JPH0691170B2 - 半導体装置のベース金属板 - Google Patents
半導体装置のベース金属板Info
- Publication number
- JPH0691170B2 JPH0691170B2 JP14992286A JP14992286A JPH0691170B2 JP H0691170 B2 JPH0691170 B2 JP H0691170B2 JP 14992286 A JP14992286 A JP 14992286A JP 14992286 A JP14992286 A JP 14992286A JP H0691170 B2 JPH0691170 B2 JP H0691170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- base metal
- plate
- ceramic plate
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置に関し、特にベース金属板上にセ
ラミック製絶縁板を介して半導体素子を搭載し樹脂封止
してなる半導体装置のベース金属板に関するものであ
る。
ラミック製絶縁板を介して半導体素子を搭載し樹脂封止
してなる半導体装置のベース金属板に関するものであ
る。
第２図はこの従来のこの種の半導体装置を示し、図にお
いて、１は筺体、２は外部からの電気信号を送受するた
めの外部端子、３は回路間を接続するためのプリント基
板、４はプリント基板３上に搭載された半導体部品、５
はプリント基板３と接続された半導体素子、６は筺体１
に固定されたベース金属板、７は半導体素子５とベース
金属板６との間に挿入されこれらの絶縁するセラミック
板、８は回路構成部品２〜５を被覆して電気絶縁するモ
ールド樹脂である。
いて、１は筺体、２は外部からの電気信号を送受するた
めの外部端子、３は回路間を接続するためのプリント基
板、４はプリント基板３上に搭載された半導体部品、５
はプリント基板３と接続された半導体素子、６は筺体１
に固定されたベース金属板、７は半導体素子５とベース
金属板６との間に挿入されこれらの絶縁するセラミック
板、８は回路構成部品２〜５を被覆して電気絶縁するモ
ールド樹脂である。
このような半導体装置のベース金属板では、回路構成部
品２〜５との絶縁は、半導体素子５からセラミック板７
の端面までの距離と，セラミック板７の厚みを加えた距
離とによりたもたれており、絶縁効果が弱いため、全体
をモールド樹脂８で被覆して絶縁効果をあげている。
品２〜５との絶縁は、半導体素子５からセラミック板７
の端面までの距離と，セラミック板７の厚みを加えた距
離とによりたもたれており、絶縁効果が弱いため、全体
をモールド樹脂８で被覆して絶縁効果をあげている。
従来の半導体装置のベース金属板は以上のように構成さ
れているので、モールド樹脂８のセラミック板７との接
着力が弱く、また樹脂８の膨張率，収縮率がセラミック
板7,ベース金属板６のそれとは異なり、このため低温，
高温の繰り返しにより、モールド樹脂８とセラミック板
７及び金属板５との間に隙間が生じたりして半導体素子
５と金属板６との間で放電するなどの問題点があった。
れているので、モールド樹脂８のセラミック板７との接
着力が弱く、また樹脂８の膨張率，収縮率がセラミック
板7,ベース金属板６のそれとは異なり、このため低温，
高温の繰り返しにより、モールド樹脂８とセラミック板
７及び金属板５との間に隙間が生じたりして半導体素子
５と金属板６との間で放電するなどの問題点があった。
また第３図に示す実開昭56−19039号公報の他の従来の
半導体装置においては、半導体素子周縁から絶縁板22の
金属板21との接点までの絶縁板22表面の距離を増大し
て、充填樹脂と絶縁板22の界面の絶縁耐力を増大するこ
とが目的とされており、絶縁板22の端縁が全て絶縁板底
部周辺浮上用溝28の上に張り出して角隅部を増している
ため、充填樹脂の強度上の弱点を有しており、また絶縁
板22の金属板21との接着強度を低下させている等、充填
樹脂及び絶縁板22と金属板21との接着強度の向上の観点
からは好ましくないという問題点があった。
半導体装置においては、半導体素子周縁から絶縁板22の
金属板21との接点までの絶縁板22表面の距離を増大し
て、充填樹脂と絶縁板22の界面の絶縁耐力を増大するこ
とが目的とされており、絶縁板22の端縁が全て絶縁板底
部周辺浮上用溝28の上に張り出して角隅部を増している
ため、充填樹脂の強度上の弱点を有しており、また絶縁
板22の金属板21との接着強度を低下させている等、充填
樹脂及び絶縁板22と金属板21との接着強度の向上の観点
からは好ましくないという問題点があった。
また第４図（ａ），（ｂ）に示す特開昭56−147453号公
報のさらに他の従来の半導体装置においては、半導体素
子33を搭載した半導体素子搭載用金属板32を被覆する樹
脂31の接着強度を向上させるための発明であり、環状溝
36（又は環状突起部）を設けることにより接着面積を増
大させ、これにより接着面の剥離強度を増大せしめるこ
とが主眼であり、副次的に半導体素子搭載用金属板32の
露出端と半導体素子33との間の界面距離を増大させて耐
湿特性を向上することを目的としているが、接着面積の
増大以上の効果は期待できないという問題点があった。
報のさらに他の従来の半導体装置においては、半導体素
子33を搭載した半導体素子搭載用金属板32を被覆する樹
脂31の接着強度を向上させるための発明であり、環状溝
36（又は環状突起部）を設けることにより接着面積を増
大させ、これにより接着面の剥離強度を増大せしめるこ
とが主眼であり、副次的に半導体素子搭載用金属板32の
露出端と半導体素子33との間の界面距離を増大させて耐
湿特性を向上することを目的としているが、接着面積の
増大以上の効果は期待できないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、モールド樹脂との接着力を増して絶縁効果を
増大できる半導体装置のベース金属板を得ることを目的
とする。
たもので、モールド樹脂との接着力を増して絶縁効果を
増大できる半導体装置のベース金属板を得ることを目的
とする。
この発明に係る半導体装置のベース金属板は、半導体素
子をセラミック板を介して搭載し、該セラミック板の周
縁部に沿って凹溝を形成し、この凹溝に囲まれて形成さ
れる上記ベース金属板の上記セラミック板との接着部位
の平面部を該セラミック板の接着面の形状にほぼ一致せ
しめるようにしたものである。
子をセラミック板を介して搭載し、該セラミック板の周
縁部に沿って凹溝を形成し、この凹溝に囲まれて形成さ
れる上記ベース金属板の上記セラミック板との接着部位
の平面部を該セラミック板の接着面の形状にほぼ一致せ
しめるようにしたものである。
この発明においては、ベース金属板にその上のセラミッ
ク板の周縁部に沿って凹溝を形成したから、モールド樹
脂が金属板の凹溝にくい込み、モールド樹脂と金属板と
の接着力が増大するのみならず、セラミック板の端面と
凹溝の側面とで金属板の面に対して垂直な１つの接着面
を形成するので、モールド樹脂によってセラミック板と
金属板との接着の剥離強度を補強することができる。
ク板の周縁部に沿って凹溝を形成したから、モールド樹
脂が金属板の凹溝にくい込み、モールド樹脂と金属板と
の接着力が増大するのみならず、セラミック板の端面と
凹溝の側面とで金属板の面に対して垂直な１つの接着面
を形成するので、モールド樹脂によってセラミック板と
金属板との接着の剥離強度を補強することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による半導体装置を示し、図にお
いて、１は筺体（側壁）、２は外部からの電気信号を送
受するための外部端子、３は回路間を接続するためのプ
リント基板、４はプリント基板３上に搭載された半導体
部品、５はプリント基板３と接続された半導体素子、６
は筺体１に固定されたベース金属板、７は半導体素子５
と金属板６との間に挿入されこれらを絶縁するセラミッ
ク板、８は回路構成部品２〜５を被覆して電気絶縁する
モールド樹脂、11はセラミック板７の周囲に沿って金属
板６上に形成された凹溝である。
図は本発明の一実施例による半導体装置を示し、図にお
いて、１は筺体（側壁）、２は外部からの電気信号を送
受するための外部端子、３は回路間を接続するためのプ
リント基板、４はプリント基板３上に搭載された半導体
部品、５はプリント基板３と接続された半導体素子、６
は筺体１に固定されたベース金属板、７は半導体素子５
と金属板６との間に挿入されこれらを絶縁するセラミッ
ク板、８は回路構成部品２〜５を被覆して電気絶縁する
モールド樹脂、11はセラミック板７の周囲に沿って金属
板６上に形成された凹溝である。
次に作用効果について説明する。
本実施例装置では、筺体１に注入されたモールド樹脂８
は金属板６に形成された凹溝に流れこみ、これによりモ
ールド樹脂８と金属板６との接着力が増大するのみなら
ず、セラミック板７と金属板６との接着部の端部は半田
等の接着材により空隙が充填されて滑らかな面を形成す
るので、セラミック板７と金属板６の界面に対してほぼ
垂直な面がモールド樹脂との接着面になり、セラミック
板７と金属板６との剥離に対する補強ができる。
は金属板６に形成された凹溝に流れこみ、これによりモ
ールド樹脂８と金属板６との接着力が増大するのみなら
ず、セラミック板７と金属板６との接着部の端部は半田
等の接着材により空隙が充填されて滑らかな面を形成す
るので、セラミック板７と金属板６の界面に対してほぼ
垂直な面がモールド樹脂との接着面になり、セラミック
板７と金属板６との剥離に対する補強ができる。
このため温度変化により膨張，収縮が繰り返されても、
モールド樹脂８とセラミック板７及び金属板６との間に
は隙間が生じず、半導体素子５の金属板６との間で放電
することがなくなる。
モールド樹脂８とセラミック板７及び金属板６との間に
は隙間が生じず、半導体素子５の金属板６との間で放電
することがなくなる。
以上のように、この発明に係る半導体装置のベース金属
板によれば、金属板上にセラミック板の周縁部に沿って
凹溝を形成したので、モールド樹脂と金属板との接着力
を増大でき、これにより絶縁効果を増大することができ
る効果がある。
板によれば、金属板上にセラミック板の周縁部に沿って
凹溝を形成したので、モールド樹脂と金属板との接着力
を増大でき、これにより絶縁効果を増大することができ
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面側面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面側面
図、第３図は他の従来の半導体装置を示す断面側面図、
第４図（ａ），（ｂ）はさらに他の従来の半導体装置を
示す平面図，断面側面図である。 図中、１は筺体、２は外部端子、３はプリント基板、４
は半導体部品、５は半導体素子、６は金属板、７はセラ
ミック板、８はモールド樹脂、11は金属板の凹溝であ
る。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
面側面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面側面
図、第３図は他の従来の半導体装置を示す断面側面図、
第４図（ａ），（ｂ）はさらに他の従来の半導体装置を
示す平面図，断面側面図である。 図中、１は筺体、２は外部端子、３はプリント基板、４
は半導体部品、５は半導体素子、６は金属板、７はセラ
ミック板、８はモールド樹脂、11は金属板の凹溝であ
る。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】ベース金属板上に、絶縁性セラミック板を
介して半導体素子を搭載し、上記ベース金属板に、その
周囲をとりかこむよう周壁を設け、該周壁内にモールド
樹脂を充填してなる半導体装置のベース金属板におい
て、 上記ベース金属板の上記セラミック板の接着面に該セラ
ミック板の周縁部に沿って溝を形成し、該溝に囲まれて
形成される上記ベース金属板の上記セラミック板との接
着部位が該セラミック板の接着面とほぼ同一形状である
ことを特徴とする半導体装置のベース金属板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14992286A JPH0691170B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置のベース金属板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14992286A JPH0691170B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置のベース金属板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635549A JPS635549A (ja) | 1988-01-11 |
| JPH0691170B2 true JPH0691170B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15485511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14992286A Expired - Lifetime JPH0691170B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置のベース金属板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691170B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2956363B2 (ja) * | 1992-07-24 | 1999-10-04 | 富士電機株式会社 | パワー半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14992286A patent/JPH0691170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS635549A (ja) | 1988-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6628526B1 (en) | Electronic device manufacturing method, electronic device and resin filling method | |
| US5814882A (en) | Seal structure for tape carrier package | |
| JP4967701B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
| US5539253A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPS6394645A (ja) | 電子装置 | |
| JPH03108744A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US20050161778A1 (en) | Power module and power module assembly | |
| JPH10242385A (ja) | 電力用混合集積回路装置 | |
| JPH0691170B2 (ja) | 半導体装置のベース金属板 | |
| JP2000244077A (ja) | 樹脂成形基板と電子部品組み込み樹脂成形基板 | |
| JP2904154B2 (ja) | 半導体素子を含む電子回路装置 | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS6334282Y2 (ja) | ||
| JP3705235B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2975782B2 (ja) | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 | |
| JPS6046038A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH0236280Y2 (ja) | ||
| JP2743156B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6236299Y2 (ja) | ||
| JPH046212Y2 (ja) | ||
| JPH079378Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62202544A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2513416B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2504262Y2 (ja) | 半導体モジュ―ル | |
| JPS6314466Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |