JPH0691277A - 純水の製造装置及び純水の製造方法 - Google Patents
純水の製造装置及び純水の製造方法Info
- Publication number
- JPH0691277A JPH0691277A JP5109006A JP10900693A JPH0691277A JP H0691277 A JPH0691277 A JP H0691277A JP 5109006 A JP5109006 A JP 5109006A JP 10900693 A JP10900693 A JP 10900693A JP H0691277 A JPH0691277 A JP H0691277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dissolved oxygen
- organic carbon
- concentration
- pure water
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F9/00—Multistage treatment of water, waste water or sewage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/02—Treatment of water, waste water, or sewage by heating
- C02F1/04—Treatment of water, waste water, or sewage by heating by distillation or evaporation
- C02F1/045—Treatment of water, waste water, or sewage by heating by distillation or evaporation for obtaining ultra-pure water
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/20—Treatment of water, waste water, or sewage by degassing, i.e. liberation of dissolved gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
- C02F1/32—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation with ultraviolet light
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
- C02F1/32—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation with ultraviolet light
- C02F1/325—Irradiation devices or lamp constructions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/42—Treatment of water, waste water, or sewage by ion-exchange
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2201/00—Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
- C02F2201/32—Details relating to UV-irradiation devices
- C02F2201/322—Lamp arrangement
- C02F2201/3227—Units with two or more lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
- C02F2209/005—Processes using a programmable logic controller [PLC]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
- C02F2209/20—Total organic carbon [TOC]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
- C02F2209/22—O2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S210/00—Liquid purification or separation
- Y10S210/90—Ultra pure water, e.g. conductivity water
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Hydrology & Water Resources (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Water Treatments (AREA)
- Removal Of Specific Substances (AREA)
- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶存酸素濃度と有機体炭素濃度の小さい純水
を製造する。 【構成】 被処理水が流れる流通路8に、能力可変機構
を有する溶存酸素除去装置である脱気装置1と、紫外線
を照射して有機体炭素を酸化する酸化装置2と、酸化に
より生成された有機体炭素イオンを除去するイオン除去
装置3と、微粒子除去装置4とを上流側から順に配置す
る。さらに、全有機体炭素濃度測定装置5と、溶存酸素
濃度測定装置6と、データ処理装置7とを配置する。被
処理水が有機体炭素除去装置(酸化装置2及びイオン除
去装置3)において紫外線照射される前に、脱気装置1
によって、被処理水中の溶存酸素の濃度を有機体炭素の
濃度に見合った値に制御する。これにより、有機体炭素
の酸化種を確保し、不純物濃度を低減する。
を製造する。 【構成】 被処理水が流れる流通路8に、能力可変機構
を有する溶存酸素除去装置である脱気装置1と、紫外線
を照射して有機体炭素を酸化する酸化装置2と、酸化に
より生成された有機体炭素イオンを除去するイオン除去
装置3と、微粒子除去装置4とを上流側から順に配置す
る。さらに、全有機体炭素濃度測定装置5と、溶存酸素
濃度測定装置6と、データ処理装置7とを配置する。被
処理水が有機体炭素除去装置(酸化装置2及びイオン除
去装置3)において紫外線照射される前に、脱気装置1
によって、被処理水中の溶存酸素の濃度を有機体炭素の
濃度に見合った値に制御する。これにより、有機体炭素
の酸化種を確保し、不純物濃度を低減する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
などに使用される純水の製造装置及び純水の製造方法に
係り、特に、溶存酸素濃度と有機体炭素濃度の低減対策
に関するものである。
などに使用される純水の製造装置及び純水の製造方法に
係り、特に、溶存酸素濃度と有機体炭素濃度の低減対策
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、超LSIデバイスはパターンの微
細化と共に要求される特性が厳しくなり、製造工程にお
けるデバイスへの微量汚染が問題となっている。この微
量汚染を抑制するには、まず、デバイスが形成される半
導体基板自体の表面汚染を除去することが必要である。
そのため、半導体基板の表面を洗浄する洗浄液の高純度
化技術は急速な進歩を遂げている。また、洗浄工程にお
いて、半導体基板を洗浄した後基板表面に残留する洗浄
液を除去する目的で使用される純水(特に、不純物の極
めて低いものは超純水ともいわれる)に対しても、高い
純度が要求されている。特に、純水中の全有機体炭素
(いわゆるTOC)の濃度と溶存酸素(いわゆるDO)
の濃度とを低減させることで、半導体装置の性能が大幅
に向上することが判明しつつある。
細化と共に要求される特性が厳しくなり、製造工程にお
けるデバイスへの微量汚染が問題となっている。この微
量汚染を抑制するには、まず、デバイスが形成される半
導体基板自体の表面汚染を除去することが必要である。
そのため、半導体基板の表面を洗浄する洗浄液の高純度
化技術は急速な進歩を遂げている。また、洗浄工程にお
いて、半導体基板を洗浄した後基板表面に残留する洗浄
液を除去する目的で使用される純水(特に、不純物の極
めて低いものは超純水ともいわれる)に対しても、高い
純度が要求されている。特に、純水中の全有機体炭素
(いわゆるTOC)の濃度と溶存酸素(いわゆるDO)
の濃度とを低減させることで、半導体装置の性能が大幅
に向上することが判明しつつある。
【0003】ここで、純水中の溶存酸素濃度の低減方法
としては、例えば特開平2−126992号公報に開示
されるごとく、減圧下で酸素を窒素で置換する方法の
他、気体を透過する樹脂製の細管内に純水を流し、細管
外部を減圧状態にすることによって純水中に溶解した気
体を除去する膜脱気法が使用されており、特に窒素の含
有を嫌う場合には有効な手段である。
としては、例えば特開平2−126992号公報に開示
されるごとく、減圧下で酸素を窒素で置換する方法の
他、気体を透過する樹脂製の細管内に純水を流し、細管
外部を減圧状態にすることによって純水中に溶解した気
体を除去する膜脱気法が使用されており、特に窒素の含
有を嫌う場合には有効な手段である。
【0004】また、有機体炭素の除去には、例えば特開
平2−152589号公報に開示されるごとく、過酸化
水素水を注入(又は直接オゾンを注入)して紫外線を照
