JPH0685010A - マルチチップモジュール - Google Patents
マルチチップモジュールInfo
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- JPH0685010A JPH0685010A JP4234624A JP23462492A JPH0685010A JP H0685010 A JPH0685010 A JP H0685010A JP 4234624 A JP4234624 A JP 4234624A JP 23462492 A JP23462492 A JP 23462492A JP H0685010 A JPH0685010 A JP H0685010A
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- wiring
- chip
- semiconductor chip
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】従来のセラミック多層配線基板を用いるマルチ
チップモジュールよりも薄く、さらに安価に製造できる
マルチチップモジュールを提供することである。 【構成】シリコン基板13に穴を開孔して半導体チップ10
をはめ込む。半導体チップ10上の電極11とシリコン基板
13上の配線15の端部に設けられている接続パッド16とを
ブリッジ18で接続する。ブリッジ18はアルミ蒸着あるい
は半田等を用いる微細メッキにより形成する。
チップモジュールよりも薄く、さらに安価に製造できる
マルチチップモジュールを提供することである。 【構成】シリコン基板13に穴を開孔して半導体チップ10
をはめ込む。半導体チップ10上の電極11とシリコン基板
13上の配線15の端部に設けられている接続パッド16とを
ブリッジ18で接続する。ブリッジ18はアルミ蒸着あるい
は半田等を用いる微細メッキにより形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマルチチップモジュー
ルに係り、特にモジュールを構成する半導体チップと基
板との接続方法に関する。
ルに係り、特にモジュールを構成する半導体チップと基
板との接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマルチチップモジュールは例えば
図５または図６に示すような断面構造を持っている。
図５または図６に示すような断面構造を持っている。
【０００３】図５はセラミック基板50上に複数の半導体
チップ51をフェースダウンボンディング、いわゆるフリ
ップチップによって接続したマルチチップモジュールの
一部である。図において、セラミック基板50上には配線
層52と層間絶縁膜53により多層配線が形成されている。
最上層の配線層52と半導体チップ51に設けられた電極54
とがバンプ55により接続されている。
チップ51をフェースダウンボンディング、いわゆるフリ
ップチップによって接続したマルチチップモジュールの
一部である。図において、セラミック基板50上には配線
層52と層間絶縁膜53により多層配線が形成されている。
最上層の配線層52と半導体チップ51に設けられた電極54
とがバンプ55により接続されている。
【０００４】図６はセラミック基板60上に複数の半導体
チップ61をワイヤボンディングによって接続したマルチ
チップモジュールの一部である。図において、セラミッ
ク基板60上には配線層62と層間絶縁膜63により多層配線
が形成されている。半導体チップ61は接着剤64により層
間絶縁膜63上に固定され、半導体チップ61に設けられた
電極65と最上層の配線層62とがボンディングワイヤ66に
より接続されている。
チップ61をワイヤボンディングによって接続したマルチ
チップモジュールの一部である。図において、セラミッ
ク基板60上には配線層62と層間絶縁膜63により多層配線
が形成されている。半導体チップ61は接着剤64により層
間絶縁膜63上に固定され、半導体チップ61に設けられた
電極65と最上層の配線層62とがボンディングワイヤ66に
より接続されている。
【０００５】上記のようなセラミック基板上への配線は
タングステン等により行うために、配線幅が０．２ｍｍ
程度と広くなり、高密度に配線することができない。そ
こで、セラミック基板上にポリミド等を層間絶縁膜とし
て多層配線を行い、最上層の配線には銅箔を使った多層
配線基板にしている。しかし、層間絶縁膜をポリミド等
で厚膜状に積層するにはコストが掛るという問題ある。
タングステン等により行うために、配線幅が０．２ｍｍ
程度と広くなり、高密度に配線することができない。そ
こで、セラミック基板上にポリミド等を層間絶縁膜とし
て多層配線を行い、最上層の配線には銅箔を使った多層
配線基板にしている。しかし、層間絶縁膜をポリミド等
で厚膜状に積層するにはコストが掛るという問題ある。
【０００６】そして、多層配線基板を用いるためにマル
チチップモジュールの外寸が厚くなっている。特に、ボ
ンディングワイヤにより半導体チップと多層配線基板と
を接続する場合には、ワイヤを半導体チップ上に弓なり
に張るので厚さが増している。また、ワイヤボンディン
グでは半導体チップ上の電極間隔をフリップチップより
広げなくてはならず、またワイヤを張るための距離が必
要となり、多層配線基板上の半導体チップの実装密度が
低くなるという問題がある。
チチップモジュールの外寸が厚くなっている。特に、ボ
ンディングワイヤにより半導体チップと多層配線基板と
を接続する場合には、ワイヤを半導体チップ上に弓なり
に張るので厚さが増している。また、ワイヤボンディン
グでは半導体チップ上の電極間隔をフリップチップより
広げなくてはならず、またワイヤを張るための距離が必
要となり、多層配線基板上の半導体チップの実装密度が
低くなるという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のマ
ルチチップモジュールは多層配線基板を用いるためにコ
ストが掛り、さらに外寸が厚くなるという問題がある。
この発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、
その目的は従来よりも薄く、さらに安価に製造できるマ
ルチチップモジュールを提供することである。
ルチチップモジュールは多層配線基板を用いるためにコ
ストが掛り、さらに外寸が厚くなるという問題がある。
この発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、
その目的は従来よりも薄く、さらに安価に製造できるマ
ルチチップモジュールを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明によるマルチチ
ップモジュールは複数の貫通孔が形成され、表面に少な
くとも配線が形成された半導体基板と、上記複数の貫通
孔に挿入された複数の半導体チップと、上記複数の各半
導体チップ上の電極と上記半導体基板上の配線とを電気
的に接続する接続手段とを具備したことを特徴とする。
ップモジュールは複数の貫通孔が形成され、表面に少な
くとも配線が形成された半導体基板と、上記複数の貫通
孔に挿入された複数の半導体チップと、上記複数の各半
導体チップ上の電極と上記半導体基板上の配線とを電気
的に接続する接続手段とを具備したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、半導体チップが半導体基板
の貫通孔にはめ込まれるため、半導体基板の厚さとほぼ
同じ厚さのマルチチップモジュールができる。
の貫通孔にはめ込まれるため、半導体基板の厚さとほぼ
同じ厚さのマルチチップモジュールができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。
り説明する。
【００１１】図１はこの発明の第１の実施例に係るマル
チチップモジュールの断面図であり、図２はその平面図
である。図において、10は集積回路（ＩＣ）がシリコン
基板上に形成されている半導体チップであり、半導体チ
ップ上には電極11が形成されており、電極部を除く全表
面がリン・ケイ酸ガラス膜（ＰＳＧ膜）12に覆われてい
る。13はシリコン基板であり、半導体チップ10それぞれ
が入る大きさの穴14がレーザーにより開孔され、表面に
はアルミニウム配線15が形成されており、配線部を除く
全表面は半導体チップ10と同様にＰＳＧ膜12に覆われて
いる。上記配線15の上記穴14側の端部は少し幅が広げら
れて接続パッド16になっており、配線の基板13の周縁部
にある端部は接続パッド16よりも広げられて外部電極パ
ッド17となっている。上記シリコン基板13の穴14にそれ
ぞれ半導体チップ10がはめ込まれ、チップ10上の電極11
それぞれと接続パッド16それぞれがブリッジ18により接
続されている。ブリッジ18はマスクを用いてアルミを部
分的に蒸着させたものである。また、ブリッジ18は微細
メッキで形成することも可能であり、例えば半田メッ
キ、Ｓｎメッキ、Ａｕメッキが使用される。
チチップモジュールの断面図であり、図２はその平面図
である。図において、10は集積回路（ＩＣ）がシリコン
基板上に形成されている半導体チップであり、半導体チ
ップ上には電極11が形成されており、電極部を除く全表
面がリン・ケイ酸ガラス膜（ＰＳＧ膜）12に覆われてい
る。13はシリコン基板であり、半導体チップ10それぞれ
が入る大きさの穴14がレーザーにより開孔され、表面に
はアルミニウム配線15が形成されており、配線部を除く
全表面は半導体チップ10と同様にＰＳＧ膜12に覆われて
いる。上記配線15の上記穴14側の端部は少し幅が広げら
れて接続パッド16になっており、配線の基板13の周縁部
にある端部は接続パッド16よりも広げられて外部電極パ
ッド17となっている。上記シリコン基板13の穴14にそれ
ぞれ半導体チップ10がはめ込まれ、チップ10上の電極11
それぞれと接続パッド16それぞれがブリッジ18により接
続されている。ブリッジ18はマスクを用いてアルミを部
分的に蒸着させたものである。また、ブリッジ18は微細
メッキで形成することも可能であり、例えば半田メッ
キ、Ｓｎメッキ、Ａｕメッキが使用される。
【００１２】図３は上記実施例の変形例に係るマルチチ
ップモジュールの前記図１に対応する断面図である。上
記シリコン基板13の穴にはめ込まれた半導体チップ10と
シリコン基板13との間には隙間が生じる。この隙間に上
記ブリッジ18の一部が入り込み、シリコン基板13または
半導体チップ10のシリコン部とブリッジ18が短絡する可
能性がある。そこで、この変形例では上記隙間に絶縁物
30を入れるようにしたものである。この絶縁物30は具体
的には次のようにして形成される。例えば低融点ガラス
のような絶縁ペーストをシリコン基板13の穴に予め塗布
しておいてから半導体チップ10を穴にはめ込む。そし
て、絶縁物30は上記隙間を埋めることでブリッジ18が形
成しやすくするという効果もある。
ップモジュールの前記図１に対応する断面図である。上
記シリコン基板13の穴にはめ込まれた半導体チップ10と
シリコン基板13との間には隙間が生じる。この隙間に上
記ブリッジ18の一部が入り込み、シリコン基板13または
半導体チップ10のシリコン部とブリッジ18が短絡する可
能性がある。そこで、この変形例では上記隙間に絶縁物
30を入れるようにしたものである。この絶縁物30は具体
的には次のようにして形成される。例えば低融点ガラス
のような絶縁ペーストをシリコン基板13の穴に予め塗布
しておいてから半導体チップ10を穴にはめ込む。そし
て、絶縁物30は上記隙間を埋めることでブリッジ18が形
成しやすくするという効果もある。
【００１３】上記実施例および変形例のようなマルチチ
ップモジュールはシリコン基板に穴を開けて半導体チッ
プをはめ込んでいるため、厚さはほぼ基板の厚さ程度に
できる。また、上記シリコン基板は表面にリソグラフィ
ー技術によってアルミ配線をパターニングしたもので、
従来のセラミック多層配線基板に比べると薄くなってい
る。このため、マルチチップモジュールの厚さは従来よ
り大幅に薄くすることができる。また、使用する基板は
ポリミド等により多層化していないので、基板に掛かる
コストを削減することができ、安価に製造することがで
きる。さらに、蒸着によって形成するブリッジはバンプ
やボンディングワイヤに比べて狭いところに作ることが
でき、接続時に潰されることもないため、半導体チップ
上の電極および配線端部に設ける接続パッドを従来より
小さくすることができる。したがって、基板に高密度に
半導体チップをはめ込むことができる。また、基板には
シリコン基板を用いているので、シリコンウェハに複数
のマルチチップモジュールを作ることができ、量産性が
高いという特徴がある。
ップモジュールはシリコン基板に穴を開けて半導体チッ
プをはめ込んでいるため、厚さはほぼ基板の厚さ程度に
できる。また、上記シリコン基板は表面にリソグラフィ
ー技術によってアルミ配線をパターニングしたもので、
従来のセラミック多層配線基板に比べると薄くなってい
る。このため、マルチチップモジュールの厚さは従来よ
り大幅に薄くすることができる。また、使用する基板は
ポリミド等により多層化していないので、基板に掛かる
コストを削減することができ、安価に製造することがで
きる。さらに、蒸着によって形成するブリッジはバンプ
やボンディングワイヤに比べて狭いところに作ることが
でき、接続時に潰されることもないため、半導体チップ
上の電極および配線端部に設ける接続パッドを従来より
小さくすることができる。したがって、基板に高密度に
半導体チップをはめ込むことができる。また、基板には
シリコン基板を用いているので、シリコンウェハに複数
のマルチチップモジュールを作ることができ、量産性が
高いという特徴がある。
【００１４】図４はこの発明の第２の実施例に係るマル
チチップモジュールの前記図１に対応する断面図であ
る。上記第１の実施例では半導体チップ10上の電極11と
シリコン基板13上の接続パッド16とを蒸着によるブリッ
ジ18で接続していたが、この実施例はビームリード40と
バンプ41により接続するようにしたものであり、電極１
１上と接続パッド１６上のバンプ41がそれぞれビームリ
ード40の両端の下部で潰されている。したがって、この
実施例の電極11および接続パッド16はバンプ41が潰され
たときの大きさよりも大きくする必要があり、少ない数
の半導体チップ10をシリコン基板13にはめ込む場合に適
している。
チチップモジュールの前記図１に対応する断面図であ
る。上記第１の実施例では半導体チップ10上の電極11と
シリコン基板13上の接続パッド16とを蒸着によるブリッ
ジ18で接続していたが、この実施例はビームリード40と
バンプ41により接続するようにしたものであり、電極１
１上と接続パッド１６上のバンプ41がそれぞれビームリ
ード40の両端の下部で潰されている。したがって、この
実施例の電極11および接続パッド16はバンプ41が潰され
たときの大きさよりも大きくする必要があり、少ない数
の半導体チップ10をシリコン基板13にはめ込む場合に適
している。
【００１５】この実施例の場合も第１の実施例の場合と
同様に、多層化しないシリコン基板の穴に半導体チップ
をはめ込むので、薄いマルチチップモジュールを安価に
製造することができる。ところで、上記第１および第２
の実施例で使用するシリコン基板は配線の他にトランジ
スタやキャパシタ、論理回路等を形成したものであって
も良い。
同様に、多層化しないシリコン基板の穴に半導体チップ
をはめ込むので、薄いマルチチップモジュールを安価に
製造することができる。ところで、上記第１および第２
の実施例で使用するシリコン基板は配線の他にトランジ
スタやキャパシタ、論理回路等を形成したものであって
も良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、従来よりも薄く、さらに安価に製造できるマルチチ
ップモジュールを提供することができる。
ば、従来よりも薄く、さらに安価に製造できるマルチチ
ップモジュールを提供することができる。
【図１】この発明の第１の実施例に係るマルチチップモ
ジュールの断面図。
ジュールの断面図。
【図２】この発明の第１の実施例に係るマルチチップモ
ジュールの平面図。
ジュールの平面図。
【図３】この発明の第１の実施例の変形例に係るマルチ
チップモジュールの断面図。
チップモジュールの断面図。
【図４】この発明の第２の実施例に係るマルチチップモ
ジュールの断面図。
ジュールの断面図。
【図５】フリップチップによるマルチチップモジュール
の断面図。
の断面図。
【図６】ワイヤボンディングによるマルチチップモジュ
ールの断面図。
ールの断面図。
10…半導体チップ、11…電極、12…ＰＳＧ膜、13…シリ
コン基板、15…配線、16…接続パッド、18…蒸着または
メッキによるブリッジ、30…絶縁物、40…ビームリー
ド、41…バンプ。
コン基板、15…配線、16…接続パッド、18…蒸着または
メッキによるブリッジ、30…絶縁物、40…ビームリー
ド、41…バンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/14
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の貫通孔が形成され、表面に少なく
とも配線が形成された半導体基板と、 上記複数の貫通孔に挿入された複数の半導体チップと、 上記複数の各半導体チップ上の電極と上記半導体基板上
の配線とを電気的に接続する接続手段とを具備したこと
を特徴とするマルチチップモジュール。 - 【請求項２】 前記接続手段が蒸着によって形成された
配線で構成されている請求項１に記載のマルチチップモ
ジュール。 - 【請求項３】 前記接続手段がメッキによって形成され
た配線で構成されている請求項１に記載のマルチチップ
モジュール。 - 【請求項４】 前記接続手段がビームリードとバンプと
で構成されている請求項１に記載のマルチチップモジュ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4234624A JPH0685010A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | マルチチップモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4234624A JPH0685010A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | マルチチップモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685010A true JPH0685010A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16973961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4234624A Pending JPH0685010A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | マルチチップモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685010A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054493A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-02-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | マルチチップ集積回路キャリヤ |
| JP2006080556A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-03-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | 集積回路キャリヤ |
| JP2006080555A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-03-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | 集積回路キャリヤを製造する方法 |
| JP2007514557A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-06-07 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 密封されたキャビティおよびプラグを備えるマイクロ部品及びそのようなマイクロ部品の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP4234624A patent/JPH0685010A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054493A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-02-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | マルチチップ集積回路キャリヤ |
| JP2006080556A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-03-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | 集積回路キャリヤ |
| JP2006080555A (ja) * | 2000-10-20 | 2006-03-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | 集積回路キャリヤを製造する方法 |
| JP2007514557A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-06-07 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 密封されたキャビティおよびプラグを備えるマイクロ部品及びそのようなマイクロ部品の製造方法 |
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