JPH0687322B2 - 光磁気デイスクの初期化方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 光磁気ディスクの全面にフラッシュ光を照射して記録膜
の磁性体をキューリー点の近傍まで加熱すると同時に、
この温度における磁性体の保磁力より大きい磁界を磁性
体の膜面に対して垂直方向に印加し、これによってプリ
グループパターンおよび基板に損傷を与えることなく磁
性体の磁化方向を膜面に対して垂直方向に揃える。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、光磁気ディスクの初期化方法に関する。

〔従来の技術〕

光磁気ディスクは、第２図に示すように、垂直磁化記録
膜１の磁化方向を上方または下方に変えて、情報を記録
する。この記録膜の成膜直後の磁化方向は、第３図に示
すように、磁化方向が一様に揃っていないと考えられ、
記録前に上方または下方に磁化方向を揃える必要があ
る。磁化方向を揃えるには記録膜面に対して垂直方向に
記録層の磁性体の保持力より大きい磁界を印加すればよ
い。しかし典型的な磁性体であるTbFeCo合金は第４図に
示すものでは、常温25℃における保持力が6KOeと大きい
ので、これより大きい磁界を印加するには、磁界発生装
置が、対象とする記録ディスクに比べて巨大となるの
で、実際に行なうことができない。

一般に磁性体はキューリー点の温度で保磁力がゼロにな
る。TeFeCo合金は、第４図に示すものでは、キューリー
点Tcが190℃であるので、この温度の近傍では小さい磁
界を印加しても磁化方向を揃えることが可能である。し
かし、TbFeCo合金記録膜１は、第５図に示すように、た
とえばポリカーボネートのようなプラスチック基板２に
プリグルーブ３を形成して、この上に成膜されている。
そのため、200℃近傍に加熱されると、プリグルーブ３
の形状が損なわれる。なお通常記録膜１は保護膜４に挾
まれている。

従来は、基板全体を200℃近傍に加熱することを避け
て、対象とするプリグルーブ３上のトラックにレーザー
ビームを照射して、TbFeCo合金記録膜１を局部的に加熱
して、これに磁界を印加し、レーザービームの照射領域
をトラックに沿って移動させて、初期化を行なってい
た。これには時間と手間を必要とする。

〔発明が解決しようとする問題点〕

簡単で短時間に光磁気ディスクの初期化を行なう方法が
なかった。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、光磁気ディスクの全面にフラッシュ光を
照射し、これによってプリグルーブパターンおよび基板
を損なうことなく記録膜の磁性体をその保磁力が1kOe以
下になる温度に加熱し、この温度における磁性体の保磁
力より大きい磁界を、磁性体の膜面に対して垂直方向に
印加することを特徴とする、光磁気ディスクの初期化方
法によって解決することができる。

フラッシュ光の光源はキセノンランプが便宜である。

〔実施例〕

25重量％Tb、13重量％Co、残部Fe合金の記録膜１をポリ
カーボネート基板２の上に蒸着した光磁気ディスク５
を、第１図に示すように、Sm−Co系永久磁石６の上に配
置する。この磁石は2kOeの磁界を光磁気ディスクに印加
することができる。上記tbFeCo合金は、保磁力が常温25
℃で6KOeであるので、室温では磁化方向を変えることが
できない。

光源として出力2000J、発光時間100msのキセノンランプ
７を使い、Al被覆反射鏡８を利用して光磁気ディスク５
に照射すると、TbFeCo合金膜は瞬間的にキューリー点19
0℃付近に加熱され、そのときの保磁力は1kOe以下に減
少するので、Sm−Co系磁石６の磁界によって、TbFeCo合
金の磁化方向が揃えられ、ディスクの初期化が行なわれ
る。このときポリカーボネート基板、特にそのプリグル
ーブの変形の問題は生じない。

この初期化により、成膜直後に比べて11.2dBのノイズベ
ルの低下が認められ、これはランダムな磁化方向が一様
になったことを示す。

〔発明の効果〕

プラスチック基板を使用しても、高い保磁力を有する光
磁気ディスクを、簡単な装置で短時間に初期化すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光磁気ディスクの初期化方法を実施
する装置の説明図であり、 第２図は、垂直磁化記録層の磁化方向を示す模式図であ
り、 第３図は、初期化前の第１図の膜の磁化方向を示す模式
図であり、 第４図はTbFeCo合金の温度−保磁力の関係を示すグラフ
であり、 第５図は光磁気ディスクの断面図である。 １……TbFeCo記録膜、 ２……ポリカーボネート基板、 ３……プリグルーブ、４……保護膜、 ５……光磁気ディスク、６……磁石、 ７……キセノンランプ、８……反射鏡。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 一紀 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 岡田 誠二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−182652（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−210549（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−34618（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−298046（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気ディスクの全面にフラッシュ光を照
   射し、これによってプリグルーブパターンおよび基板を
   損なうことなく、記録膜の磁性体をその保磁力が1kOe以
   下になる温度に加熱し、この温度における磁性体の保磁
   力より大きい磁界を、磁性体の膜面に対して垂直方向に
   印加することを特徴とする、光磁気ディスクの初期化方
   法。
2. 【請求項２】フラッシュ光の光源がキセノンランプであ
   る、特許請求の範囲第１項記載の方法。