JPH069018B2 - 半導体構造 - Google Patents

半導体構造

Info

Publication number
JPH069018B2
JPH069018B2 JP58174037A JP17403783A JPH069018B2 JP H069018 B2 JPH069018 B2 JP H069018B2 JP 58174037 A JP58174037 A JP 58174037A JP 17403783 A JP17403783 A JP 17403783A JP H069018 B2 JPH069018 B2 JP H069018B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
base
pnp
emitter
npn
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58174037A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5990120A (ja
Inventor
レズリ−・ロナルド・アベリ−
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JPS5990120A publication Critical patent/JPS5990120A/ja
Publication of JPH069018B2 publication Critical patent/JPH069018B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/80—PNPN diodes, e.g. Shockley diodes or break-over diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
    • H02H9/046—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere responsive to excess voltage appearing at terminals of integrated circuits

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は広くは半導体構造に、詳しくは集積回路装置
の保護回路の構造に関するものである。
集積回路(IC)は、しばしば、その中に含まれている１個
又はそれ以上の個々の装置が過渡電圧によって過負荷状
態とされ、その結果、装置が溶融したり、短絡したりあ
るいは破壊されて、損傷することがあるということは周
知である。過去において、ICを保護して過渡電圧による
破壊を防止するために種々の装置や回路が用いられてい
た。これらの保護装置は、内部過渡現象保護の目的で半
導体チップ上に含められたダイオ−ド又はトランジスタ
回路の形をとっていた。このような装置は、それを含ん
でいるICに対してある程度の保護を与えることはできる
が、チップの大きな面積を占めるもので、このような面
積は他の回路のために用いることができ、そうすること
によって、パッキング密度を高めることが可能である。
過渡現象の一例は、例えばビデオ及び音声処理で使用さ
れる低電圧ICを備えたテレビジョン受像機で生じるよう
な高電圧スパイクである。典型的なものでは、映像管の
陽極は約25,000Ｖにバイアスされており、この高圧の陽
極が急速に放電すると、電源に高い過渡電圧が生じる。
さらに、映像管の陽極と１つ又はそれ以上の低電圧電極
との間で予測不能なアークが生じることもある。いずれ
の場合にも、100Ｖを超えるような正方向又は負方向に
向うピークを伴う高過渡電圧が、共通の電源を介して、
あるいは、プリント配線板の接続導体における静電ピッ
クアップによって、ICの端子に印加される。
テレビジョン受像機における高過渡電圧の他の原因は静
電気放電である。蓄積された静電荷は通常受像機の制御
つまみなどを通して使用者によって放電され、受像機中
のICを損傷させる可能性のある高過渡電圧を発生させ
る。
多くの高過渡電圧保護装置があるが、問題となるのは、
かさばった保護装置を形成するには貴重なチップ空間を
用いねばならないということである。多数のピンを持っ
た装置では保護装置がかなりのスペースをとってしま
い、チップが不必要に大きくなって好ましくない。
発明の概要 この発明は共通のＮ−ウェル中に形成された相補導電型
トランジスタの第１の対と第２の対で構成されたIC保護
回路に実施される。１つの実施例では、抵抗性素子が半
導体構造と一体とされて感知素子を構成している。ここ
で説明するすべての実施例において、相補導電型トラン
ジスタの各対（及び共通の感知抵抗）は共通の分離領域
中に配置され、各対のトランジスタは、過渡電圧（正で
あれ負であれ）が予め定められている値を超過する時に
高電流を流通させることのできる２端子装置を構成する
ように接続されている。
実施例の詳細な説明 第１図には回路10により負の過渡電圧から、また回路12
により正の過渡電圧からある回路を保護する構成が示さ
れている。これらの負と正の過渡電圧保護回路10と12は
両方共、共通の分離領域すなわち分離ボート中に形成さ
れている。
回路10は端子14と保護されるべき回路（図示せず）との
間で信号伝送を行うための導体にエミッタが接続された
NPNトランジスタＱ４を備えている。トランジスタＱ４
のコレクタはPNPトランジスタＱ３のベースに接続され
ており、一方、トランジスタＱ４のベースはトランジス
タＱ３のコレクタに接続されている。トランジスタＱ３
のエミッタは基板又はアースのような基準電位源16に接
続されている。このように、負の過渡電圧からの保護
は、相互接続され、２端子シリコン制御整流器（SCR）
として働く一対のトランジスタによって与えられる。
正の過渡電圧保護回路12は、端子14と被保護回路間で信
号伝送を行うための上述した導体にエミッタが接続され
ているPNPトランジスタＱ１を備えている。トランジス
タＱ１のコレクタはNPNトランジスタＱ２のベースに、
また、ベースはトランジスタＱ２のコレクタとトランジ
スタＱ３のベースとに接続されている。トランジスタＱ
２のベースは低抵抗値の抵抗18を介して基板16に接続さ
れており、そのエミッタも基板16に接続されている。
端子14に負の過渡パルスが発生した時の回路10の動作
は、回路10が２端子装置として構成されていることを除
けば、SCRの動作と類似している。従来のSCRは陽極−陰
極間の電圧により、あるいは、その陽極−陰極間電圧の
変動に基づいてトリガされることがないように設計され
た３端子装置であるという点において異なる。この発明
の過渡電圧保護回路は端子14と16の間に現われる高過渡
電圧か、あるいは、これらの両端子間の電圧の高変化率
（dv/dt）の変化によってトリガされる。実際には、端
子16は基板あるいはアースのような基準電位源であり、
端子14は保護されるべき回路に接続されている。従っ
て、端子14がアースに対して高速度で負方向に変化する
と、保護回路10がターンオンされ（端子14と16が電気的
に接続され）過剰電流をアースに流す。この発明の回路
とは異なり、従来のSCRでは、トランジスタＱ４のベー
ス・エミッタ間及び／又はトランジスタＱ３のベース・
エミッタ間に接続された低抵抗を持っており、それが上
記のようなターンオンを阻止する。端子14における電圧
変化の速度が低い場合は、ピコアンペア代の非常に小さ
な電流がトランジスタＱ４を流れるが、全体のループ利
得が１以下に選ばれているために、回路はラッチされな
い。しかし、端子14に現われる負方向電圧が充分負にな
ると、トランジスタＱ４が深い導通状態となり、それに
よって充分なループ利得が与えられて、全体のループ利
得が１以上になる。保護回路全体が再び導通状態となっ
て過剰電流をアースへ流す。
正過渡電圧保護回路12は、トランジスタＱ１とＱ２の相
互接続が、従来の３端子SCR装置を２端子間の電圧が所
定の正の閾値を超えた時に導通状態にされる２端子装置
に変換するよなものとされている点において、従来のSC
Rと異なる。その動作においては、トランジスタＱ１と
Ｑ２は初め非導通状態にある。抵抗18は電気的雑音及び
熱的雑音が誤ってトランジスタＱ１とＱ２を導通状態に
することがないようにする。基本的には、保護回路12の
動作は、正方向の過渡電圧の振れの期間中の抵抗18の両
端間に電圧降下を生じさせるトランジスタＱ２のコレク
タ・ベース降状によってトリガされる。抵抗18の電圧降
下が１VBE（約0.7Ｖ）を超えると、トランジスタＱ２が
導通する。これによって、トランジスタＱ１を導通状態
に駆動して両方のトランジスタＱ１とＱ２を飽和させて
端子14を実効的にアースにクランプする正帰還効果を生
じさせるに充分なベース電流が与えられる。
第２図は別の負方向過渡電圧保護回路10と正方向過渡電
圧保護回路12を示す。第１図と同じ素子には同じ参照符
号を付けてある。第２図の負方向過渡電圧保護回路10は
第１図の回路10と同様の回路接続であり、正方向過渡電
圧保護回路12においては、トランジスタＱ１とＱ２は第
１図と同じように接続されている。しかし、この実施例
においては、端子14と被保護回路の間に感知抵抗20が直
列に接続されており、負方向過渡電圧保護回路10のトラ
ンジスタＱ４のエミッタと正方向過渡電圧保護回路12の
トランジスタＱ１のエミッタとが抵抗20の端子14への接
続端に接続されている。一方、トランジスタＱ１とＱ３
のベースはトランジスタＱ２とＱ４のコレクタと共に抵
抗20の被保護回路側端部に接続されている。さらに、ダ
イオ−ド22が被保護回路と本構造に特有の基準電位点16
との間に接続されている。
動作を説明すると、端子14に現われる負方向の過渡高電
圧によって、抵抗20とダイオ−ド22を通してダイオ−ド
22を順バイアスする方向に電流が流れる。このバイアス
電位はトランジスタＱ１とＱ３のベースの共通接続点を
介してトランジスタＱ３のエミッタ・ベース接合に結合
される。従って、ダイオ−ド22とトランジスタＱ３の組
合わせは実効的に電流ミラーを形成することになる。ト
ランジスタＱ３のベース電流はトランジスタＱ３にコレ
クタ電流を流れさせ、そのコレクタ電流はトランジスタ
Ｑ４のベースに流れ込む。これにより、トランジスタＱ
４にコレクタ電流が流れ、トランジスタＱ３のベース電
流を増大させる。これらのことの結果、トランジスタＱ
３とＱ４を飽和させて、これらのトランジスタＱ３とＱ
４のSCR機能によって端子14をアース電位に実効的にク
ランプする正帰還回路が出来ることになる。過渡電圧が
消えるかあるいは所定値より小さくなるかすると、端子
14の電位はその通常動作電位に帰えり、ダイオ−ド22と
負方向過渡電圧保護回路10とを流れていた電流が停止し
て、回路10は開放状態に復帰する。
正向きの過渡電圧が生じると、抵抗20を通って電流が被
保護回路の方向かアースの方向かに流れる。どちらの方
向に流れるかはトランジスタＱ２のコレクタ・ベース間
降状電圧によって決まる。抵抗20を流れる電流によって
その端子間に１VBE（約0.7V）の電圧が発生すると、そ
の電圧が実効的にトランジスタＱ１のベース・エミッタ
間に加えられるために、トランジスタＱ１はターンオン
される。トランジスタＱ１のコレクタ電流は抵抗18を流
れてその両端間に電圧を生じさせる。この電圧が１VBE
（約0.7V）を超えるとトランジスタＱ２が導通する。ト
ランジスタＱ２のコレクタ電流はトランジスタＱ１の初
めのベース電流を増大させて正帰還効果を生じさせる。
それによって、トランジスタＱ１とＱ２が飽和状態に駆
動されて端子14がトランジスタＱ１とＱ２のSCR動作に
よってアース電位に実効的にクランプされる。正方向の
電圧過渡が終わるかあるいは所定レベル以下になると、
トランジスタＱ１に対する１VBEを維持するに充分な電
流が抵抗20に流れないために、回路12は被導通となる。
注意すべきは、回路12は端子14から保護されるべき回路
へ電流が流れる時にはクランプ動作を行うが、電流が保
護される回路から端子14に向けて流れる時は抵抗20の両
端間に現われる電圧の極性がトランジスタＱ１のエミッ
タ・ベース接合を逆バイアスしてトランジスタＱ１を非
導通とするような極性となるために、クランプ動作は生
じないことである。
このことは従来のSCR保護回路に比して大きな利点とな
る。なぜなら、この発明によって保護されるNPNエミッ
タホロワ出力回路は、この発明の保護回路にラッチアッ
プを生じさせる過渡現象がある間は、アースにクランプ
され、それによって過大電流が被保護エミッタホロワを
流れてそれに損傷を与えることが防止できるからであ
る。
第３図は第２図の実施例の平面図で、負方向過渡電圧保
護回路10（第１図と第２図）と正方向過渡電圧保護回路
12（第１図と第２図）とが、ボンドパッドすなわち信号
端子14と共に共通のＮ−分離領域26中に形成されてい
る。第３図において、破線44は、入力ボンドパッド14の
表面を形成する金属層とトランジスタＱ１とＱ４のエミ
ッタをパッド14及び抵抗20の一端に接続している接続体
との輪郭を示す。実線26は共通Ｎ−の分離された領域26
の輪郭であり、線24はＮ＋埋込ポケットすなわちＮ＋埋
込領域24の境界を示す。28はＮ−領域26を囲むＰ＋分離
領域で、点線は種々のＰ領域30、34、36、20等を表わし
ている。点線内の実線はＰ拡散領域中に形成されたＮ＋
拡散領域を示し、例えば、Ｎ＋領域32はＰ領域30内に形
成されており、Ｎ＋領域38はＰ領域36の一部分中に形成
されている。図中「×」印を施した部分40、47、48、56
及び58は絶縁層42中に設けられら接触用開口を示す。
第３図、第３Ａ図〜第３Ｄ図に、負及び正の過渡電圧保
護機能を行うこの発明の種々の構成素子を単一の分離さ
れたボート即ち分離領域上及びその中に形成する方法を
示す。例えば、第１図と第２図に示すPNPトランジスタ
Ｑ３とNPNトランジスタＱ４で構成された負の過渡電圧
保護回路10は第３図、第３Ａ図及び第３Ｃ図に示されて
おり、Ｎ＋領域32はトランジスタＱ４のエミッタ、Ｐ領
域30はベース、Ｎ−領域26はコレクタである。一方、ト
ランジスタＱ３は第３図と第３Ｃ図に示されたＰ領域36
をエミッタとし、Ｎ−領域26をベースに、また、Ｐ領域
30をコレクタとしている。Ｎ−領域26はトランジスタＱ
３のベースとトランジスタＱ４のコレクタとして共通に
使用されているので、これらのベースとコレクタは電気
的に接続されたものと考えられる。同様に、Ｐ領域30は
トランジスタＱ３のコレクタとトランジスタＱ４のベー
スとして共通であるから、これらのコレクタとベースも
互いに接続されている。トランジスタＱ４のエミッタ
