JPH0690790B2

JPH0690790B2 - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH0690790B2
Application number: JP62136069A
Authority: JP
Inventors: 久雄河合; 大成粕川
Original assignee: ホ−ヤ株式会社
Priority date: 1987-05-29
Filing date: 1987-05-29
Publication date: 1994-11-14
Anticipated expiration: 2009-11-14
Also published as: JPS63300427A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体の製
造方法に係り、特に、耐湿性等が良好で高い耐候性を有
する磁気記録媒体の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来の磁気記録媒体の製造方法としては、例えば以下に
記すものが知られている。

すなわち、第４図に示すように、高精度研摩したドーナ
ッツ板状のソーダライムガラスからなる非磁性支持体１
の一主表面上に、スパッタリング法により、クロムから
なる下地層2,コバルトとニッケルとクロムとからなる磁
性層３を順次積層し、次にメタン等の炭化水素を含有し
てなる雰囲気中でRF−プラズマCVD法等の高周波グロー
放電法により、炭素を含有してなる保護層４を磁性層３
上に被着して磁気記録媒体５を製造している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記した方法によって製造した磁気記録
媒体５においては、以下に記すような問題点が生じる。

磁気記録媒体５の磁性層３には磁気ヘッドにより情報の
書き込み（情報の記録）が行われ、そして書き込まれた
情報は磁性層３に長期間保持されることが要求される。
そこで、磁性層３上に保護層４を被着・形成して磁性層
３が温度及び湿度等の条件により影響を受けて化学的に
変化することを防止し、磁性層３に情報を長期間保持し
ようとしている。

ところが、前述したようにして保護層４を形成しても、
長い期間が経過すると磁性層３に書き込まれた情報が消
失してしまう。この原因は、上記保護層４が、温度及び
湿度等の条件に起因する磁性層３の耐久性の劣化を有効
に防止しえないためである。

本発明は、以上のような事情を鑑みてなされたものであ
り、情報を長時間確実に保持することができる優れた耐
久性を有する磁気記録媒体の製造方法を提供することを
目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記した目的を達成するためになされたもの
であり、非磁性支持体の主表面上に磁性層を形成し、該
磁性層上に高周波グロー放電法により原料ガスから炭素
を含有した保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法に
おいて、磁性層と、炭素からなる保護層との間にスパッ
タリング法によってタングステン及びモリブデンのうち
少なくとも一つを含む中間層を形成し、前記高周波グロ
ー放電は、磁性層を形成した非磁性支持体に高周波電力
を印加して行うことを特徴とする。

〔作用〕

タングステン及びモリブデンのうち少なくとも一つを含
有した中間層の上に、高周波電力を非磁性支持体に印加
する高周波グロー放電によって保護層を形成するので、
耐候性、耐久性に優れた磁気記録媒体を形成することが
できる。

〔実施例〕

以下、第１図を参照して、本発明の第１実施例による磁
気記録媒体の製造方法について説明する。

先ず、ドーナッツ板状に研削加工したソーダライムガラ
スの両主表面を高精度研摩して非磁性支持体６（寸法：
外径160mm,内径40mm,厚み1.9mm）を製作する。次に、こ
の非磁性支持体６をイソプロピルアルコール，純水等を
用いて洗浄する。

次に、非磁性支持体６を金属製の基板保持具（図示せ
ず。）によって保持しマグネトロンスパッタリング装置
の処理室内に配置する。次いで、この処理室内を真空ポ
ンプによって１×10^-6Torrの真空度にする。

次いで、表１に示す条件下で、非磁性支持体６の主表面
上にスパッタリング法により、クロムからなる下地層７
（膜厚:2000Å），コバルトとニッケルとクロムとから
なる磁性層８（膜厚:700Å），タングステンからなる中
間層９（膜厚:100Å）を順次積層した。なお、下地層７
の成膜時にはクロムからなるターゲットを、磁性層８の
成膜時にはコバルトとニッケルとクロムとの合金からな
るターゲットを、中間層９の成膜時にはタングステンか
らなるターゲットをそれぞれ用いた。

引き続いて、アルゴンガスを排出した前記装置の処理室
内にメタンガスを導入し、前記した基板保持具をカソー
ド（バイアス側）としその基板保持具を通して、下地層
7,磁性層８及び中間層９を積層した非磁性支持体６に高
周波電力（周波数:13.56MHz）を印加するグロー放電法
により、中間層９上に炭素を含有してなる保護層10（膜
厚:250Å）を成膜して磁気記録媒体11を製造した。な
お、保護層10の成膜条件は、メタンガス流量50SCCM,処
理室内圧力５×10^-3Torr,高周波電力密度0.2W/cm²であ
る。

次に、第２図を参照して、本発明の第２実施例による磁
気記録媒体の製造方法について説明する。

先ず、前記実施例と同様に、非磁性支持体６をマグネト
ロンスパッタリング装置の処理室内に配置し、処理室内
を１×10^-6Torrの真空度にする。

次いで、表２に示す条件下で、非磁性支持体６の主表面
上にスパッタリング法により、クロムからなる下地層12
（膜厚:3000Å），コバルトとニッケルとクロムとから
なる磁性層13（膜厚:500Å），モリブデンからなる中間
層14（膜厚:150Å）を順次積層した。なお、下地層12の
成膜時及び磁性層13の成膜時には前記実施例中に記した
と同様なターゲットを、中間層14の成膜時にはモリブデ
ンからなるターゲットをそれぞれ用いた。

引き続いて、アルゴンガスを排出した前記装置の処理室
内にエタンガスを導入し、前記した基板保持具をカソー
ドとしその基板保持具を通して、下地層12,磁性層13及
び中間層14を積層した非磁性支持体６に高周波電力（周
波数:13.56MHz）を印加するグロー放電法により、中間
層14上に炭素を含有してなる保護層15（膜厚:200Åを成
膜して磁気記録媒体16を製造した。なお、保護層15の成
膜条件はエタンガス流量50 SCCH,処理室内圧力１×10^-2
Torr,高周波電力密度0.1W/cm²である。

次に、比較例として第３図に示すような磁気記録媒体17
を製造した。

この磁気記録媒体17は、上記第２実施例中で製造した磁
気記録媒体16の中間層14の成膜を省略して，非磁性支持
体６の主表面上に下地層12,磁性層13及び保護層15を順
次積層したものである。

ここで、上記したようにしてそれぞれ製造した磁気記録
媒体11,16及び17の性能を評価するために、以下に記す
ように、情報を書き込んだトラックにおける欠陥発生ト
ラック数，静止摩擦係数及び耐久性の測定を行った。

ここで、情報を書き込んだトラックにおける欠陥の発生
とは、情報を書き込んだトラック（磁気記録媒体の情報
記録等）の情報信号が時間の経過に伴って消失してしま
うことをいう。

上記した欠陥発生トラック数を測定する為に、各磁気記
録媒体11,16及び17を温度80℃、湿度80％の高温多湿の
雰囲気中に所定期間放置した。その後、情報を書き込ん
だ全トラック数のうち600本のトラックを選択し、その
トラックにおいて情報信号の消失したトラック数（欠陥
トラック数）を、測定装置（例：アデルファイ社メディ
アサーティファイアRD008C）を用い測定した。表３にお
いて、放置期間と欠陥トラック数との関係を示す。

表３に示したように、本実施例（第１及び第２実施例）
によって製造した磁気記録媒体11及び16は、上気した高
温多湿の雰囲気中に長期間放置しても、欠陥トラックが
発生することはなかった。一方、比較例として製造した
磁気記録媒体17は、上記雰囲気中に放置する期間が長く
なる程、欠陥トラック数が著しく増加してしまう。この
ように磁気記録媒体11及び16において欠陥トラックの発
生が防止されているのは、該媒体11の中間層９及び保護
層10,該媒体16の中間層14及び保護層15が磁性層８及び1
3をそれぞれ有効に保護し、磁気記録媒体11及び16に高
い耐候性を有せしめているからである。

次に、各磁気記録媒体11及び16の各保護層10及び15上
に、酸化アルミニウムと炭化チタンの混合焼結体からな
る磁気ヘッドスライダーを荷重10gで当接し、初期の静
止摩擦係数をそれぞれ測定した。なお、前記した初期の
静止摩擦係数とは、各保護層10及び15上に磁気ヘッドス
ライダーを当接して最初に測定した静止摩擦係数であ
る。このとき、各磁気記録媒体11及び16における初期静
止摩擦係数はいずれも0.2であった。

次に、各磁気記録媒体11及び16の各保護層10及び15上に
前記磁気ヘッドスライダーを静止させた状態で、各磁気
記録媒体11及び16の回転開始・回転停止を行うコンタク
トスタート／ストップ（以下、「CSS」という。）をそ
れぞれ１万回繰り返した後に、前記したと同様にして静
止摩擦係数をそれぞれ測定すると、その値は磁気記録媒
体11及び16共に0.5であった。

以上のように、磁気記録媒体11及び16における初期静止
摩擦係数及び１万回CSS後の静止摩擦係数の値は共に、
実用に耐えうる充分に低い値であった。

また、磁気記録媒体11及び16において、それぞれ１万回
以上CSSを繰り返しても非磁性支持体６の主表面上に積
層した薄膜（例えば、保護層10及び15）に傷等が発生せ
ず、磁気記録媒体11及び16は好適な耐久性を有している
ことが確認された。

以上のように、本実施例によって製造した磁気記録媒体
11及び16は、温度及び湿度条件に充分な耐性、すなわち
高い耐候性を有し、書き込まれた情報（情報信号）を長
期間確実に保持することができる。また、磁気記録媒体
11及び16における初期静止摩擦係数及び多数回のCSS後
の静止摩擦係数は、十分に低い値であり、さらに、磁気
記録媒体11及び16は好適な耐久性を有している。さら
に、同一の装置内で、下地層，磁性層，中間層及び保護
層を順次積層することができるので、非磁性支持体６等
に塵埃が付着することを防止し、かつ容易に磁気記録媒
体11及び16を製造することができる。

本発明は、上気した実施例に限定されるものではない。

保護層の成膜時に用いる反応ガスとして、保護層10の成
膜時にエタンを、保護層15の成膜時にメタンをそれぞれ
用いてもよく、さらにメタン及びエタン以外に、メチレ
ン，エチレン，アセチレン，アセトン等の炭化水素を含
有してなるガスを用いてもよい。さらに、炭化水素と水
素とを含有してなるガスを反応ガスとして用いてもよ
い。また、高周波グロー放電法による保護層の成膜時の
高周波電力，その周波数，ガス流量，処理室内圧力は適
宜選定してよい。

また、中間層９はタングステン、中間層14はモリブデン
からそれぞれなったが、中間層９及び14はタングステン
とモリブデンとを含有してなってもよい。

下地層，磁性層及び中間層の成膜時に用いたアルゴンガ
スの代わりに、ネオンやキセノン等の不活性ガスを用い
てもよく、また、それらの成膜時のガス流量，処理室内
圧力,DC電力密度は適宜選定してよい。

下地層及び磁性層はスパッタリング法以外に、真空蒸着
法やCVD用やイオンプレーティング法等の成膜方法によ
って形成してもよい。

下地層はクロム以外に、チタン，タンタル及びモリブデ
ン等の非磁性材料からなるようにしてもよく、また下地
層は省略してもよい。また、磁性層はコバルトとニッケ
ルとクロムとからなるもの以外に、コバルト、コバルト
とニッケル、コバルトとプラチナ、コバルトとニッケル
と鉄、及び酸化鉄等の任意の磁性材料からなるようにし
てもよい。さらに、下地層，磁性層，中間層及び保護層
の膜厚はそれぞれ適宜選定しうるが、高密度記録を行う
ためには中間層の膜厚は50〜200Å，保護層の膜厚は50
〜400Åであることが望ましい。

非磁性支持体はソーダライムガラス以外に、アルミノシ
リケートガラス，石英ガラス，アルミニウム，ポリエス
テル等の非磁性材料からなってよく、また、その形状は
ドーナッツ板状以外に、カード状，テープ状，ドラム状
等の任意の形状であってよい。

〔発明の効果〕本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、高い耐候性
を有し、書き込まれた情報を長期間保持することができ
る優れた耐久性を有する磁気記録媒体を製造することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の実施例によって製造した磁
気記録媒体を示す部分断面図、第３図は比較例として製
造した磁気記録媒体を示す部分断面図、及び第４図は従
来の磁気記録媒体を示す部分断面図である。６……非磁性支持体、7,12……下地層、8,13……磁性
層、9,14……中間層、10,15……保護層、11,16……磁気
記録媒体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体の主表面上に磁性層を形成
し、該磁性層上に高周波グロー放電法により原料ガスか
ら炭素を含有した保護層を形成する磁気記録媒体の製造
方法において、磁性層と、炭素からなる保護層との間にスパッタリング
法によってタングステン及びモリブデンのうち少なくと
も一つを含む中間層を形成し、前記高周波グロー放電法は、磁性層を形成した非磁性支
持体に高周波電力を印加して行うことを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。