JPH0691222B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPH0691222B2
JPH0691222B2 JP59244263A JP24426384A JPH0691222B2 JP H0691222 B2 JPH0691222 B2 JP H0691222B2 JP 59244263 A JP59244263 A JP 59244263A JP 24426384 A JP24426384 A JP 24426384A JP H0691222 B2 JPH0691222 B2 JP H0691222B2
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JP
Japan
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polycrystalline silicon
silicon film
memory device
semiconductor memory
polysilicon
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泰貴 中崎
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Seiko Epson Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体の記憶装置に関する。
〔従来の技術〕
従来半導体記憶装置の構成として第１図のような102のN
MOSと101のポリシリコン抵抗を用いたものが考案され製
品として提供されてきた。第２図にはその断面構造を示
し、202がNMOS201がポリシリコン203が絶縁膜、204が配
線材をそれぞれ示す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の技術では、今後更に高密度化し、トランジスタ
ー、抵抗等を微細化した場合、次の問題が生ずる。ポリ
シリコン抵抗の抵抗値は、メモリーセルが外来雑音や拡
散リークの影響を受けても情報保持が可能となる電流が
流せる範囲で、かつ記憶装置の保持状態での総消費電
流、つまりポリシリコン抵抗を流れる電流の総和が極め
て低くなるように設定しなければならない。市場の要求
としては、集積度がどれ程向上しても、保持電流として
は、今までと同程度か以下を希望しており、最悪でもポ
リシリコンの抵抗値は、集積度の向上率と同じ割合で高
くしなければならない。しかし抵抗を高くすることは、
メモリーセルの保持能力を低下させ外来雑音や拡散リー
クに対してデータが破壊される危険をもつことになる。
本発明はかかる問題点を解決するものであり、新しいメ
モリーセルの構造を提供するものである。
〔問題点の解決するための手段〕
本発明は、ポリシリコンＩ上に絶縁膜を介して新にポリ
シリコンIIを形成することにより、上記問題点を解決す
るものである。
〔作 用〕
本発明を第３図，第４図により説明する。
第３図に於いて301,302,303はポリシリコンＩ、305はポ
リシリコンIIを示す。301と303は、不純物濃度の高いＰ
型領域で、302は抵抗となる低濃度Ｐ型不純物領域であ
る。304は305の電位によって生ずる空乏層である。305
の電位を高くすると空乏層は更に拡がりポリシリコンＩ
の最下部まで達し第４図のようになる。この時には、30
1から303へ流れる電流はほぼカットされる。これを測定
すると第５図のようになる。ＶＡは305の電位でありＩ
は301と303間の電流である。この本発明を用いたメモリ
ーセルを第６図に示す。第６図の動作は第１図は同様双
安定のフリップフロップである。但し第１図の従来例に
較べ、第５図の効果により、メモリー動作状態での
ＶDD,VSS間の電流が非常に小さくできる。またＶＡが低
い時には、非常に低抵抗となるため、保持能力が極めて
高く外的雑音やリーク電流に対して強くなる。
〔実施例〕
本発明の断面図を第７図に示す。701はポリシリコン
Ｉ、702は絶縁膜、703はポリシリコンIIを示す。705は
配線材であり、この配線材を通じて電源及びＮ−MOSの
ドレインやゲートに接続される。
また第８図には別の構成を示す。第８図は、第７図のポ
リシリコンＩのみを示したもので、801はＰ型不純物領
域で、802はＮ型不純物領域を示す。この802は、第５図
の特性に於ける、ＶＡが高い時の電流を第７図の例より
は、さらに低く抑えるためのもので、集積回路全体の消
費電流を下げる効果がある。また第９図も同様の目的に
対するもので、901のポリシリコンIIIを新に設けポリシ
リコンＩの内部の空乏層を上と下から拡げ電流を低く抑
えるものである。
〔発明の効果〕
本発明は、上記の説明のように、消費電流を低く抑え、
かつ外的雑音やリーク電流等に対して保持能力の高いメ
モリーセルを提案するものであり、それを用いた半導体
記憶装置を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図，第２図……従来例を示す図 第３図，第４図，第５図……本発明の説明図 第６図，第７図……本発明の実施例を示す図 第８図，第９図……本発明の実施例を示す図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】トランジスタと負荷素子をそれぞれ電源間
    に直列接続して構成された２つのインバータの入出力を
    交差接続したフリップフロップを構成する半導体記憶装
    置において、基板上方に設けられた第１多結晶シリコン
    膜、前記第１多結晶シリコン膜上方に第１絶縁膜を介し
    て設けられた第２多結晶シリコン膜、前記第２多結晶シ
    リコン膜上方には第２絶縁膜を介して設けられた第３多
    結晶シリコン膜を有し、前記負荷素子は前記第２多結晶
    シリコン膜に設けられた第１導電型の多結晶シリコン層
    と第２導電型の多結晶シリコン層とを積層する構造を有
    し、且つ前記負荷素子の上方の前記第１多結晶シリコン
    膜と前記第３多結晶シリコン膜に所定の電位をかけるこ
    とを特徴とする半導体記憶装置。
JP59244263A 1984-11-19 1984-11-19 半導体記憶装置 Expired - Lifetime JPH0691222B2 (ja)

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JPS61121467A JPS61121467A (ja) 1986-06-09
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EP0471126A3 (en) * 1990-08-15 1992-07-15 Samsung Semiconductor, Inc. Static random access memory cell

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS503787A (ja) * 1973-05-16 1975-01-16
JPS52122484A (en) * 1976-04-07 1977-10-14 Hitachi Ltd Field effect type polisilicon resistance element
JPS5951146B2 (ja) * 1977-02-25 1984-12-12 沖電気工業株式会社 絶縁ゲ−ト型半導体集積回路の製造方法

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