B2 (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JP2804093B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2004063519A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体層の気相成長方法及びｉｉｉ族窒化物半導体素子 | |
| DenBaars | Light emitting diodes: materials growth and properties | |
| JP2940831B2 (ja) | ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体 | |
| JPH03161981A (ja) | 半導体装置と２―６族化合物半導体結晶層の製造方法 | |
| JP3156514B2 (ja) | 半導体エピタキシャルウェハの製造方法 | |
| JPH01318268A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPS6317293A (ja) | 化合物半導体薄膜形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |