JPS60206673A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS60206673A JPS60206673A JP59065310A JP6531084A JPS60206673A JP S60206673 A JPS60206673 A JP S60206673A JP 59065310 A JP59065310 A JP 59065310A JP 6531084 A JP6531084 A JP 6531084A JP S60206673 A JPS60206673 A JP S60206673A
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- JP
- Japan
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- thermal head
- ceramic substrate
- metal substrate
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- Pending
Links
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はヒートシンク會有するサーマルヘッドの構造に
関する。
関する。
一般に、ヒートシンクに有”１−るサーマルヘッドの構
造においては、放熱性、伝熱性等の点から、発熱素子と
しての抵抗体および他の能動あるいは受動累す奮同−セ
ラミック基板上に配線用導体にて配線し、はぼ同一形状
のヒートシンクとしての金属基板に接着剤もしくはネジ
等により固定されている。
造においては、放熱性、伝熱性等の点から、発熱素子と
しての抵抗体および他の能動あるいは受動累す奮同−セ
ラミック基板上に配線用導体にて配線し、はぼ同一形状
のヒートシンクとしての金属基板に接着剤もしくはネジ
等により固定されている。
第１図は従来のサーマルヘッドの断面図であシ、ヒート
シンク金属基板１上に固定されたセラミック基板２上に
抵抗体３および配線用導体４全形成する。そして、抵抗
体３の周辺部においてダイオード、トランジスタ等の半
導体能動素子５およびチップコンデンサ、チップ抵抗等
の受動素子６を、ワイヤーボンディング、半田付け、熱
圧着等の方法で配線用導体４上に接続している。
シンク金属基板１上に固定されたセラミック基板２上に
抵抗体３および配線用導体４全形成する。そして、抵抗
体３の周辺部においてダイオード、トランジスタ等の半
導体能動素子５およびチップコンデンサ、チップ抵抗等
の受動素子６を、ワイヤーボンディング、半田付け、熱
圧着等の方法で配線用導体４上に接続している。
ところが、このように形成されるサーマルヘッドでは、
セラミック基板２の平面積が大である。
セラミック基板２の平面積が大である。
そして、一般にサーマルヘッドにおいて、発熱素子が形
成されたセラミック基板が高放熱性を要求されることか
ら材料費が高く、又高密度に発熱皇子を形成することか
ら、歩留りも５０％（（下回シ、かつ大型ということで
製造能力、加工時間においてもコストが高くなるという
欠点を有していた。
成されたセラミック基板が高放熱性を要求されることか
ら材料費が高く、又高密度に発熱皇子を形成することか
ら、歩留りも５０％（（下回シ、かつ大型ということで
製造能力、加工時間においてもコストが高くなるという
欠点を有していた。
本発明は上記問題点ｖｃ′６みなされたもので、その目
的は半導体素子等の＝動および受動素子部品をヒートシ
ンクとしての金属基板上に取刊け、セラミック基板の平
面績全従米より１／６〜２／６小さくし、放熱性、伝熱
性等を損うことなく廉価なサーマルヘッドを提供するこ
とにある。
的は半導体素子等の＝動および受動素子部品をヒートシ
ンクとしての金属基板上に取刊け、セラミック基板の平
面績全従米より１／６〜２／６小さくし、放熱性、伝熱
性等を損うことなく廉価なサーマルヘッドを提供するこ
とにある。
以下第２図全参照してこの発明の一実施例＋Ｃ説明する
。第２図は本発明に係るサーマルヘッドの断面図２ボし
たものでおる。従来構造と同一箇所は同符号ン付して説
明を省略する。１１は金属基板であり、放熱性、伝熱性
の良好な金属がらなっている。１２は金属基板１１の一
部に設けられた絶縁膜、１３は絶縁膜１２を介して金属
基板１１上に形成された回路パターンであり、このパタ
ーン１６に各能動、受動素子５．６が配設されている。
。第２図は本発明に係るサーマルヘッドの断面図２ボし
たものでおる。従来構造と同一箇所は同符号ン付して説
明を省略する。１１は金属基板であり、放熱性、伝熱性
の良好な金属がらなっている。１２は金属基板１１の一
部に設けられた絶縁膜、１３は絶縁膜１２を介して金属
基板１１上に形成された回路パターンであり、このパタ
ーン１６に各能動、受動素子５．６が配設されている。
２０は金属基板１１の幅りに対しほぼ１／２の幅ｚ’ｌ
有し金属基板１１の段部１１ａに接着されたセラミ、ツ
ク基板で、この基板２０上に抵抗体６および配線用導体
４が形成されている。
有し金属基板１１の段部１１ａに接着されたセラミ、ツ
ク基板で、この基板２０上に抵抗体６および配線用導体
４が形成されている。
尚、セラミック基板２０の幅ｌは金属基板１１の幅りに
対し１／６〜２／３の範囲であれば、抵抗体６および配
線用導体４の配設にも、能動、受動素子５．６の取付け
（（も支障ｒきたすことはない。
対し１／６〜２／３の範囲であれば、抵抗体６および配
線用導体４の配設にも、能動、受動素子５．６の取付け
（（も支障ｒきたすことはない。
また、金属基板の段部１１ａによジ、セラミック基板２
０と半導体能動素子５との表面高さはほぼ一致している
ので、半導体能動素子５あるいは回路パターン１３とセ
ラミック基板２０上の配線用導体４との接続は、一般の
ワイヤーボンディング、半田付け、熱圧着等の方法で行
なうことができる。
０と半導体能動素子５との表面高さはほぼ一致している
ので、半導体能動素子５あるいは回路パターン１３とセ
ラミック基板２０上の配線用導体４との接続は、一般の
ワイヤーボンディング、半田付け、熱圧着等の方法で行
なうことができる。
このように形成されたサーマルヘッドにおいては、放熱
性、伝熱性等の良好な金属基板１１上に直接セラミック
基板２０が接着されている。また、薄い絶縁膜１２葡介
して金属基板１１上に形成された回路パターン１３上の
半導体能動素子５の放熱性、伝熱性等も良好であった。
性、伝熱性等の良好な金属基板１１上に直接セラミック
基板２０が接着されている。また、薄い絶縁膜１２葡介
して金属基板１１上に形成された回路パターン１３上の
半導体能動素子５の放熱性、伝熱性等も良好であった。
従って、本発明によれば放熱性、伝熱性等を損うことな
くセラミック基板を平面積で従来よ！１１１ ／ ５〜
２／３小さくすることが可能となり、従来よシセラミッ
ク基板の製造能力が１／６〜２／６増え、かつコスト７
５Ｅ２０〜６０％低くなる廉価なサーマルヘッドが得ら
れるという効果が得られた。
くセラミック基板を平面積で従来よ！１１１ ／ ５〜
２／３小さくすることが可能となり、従来よシセラミッ
ク基板の製造能力が１／６〜２／６増え、かつコスト７
５Ｅ２０〜６０％低くなる廉価なサーマルヘッドが得ら
れるという効果が得られた。
第１図は従来のサーマルヘッドの断面図、第２図は本発
明の一実施例を示すサーマルヘッドの断面図である。 ６・・・抵抗体、４・・・配線用導体、５・・・半導体
能動素子、６・・・受動素子、１１・・・金属基板、１
２・・・絶縁膜、１３・・・回路パターン、２０・・・
セラミック基板。 第１図 第２図 〆２ し
明の一実施例を示すサーマルヘッドの断面図である。 ６・・・抵抗体、４・・・配線用導体、５・・・半導体
能動素子、６・・・受動素子、１１・・・金属基板、１
２・・・絶縁膜、１３・・・回路パターン、２０・・・
セラミック基板。 第１図 第２図 〆２ し
Claims (2)
- （１） ヒートシンクとしての金属基板と、この金属基
板上に固着されたセラミック基板と、このセラミック基
板上に形成された配線用導体を介して設けられた発熱素
子としての抵抗体と、この抵抗体を駆動するための能動
素子および受動素子とからなるサーマルヘッドにおいて
、前記金属基板の一部に絶縁膜を設け、この絶縁膜上に
形成した回路パターンを介して前記能動素子および受動
素子全配設することによシ、前記セラミック基板の幅を
前記金属基板の幅に対し１／３〜２／３にしたこと全特
徴とするサーマルヘッド。 - （２）前記金属基板の前記セラミック基板が固着される
部分に段部を設け、前記セラミック基板の表面と前記能
動素子の表面との高さ會はぼ一致させたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065310A JPS60206673A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065310A JPS60206673A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206673A true JPS60206673A (ja) | 1985-10-18 |
Family
ID=13283202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065310A Pending JPS60206673A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60206673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01122946U (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-21 | ||
| JPH02108033U (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162168A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Thin film hybrid circuit |
| JPS5753372A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-30 | Ricoh Co Ltd | Thermal head apparatus |
| JPS5763278A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59065310A patent/JPS60206673A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162168A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Thin film hybrid circuit |
| JPS5753372A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-30 | Ricoh Co Ltd | Thermal head apparatus |
| JPS5763278A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01122946U (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-21 | ||
| JPH02108033U (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 |
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