JPH0684982A - ハイブリッドｉｃ - Google Patents

ハイブリッドｉｃ

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Publication number
JPH0684982A
JPH0684982A JP4231723A JP23172392A JPH0684982A JP H0684982 A JPH0684982 A JP H0684982A JP 4231723 A JP4231723 A JP 4231723A JP 23172392 A JP23172392 A JP 23172392A JP H0684982 A JPH0684982 A JP H0684982A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
metal substrate
hybrid
insulating layer
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4231723A
Other languages
English (en)
Inventor
Shogo Hamamoto
省吾 濱本
Yasuhiro Okada
康弘 岡田
Koji Kuyama
浩二 久山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4231723A priority Critical patent/JPH0684982A/ja
Publication of JPH0684982A publication Critical patent/JPH0684982A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 各種電気機器に使用されるモータの駆動制御
用ハイブリッドＩＣの高出力，薄型化を目的とする。 【構成】 金属基板１上には前記金属基板表面の一部が
露出するように除去された絶縁層２および回路を配線す
る回路配線パターン３が設けられ回路基板４を構成す
る。ＩＣチップ５が絶縁層２の除去された部分にＩＣチ
ップ固定部材６により金属基板１の露出表面に配置固定
され、ＩＣチップ５と回路配線パターン３を電気的に金
属ワイヤー７で接続し、封止樹脂８によりＩＣチップ５
および金属ワイヤー７を封止しハイブリッドＩＣを構成
している。この構成によりＩＣチップ５から発生する熱
はＩＣチップ固定部材６を通して金属基板１に直接的に
放熱されるため高出力のＩＣチップが使用できると共
に、絶縁層２が前記ＩＣチップ５の下にないため、より
薄型のハイブリッドＩＣを実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、産業，音響，映像，情
報用モータに使用するハイブリッドＩＣに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、モータは高出力で、かつ薄型化が
求められている。それに伴い薄型で高出力のハイブリッ
ドＩＣが必要となってきている。
【０００３】以下に従来のハイブリッドＩＣについて説
明する。
【０００４】図３は従来のハイブリッドＩＣの構造を示
す断面図である。図３において、金属基板１上には絶縁
層２および回路を配線する回路配線パターン３が設けら
れ回路基板４を構成しており、ＩＣチップ５は金属基板
１上に絶縁層２および回路配線パターン３を介してＩＣ
チップ固定部材６で配置固定され、ＩＣチップ５と回路
配線パターン３は金属ワイヤー７により電気的に接続さ
れ、封止樹脂８によりＩＣチップ５と金属ワイヤー７は
封止されハイブリッドＩＣを構成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、ＩＣチップ５が金属基板１に絶縁層２を
介してＩＣチップ固定部材６により固定されているた
め、ＩＣチップ５から発生する熱は前記ＩＣチップ固定
部材６および前記絶縁層２を通して前記金属基板１に放
熱される。しかしながら、前記絶縁層２の熱抵抗が大き
いため、前記ＩＣチップ５から発生する熱は十分に前記
金属基板１に放熱されないという問題点を有していた。
【０００６】また、前記絶縁層２を介して前記ＩＣチッ
プ５が配置されるため薄型のハイブリッドＩＣが実現で
きないという問題点も有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で熱放散が良く、高出力，薄型のハイブリッドＩＣを提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のハイブリッドＩＣは、前記金属基板上の前記
絶縁層を一部除去し、前記金属基板表面を露出させ、前
記金属基板表面の露出部に前記ＩＣチップを前記ＩＣチ
ップ固定部材により配置固定する構成を有している。
【０００９】
【作用】本発明によれば、ＩＣチップから発生する熱は
ＩＣチップ固定部材のみを通して直接金属基板に放熱さ
れるため放熱効果が大きくなり、前記ＩＣチップとして
高出力のものが使用できる。
【００１０】また、前記金属基板上の前記ＩＣチップの
配置固定部に絶縁層がないため、より薄型のハイブリッ
ドＩＣを実現することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の各実施例について、図面を参
照しながら説明する。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例におけるハイ
ブリッドＩＣの構造を示す断面図である。図１におい
て、金属基板１上には前記金属基板表面の一部が露出す
るように除去された絶縁層２および回路を配線する回路
配線パターン３が設けられ回路基板４を構成しており、
ＩＣチップ５は絶縁層２の除去された部分にＩＣチップ
固定部材６により金属基板１の露出表面に配置固定さ
れ、ＩＣチップ５と回路配線パターン３は金属ワイヤー
７により電気的に接続され、封止樹脂８によりＩＣチッ
プ５および金属ワイヤー７を封止しハイブリッドＩＣを
構成している。
【００１３】図２は本発明の第２の実施例におけるハイ
ブリッドＩＣの構造を示す断面図である。図２において
金属基板１の一部が他の部分に比較して薄肉厚にできて
いる金属基板１ａ上には前記金属基板の薄肉厚部分の表
面が露出するように除去された絶縁層２および回路を配
線する回路配線パターン３が設けられ回路基板４を構成
しており、ＩＣチップ５は絶縁層２の除去された部分に
ＩＣチップ固定部材６により金属基板１の露出表面に配
置固定され、ＩＣチップ５と回路配線パターン３を電気
的に金属ワイヤー７で接続し、封止樹脂８によりＩＣチ
ップ５および金属ワイヤー７を封止しハイブリッドＩＣ
を構成している。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のハイブリ
ッドＩＣは、金属基板上の絶縁層を一部取り除き前記金
属基板の露出表面にＩＣチップ固定部材によりＩＣチッ
プを配置固定しているため、放熱効果が大きく前記ＩＣ
チップに高出力のものを用いることができ、前記ＩＣチ
ップの配置固定部に前記絶縁層がないため、より薄型の
ハイブリッドＩＣを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例におけるハイブリッドＩ
Ｃの断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例におけるハイブリッドＩ
Ｃの断面図である。
【図３】従来のハイブリッドＩＣの断面図である。
【符号の説明】
１…金属基板、 ２…絶縁層、 ３…回路配線パター
ン、 ４…回路基板、 ５…ＩＣチップ、 ６…ＩＣチ
ップ固定部材、 ７…金属ワイヤー、 ８…封止樹脂。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属基板上に絶縁層を介して回路配線パ
    ターンを有する回路基板と、前記絶縁層の一部を除去し
    前記金属基板表面を露出させ、前記金属基板表面の露出
    部にＩＣチップ固定部材により配置固定されたＩＣチッ
    プと、前記ＩＣチップと前記回路配線パターンを接続す
    る金属ワイヤーと、前記ＩＣチップと前記金属ワイヤー
    を封止する封止樹脂とから構成されたことを特徴とする
    ハイブリッドＩＣ。
  2. 【請求項２】 前記ＩＣチップの配置固定部を薄肉厚と
    した前記金属基板を用いることを特徴とする請求項１記
    載のハイブリッドＩＣ。
JP4231723A 1992-08-31 1992-08-31 ハイブリッドｉｃ Pending JPH0684982A (ja)

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