JPH0685347A - 磁気センサ装置 - Google Patents
磁気センサ装置Info
- Publication number
- JPH0685347A JPH0685347A JP4258914A JP25891492A JPH0685347A JP H0685347 A JPH0685347 A JP H0685347A JP 4258914 A JP4258914 A JP 4258914A JP 25891492 A JP25891492 A JP 25891492A JP H0685347 A JPH0685347 A JP H0685347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- thin film
- lead frame
- solder
- magnetic sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線基板の反りにより生ずる応力を、絶縁基
板上の強磁性体合金の薄膜に伝えないようにして、磁界
検出特性の安定化を図る。 【構成】 強磁性体合金の薄膜３の終端に金属バンプ２
を有する絶縁基板１および、上記金属バンプ２に一端が
半田付けされたベンド部１１を有するリードフレーム１
２を設けて、該リードフレーム１２の他端に対応する位
置に半田７が付けられた配線電極６を、該半田７の溶融
により上記リードフレーム１２の他端に配線基板４上で
接続する。
板上の強磁性体合金の薄膜に伝えないようにして、磁界
検出特性の安定化を図る。 【構成】 強磁性体合金の薄膜３の終端に金属バンプ２
を有する絶縁基板１および、上記金属バンプ２に一端が
半田付けされたベンド部１１を有するリードフレーム１
２を設けて、該リードフレーム１２の他端に対応する位
置に半田７が付けられた配線電極６を、該半田７の溶融
により上記リードフレーム１２の他端に配線基板４上で
接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、配線基板上にバンプ
タイプの磁気抵抗素子を持った絶縁基板を表面実装する
磁気センサ装置に関するものである。
タイプの磁気抵抗素子を持った絶縁基板を表面実装する
磁気センサ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗素子（ＭＲ素子）は磁気を電気
信号に変換するセンサの一種で、ガラス等の基板（絶縁
基板）表面に、例えば強磁性体合金のＮｉ−Ｃｏ，Ｎｉ
−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅなどを用いて短冊状のパター
ンを薄膜形成しており、その強磁性体合金の薄膜に磁界
を加えると、抵抗値が変化する現象を呈し、ＶＴＲ用モ
ータ，自動車，ファクトリー・オートメーションやオフ
ィス・オートメーションなどの分野で広く利用され、構
造はミニモールドタイプが一般的である。
信号に変換するセンサの一種で、ガラス等の基板（絶縁
基板）表面に、例えば強磁性体合金のＮｉ−Ｃｏ，Ｎｉ
−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅなどを用いて短冊状のパター
ンを薄膜形成しており、その強磁性体合金の薄膜に磁界
を加えると、抵抗値が変化する現象を呈し、ＶＴＲ用モ
ータ，自動車，ファクトリー・オートメーションやオフ
ィス・オートメーションなどの分野で広く利用され、構
造はミニモールドタイプが一般的である。
【０００３】また、最近では、パターンの端子部をバン
プ構造として、裸の状態でハイブリッドＩＣ等の配線基
板に直接搭載され、より小型化，低コスト化が図れるよ
うになった。そして、上記バンプ構造にすることによ
り、配線基板の取付精度が向上し、磁界の角度により出
力が微妙に変化する磁気抵抗素子の性質上、大きなメリ
ットとなっている。以下、上記バンプ構造の磁気抵抗素
子を配した配線基板を持った磁気センサ装置を図につい
て説明する。
プ構造として、裸の状態でハイブリッドＩＣ等の配線基
板に直接搭載され、より小型化，低コスト化が図れるよ
うになった。そして、上記バンプ構造にすることによ
り、配線基板の取付精度が向上し、磁界の角度により出
力が微妙に変化する磁気抵抗素子の性質上、大きなメリ
ットとなっている。以下、上記バンプ構造の磁気抵抗素
子を配した配線基板を持った磁気センサ装置を図につい
て説明する。
【０００４】図４は従来の磁気センサ装置を示す組立斜
視図であり、図において、１は絶縁基板としてのガラス
基板で、これの上に強磁性体合金の薄膜３が配してあ
る。２はその薄膜３の終端に連設された半田付性のよい
金属（銅等）からなるバンプである。一方、４は配線基
板であり、これの上には配線電極６が上記バンプ２と対
応するように設けてあり、その配線電極６上に、半田７
が予め付着させてある。
視図であり、図において、１は絶縁基板としてのガラス