射する方法がある。すなわち、H2 O2 は特に365n
mより短い波長の紫外線を吸収することで、O3 は特に
254nmの紫外線を吸収することで、それぞれ酸素原
子を生成し、さらにこれが水の存在下でOHラジカルを
生成し、このOHラジカルによって有機物を最終的にH
2 OとCO2 とに分解する方法である。
平2−152589号公報に開示されるごとく、過酸化
水素水を注入(又は直接オゾンを注入)して紫外線を照
射する方法がある。すなわち、H2 O2 は特に365n
mより短い波長の紫外線を吸収することで、O3 は特に
254nmの紫外線を吸収することで、それぞれ酸素原
子を生成し、さらにこれが水の存在下でOHラジカルを
生成し、このOHラジカルによって有機物を最終的にH
2 OとCO2 とに分解する方法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記過
酸化水素水等の注入と紫外線照射とによる有機体炭素の
除去装置を利用すると、過酸化水素水等の注入および酸
化後に残留した過酸化水素水等の除去のための装置や処
理が必要となる。そのため、純水の製造装置全体の構成
が複雑となり、かつ工程も増大するので、製造コストが
高くつくという問題があった。
酸化水素水等の注入と紫外線照射とによる有機体炭素の
除去装置を利用すると、過酸化水素水等の注入および酸
化後に残留した過酸化水素水等の除去のための装置や処
理が必要となる。そのため、純水の製造装置全体の構成
が複雑となり、かつ工程も増大するので、製造コストが
高くつくという問題があった。
【0006】一方、過酸化水素水等の注入に伴う問題を
回避しうるものとして、例えば「化学工学 第51巻
第6号(1987),435〜440頁」に開示される
ごとく、過酸化水素水等を注入しなくても、短波長の紫
外線(例えば低圧水銀灯の波長184.9nmの紫外
線)(オゾン線)を照射するだけで有機体炭素を酸化す
るものがある。これは、この短波長の紫外線を水に照射
するとそのエネルギーにより水の酸化が生じ、OHラジ
カルを発生することを利用するものであって、過酸化水
素等の注入を必要としないものである。この方法による
紫外線照射装置は、すでに実用化されており、例えば野
村マイクロ・サイエンス(株)製の「NMS式TOC−
UV装置」がある。
回避しうるものとして、例えば「化学工学 第51巻
第6号(1987),435〜440頁」に開示される
ごとく、過酸化水素水等を注入しなくても、短波長の紫
外線(例えば低圧水銀灯の波長184.9nmの紫外
線)(オゾン線)を照射するだけで有機体炭素を酸化す
るものがある。これは、この短波長の紫外線を水に照射
するとそのエネルギーにより水の酸化が生じ、OHラジ
カルを発生することを利用するものであって、過酸化水
素等の注入を必要としないものである。この方法による
紫外線照射装置は、すでに実用化されており、例えば野
村マイクロ・サイエンス(株)製の「NMS式TOC−
UV装置」がある。
【0007】しかるに、この短波長の紫外線照射による
有機体炭素除去と膜脱気法による溶存酸素除去とを組み
合わせて純水を生成しようとすると、下記のような問題
が生じる。
有機体炭素除去と膜脱気法による溶存酸素除去とを組み
合わせて純水を生成しようとすると、下記のような問題
が生じる。
【0008】例えば、図7に示すように、純水を処理す
る経路に、短波長の紫外線を照射して有機体炭素を酸化
する酸化装置2と、有機体炭素が酸化されて生じたイオ
ンを除去するイオン除去装置3と、脱気法により溶存酸
素を除去する脱気装置1と、微粒子除去装置4とを順次
配設すると、イオン除去装置3によって有機体炭素が有
効に除去される。しかし、有機体炭素を除去した後で、
膜脱気装置1により溶存酸素を除去する際、脱気装置1
の樹脂製の細管からの溶出物として有機体炭素成分が増
加するという問題が生じる。
る経路に、短波長の紫外線を照射して有機体炭素を酸化
する酸化装置2と、有機体炭素が酸化されて生じたイオ
ンを除去するイオン除去装置3と、脱気法により溶存酸
素を除去する脱気装置1と、微粒子除去装置4とを順次
配設すると、イオン除去装置3によって有機体炭素が有
効に除去される。しかし、有機体炭素を除去した後で、
膜脱気装置1により溶存酸素を除去する際、脱気装置1
の樹脂製の細管からの溶出物として有機体炭素成分が増
加するという問題が生じる。
【0009】そこで、図8に示すように、純水を処理す
る経路に、脱気装置1と、酸化装置2と、イオン除去装
置3と、微粒子除去装置4とを順次配設すると、脱気装
置1から溶出した有機体炭素成分は酸化装置2及びイオ
ン除去装置3によって除去されるので、全有機体炭素濃
度は極めて小さくできるはずである。
る経路に、脱気装置1と、酸化装置2と、イオン除去装
置3と、微粒子除去装置4とを順次配設すると、脱気装
置1から溶出した有機体炭素成分は酸化装置2及びイオ
ン除去装置3によって除去されるので、全有機体炭素濃
度は極めて小さくできるはずである。
【0010】ところが、脱気装置1によって脱気処理を
施した後に、酸化装置2によって短波長の紫外線を照射
しても、全有機体炭素濃度はある程度よりも小さくでき
ないことが確認された。これは、短波長の紫外線を照射
してOHラジカルを生ぜしめても、酸化効率の悪い有機
物が存在し、溶存酸素の存在がこれらの有機物の酸化の
促進に必要であるためと推測される。すなわち、このよ
うに全有機体炭素濃度を小さくできないのは、短波長の
紫外線を照射する際、純水中の溶存酸素濃度が極めて小
さく酸化種がないためと考えられる。
施した後に、酸化装置2によって短波長の紫外線を照射
しても、全有機体炭素濃度はある程度よりも小さくでき
ないことが確認された。これは、短波長の紫外線を照射
してOHラジカルを生ぜしめても、酸化効率の悪い有機
物が存在し、溶存酸素の存在がこれらの有機物の酸化の
促進に必要であるためと推測される。すなわち、このよ
うに全有機体炭素濃度を小さくできないのは、短波長の
紫外線を照射する際、純水中の溶存酸素濃度が極めて小
さく酸化種がないためと考えられる。
【0011】例えば、実験によると、被処理水を脱気し
ない状態で短波長の紫外線を照射した場合、脱気装置を
通る前における全有機体炭素濃度は1ppb以下となっ
た。このとき、処理済純水中の溶存酸素濃度は、被処理
水の溶存酸素に依存し、50〜100ppbであった。
一方、被処理水を紫外線照射前に脱気した場合、短波長
の紫外線を照射した後の全有機体炭素濃度は、5〜10
ppb程度の値を示した。このことは、溶存酸素が紫外
線照射による有機体炭素の酸化に貢献していることを示
している。
ない状態で短波長の紫外線を照射した場合、脱気装置を
通る前における全有機体炭素濃度は1ppb以下となっ
た。このとき、処理済純水中の溶存酸素濃度は、被処理
水の溶存酸素に依存し、50〜100ppbであった。
一方、被処理水を紫外線照射前に脱気した場合、短波長
の紫外線を照射した後の全有機体炭素濃度は、5〜10
ppb程度の値を示した。このことは、溶存酸素が紫外
線照射による有機体炭素の酸化に貢献していることを示
している。
【0012】したがって、上記いずれかの方法では、溶
存酸素濃度を低減しようとすると全有機体炭素濃度を低
減できず、逆に、全有機体炭素濃度を低減しようとする
と溶存酸素濃度を低減できない。つまり、両者を同時に
低減するのは困難であるという二律背反的な問題があっ
た。
存酸素濃度を低減しようとすると全有機体炭素濃度を低
減できず、逆に、全有機体炭素濃度を低減しようとする
と溶存酸素濃度を低減できない。つまり、両者を同時に
低減するのは困難であるという二律背反的な問題があっ
た。
【0013】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、純水の製造装置又は純水の製造方法
として、過酸化水素水の注入を伴うことなく溶存酸素を
利用した有機体炭素の酸化により有機体炭素を除去する
装置を利用するとともに、その上流側における被処理水
中の溶存酸素量を適正値に制御する手段を講ずることに
より、溶存酸素濃度と全有機体炭素濃度とを共に低減
し、純水中の不純物濃度を低減することにある。
あり、その目的は、純水の製造装置又は純水の製造方法
として、過酸化水素水の注入を伴うことなく溶存酸素を
利用した有機体炭素の酸化により有機体炭素を除去する
装置を利用するとともに、その上流側における被処理水
中の溶存酸素量を適正値に制御する手段を講ずることに
より、溶存酸素濃度と全有機体炭素濃度とを共に低減
し、純水中の不純物濃度を低減することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項1の発明の講じた手段は、被処理水中の溶存酸素
及び有機体炭素を除去して、純度の高い純水を得るよう
にした純水の製造装置を対象とする。
請求項1の発明の講じた手段は、被処理水中の溶存酸素
及び有機体炭素を除去して、純度の高い純水を得るよう
にした純水の製造装置を対象とする。
【0015】そして、能力可変機構を有する溶存酸素除
去装置と、該溶存酸素除去装置で処理された被処理水中
の溶存酸素を利用して有機体炭素を酸化する機構を有す
る有機体炭素除去装置とを配置する。
去装置と、該溶存酸素除去装置で処理された被処理水中
の溶存酸素を利用して有機体炭素を酸化する機構を有す
る有機体炭素除去装置とを配置する。
【0016】さらに、上記溶存酸素除去装置によって処
理された被処理水中に残る溶存酸素の濃度を検出する酸
素濃度検出手段と、被処理水中の有機体炭素の濃度を検
出する有機体炭素濃度検出手段と、上記酸素濃度検出手
段で検出される溶存酸素の濃度及び上記有機体炭素濃度
検出手段で検出される有機体炭素の濃度に応じ、上記溶
存酸素除去装置の能力を制御する能力制御手段とを設け
る構成としたものである。
理された被処理水中に残る溶存酸素の濃度を検出する酸
素濃度検出手段と、被処理水中の有機体炭素の濃度を検
出する有機体炭素濃度検出手段と、上記酸素濃度検出手
段で検出される溶存酸素の濃度及び上記有機体炭素濃度
検出手段で検出される有機体炭素の濃度に応じ、上記溶
存酸素除去装置の能力を制御する能力制御手段とを設け
る構成としたものである。
【0017】請求項2の発明の講じた手段は、上記請求
項1の発明において、能力制御手段が有機体炭素除去装
置による処理後の溶存酸素及び有機体炭素の合計濃度を
最小にするよう溶存酸素除去装置の能力を制御する構成
としたものである。
項1の発明において、能力制御手段が有機体炭素除去装
置による処理後の溶存酸素及び有機体炭素の合計濃度を
最小にするよう溶存酸素除去装置の能力を制御する構成
としたものである。
【0018】請求項3の発明の講じた手段は、上記請求
項1の発明において、能力制御手段が有機体炭素除去装
置による処理後の有機体炭素の濃度を最小にするよう上
記溶存酸素除去装置の能力を制御する構成としたもので
ある。
項1の発明において、能力制御手段が有機体炭素除去装
置による処理後の有機体炭素の濃度を最小にするよう上
記溶存酸素除去装置の能力を制御する構成としたもので
ある。
【0019】請求項4の発明の講じた手段は、上記請求
項1の発明において、能力制御手段が有機体炭素除去装
置による処理後の溶存酸素の濃度を最小にするよう上記
溶存酸素除去装置の能力を制御する構成としたものであ
る。
項1の発明において、能力制御手段が有機体炭素除去装
置による処理後の溶存酸素の濃度を最小にするよう上記
溶存酸素除去装置の能力を制御する構成としたものであ
る。
【0020】請求項5の発明の講じた手段は、上記請求
項1,2,3又は4の発明において、上記酸素濃度検出
手段及び有機体炭素濃度検出手段を、有機体炭素除去装
置で処理された後の被処理水中の溶存酸素の濃度及び有
機体炭素の濃度をそれぞれ検出するものとする。そし
て、上記能力制御手段が、上記溶存酸素除去装置の能力
をフィードバック制御する構成としたものである。
項1,2,3又は4の発明において、上記酸素濃度検出
手段及び有機体炭素濃度検出手段を、有機体炭素除去装
置で処理された後の被処理水中の溶存酸素の濃度及び有
機体炭素の濃度をそれぞれ検出するものとする。そし
て、上記能力制御手段が、上記溶存酸素除去装置の能力
をフィードバック制御する構成としたものである。
【0021】請求項6の発明の講じた手段は、上記請求
項1,2,3又は4の発明において、上記酸素濃度検出
手段を、溶存酸素除去装置で処理された後でかつ有機体
炭素除去装置で処理される前の被処理水中の溶存酸素の
濃度を検出するものとし、上記全炭素濃度検出手段を、
有機体炭素除去装置で処理される前の被処理水中の有機
体炭素濃度を検出するものとする。そして、上記有機体
炭素濃度検出手段及び溶存酸素濃度検出手段の出力を受
け、溶存酸素量が有機体炭素の酸化に必要かつ十分な値
になるよう上記溶存酸素除去装置の適正能力を推定演算
する適正能力演算手段を設け、上記能力制御手段が、上
記溶存酸素除去装置の能力を、上記適正能力演算手段で
算出される適正能力値に一致させるよう制御する構成と
したものである。
項1,2,3又は4の発明において、上記酸素濃度検出
手段を、溶存酸素除去装置で処理された後でかつ有機体
炭素除去装置で処理される前の被処理水中の溶存酸素の
濃度を検出するものとし、上記全炭素濃度検出手段を、
有機体炭素除去装置で処理される前の被処理水中の有機
体炭素濃度を検出するものとする。そして、上記有機体
炭素濃度検出手段及び溶存酸素濃度検出手段の出力を受
け、溶存酸素量が有機体炭素の酸化に必要かつ十分な値
になるよう上記溶存酸素除去装置の適正能力を推定演算
する適正能力演算手段を設け、上記能力制御手段が、上
記溶存酸素除去装置の能力を、上記適正能力演算手段で
算出される適正能力値に一致させるよう制御する構成と
したものである。
【0022】請求項7の発明の講じた手段は、被処理水
中の溶存酸素及び有機体炭素を除去して、純度の高い純
水を得るための純水の製造方法として、被処理水中の溶
存酸素の少なくとも一部を除去する工程と、上記工程を
経た後に残る被処理水中の溶存酸素を利用して有機体炭
素を酸化し、酸化されイオン化された有機体炭素を除去
する工程とを設ける。
中の溶存酸素及び有機体炭素を除去して、純度の高い純
水を得るための純水の製造方法として、被処理水中の溶
存酸素の少なくとも一部を除去する工程と、上記工程を
経た後に残る被処理水中の溶存酸素を利用して有機体炭
素を酸化し、酸化されイオン化された有機体炭素を除去
する工程とを設ける。
【0023】そして、上記溶存酸素の除去量を、上記被
処理水中の有機体炭素の濃度及び溶存酸素の濃度に応じ
て制御するようにした方法である。
処理水中の有機体炭素の濃度及び溶存酸素の濃度に応じ
て制御するようにした方法である。
【0024】請求項8の発明の講じた手段は、上記請求
項7の製造方法において、上記溶存酸素の除去量の制御
を、溶存酸素を除去する工程及び有機体炭素を除去する
工程を経た被処理水中の有機体炭素及び溶存酸素の合計
濃度を最小にするように行う方法である。
項7の製造方法において、上記溶存酸素の除去量の制御
を、溶存酸素を除去する工程及び有機体炭素を除去する
工程を経た被処理水中の有機体炭素及び溶存酸素の合計
濃度を最小にするように行う方法である。
【0025】請求項9の発明の講じた手段は、上記請求
項7の方法において、上記溶存酸素の除去量の制御を、
溶存酸素を除去する工程及び有機体炭素を除去する工程
を経た被処理水中の有機体炭素の濃度を最小にするよう
に行う方法である。
項7の方法において、上記溶存酸素の除去量の制御を、
溶存酸素を除去する工程及び有機体炭素を除去する工程
を経た被処理水中の有機体炭素の濃度を最小にするよう
に行う方法である。
【0026】請求項10の発明の講じた手段は、上記請
求項7の方法において、上記溶存酸素の除去量の制御
を、溶存酸素を除去する工程及び有機体炭素を除去する
工程を経た被処理水中の溶存酸素の濃度を最小にするよ
うに行う方法である。
求項7の方法において、上記溶存酸素の除去量の制御
を、溶存酸素を除去する工程及び有機体炭素を除去する
工程を経た被処理水中の溶存酸素の濃度を最小にするよ
うに行う方法である。
【0027】
【作用】以上の構成により、請求項1の発明では、能力
制御手段により、溶存酸素の濃度及び有機体炭素の濃度
に応じて溶存酸素除去装置の能力を制御するように構成
されているので、有機体炭素除去装置で処理される前の
被処理水中の溶存酸素の濃度を適正濃度に維持すること
が可能となる。そして、被処理水中の溶存酸素の濃度が
適正濃度に維持されることで、被処理水中の有機体炭素
を酸化するのに必要な酸化種が確保される。したがっ
て、有機体炭素除去装置で処理された純水中において、
溶存酸素除去装置から発生する有機体炭素を含む有機体
炭素の濃度が低く抑制されているとともに、溶存酸素の
濃度も可及的に低く抑制され、不純物濃度の低い超純水
が得られることになる。
制御手段により、溶存酸素の濃度及び有機体炭素の濃度
に応じて溶存酸素除去装置の能力を制御するように構成
されているので、有機体炭素除去装置で処理される前の
被処理水中の溶存酸素の濃度を適正濃度に維持すること
が可能となる。そして、被処理水中の溶存酸素の濃度が
適正濃度に維持されることで、被処理水中の有機体炭素
を酸化するのに必要な酸化種が確保される。したがっ
て、有機体炭素除去装置で処理された純水中において、
溶存酸素除去装置から発生する有機体炭素を含む有機体
炭素の濃度が低く抑制されているとともに、溶存酸素の
濃度も可及的に低く抑制され、不純物濃度の低い超純水
が得られることになる。
【0028】請求項2の発明では、上記請求項1の発明
において、能力制御手段により、溶存酸素及び有機体炭
素の合計濃度が最小値になるよう溶存酸素除去装置の能
力が制御されるので、溶存酸素及び有機体炭素の双方の
存在が問題となる分野に最適な超純水が得られることに
なる。
において、能力制御手段により、溶存酸素及び有機体炭
素の合計濃度が最小値になるよう溶存酸素除去装置の能
力が制御されるので、溶存酸素及び有機体炭素の双方の
存在が問題となる分野に最適な超純水が得られることに
なる。
【0029】請求項3の発明では、上記請求項1の発明
において、能力制御手段により、有機体炭素濃度を最小
にするよう溶存酸素除去装置の能力が制御されるので、
特に有機体炭素の存在が問題となる分野に最適な超純水
が得られることになる。
において、能力制御手段により、有機体炭素濃度を最小
にするよう溶存酸素除去装置の能力が制御されるので、
特に有機体炭素の存在が問題となる分野に最適な超純水
が得られることになる。
【0030】請求項4の発明では、上記請求項1の発明
において、能力制御手段により、溶存酸素濃度を最小に
するよう溶存酸素除去装置の能力が制御されるので、特
に溶存酸素の存在が問題となる分野に最適な超純水が得
られることになる。
において、能力制御手段により、溶存酸素濃度を最小に
するよう溶存酸素除去装置の能力が制御されるので、特
に溶存酸素の存在が問題となる分野に最適な超純水が得
られることになる。
【0031】請求項5の発明では、上記請求項1,2,
3又は4の発明において、能力制御手段により、有機体
炭素除去装置で処理された純水中の有機体炭素の濃度及
び溶存酸素の濃度に応じて、溶存酸素除去装置の能力が
フィードバック制御されると、有機体炭素除去装置の入
口側における溶存酸素量が自動的に有機体炭素の酸化に
必要な値に調整される。その場合、出口側における検出
値に応じた制御を行うことで、最終的な純水中の有機体
炭素濃度及び溶存酸素濃度が確実に低減されることにな
る。
3又は4の発明において、能力制御手段により、有機体
炭素除去装置で処理された純水中の有機体炭素の濃度及
び溶存酸素の濃度に応じて、溶存酸素除去装置の能力が
フィードバック制御されると、有機体炭素除去装置の入
口側における溶存酸素量が自動的に有機体炭素の酸化に
必要な値に調整される。その場合、出口側における検出
値に応じた制御を行うことで、最終的な純水中の有機体
炭素濃度及び溶存酸素濃度が確実に低減されることにな
る。
【0032】請求項6の発明では、上記請求項1,2,
3又は4の発明において、適正能力演算手段で溶存酸素
除去装置の適正能力が演算されると、能力制御手段によ
り、溶存酸素除去装置の能力が適正能力に維持されるの
で、有機体炭素除去装置で処理される前の被処理水中の
溶存酸素量が、予め有機体炭素の酸化のために消費され
る量に一致するように調整される。したがって、フィー
ドフォワード的な制御となり、ハンチング等の制御の不
安定状態が確実に回避される。
3又は4の発明において、適正能力演算手段で溶存酸素
除去装置の適正能力が演算されると、能力制御手段によ
り、溶存酸素除去装置の能力が適正能力に維持されるの
で、有機体炭素除去装置で処理される前の被処理水中の
溶存酸素量が、予め有機体炭素の酸化のために消費され
る量に一致するように調整される。したがって、フィー
ドフォワード的な制御となり、ハンチング等の制御の不
安定状態が確実に回避される。
【0033】請求項7の発明では、有機体炭素を除去す
る工程において、溶存酸素及び有機体炭素の濃度に応じ
て溶存酸素の除去量が制御されるので、有機体炭素を除
去する工程直前における被処理水中の溶存酸素の濃度が
適正濃度に維持され、被処理水中の有機体炭素を酸化す
るのに必要な酸化種が確保される。したがって、有機体
炭素を除去する工程を経た純水中において、有機体炭素
及び溶存酸素の濃度も可及的に低く抑制され、不純物濃
度の極めて低い超純水が得られることになる。
る工程において、溶存酸素及び有機体炭素の濃度に応じ
て溶存酸素の除去量が制御されるので、有機体炭素を除
去する工程直前における被処理水中の溶存酸素の濃度が
適正濃度に維持され、被処理水中の有機体炭素を酸化す
るのに必要な酸化種が確保される。したがって、有機体
炭素を除去する工程を経た純水中において、有機体炭素
及び溶存酸素の濃度も可及的に低く抑制され、不純物濃
度の極めて低い超純水が得られることになる。
【0034】請求項8の発明では、上記請求項7の発明
において、溶存酸素及び有機体炭素の合計濃度が最小値
になるよう溶存酸素の除去量が制御されるので、溶存酸
素及び有機体炭素の双方の存在が問題となる分野に最適
な超純水が得られることになる。
において、溶存酸素及び有機体炭素の合計濃度が最小値
になるよう溶存酸素の除去量が制御されるので、溶存酸
素及び有機体炭素の双方の存在が問題となる分野に最適
な超純水が得られることになる。
【0035】請求項9の発明では、上記請求項7の発明
において、有機体炭素濃度を最小にするよう溶存酸素の
除去量が制御されるので、特に有機体炭素の存在が問題
となる分野に最適な超純水が得られることになる。
において、有機体炭素濃度を最小にするよう溶存酸素の
除去量が制御されるので、特に有機体炭素の存在が問題
となる分野に最適な超純水が得られることになる。
【0036】請求項10の発明では、上記請求項7の発
明において、溶存酸素濃度を最小にするよう溶存酸素の
除去量が制御されるので、特に溶存酸素の存在が問題と
なる分野に最適な超純水が得られることになる。
明において、溶存酸素濃度を最小にするよう溶存酸素の
除去量が制御されるので、特に溶存酸素の存在が問題と
なる分野に最適な超純水が得られることになる。
【0037】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。なお、下記実施例1,2では、いず
れも逆浸透法とイオン交換法によって処理された脱イオ
ン水を源水として超純水を生成するようにしている。
しながら説明する。なお、下記実施例1,2では、いず
れも逆浸透法とイオン交換法によって処理された脱イオ
ン水を源水として超純水を生成するようにしている。
【0038】(実施例1)まず、実施例1について説明
する。
する。
【0039】図1は、実施例1における超純水製造装置
Aの構成図であって、被処理水が流通する流通路8に
は、脱気装置1と、酸化装置2と、イオン除去装置3
と、微粒子除去装置4とが上流側から順に配設されてい
る。また、5は流通路8の出口8bに配置された全有機
体炭素濃度測定装置、6は同じく流通路8の出口8bに
配置された溶存酸素濃度測定装置、7は能力制御手段と
してのデータ処理装置である。
Aの構成図であって、被処理水が流通する流通路8に
は、脱気装置1と、酸化装置2と、イオン除去装置3
と、微粒子除去装置4とが上流側から順に配設されてい
る。また、5は流通路8の出口8bに配置された全有機
体炭素濃度測定装置、6は同じく流通路8の出口8bに
配置された溶存酸素濃度測定装置、7は能力制御手段と
してのデータ処理装置である。
【0040】脱気装置1の入口8aにおいて、原水とな
る脱イオン水は、逆浸透法とイオン交換法と脱気法およ
び精密フィルタによって1次的な処理を施されており、
比抵抗は16〜17MΩcm程度、全有機体炭素濃度は
50〜100ppb、溶存酸素濃度は100〜150p
pbである。また、脱気装置1は微細孔を有する膜で構
成される多数の細管を備えており、この細管内に被処理
水を流通させて、細管の外部から真空引きを行うことに
より、溶存酸素を除去するもの(膜脱気方式)である。
酸化装置2は、低圧水銀ランプから短波長(184.9
nm)の成分を有する紫外線を照射して有機体炭素の酸
化を行うものである。イオン除去装置3は、紫外線照射
によって発生した炭酸イオンを主としたイオンをイオン
交換樹脂を介して除去するもの(イオン交換方式)であ
る。微粒子除去装置4は、限外濾過方式により微粒子を
除去するものである。上記酸化装置2及びイオン除去装
置3により有機体炭素除去装置が構成されている。
る脱イオン水は、逆浸透法とイオン交換法と脱気法およ
び精密フィルタによって1次的な処理を施されており、
比抵抗は16〜17MΩcm程度、全有機体炭素濃度は
50〜100ppb、溶存酸素濃度は100〜150p
pbである。また、脱気装置1は微細孔を有する膜で構
成される多数の細管を備えており、この細管内に被処理
水を流通させて、細管の外部から真空引きを行うことに
より、溶存酸素を除去するもの(膜脱気方式)である。
酸化装置2は、低圧水銀ランプから短波長(184.9
nm)の成分を有する紫外線を照射して有機体炭素の酸
化を行うものである。イオン除去装置3は、紫外線照射
によって発生した炭酸イオンを主としたイオンをイオン
交換樹脂を介して除去するもの(イオン交換方式)であ
る。微粒子除去装置4は、限外濾過方式により微粒子を
除去するものである。上記酸化装置2及びイオン除去装
置3により有機体炭素除去装置が構成されている。
【0041】ここで、脱気装置1による真空度の調整方
法としては、真空排気用配管の途中に電動バリアブルリ
ークバルブを有した窒素導入部を設け、リークバルブの
開度を調整して脱気装置内1の真空度を制御する方式を
用いた。図3は脱気装置1の入口8cにおける溶存酸素
濃度がほぼ120ppbと一定の場合の、脱気装置1の
圧力と脱気装置1の出口8cにおける溶存酸素濃度の関
係を調べた結果を示し、脱気能力を増大すると、圧力が
低減する(つまり真空度が上昇する)ので、出口8cに
おける溶存酸素濃度は低減し、逆に脱気能力が低減する
と、溶存酸素濃度は増大することになる。ただし、この
真空度調整の方法として、油回転ポンプを利用し、イン
バータによって回転数を制御する方法などを用いてもよ
い。
法としては、真空排気用配管の途中に電動バリアブルリ
ークバルブを有した窒素導入部を設け、リークバルブの
開度を調整して脱気装置内1の真空度を制御する方式を
用いた。図3は脱気装置1の入口8cにおける溶存酸素
濃度がほぼ120ppbと一定の場合の、脱気装置1の
圧力と脱気装置1の出口8cにおける溶存酸素濃度の関
係を調べた結果を示し、脱気能力を増大すると、圧力が
低減する(つまり真空度が上昇する)ので、出口8cに
おける溶存酸素濃度は低減し、逆に脱気能力が低減する
と、溶存酸素濃度は増大することになる。ただし、この
真空度調整の方法として、油回転ポンプを利用し、イン
バータによって回転数を制御する方法などを用いてもよ
い。
【0042】また、図4は、紫外線照射を行う前の溶存
酸素濃度に対する全有機体炭素濃度及び溶存酸素濃度の
基本的な関係であって、紫外線照射による酸化の前の全
有機体炭素濃度がほぼ一定の場合に、酸化前の溶存酸素
濃度を変化させ、その後紫外線照射とイオン除去とを行
って得られた純水の全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度と
を測定した結果である。すなわち、脱気能力が小さくて
酸化前の溶存酸素濃度が高いときには、溶存酸素量が有
機体炭素の酸化に必要な値以上となり、有機炭素除去後
の溶存酸素濃度は高くなる(図中の領域Rexc )。一
方、脱気能力が大きくて酸化前の溶存酸素濃度が低いと
きには、溶存酸素がすべて有機体炭素の酸化のために消
費される一方、有機体炭素がすべて酸化されず、有機体
炭素除去後の全有機体炭素濃度が高くなる(図中の領域
Rins )。そして、酸化前の溶存酸素濃度が所定範囲の
とき(図中の領域Ropt )では、その溶存酸素量が有機
体炭素の酸化に必要かつ十分な値となり、有機体炭素除
去後の溶存酸素濃度及び全有機体炭素濃度が共に低くな
る。
酸素濃度に対する全有機体炭素濃度及び溶存酸素濃度の
基本的な関係であって、紫外線照射による酸化の前の全
有機体炭素濃度がほぼ一定の場合に、酸化前の溶存酸素
濃度を変化させ、その後紫外線照射とイオン除去とを行
って得られた純水の全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度と
を測定した結果である。すなわち、脱気能力が小さくて
酸化前の溶存酸素濃度が高いときには、溶存酸素量が有
機体炭素の酸化に必要な値以上となり、有機炭素除去後
の溶存酸素濃度は高くなる(図中の領域Rexc )。一
方、脱気能力が大きくて酸化前の溶存酸素濃度が低いと
きには、溶存酸素がすべて有機体炭素の酸化のために消
費される一方、有機体炭素がすべて酸化されず、有機体
炭素除去後の全有機体炭素濃度が高くなる(図中の領域
Rins )。そして、酸化前の溶存酸素濃度が所定範囲の
とき(図中の領域Ropt )では、その溶存酸素量が有機
体炭素の酸化に必要かつ十分な値となり、有機体炭素除
去後の溶存酸素濃度及び全有機体炭素濃度が共に低くな
る。
【0043】以下、図4を参照しながら、図2のフロ―
チャ―トに沿って、実施例1の制御内容と全有機体炭素
濃度及び溶存酸素濃度の変化を説明する。ただし、制御
系の構成上、純水中の全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度
を測定した値をもとに、直ちに脱気装置1の真空度を制
御しても、時間遅れが大きく、制御系が不安定になる虞
れがあるので、本実施例においては、3分刻みでサンプ
リング測定を行い、その測定結果をもとに真空度調整を
行なっている。
チャ―トに沿って、実施例1の制御内容と全有機体炭素
濃度及び溶存酸素濃度の変化を説明する。ただし、制御
系の構成上、純水中の全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度
を測定した値をもとに、直ちに脱気装置1の真空度を制
御しても、時間遅れが大きく、制御系が不安定になる虞
れがあるので、本実施例においては、3分刻みでサンプ
リング測定を行い、その測定結果をもとに真空度調整を
行なっている。
【0044】まず、ステップST1で、脱気装置1の脱
気能力SAを最小にして制御を開始し、ステップST2
で、初期の全有機体炭素濃度の初期値Dtco 及び溶存酸
素濃度の初期値Ddoを測定し、両者の合計濃度Xoを算
出する(Xo =Dtco +Ddo)。次に、ステップST3
で、脱気装置1の脱気能力SAを一定量だけ増大させ、
ステップST4で、脱気能力SAを増大した後の全有機
体炭素濃度Dtc1 及び溶存酸素濃度Dd1を測定し、両者
の合計濃度X1 (X1 =Dtc1 +Dd1)を算出した後、
ステップST5で、X1 <εx (εx は合計濃度の許容
値)か否かを判別する。このとき、脱気能力が小さいこ
とから、溶存酸素濃度は被処理水中の有機体炭素をすべ
て酸化するに十分な濃度であるが、溶存酸素のすべてが
有機体炭素の酸化のために消費されるわけではないの
で、両者の合計濃度Xはかなり高い状態にある(図4の
領域Rexc )。したがって、判別結果がNo となり、ス
テップST6に進む。
気能力SAを最小にして制御を開始し、ステップST2
で、初期の全有機体炭素濃度の初期値Dtco 及び溶存酸
素濃度の初期値Ddoを測定し、両者の合計濃度Xoを算
出する(Xo =Dtco +Ddo)。次に、ステップST3
で、脱気装置1の脱気能力SAを一定量だけ増大させ、
ステップST4で、脱気能力SAを増大した後の全有機
体炭素濃度Dtc1 及び溶存酸素濃度Dd1を測定し、両者
の合計濃度X1 (X1 =Dtc1 +Dd1)を算出した後、
ステップST5で、X1 <εx (εx は合計濃度の許容
値)か否かを判別する。このとき、脱気能力が小さいこ
とから、溶存酸素濃度は被処理水中の有機体炭素をすべ
て酸化するに十分な濃度であるが、溶存酸素のすべてが
有機体炭素の酸化のために消費されるわけではないの
で、両者の合計濃度Xはかなり高い状態にある(図4の
領域Rexc )。したがって、判別結果がNo となり、ス
テップST6に進む。
【0045】そして、ステップST6で、全有機体炭素
濃度Dtc1 が予め設定された許容値εtcより小さく、か
つ溶存酸素濃度Dd1と前回の測定値Ddoとの差の絶対値
が所定の判断値Δd よりも大きいか否かを判別する。こ
のとき、全有機体炭素濃度Dtc1 はかなり高い状態であ
るので、判別結果はYesとなり、ステップST7に進む
ことになる。このステップST7で、脱気能力SAを増
大した後、ステップST8で、全有機体炭素濃度Dtc,
溶存酸素濃度Dd 及び両者の合計濃度Xの初期値の更新
を行ってから、ステップST4の制御に戻り、ステップ
ST4〜ST8の制御を繰り返す。なお、ステップST
7における脱気能力SAの増大量は|X1 −εx |に比
例させるようにしている。
濃度Dtc1 が予め設定された許容値εtcより小さく、か
つ溶存酸素濃度Dd1と前回の測定値Ddoとの差の絶対値
が所定の判断値Δd よりも大きいか否かを判別する。こ
のとき、全有機体炭素濃度Dtc1 はかなり高い状態であ
るので、判別結果はYesとなり、ステップST7に進む
ことになる。このステップST7で、脱気能力SAを増
大した後、ステップST8で、全有機体炭素濃度Dtc,
溶存酸素濃度Dd 及び両者の合計濃度Xの初期値の更新
を行ってから、ステップST4の制御に戻り、ステップ
ST4〜ST8の制御を繰り返す。なお、ステップST
7における脱気能力SAの増大量は|X1 −εx |に比
例させるようにしている。
【0046】この制御を行っている間、両者の合計濃度
Xが減小して、図4の適正領域Ropt に突入すると、溶
存酸素濃度Dd が全有機体炭素の酸化に十分な濃度とな
って、合計濃度X1 が許容値εx よりも小さくなり、ス
テップST5からステップST8に移行する(図4の領
域Ropt )。このとき、脱気装置1の脱気能力SAが最
適能力よりも大きくなると、溶存酸素のほぼすべてが消
費され、溶存酸素濃度Dd1は最小となるが、有機体炭素
の酸化に必要な酸化種が不足するので、全有機体炭素濃
度Dtc1 は増大する。しかし、両者の合計濃度Xが許容
値εx よりも小さければ、ステップST4,ST5及び
ST8の制御を繰り返し、安定な制御状態となる。
Xが減小して、図4の適正領域Ropt に突入すると、溶
存酸素濃度Dd が全有機体炭素の酸化に十分な濃度とな
って、合計濃度X1 が許容値εx よりも小さくなり、ス
テップST5からステップST8に移行する(図4の領
域Ropt )。このとき、脱気装置1の脱気能力SAが最
適能力よりも大きくなると、溶存酸素のほぼすべてが消
費され、溶存酸素濃度Dd1は最小となるが、有機体炭素
の酸化に必要な酸化種が不足するので、全有機体炭素濃
度Dtc1 は増大する。しかし、両者の合計濃度Xが許容
値εx よりも小さければ、ステップST4,ST5及び
ST8の制御を繰り返し、安定な制御状態となる。
【0047】一方、原水の状態等の条件が変化し、全有
機体炭素濃度Dtc1 中の全有機体炭素濃度Dtcが急激に
増大した場合等には、有機体炭素を酸化するのに必要な
溶存酸素が不足することになるので、ステップST5に
おける判別がNo に、かつステップST6における判別
がNo になる(図4の領域Rins )ので、ステップST
9 に進み、全有機体炭素濃度Dtc1 と前回の測定値Dtc
o との差の絶対値が所定の判断値Δtcよりも大きく、か
つ溶存酸素濃度Dd1が許容値εd よりも小さいか否かを
判別する。このとき、正常な状態では、ステップST5
及びST6の判別がNo で、かつステップST9におけ
る判別がNo ということはありえず、判別がYesとな
る。そして、ステップST10の制御に進み、脱気能力S
Aを低減し、上記ステップST8の制御を行った後、ス
テップST4以下の制御に戻る。すなわち、脱気能力S
Aを低減することで、増大した有機体炭素の酸化に必要
な溶存酸素濃度を確保し、合計濃度Xを許容値εx 以下
に収束させる(図4の領域Ropt )。なお、このときの
脱気能力SAの低減量も|X1 −εx |に比例するよう
になされている。
機体炭素濃度Dtc1 中の全有機体炭素濃度Dtcが急激に
増大した場合等には、有機体炭素を酸化するのに必要な
溶存酸素が不足することになるので、ステップST5に
おける判別がNo に、かつステップST6における判別
がNo になる(図4の領域Rins )ので、ステップST
9 に進み、全有機体炭素濃度Dtc1 と前回の測定値Dtc
o との差の絶対値が所定の判断値Δtcよりも大きく、か
つ溶存酸素濃度Dd1が許容値εd よりも小さいか否かを
判別する。このとき、正常な状態では、ステップST5
及びST6の判別がNo で、かつステップST9におけ
る判別がNo ということはありえず、判別がYesとな
る。そして、ステップST10の制御に進み、脱気能力S
Aを低減し、上記ステップST8の制御を行った後、ス
テップST4以下の制御に戻る。すなわち、脱気能力S
Aを低減することで、増大した有機体炭素の酸化に必要
な溶存酸素濃度を確保し、合計濃度Xを許容値εx 以下
に収束させる(図4の領域Ropt )。なお、このときの
脱気能力SAの低減量も|X1 −εx |に比例するよう
になされている。
【0048】一方、上記ステップST9における判別が
No のときには、センサの故障等の何らかの異常である
ので、ステップST11に進み、アラームを発する。
No のときには、センサの故障等の何らかの異常である
ので、ステップST11に進み、アラームを発する。
【0049】したがって、上記実施例1では、純水製造
装置Aの出口8bにおける全有機体炭素濃度の測定結果
と溶存酸素濃度の測定結果をデータ処理装置7に入力
し、全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度の和が最低になる
ように、脱気装置1の真空度を制御している。したがっ
て、被処理水中の全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度とを
確実に小さくすることができる利点がある。
装置Aの出口8bにおける全有機体炭素濃度の測定結果
と溶存酸素濃度の測定結果をデータ処理装置7に入力
し、全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度の和が最低になる
ように、脱気装置1の真空度を制御している。したがっ
て、被処理水中の全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度とを
確実に小さくすることができる利点がある。
【0050】なお、本実施例1における全有機体炭素濃
度測定装置5については、過酸化水素水を注入してから
酸化する方法や、他の酸化剤を用いた自動滴定を行なう
方法を用いた。これは、測定方法として、サンプリング
された純水に紫外線を照射して有機体炭素成分を酸化し
た時に発生するイオン濃度の上昇を比抵抗低下として検
出する測定装置を使用する場合、純水製造装置Aの出口
8b付近では、純水中には既に溶存酸素がほとんど存在
しないので、精密な測定は困難となるからである。ここ
で用いた方法は、連続的な測定はできず、周期的な方法
である。ここではその周期を3分としたが、本装置の入
口8aにおいて、原水となる脱イオン水中の全有機体炭
素濃度はある程度の幅で変動することがあっても、一般
にその変動速度は極めて小さいため、サンプリング測定
の間隔は変動速度に見合ってより大きくても実用上本発
明の目的を達する点で支障はない。
度測定装置5については、過酸化水素水を注入してから
酸化する方法や、他の酸化剤を用いた自動滴定を行なう
方法を用いた。これは、測定方法として、サンプリング
された純水に紫外線を照射して有機体炭素成分を酸化し
た時に発生するイオン濃度の上昇を比抵抗低下として検
出する測定装置を使用する場合、純水製造装置Aの出口
8b付近では、純水中には既に溶存酸素がほとんど存在
しないので、精密な測定は困難となるからである。ここ
で用いた方法は、連続的な測定はできず、周期的な方法
である。ここではその周期を3分としたが、本装置の入
口8aにおいて、原水となる脱イオン水中の全有機体炭
素濃度はある程度の幅で変動することがあっても、一般
にその変動速度は極めて小さいため、サンプリング測定
の間隔は変動速度に見合ってより大きくても実用上本発
明の目的を達する点で支障はない。
【0051】上記実施例1では、純水製造装置Aの出口
8bにおいて得られた超純水の比抵抗は25℃に換算し
て18MΩcm以上、全有機体炭素濃度は5ppb以
下、溶存酸素濃度は1ppb以下で、入口8aにおける
脱イオン水中の全有機体炭素濃度の変動に対しても安定
した値が得られる。
8bにおいて得られた超純水の比抵抗は25℃に換算し
て18MΩcm以上、全有機体炭素濃度は5ppb以
下、溶存酸素濃度は1ppb以下で、入口8aにおける
脱イオン水中の全有機体炭素濃度の変動に対しても安定
した値が得られる。
【0052】なお、上記実施例1では、制御の方法とし
て、出口8bにおける有機体炭素濃度と溶存酸素濃度と
の合計濃度を最も小さくするように脱気装置1の能力を
調整したが、超純水の用途に応じて純水の特性を変化さ
せることも可能である。たとえば、図4の実線で示すよ
うに、酸化前の全有機体炭素濃度がほぼ60ppbであ
るとき、脱気能力を大きく設定して脱気装置1の出口8
bの溶存酸素濃度をきわめて小さくすると、有機体炭素
が酸化されないので、処理後の純水中の全有機体炭素濃
度は酸一定の値から変化しない。一方、溶存酸素濃度が
高くなると酸化が進み、全有機体炭素濃度は低下する
が、入口で60ppbの濃度を有する有機体炭素がすべ
て酸化されるのに必要十分な濃度と思われる溶存酸素濃
度は、ほぼ90ppbと推察される。つまり、測定装置
の検出精度の関係から、全有機体炭素濃度は1ppb程
度より小さくならないが、酸化前の溶存酸素濃度が90
ppb以上になると、有機体炭素除去後の溶存酸素濃度
(図中破線で示す)は増加し始め余分な酸素が供給され
ていることがわかる。
て、出口8bにおける有機体炭素濃度と溶存酸素濃度と
の合計濃度を最も小さくするように脱気装置1の能力を
調整したが、超純水の用途に応じて純水の特性を変化さ
せることも可能である。たとえば、図4の実線で示すよ
うに、酸化前の全有機体炭素濃度がほぼ60ppbであ
るとき、脱気能力を大きく設定して脱気装置1の出口8
bの溶存酸素濃度をきわめて小さくすると、有機体炭素
が酸化されないので、処理後の純水中の全有機体炭素濃
度は酸一定の値から変化しない。一方、溶存酸素濃度が
高くなると酸化が進み、全有機体炭素濃度は低下する
が、入口で60ppbの濃度を有する有機体炭素がすべ
て酸化されるのに必要十分な濃度と思われる溶存酸素濃
度は、ほぼ90ppbと推察される。つまり、測定装置
の検出精度の関係から、全有機体炭素濃度は1ppb程
度より小さくならないが、酸化前の溶存酸素濃度が90
ppb以上になると、有機体炭素除去後の溶存酸素濃度
(図中破線で示す)は増加し始め余分な酸素が供給され
ていることがわかる。
【0053】したがって、詳細な制御内容は省略する
が、特に溶存酸素濃度の小さな純水が必要な場合には、
脱気装置1の能力を高めれば溶存酸素濃度を1ppb程
度に小さくすることも可能である。ただし、この場合に
は全有機体炭素濃度は、酸化される時点で十分な酸素が
存在しないので、酸化前の被処理水中の全有機体炭素濃
度の変動の影響を受け、7〜20ppbの範囲で変動す
るに至った。
が、特に溶存酸素濃度の小さな純水が必要な場合には、
脱気装置1の能力を高めれば溶存酸素濃度を1ppb程
度に小さくすることも可能である。ただし、この場合に
は全有機体炭素濃度は、酸化される時点で十分な酸素が
存在しないので、酸化前の被処理水中の全有機体炭素濃
度の変動の影響を受け、7〜20ppbの範囲で変動す
るに至った。
【0054】また、全有機体炭素濃度を特に低減したい
場合には、脱気装置1の出口における溶存酸素濃度を高
めに設定することによって、全有機体炭素濃度を1pp
b以下にすることも可能である(制御の詳細は省略す
る)。ただし、この場合にも、酸化前の被処理水中の全
有機体炭素濃度に依存し、溶存酸素濃度は10〜30p
pbの範囲で変動するに至った。
場合には、脱気装置1の出口における溶存酸素濃度を高
めに設定することによって、全有機体炭素濃度を1pp
b以下にすることも可能である(制御の詳細は省略す
る)。ただし、この場合にも、酸化前の被処理水中の全
有機体炭素濃度に依存し、溶存酸素濃度は10〜30p
pbの範囲で変動するに至った。
【0055】(実施例2)次に、実施例2について説明
する。図5は実施例2に係る純水製造装置の構成を示
し、配備されている装置の種類は基本的には上記実施例
1と同じであるが、全有機体炭素濃度の測定を脱気装置
1の入口8a近傍つまり原水であるイオン交換水の段階
で行なうことと、溶存酸素濃度の測定を脱気装置1の出
口cで行なうことが上記実施例1と異なる点である。ま
た、データ処理装置7は、能力制御手段及び適正能力演
算手段としての機能を兼備するものである。
する。図5は実施例2に係る純水製造装置の構成を示
し、配備されている装置の種類は基本的には上記実施例
1と同じであるが、全有機体炭素濃度の測定を脱気装置
1の入口8a近傍つまり原水であるイオン交換水の段階
で行なうことと、溶存酸素濃度の測定を脱気装置1の出
口cで行なうことが上記実施例1と異なる点である。ま
た、データ処理装置7は、能力制御手段及び適正能力演
算手段としての機能を兼備するものである。
【0056】ここで、脱イオン水中の溶存酸素濃度は1
00ppb以上であって、全有機体炭素濃度測定装置5
において紫外線照射による有機体炭素の酸化には十分な
量である。これは、上記実施例1では全有機体炭素濃度
の測定方法として、過酸化水素水を注入する方法や、試
薬を用いた自動滴定法を使用する必要があって、定期的
に測定装置に試薬を供給しなければならないという制約
があったが、本実施例2では、脱気装置1の入口8aに
おいて、溶存酸素濃度の高いイオン交換水の段階で全有
機体炭素濃度を測定するので、測定時に過酸化水素水な
どの試薬を使用する必要がないという利点がある。
00ppb以上であって、全有機体炭素濃度測定装置5
において紫外線照射による有機体炭素の酸化には十分な
量である。これは、上記実施例1では全有機体炭素濃度
の測定方法として、過酸化水素水を注入する方法や、試
薬を用いた自動滴定法を使用する必要があって、定期的
に測定装置に試薬を供給しなければならないという制約
があったが、本実施例2では、脱気装置1の入口8aに
おいて、溶存酸素濃度の高いイオン交換水の段階で全有
機体炭素濃度を測定するので、測定時に過酸化水素水な
どの試薬を使用する必要がないという利点がある。
【0057】図6は、実施例2における制御内容を示
し、ステップST20で、脱気装置1を50%の脱気能
力で運転を開始し、ステップST21で、全有機体炭素
濃度Dtcを測定し、ステップST22で、この濃度の全
有機体炭素を酸化するのに必要な溶存酸素濃度Ddxを算
出する。
し、ステップST20で、脱気装置1を50%の脱気能
力で運転を開始し、ステップST21で、全有機体炭素
濃度Dtcを測定し、ステップST22で、この濃度の全
有機体炭素を酸化するのに必要な溶存酸素濃度Ddxを算
出する。
【0058】次に、ステップST23で、溶存酸素濃度
Dd を測定し、ステップST24で、現在の溶存酸素濃
度Dd と有機体炭素を酸化するのに必要な溶存酸素濃度
Ddxとの差の絶対値|Dd −Ddx|が所定の許容値δよ
り小さいか否かを判別する。そして、判別結果がNo の
ときには、さらにステップST25で、Dd >Ddxか否
かを判別し、Dd >Ddxであればつまり溶存酸素濃度D
d が高すぎるときには、ステップST26で脱気能力を
低減した後、Dd >Ddxでなければ、ステップST27
で脱気能力を増大した後、それぞれステップST21に
戻って、ステップST21〜ST25の制御を繰り返
す。この制御によって、溶存酸素濃度Ddを全有機体炭
素濃度Dtcの酸化に必要かつ十分な濃度範囲に収束さ
せ、ステップST24の判別結果がYesになると、すぐ
にステップST21の制御に移行して、ステップST2
1,ST22,ST23及びST24のループによる安
定な制御状態に入るようにしている。
Dd を測定し、ステップST24で、現在の溶存酸素濃
度Dd と有機体炭素を酸化するのに必要な溶存酸素濃度
Ddxとの差の絶対値|Dd −Ddx|が所定の許容値δよ
り小さいか否かを判別する。そして、判別結果がNo の
ときには、さらにステップST25で、Dd >Ddxか否
かを判別し、Dd >Ddxであればつまり溶存酸素濃度D
d が高すぎるときには、ステップST26で脱気能力を
低減した後、Dd >Ddxでなければ、ステップST27
で脱気能力を増大した後、それぞれステップST21に
戻って、ステップST21〜ST25の制御を繰り返
す。この制御によって、溶存酸素濃度Ddを全有機体炭
素濃度Dtcの酸化に必要かつ十分な濃度範囲に収束さ
せ、ステップST24の判別結果がYesになると、すぐ
にステップST21の制御に移行して、ステップST2
1,ST22,ST23及びST24のループによる安
定な制御状態に入るようにしている。
【0059】なお、上記制御のサンプリングタイムは2
分間隔とし、脱気能力の増減は、|Dd −Dx |に比例
させているが、PID制御等を行ってもよい。その場
合、全有機体炭素濃度の測定は、1回の測定に対して分
単位の時間を要する自動滴定方式を用いても、全有機体
炭素濃度自体の変動速度は小さいので、実用上の支障は
ない。
分間隔とし、脱気能力の増減は、|Dd −Dx |に比例
させているが、PID制御等を行ってもよい。その場
合、全有機体炭素濃度の測定は、1回の測定に対して分
単位の時間を要する自動滴定方式を用いても、全有機体
炭素濃度自体の変動速度は小さいので、実用上の支障は
ない。
【0060】すなわち、本実施例2では、脱気装置1の
出口8c(つまり酸化装置2の入口)における溶存酸素
濃度が全有機体炭素濃度に見合った濃度になるように、
脱気装置1の能力が調整される。濃度の制御は測定結果
をデータ処理装置7に入力して、脱気装置1の真空度を
制御する方式を採用している。この時、有機体炭素をす
べて酸化するために必要十分な溶存酸素濃度は、予め得
られる超純水中の全有機体炭素濃度が最小になる全有機
体炭素濃度と溶存酸素濃度の関係を調べた結果をデータ
処理装置7に入力しておくことによって、自動的に決定
される。
出口8c(つまり酸化装置2の入口)における溶存酸素
濃度が全有機体炭素濃度に見合った濃度になるように、
脱気装置1の能力が調整される。濃度の制御は測定結果
をデータ処理装置7に入力して、脱気装置1の真空度を
制御する方式を採用している。この時、有機体炭素をす
べて酸化するために必要十分な溶存酸素濃度は、予め得
られる超純水中の全有機体炭素濃度が最小になる全有機
体炭素濃度と溶存酸素濃度の関係を調べた結果をデータ
処理装置7に入力しておくことによって、自動的に決定
される。
【0061】なお、全有機体炭素濃度は脱気装置1の出
口8cで測定するようにしてもよい。上記実施例2で
は、全有機体炭素濃度を脱気装置1の入口8aで測定し
ているので、その後脱気装置1から発生する有機体炭素
の分だけ脱気装置出口cにおける全有機体炭素濃度との
間に食い違いを生じるが、脱気装置1から発生する有機
体炭素の量はほぼ一定であるので、この食い違いは補正
により容易に解消される。
口8cで測定するようにしてもよい。上記実施例2で
は、全有機体炭素濃度を脱気装置1の入口8aで測定し
ているので、その後脱気装置1から発生する有機体炭素
の分だけ脱気装置出口cにおける全有機体炭素濃度との
間に食い違いを生じるが、脱気装置1から発生する有機
体炭素の量はほぼ一定であるので、この食い違いは補正
により容易に解消される。
【0062】本実施例2では、第1に全有機体炭素濃度
測定装置5への試薬供給の必要がなく保守性が優れてい
ること、第2に全有機体炭素濃度を測定した結果をリア
ルタイムで脱気装置1に入力できるので、原水の全有機
体炭素濃度の変化に対する脱気能力の制御がフィードフ
ォワード制御となり、制御系の時間遅れに基づく不安定
性が非常に小さくハンチングを確実に防止することがで
きるなどの利点がある。ただし、最終的に得られた超純
水の全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度をモニタリングで
きないこと、予め求めた全有機体炭素濃度に見合った溶
存酸素濃度の関係が、全有機体炭素を構成する有機物成
分の種類の変化などに伴う変動によっては必ずしも正確
とはならない場合があり、変化の態様によっては制御の
正確さの点で実施例1の方法が有利である。
測定装置5への試薬供給の必要がなく保守性が優れてい
ること、第2に全有機体炭素濃度を測定した結果をリア
ルタイムで脱気装置1に入力できるので、原水の全有機
体炭素濃度の変化に対する脱気能力の制御がフィードフ
ォワード制御となり、制御系の時間遅れに基づく不安定
性が非常に小さくハンチングを確実に防止することがで
きるなどの利点がある。ただし、最終的に得られた超純
水の全有機体炭素濃度と溶存酸素濃度をモニタリングで
きないこと、予め求めた全有機体炭素濃度に見合った溶
存酸素濃度の関係が、全有機体炭素を構成する有機物成
分の種類の変化などに伴う変動によっては必ずしも正確
とはならない場合があり、変化の態様によっては制御の
正確さの点で実施例1の方法が有利である。
【0063】本実施例によって得られた超純水の水質を
測定した結果について述べる。実施例1に示したのと同
様のイオン交換水を原水とした場合、得られた超純水の
比抵抗は25℃換算で18MΩcm以上、全有機体炭素
濃度は5ppb以下、溶存酸素濃度は5ppb以下にす
ることができた。条件設定をもっと念入りに行なえば、
全有機体炭素濃度や溶存酸素濃度をより小さくすること
ができると思われる。一般的には、全有機体炭素濃度の
増大の原因となる有機物の成分が大きな変化をすること
はないので、全有機体炭素濃度に比例した溶存酸素濃度
に調整すれば、十分にこれらの不純物濃度のきわめて小
さい純水を得ることができる。
測定した結果について述べる。実施例1に示したのと同
様のイオン交換水を原水とした場合、得られた超純水の
比抵抗は25℃換算で18MΩcm以上、全有機体炭素
濃度は5ppb以下、溶存酸素濃度は5ppb以下にす
ることができた。条件設定をもっと念入りに行なえば、
全有機体炭素濃度や溶存酸素濃度をより小さくすること
ができると思われる。一般的には、全有機体炭素濃度の
増大の原因となる有機物の成分が大きな変化をすること
はないので、全有機体炭素濃度に比例した溶存酸素濃度
に調整すれば、十分にこれらの不純物濃度のきわめて小
さい純水を得ることができる。
【0064】なお、上記実施例2において、ステップS
T20で、当初脱気能力を50%にして制御を開始する
ようにしたが、0%あるいは100%にした状態から開
始してもよいことはいうまでもない。ただし、50%の
状態から開始することで、通常の条件下では速やかに安
定状態に突入しうる利点がある。
T20で、当初脱気能力を50%にして制御を開始する
ようにしたが、0%あるいは100%にした状態から開
始してもよいことはいうまでもない。ただし、50%の
状態から開始することで、通常の条件下では速やかに安
定状態に突入しうる利点がある。
【0065】また、本実施例2では、酸化前の溶存酸素
濃度を脱気装置1の出口で溶存酸素濃度測定装置6を設
けて監視し、全有機体炭素濃度に見合った値に制御する
方法を採用しているが、被処理水中の溶存酸素濃度がほ
ぼ一定ならば、全有機体炭素濃度に見合って、脱気装置
1の真空度を制御する方式によっても当初の目的を達成
することが可能である。つまり、上記図4に示すよう
に、圧力が小さくなるにつれて出口の溶存酸素濃度が小
さくなるという関係を予めデータ処理装置7に入力して
おき、被処理水中の溶存酸素濃度を例えば脱気塔などを
用いて前処理し、適正濃度に保つようにしておいてもよ
い。
濃度を脱気装置1の出口で溶存酸素濃度測定装置6を設
けて監視し、全有機体炭素濃度に見合った値に制御する
方法を採用しているが、被処理水中の溶存酸素濃度がほ
ぼ一定ならば、全有機体炭素濃度に見合って、脱気装置
1の真空度を制御する方式によっても当初の目的を達成
することが可能である。つまり、上記図4に示すよう
に、圧力が小さくなるにつれて出口の溶存酸素濃度が小
さくなるという関係を予めデータ処理装置7に入力して
おき、被処理水中の溶存酸素濃度を例えば脱気塔などを
用いて前処理し、適正濃度に保つようにしておいてもよ
い。
【0066】また、上記各実施例では、脱気装置1,酸
化装置2,イオン除去装置3及び微粒子除去装置4を純
水が流通する流通路8に介設したが、本発明はかかる実
施例に限定されるものではなく、流通路8を設けずに、
各装置を分離して配置するバッチシステムを採用しても
よい。
化装置2,イオン除去装置3及び微粒子除去装置4を純
水が流通する流通路8に介設したが、本発明はかかる実
施例に限定されるものではなく、流通路8を設けずに、
各装置を分離して配置するバッチシステムを採用しても
よい。
【0067】そして、このような超純水を超LSIの製
造工程における洗浄工程で使用した場合、基板表面に残
留する炭素濃度が低減できるので、ゲート酸化膜耐圧が
向上する。また、純水中の溶存酸素が低減できること
で、純水洗浄中に形成される表面の自然酸化膜の生成を
抑制できるのでコンタクト抵抗の安定化や、極めて薄い