（Ｎ＋領域32）は絶縁層42中の接触開口48を介してボン
ドパッド14に接続されており、また、トランジスタＱ３
のエミッタ（Ｐ領域36）は金属化層46を介してアースさ
れているから、負方向過渡電圧保護回路10（第１図と第
２図示）を形成するための回路条件はすべて満足され
る。
第３図、第３Ａ図及び第３Ｄ図には、正の過渡電圧保護
回路12（第１図、第２図）を構成している。PNPトラン
ジスタＱ１及びNPNトランジスタＱ２の相互接続関係が
示されている。第３Ａ図と第３Ｄ図において、Ｐ領域34
はエミッタ、Ｎ−領域26はベース、Ｐ領域36はコレクタ
で、これらはPNPトランジスタＱ１の構成要素である。
同じく、NPNトランジスタＱ２が第３Ａ図と第３Ｄ図に
示されており、Ｎ＋領域38がエミッタ、Ｐ領域36がベー
ス、Ｎ−領域26がそのコレクタである。従って、Ｎ−領
域26がトランジスタＱ１のベースとトランジスタＱ２の
コレクタとして共通に使用されているので、これらのベ
ースとコレクタは電気的に接続されていることになる。
同様に、Ｐ領域36はトランジスタＱ１のコレクタとトラ
ンジスタＱ２のベースに共通に使用されているから、こ
れらも互いに接続されていることになる。正過渡電圧保
護回路12の接続は、トランジスタＱ１のエミッタを接触
開口40を介してボンドパッド14に接続し、トランジスタ
Ｑ２のエミッタを接触開口47を介して接地金属化層46に
接続して完成する。
Ｎ＋ポケット領域24はトランジスタＱ１とＱ３のベース
とトランジスタＱ２とＱ４のコレクタを共通に接続する
ための低抵抗接続体を形成しており、Ｎ−epi層26と電
気接触している。以上の接続によって第１図の装置が完
成する。
第２図の実施例について言えば、ボンドパッド14と出力
接続金属化層54の間に更に別のＰ拡散層20が設けられ
る。第３図、第３Ｂ図及び第３Ｄ図に示すように、第２
図の実施例の場合は、トランジスタＱ１のエミッタとト
ランジスタＱ４のエミッタとが接触開口58を介してＰ領
域20の一方の側に接続されているボンドパッド14に接続
されている。このＰ拡散領域20は第２図に示した感知抵
抗20である。Ｎ＋ポケット領域24、即ち、トランジスタ
Ｑ１のベース、トランジスタＱ２のコレクタ、トランジ
スタＱ３のベース及びトランジスタＱ４のコレクタのそ
れぞれを共通接続する接続体がＰ拡散領域20（感知抵抗
20の他方の側）にＮ＋拡散領域52と金属化部分54とを介
して接続されている。保護されるべき回路への接続は開
口56を通して金属化部分54によって行われる。
この発明の新規な構造の説明を閉じるにあたって、ダイ
オ−ド22について述べると、このダイオ−ド22はＮ拡散
領域52とＰ＋分離領域28（第３Ｂ図）との間に形成さ
れ、抵抗18はＰ領域36中の接地金属層46と、Ｎ＋領域38
とＮ−epi領域26との間のＰ領域36の部分との間に形成
されている。
上述のように、この発明の一実施例によれば、負及び正
の過渡電圧保護回路の双方をボンドパッドと共に単一の
分離領域中に形成してチップにスペースを残すことがで
きる。また、もう一つの実施例では感知抵抗もあわせて
形成される。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施である２極性過渡電圧保護回
路の概略図、第２図はこの発明の別の実施例による２極
性過渡電圧保護回路の概略図、第３図は第２図の２極性
過渡電圧保護回路の構造を示す平面図、第３Ａ図は第３
図の線Ａ−Ａに沿う断面図、第３Ｂ図は第３図の線Ａ−
Ａに沿う断面図、第３Ｃ図は第３図の線Ｃ−Ｃに沿う断
面図、第３Ｄ図は第３図の線Ｄ−Ｄに沿う断面図であ
る。 14…端子、10…負方向過渡電圧保護回路（第１の回路手
段）、12…正方向過渡電圧保護回路（第２の回路手
段）、26…第１の半導体領域、Ｑ３、Ｑ４…第１の対の
トランジスタ、Ｑ１、Ｑ２…第２の対のトランジスタ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】集積回路を負方向および正方向の過渡電圧
    から保護するための半導体構造であって、 第１の導電型の半導体材料の基板と、 前記基板の表面部分に設けられた第２の導電型の半導体
    領域と、 前記半導体領域の中に形成された、負の電圧過渡に対す
    る保護を行うための第１の対の互いに逆の導電型のトラ
    ンジスタと、 前記半導体領域の中に形成された、正の電圧過渡に対す
    る保護を行うための第２の対の互いに逆の導電型のトラ
    ンジスタと、 前記基板の表面上に形成された端子と、 前記端子を前記集積回路に接続する導電性手段と、 基準電位源と、を有し、 前記の第１および第２のトランジスタ対が前記導電性手
    段と前記基準電位源との間に接続されている半導体構
    造。
  2. 【請求項２】前記第１のトランジスタ対が第１のＮＰＮ
    トランジスタと第１のＰＮＰトランジスタとよりなり、
    該第１のＮＰＮトランジスタのベースが該第１のＰＮＰ
    トランジスタのコレクタに接続され、該第１のＰＮＰト
    ランジスタのベースが該第１のＮＰＮトランジスタのコ
    レクタに接続され、該第１のＮＰＮトランジスタのエミ
    ッタが前記導電性手段に接続され、該第１のＰＮＰトラ
    ンジスタのエミッタが前記基準電位源に接続されている
    特許請求の範囲第１項記載の半導体構造。
  3. 【請求項３】前記第２のトランジスタ対が第２のＮＰＮ
    トランジスタと第２のＰＮＰトランジスタとよりなり、
    該第２のＮＰＮトランジスタのベースが該第２のＰＮＰ
    トランジスタのコレクタと前記基準電位源とに接続さ
    れ、該第２のＮＰＮトランジスタのコレクタが該第２の
    ＰＮＰトランジスタのベースと前記第１のＰＮＰトラン
    ジスタのベースとに接続され、該第２のＰＮＰトランジ
    スタのエミッタが前記導電性手段に接続され、該第２の
    ＮＰＮトランジスタのエミッタが前記基準電位源に接続
    されている特許請求の範囲第２項記載の半導体構造。
  4. 【請求項４】前記端子と前記集積回路との間に前記導電
    性手段と直列に感知抵抗が接続されており、前記第１の
    ＮＰＮトランジスタのエミッタおよび前記第２のＰＮＰ
    トランジスタのエミッタが、前記端子に接続された該感
    知抵抗の一方の端に接続されており、前記第１および第
    ２のＰＮＰトランジスタのそれぞれのベースならびに前
    記第１および第２のＮＰＮトランジスタのそれぞれのコ
    レクタが該感知抵抗の他方の端に接続されている特許請
    求の範囲第３項記載の半導体構造。
JP58174037A 1982-09-22 1983-09-20 半導体構造 Expired - Lifetime JPH069018B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US421517 1982-09-22
US06/421,517 US4484244A (en) 1982-09-22 1982-09-22 Protection circuit for integrated circuit devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5990120A JPS5990120A (ja) 1984-05-24
JPH069018B2 true JPH069018B2 (ja) 1994-02-02

Family

ID=23670862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58174037A Expired - Lifetime JPH069018B2 (ja) 1982-09-22 1983-09-20 半導体構造

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4484244A (ja)
JP (1) JPH069018B2 (ja)
CA (1) CA1195432A (ja)
DE (1) DE3333896C2 (ja)
FR (1) FR2533369B1 (ja)
GB (1) GB2128829B (ja)
IT (1) IT1171088B (ja)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3422132C1 (de) * 1984-06-14 1986-01-09 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising Schutzschaltungsanordnung
SE455552B (sv) * 1985-02-26 1988-07-18 Asea Ab Halvledaranordning innefattande en overspenningsskyddskrets
US4633283A (en) * 1985-03-11 1986-12-30 Rca Corporation Circuit and structure for protecting integrated circuits from destructive transient voltages
US4665459A (en) * 1985-04-01 1987-05-12 Motorola, Inc. Method and circuit for dissipating stored inductive energy
IT1215281B (it) * 1985-06-28 1990-01-31 Ates Componenti Elettron Apparecchio e metodo per la protezione da transitori di tensione/corrente.
IT1186337B (it) * 1985-10-29 1987-11-26 Sgs Microelettronica Spa Dispositivo elettronico per la protezione di circuiti integrati da cariche elettrostatiche,e procedimento per la sua fabbricazione
US5012317A (en) * 1986-04-11 1991-04-30 Texas Instruments Incorporated Electrostatic discharge protection circuit
US5077591A (en) * 1986-09-30 1991-12-31 Texas Instruments Incorporated Electrostatic discharge protection for semiconductor input devices
US4750078A (en) * 1987-06-15 1988-06-07 Motorola, Inc. Semiconductor protection circuit having both positive and negative high voltage protection
US4835416A (en) * 1987-08-31 1989-05-30 National Semiconductor Corporation VDD load dump protection circuit
JPH01267985A (ja) * 1988-04-20 1989-10-25 Fuji Photo Film Co Ltd 発熱抵抗体の駆動回路
US4924341A (en) * 1988-04-20 1990-05-08 Texas Instruments Incorporated Transient protector
US4870530A (en) * 1988-06-27 1989-09-26 Advanced Micro Devices, Inc. Electrostatic discharge protection circuitry for any two external pins of an I.C. package
US4876620A (en) * 1988-09-29 1989-10-24 Northern Telecom Limited Protection devices and arrangements for telephone lines
US4849846A (en) * 1988-12-16 1989-07-18 Northern Telecom Limited Telephone protection circuit
US4896243A (en) * 1988-12-20 1990-01-23 Texas Instruments Incorporated Efficient ESD input protection scheme
US4980741A (en) * 1989-02-10 1990-12-25 General Electric Company MOS protection device
US5072273A (en) * 1990-05-04 1991-12-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Low trigger voltage SCR protection device and structure
US5274262A (en) * 1989-05-17 1993-12-28 David Sarnoff Research Center, Inc. SCR protection structure and circuit with reduced trigger voltage
GB8911360D0 (en) * 1989-05-17 1989-07-05 Sarnoff David Res Center Electronic charge protection devices
JP3375659B2 (ja) * 1991-03-28 2003-02-10 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 静電放電保護回路の形成方法
US5359211A (en) * 1991-07-18 1994-10-25 Harris Corporation High voltage protection using SCRs
US5144157A (en) * 1991-09-23 1992-09-01 Raytheon Company Pin diode driver circuit for radar system
US5182220A (en) * 1992-04-02 1993-01-26 United Microelectronics Corporation CMOS on-chip ESD protection circuit and semiconductor structure
GB2268328B (en) * 1992-06-30 1995-09-06 Texas Instruments Ltd A capacitor with electrostatic discharge protection
US5600525A (en) * 1994-08-17 1997-02-04 David Sarnoff Research Center Inc ESD protection circuit for integrated circuit
US5519242A (en) * 1994-08-17 1996-05-21 David Sarnoff Research Center, Inc. Electrostatic discharge protection circuit for a NMOS or lateral NPN transistor
US5610425A (en) * 1995-02-06 1997-03-11 Motorola, Inc. Input/output electrostatic discharge protection circuit for an integrated circuit
US5675469A (en) * 1995-07-12 1997-10-07 Motorola, Inc. Integrated circuit with electrostatic discharge (ESD) protection and ESD protection circuit
EP0785576A3 (en) * 1995-09-29 1998-10-07 Texas Instruments Incorporated Circuit including protection means
US5644459A (en) * 1995-11-02 1997-07-01 Integrated Devices Technology Bipolarity electrostatic discharge protection device and method for making same
KR100206870B1 (ko) * 1995-11-28 1999-07-01 구본준 정전 방전 및 래치 업 방지회로
US5654661A (en) * 1995-12-05 1997-08-05 Reltec Corporation Drive circuit for SCR device
US5663860A (en) * 1996-06-28 1997-09-02 Harris Corporation High voltage protection circuits
US6365924B1 (en) * 1998-06-19 2002-04-02 National Semiconductor Corporation Dual direction over-voltage and over-current IC protection device and its cell structure
US7327541B1 (en) 1998-06-19 2008-02-05 National Semiconductor Corporation Operation of dual-directional electrostatic discharge protection device
US6188088B1 (en) * 1999-07-08 2001-02-13 Maxim Integrated Products, Inc. Electrostatic discharge protection for analog switches
US6674129B1 (en) 1999-12-17 2004-01-06 Koninklijke Phillips Electronics N.V. ESD diode structure
US6501630B1 (en) * 1999-12-17 2002-12-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Bi-directional ESD diode structure
US6538266B2 (en) 2000-08-11 2003-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Protection device with a silicon-controlled rectifier
GB0030992D0 (en) * 2000-12-20 2001-01-31 Power Innovations Ltd Overvoltage protection circuit
AU2002235347A1 (en) * 2001-01-09 2002-07-24 Broadcom Corporation Sub-micron high input voltage tolerant input output (i/o) circuit
JP4176564B2 (ja) * 2003-06-23 2008-11-05 株式会社東芝 ウェハ移載装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US7566914B2 (en) * 2005-07-07 2009-07-28 Intersil Americas Inc. Devices with adjustable dual-polarity trigger- and holding-voltage/current for high level of electrostatic discharge protection in sub-micron mixed signal CMOS/BiCMOS integrated circuits
US7538409B2 (en) * 2006-06-07 2009-05-26 International Business Machines Corporation Semiconductor devices
US9305687B2 (en) * 2010-05-13 2016-04-05 Cyntec Co., Ltd. Current sensing resistor
US9025296B2 (en) * 2011-01-06 2015-05-05 Littelfuse, Inc. Transient voltage suppressor
US8536012B2 (en) 2011-07-06 2013-09-17 International Business Machines Corporation Bipolar junction transistors with a link region connecting the intrinsic and extrinsic bases
US8796729B2 (en) * 2012-11-20 2014-08-05 Analog Devices, Inc. Junction-isolated blocking voltage devices with integrated protection structures and methods of forming the same
US9093491B2 (en) 2012-12-05 2015-07-28 International Business Machines Corporation Bipolar junction transistors with reduced base-collector junction capacitance
US8956945B2 (en) 2013-02-04 2015-02-17 International Business Machines Corporation Trench isolation for bipolar junction transistors in BiCMOS technology
US9281682B2 (en) 2013-03-12 2016-03-08 Micron Technology, Inc. Apparatuses and method for over-voltage event protection
US9251839B1 (en) 2013-05-24 2016-02-02 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device with overvoltage protection
JP2014241537A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 株式会社東芝 静電気保護回路
US9304560B2 (en) 2013-06-19 2016-04-05 Western Digital Technologies, Inc. Backup power for reducing host current transients
US9564796B1 (en) 2014-01-15 2017-02-07 Western Digital Technologies, Inc. Power circuit with overvoltage protection
US9722419B2 (en) * 2014-12-02 2017-08-01 Nxp Usa, Inc. Electrostatic discharge protection
US10177564B2 (en) 2015-09-25 2019-01-08 Nxp Usa, Inc. Hot plugging protection
CN113540070B (zh) * 2020-04-20 2023-12-12 长鑫存储技术有限公司 静电保护电路
EP4020551B1 (en) * 2020-05-12 2025-07-23 Changxin Memory Technologies, Inc. Electrostatic protection circuit

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB877040A (en) * 1959-06-26 1961-09-13 Racal Engineering Ltd Improvements in or relating to radio receivers
US3401319A (en) * 1966-03-08 1968-09-10 Gen Micro Electronics Inc Integrated latch circuit
GB1191763A (en) * 1968-04-02 1970-05-13 Ass Elect Ind Improvements in or relating to Protective Arrangements for Transformers
DE1901075A1 (de) * 1969-01-10 1970-08-13 Bosch Gmbh Robert Zweipoliges elektrisches Schaltelement
GB1288383A (ja) * 1969-01-28 1972-09-06
US3573550A (en) * 1969-03-07 1971-04-06 M & T Chemicals Inc Automatically resetting transient protection device
JPS5321838B2 (ja) * 1973-02-28 1978-07-05
GB1467057A (en) * 1973-05-24 1977-03-16 Rca Corp Amplifier with over-current protection
JPS515633U (ja) * 1974-06-28 1976-01-16
JPS5332362A (en) * 1976-09-07 1978-03-27 Seiko Instr & Electronics Ltd Constant voltage electronic circuit
JPS53120159A (en) * 1977-03-30 1978-10-20 Hitachi Ltd Voltage clamp circuit
US4114072A (en) * 1977-07-26 1978-09-12 Rca Corporation High voltage protection circuit having predictable firing point
JPS5434044A (en) * 1977-08-19 1979-03-13 Seiko Instr & Electronics Ltd Constant voltage circuit
US4264941A (en) * 1979-02-14 1981-04-28 National Semiconductor Corporation Protective circuit for insulated gate field effect transistor integrated circuits
JPS55113358A (en) * 1979-02-23 1980-09-01 Hitachi Ltd Semiconductor device
US4288830A (en) * 1979-04-16 1981-09-08 The Boeing Company Overvoltage protector
JPS5662355A (en) * 1979-10-26 1981-05-28 Hitachi Ltd Electrostatic breakage preventive element
JPS5710822A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Toshiba Corp Integrated circuit device
IT1150062B (it) * 1980-11-19 1986-12-10 Ates Componenti Elettron Protezione di ingresso per circuito integrato di tipo mos, a bassa tensione di alimentazione e ad alta densita' di integrazione
GB2088634B (en) * 1980-12-03 1984-08-15 Rca Corp Protection circuit for integrated circuit devices
IT1151504B (it) * 1981-01-30 1986-12-24 Rca Corp Circuito di protezione per dispositivi a circuito integrato
US4400711A (en) * 1981-03-31 1983-08-23 Rca Corporation Integrated circuit protection device
JPS5948951A (ja) * 1982-09-14 1984-03-21 Toshiba Corp 半導体保護装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3333896A1 (de) 1984-03-22
GB2128829A (en) 1984-05-02
US4484244A (en) 1984-11-20
IT8322946A0 (it) 1983-09-21
CA1195432A (en) 1985-10-15
DE3333896C2 (de) 1994-04-14
GB8324445D0 (en) 1983-10-12
FR2533369B1 (fr) 1987-10-30
GB2128829B (en) 1986-01-15
FR2533369A1 (fr) 1984-03-23
JPS5990120A (ja) 1984-05-24
IT8322946A1 (it) 1985-03-21
IT1171088B (it) 1987-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH069018B2 (ja) 半導体構造
US4633283A (en) Circuit and structure for protecting integrated circuits from destructive transient voltages
US5301084A (en) Electrostatic discharge protection for CMOS integrated circuits
US6538266B2 (en) Protection device with a silicon-controlled rectifier
US5781389A (en) Transistor protection circuit
US5581104A (en) Static discharge circuit having low breakdown voltage bipolar clamp
US4870530A (en) Electrostatic discharge protection circuitry for any two external pins of an I.C. package
US8305722B2 (en) Dual-directional electrostatic discharge protection method
US4567500A (en) Semiconductor structure for protecting integrated circuit devices
US5166089A (en) Method of making electrostatic discharge protection for semiconductor input devices
JPS5943827B2 (ja) 保護回路
JPH06177330A (ja) 半導体装置
US4543593A (en) Semiconductor protective device
JPS6248901B2 (ja)
KR880002637B1 (ko) 트랜지스터 보호회로
US5148250A (en) Bipolar transistor as protective element for integrated circuits
CA1179406A (en) Protection circuit for integrated circuit devices
JP3158534B2 (ja) 半導体集積回路
KR100190352B1 (ko) 기생전류에 보호되는 수직형 모놀리식 반도체 전력소자
JP2599037B2 (ja) 半導体集積回路
JP2901275B2 (ja) 半導体集積回路装置
KR970018516A (ko) 고속 바이폴라/bicmos 회로 esd 보호를 위해 트리거하는 향상된 바이폴라 scr
KR100228276B1 (ko) 반도체 장치의 보호 소자
JPS6242394B2 (ja)
JPS58186959A (ja) 半導体装置