基板で、これの上に強磁性体合金の薄膜３が配してあ
る。２はその薄膜３の終端に連設された半田付性のよい
金属（銅等）からなるバンプである。一方、４は配線基
板であり、これの上には配線電極６が上記バンプ２と対
応するように設けてあり、その配線電極６上に、半田７
が予め付着させてある。
【０００５】次に動作について説明する。まず、図４に
示すようなガラス基板１を裏返し状態にして、半田７に
バンプ２が重なり合うように、配線基板４上に置いた
後、これらを加熱して半田７を溶かす。これにより、磁
気抵抗素子を持ったガラス基板１と配線基板４とが機械
的，電気的に、図６に示すように結合される。
示すようなガラス基板１を裏返し状態にして、半田７に
バンプ２が重なり合うように、配線基板４上に置いた
後、これらを加熱して半田７を溶かす。これにより、磁
気抵抗素子を持ったガラス基板１と配線基板４とが機械
的，電気的に、図６に示すように結合される。
【０００６】図７はさらに配線基板４を機械的，環境的
観点から保護するため、この配線基板４を金属や樹脂等
の外装８の上部に接着剤９により取り付けたものを示
し、必要に応じこれらをコーティング用樹脂で被う場合
もある。
観点から保護するため、この配線基板４を金属や樹脂等
の外装８の上部に接着剤９により取り付けたものを示
し、必要に応じこれらをコーティング用樹脂で被う場合
もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁気センサ装置
は以上のように構成されているので、周囲温度の変化等
により保護用の外装８が伸縮すると、配線基板４との間
に膨張差が生じ、これにより、配線基板４に反りが生
じ、強磁性体合金の薄膜３も応力を受け、若干の変形が
生じる。このため、薄膜３と磁界との位置ズレが発生し
たり、薄膜３への応力の印加による抵抗値の変化が生じ
たりして、変形前の磁気検出特性との間に大きなズレが
発生するなどの問題点があった。
は以上のように構成されているので、周囲温度の変化等
により保護用の外装８が伸縮すると、配線基板４との間
に膨張差が生じ、これにより、配線基板４に反りが生
じ、強磁性体合金の薄膜３も応力を受け、若干の変形が
生じる。このため、薄膜３と磁界との位置ズレが発生し
たり、薄膜３への応力の印加による抵抗値の変化が生じ
たりして、変形前の磁気検出特性との間に大きなズレが
発生するなどの問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、配線基板が周囲温度の変化など
種々の原因で反りを生じても、強磁性体合金の薄膜に上
記反りに伴う応力を伝えないようにでき、その反りを原
因とする磁気抵抗素子の特性変化を招くのを防止できる
磁気センサ装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、配線基板が周囲温度の変化など
種々の原因で反りを生じても、強磁性体合金の薄膜に上
記反りに伴う応力を伝えないようにでき、その反りを原
因とする磁気抵抗素子の特性変化を招くのを防止できる
磁気センサ装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る磁
気センサ装置は、強磁性体合金の薄膜の終端に連設され
た金属バンプを有する絶縁基板および上記金属バンプに
一端が半田付けされたベンド部を有するリードフレーム
を設けて、該リードフレームの他端に対応する位置に半
田が付けられた配線電極を、該半田の溶融により上記リ
ードフレームの他端に配線基板上で結合したものであ
る。
気センサ装置は、強磁性体合金の薄膜の終端に連設され
た金属バンプを有する絶縁基板および上記金属バンプに
一端が半田付けされたベンド部を有するリードフレーム
を設けて、該リードフレームの他端に対応する位置に半
田が付けられた配線電極を、該半田の溶融により上記リ
ードフレームの他端に配線基板上で結合したものであ
る。
【００１０】
【作用】この発明における磁気センサ装置は、強磁性体
合金の薄膜を有するガラス基板を、ベンド付きのリード
フレームを介して配線基板に搭載してあるので、配線基
板の反りによる応力を上記ベンド部で吸収させて、上記
薄膜に伝えないようにし、これにより磁界検出特性の信
頼性を向上する。
合金の薄膜を有するガラス基板を、ベンド付きのリード
フレームを介して配線基板に搭載してあるので、配線基
板の反りによる応力を上記ベンド部で吸収させて、上記
薄膜に伝えないようにし、これにより磁界検出特性の信
頼性を向上する。
【００１１】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１において、１は絶縁基板としての
ガラス基板で、これの上に強磁性体合金の薄膜３が配し
てある。２はその薄膜３の終端に連設された半田付性の
よい金属（銅等）からなる金属バンプとしてのバンプ
で、この上に図３に示すように半田１０を介してベンド
部１１を有するリードフレーム１２の一端が取り付けら
れている。一方、４は配線基板であり、これの上には配
線電極６が上記バンプ２と対応するように設けてあり、
上記リードフレーム１２の他端に対応する位置の配線電
極６上に、半田７が予め付着させてある。なお、リード
フレームの素材は銅など半田とのなじみがよく、ある程
度軟らかい金属が適している。
ついて説明する。図１において、１は絶縁基板としての
ガラス基板で、これの上に強磁性体合金の薄膜３が配し
てある。２はその薄膜３の終端に連設された半田付性の
よい金属（銅等）からなる金属バンプとしてのバンプ
で、この上に図３に示すように半田１０を介してベンド
部１１を有するリードフレーム１２の一端が取り付けら
れている。一方、４は配線基板であり、これの上には配
線電極６が上記バンプ２と対応するように設けてあり、
上記リードフレーム１２の他端に対応する位置の配線電
極６上に、半田７が予め付着させてある。なお、リード
フレームの素材は銅など半田とのなじみがよく、ある程
度軟らかい金属が適している。
【００１２】図２はリードフレーム１２と配線基板４上
の配線電極６とを半田７にて接続して、配線基板４とガ
ラス基板１とを一体化した状態を示す。なお、この例で
はリードフレーム１２に半円状のベンド部１１を施した
ものを示したが、薄膜３へ応力を伝えない（吸収する）
形状であれば、上記半円状のベンド部１１らに限られ
ず、その他種々の形状を採用できる。
の配線電極６とを半田７にて接続して、配線基板４とガ
ラス基板１とを一体化した状態を示す。なお、この例で
はリードフレーム１２に半円状のベンド部１１を施した
ものを示したが、薄膜３へ応力を伝えない（吸収する）
形状であれば、上記半円状のベンド部１１らに限られ
ず、その他種々の形状を採用できる。
【００１３】次に動作について説明する。まず、図１に
示すようなガラス基板１を裏返し状態にして、半田７に
リードフレーム１２の上記他端が重なり合うように、配
線基板４上に置いた後、これらを加熱して半田７を溶か
す。これにより、磁気抵抗素子を持ったガラス基板１と
配線基板４とが機械的，電気的に図２に示すように結合
される。
示すようなガラス基板１を裏返し状態にして、半田７に
リードフレーム１２の上記他端が重なり合うように、配
線基板４上に置いた後、これらを加熱して半田７を溶か
す。これにより、磁気抵抗素子を持ったガラス基板１と
配線基板４とが機械的，電気的に図２に示すように結合
される。
【００１４】また、周囲温度の変化等により、配線基板
４に反りを生じる場合を考えると、この反りに従ってリ
ードフレーム１２のベンド部１１およびこれに連続する
部分がたわみ、上記反りによる応力を吸収する。このた
め、磁気抵抗素子を形成する強磁性体合金の薄膜３は上
記応力をほとんど受けず、その結果、磁界検出特性のド
リフトも発生しない。
４に反りを生じる場合を考えると、この反りに従ってリ
ードフレーム１２のベンド部１１およびこれに連続する
部分がたわみ、上記反りによる応力を吸収する。このた
め、磁気抵抗素子を形成する強磁性体合金の薄膜３は上
記応力をほとんど受けず、その結果、磁界検出特性のド
リフトも発生しない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、強磁
性体合金の薄膜の終端に連設された金属バンプを有する
絶縁基板および上記金属バンプに一端が半田付けされた
ベンド部を有するリードフレームを設けて、該リードフ
レームの他端に対応する位置に半田が付けられた配線電
極を、該半田の溶融により上記リードフレームの他端に
配線基板上で結合するように構成したので、種々の応力
により配線基板が反っても、その応力をリードフレーム
のベンド部にて吸収させることができ、従って、その反
りが強磁性体合金の薄膜に伝わらないため、磁界以外の
影響による抵抗値変化を招かず、精度のよい磁界検出を
行えるものが得られる効果がある。
性体合金の薄膜の終端に連設された金属バンプを有する
絶縁基板および上記金属バンプに一端が半田付けされた
ベンド部を有するリードフレームを設けて、該リードフ
レームの他端に対応する位置に半田が付けられた配線電
極を、該半田の溶融により上記リードフレームの他端に
配線基板上で結合するように構成したので、種々の応力
により配線基板が反っても、その応力をリードフレーム
のベンド部にて吸収させることができ、従って、その反
りが強磁性体合金の薄膜に伝わらないため、磁界以外の
影響による抵抗値変化を招かず、精度のよい磁界検出を
行えるものが得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による磁気センサ装置を示
す組立斜視図である。
す組立斜視図である。
【図２】図１における磁気センサ装置の組立後の状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図３】図２における磁気センサ装置を切断して示す断
面図である。
面図である。
【図４】従来の磁気センサ装置を示す組立斜視図であ
る。
る。
【図５】図４における磁気センサ装置の組立後の状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図６】図５における磁気センサ装置を切断して示す断
面図である。
面図である。
【図７】図６における磁気センサ装置に外装を実装した
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
１ ガラス基板（絶縁基板） ２ バンプ（金属バンプ） ３ 薄膜 ４ 配線基板 ６ 配線電極 ７ 半田 １１ ベンド部 １２ リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗素子を構成する強磁性体合金の
薄膜および該薄膜の終端に連設された金属バンプを有す
る絶縁基板と、上記金属バンプに一端が半田付けされた
ベンド部を有するリードフレームと、該リードフレーム
の他端に対応する位置に半田が付けられた配線電極を有
し、該半田の溶融により上記リードフレームの他端と配
線電極とを接続することにより、上記絶縁基板に一体結
合される配線基板とを備えた磁気センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4258914A JPH0685347A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 磁気センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4258914A JPH0685347A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 磁気センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685347A true JPH0685347A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17326790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4258914A Pending JPH0685347A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 磁気センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001159542A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Hitachi Metals Ltd | 回転角度センサー及び回転角度センサーユニット |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6421978A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Mounting of magnetic detector |
| JPH02257578A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Toshiba Corp | 電子機器 |
| JPH03126249A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 磁電変換素子等の保護キャップ |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP4258914A patent/JPH0685347A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6421978A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Mounting of magnetic detector |
| JPH02257578A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Toshiba Corp | 電子機器 |
| JPH03126249A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 磁電変換素子等の保護キャップ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001159542A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Hitachi Metals Ltd | 回転角度センサー及び回転角度センサーユニット |
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