ゲート酸化膜を形成する際の膜厚安定性の向上が図れ
る。また、基板乾燥時に蒸発残留物として形成されるい
わゆるウォーターマークの発生の抑制にも効果があり、
その結果、製造歩留りの向上を図ることができる。
造工程における洗浄工程で使用した場合、基板表面に残
留する炭素濃度が低減できるので、ゲート酸化膜耐圧が
向上する。また、純水中の溶存酸素が低減できること
で、純水洗浄中に形成される表面の自然酸化膜の生成を
抑制できるのでコンタクト抵抗の安定化や、極めて薄い
ゲート酸化膜を形成する際の膜厚安定性の向上が図れ
る。また、基板乾燥時に蒸発残留物として形成されるい
わゆるウォーターマークの発生の抑制にも効果があり、
その結果、製造歩留りの向上を図ることができる。
【0068】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、純水の製造装置として、能力可変機構を有する
溶存酸素除去装置と、該溶存酸素除去装置で除去された
被処理水中の溶存酸素を利用して有機体炭素を酸化する
機構を有する有機体炭素除去装置とを配置し、溶存酸素
除去装置の能力を、溶存酸素の濃度及び有機体炭素の濃
度に応じて制御する構成としたので、被処理水中の有機
体炭素を酸化するのに必要な酸化種が確保されること
で、有機体炭素及び溶存酸素の濃度の低い超純水を得る
ことができ、この超純水を利用することで、半導体の製
造等における製品の品質及び歩留まりの向上を図ること
ができる。
よれば、純水の製造装置として、能力可変機構を有する
溶存酸素除去装置と、該溶存酸素除去装置で除去された
被処理水中の溶存酸素を利用して有機体炭素を酸化する
機構を有する有機体炭素除去装置とを配置し、溶存酸素
除去装置の能力を、溶存酸素の濃度及び有機体炭素の濃
度に応じて制御する構成としたので、被処理水中の有機
体炭素を酸化するのに必要な酸化種が確保されること
で、有機体炭素及び溶存酸素の濃度の低い超純水を得る
ことができ、この超純水を利用することで、半導体の製
造等における製品の品質及び歩留まりの向上を図ること
ができる。
【0069】請求項2の発明によれば、上記請求項1の
発明において、溶存酸素除去装置の能力を溶存酸素及び
有機体炭素の合計濃度が最小値になるよう制御する構成
としたので、溶存酸素及び有機体炭素の双方の存在が問
題となる製品の製造に最適な超純水を得ることができ
る。
発明において、溶存酸素除去装置の能力を溶存酸素及び
有機体炭素の合計濃度が最小値になるよう制御する構成
としたので、溶存酸素及び有機体炭素の双方の存在が問
題となる製品の製造に最適な超純水を得ることができ
る。
【0070】請求項3の発明によれば、上記請求項1の
発明において、溶存酸素除去装置の能力を有機体炭素濃
度が最小になるよう制御する構成としたので、特に有機
体炭素の存在が問題となる製品の製造に最適な超純水を
得ることができる。
発明において、溶存酸素除去装置の能力を有機体炭素濃
度が最小になるよう制御する構成としたので、特に有機
体炭素の存在が問題となる製品の製造に最適な超純水を
得ることができる。
【0071】請求項4の発明によれば、上記請求項1の
発明において、溶存酸素除去装置の能力を溶存酸素濃度
が最小になるよう制御する構成としたので、特に溶存酸
素の存在が問題となる製品の製造に最適な超純水を得る
ことができる。
発明において、溶存酸素除去装置の能力を溶存酸素濃度
が最小になるよう制御する構成としたので、特に溶存酸
素の存在が問題となる製品の製造に最適な超純水を得る
ことができる。
【0072】請求項5の発明によれば、上記請求項1,
2,3又は4の発明において、有機体炭素除去装置で処
理された純水中の有機体炭素の濃度及び溶存酸素の濃度
に応じて、溶存酸素除去装置の能力をフィードバック制
御する構成としたので、最終的な純水中の有機体炭素濃
度及び溶存酸素濃度を確実に低減することができる。
2,3又は4の発明において、有機体炭素除去装置で処
理された純水中の有機体炭素の濃度及び溶存酸素の濃度
に応じて、溶存酸素除去装置の能力をフィードバック制
御する構成としたので、最終的な純水中の有機体炭素濃
度及び溶存酸素濃度を確実に低減することができる。
【0073】請求項6の発明によれば、上記請求項1,
2,3又は4の発明において、溶存酸素除去装置で処理
された後でかつ有機体炭素除去装置で処理される前の被
処理水中の溶存酸素の濃度を検出する一方、有機体炭素
除去装置で処理される前の被処理水中の有機体炭素濃度
を検出し、有機体炭素の濃度に基づき、溶存酸素除去装
置の適正能力を推定演算して、溶存酸素除去装置の能力
をこの適正能力値に一致させるよう制御する構成とした
ので、フィードフォワード的な制御によりハンチング等
を防止することができ、制御の安定性を確保することが
できる。
2,3又は4の発明において、溶存酸素除去装置で処理
された後でかつ有機体炭素除去装置で処理される前の被
処理水中の溶存酸素の濃度を検出する一方、有機体炭素
除去装置で処理される前の被処理水中の有機体炭素濃度
を検出し、有機体炭素の濃度に基づき、溶存酸素除去装
置の適正能力を推定演算して、溶存酸素除去装置の能力
をこの適正能力値に一致させるよう制御する構成とした
ので、フィードフォワード的な制御によりハンチング等
を防止することができ、制御の安定性を確保することが
できる。
【0074】請求項7の発明によれば、純水の製造方法
として、被処理水中の溶存酸素を除去する工程と、その
後に残る被処理水中の溶存酸素を利用して有機体炭素を
酸化し、酸化されイオン化された有機体炭素を除去する
工程とを設けるとともに、溶存酸素の除去量を、有機体
炭素の濃度及び溶存酸素の濃度に応じて制御するように
したので、被処理水中の有機体炭素を酸化するのに必要
な酸化種が確保されることで、有機体炭素及び溶存酸素
の濃度の低い超純水を得ることができ、この超純水を利
用することで、半導体の製造等における製品の品質及び
歩留まりの向上を図ることができる。
として、被処理水中の溶存酸素を除去する工程と、その
後に残る被処理水中の溶存酸素を利用して有機体炭素を
酸化し、酸化されイオン化された有機体炭素を除去する
工程とを設けるとともに、溶存酸素の除去量を、有機体
炭素の濃度及び溶存酸素の濃度に応じて制御するように
したので、被処理水中の有機体炭素を酸化するのに必要
な酸化種が確保されることで、有機体炭素及び溶存酸素
の濃度の低い超純水を得ることができ、この超純水を利
用することで、半導体の製造等における製品の品質及び
歩留まりの向上を図ることができる。
【0075】請求項8の発明によれば、上記請求項7の
発明において、溶存酸素の除去量を溶存酸素及び有機体
炭素の合計濃度が最小値になるよう制御する方法とした
ので、溶存酸素及び有機体炭素の双方の存在が問題とな
る製品の製造に最適な超純水を得ることができる。
発明において、溶存酸素の除去量を溶存酸素及び有機体
炭素の合計濃度が最小値になるよう制御する方法とした
ので、溶存酸素及び有機体炭素の双方の存在が問題とな
る製品の製造に最適な超純水を得ることができる。
【0076】請求項9の発明によれば、上記請求項7の
発明において、溶存酸素の除去量を出口の有機体炭素濃
度が最小になるよう制御する方法としたので、特に有機
体炭素の存在が問題となる製品の製造に最適な超純水を
得ることができる。
発明において、溶存酸素の除去量を出口の有機体炭素濃
度が最小になるよう制御する方法としたので、特に有機
体炭素の存在が問題となる製品の製造に最適な超純水を
得ることができる。
【0077】請求項10の発明によれば、上記請求項7
の発明において、溶存酸素の除去量を出口の溶存酸素濃
度が最小になるよう制御する方法としたので、特に溶存
酸素の存在が問題となる製品の製造に最適な超純水を得
ることができる。
の発明において、溶存酸素の除去量を出口の溶存酸素濃
度が最小になるよう制御する方法としたので、特に溶存
酸素の存在が問題となる製品の製造に最適な超純水を得
ることができる。
【図1】実施例1における純水製造装置の構成を示す図
である。
である。
【図2】実施例1における脱気装置の脱気能力制御の内
容を示すフロ―チャ―ト図である。
容を示すフロ―チャ―ト図である。
【図3】脱気装置内の圧力(脱気能力)の変化に対する
脱気後の溶存酸素濃度の変化を示す特性図である。
脱気後の溶存酸素濃度の変化を示す特性図である。
【図4】処理前の溶存酸素濃度に対する処理後の溶存酸
素濃度と有機体炭素濃度との関係を示す特性図である。
素濃度と有機体炭素濃度との関係を示す特性図である。
【図5】実施例2における純水製造装置の構成を示す図
である。
である。
【図6】実施例2における脱気装置の脱気能力制御の内
容を示すフロ―チャ―ト図である。
容を示すフロ―チャ―ト図である。
【図7】溶存酸素濃度を制御せずに、酸化装置,イオン
除去装置,脱気装置及び微粒子除去装置を順次配置した
純水製造装置の構成を示す図である。
除去装置,脱気装置及び微粒子除去装置を順次配置した
純水製造装置の構成を示す図である。
【図8】溶存酸素濃度を制御せずに、脱気装置,酸化装
置,イオン除去装置及び微粒子除去装置を順次配置した
純水製造装置の構成を示す図である。
置,イオン除去装置及び微粒子除去装置を順次配置した
純水製造装置の構成を示す図である。
1 脱気装置 2 酸化装置 3 イオン除去装置 4 微粒子除去装置 5 全有機体炭素濃度測定装置 6 溶存酸素濃度測定装置 7 データ処理装置 8 流通路 A 純水製造装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/304 341 Z 8831−4M // C02F 1/00 B
Claims (10)
- 【請求項1】 被処理水中の溶存酸素及び有機体炭素を
除去して、純度の高い純水を得るようにした純水の製造
装置において、 能力可変機構を有する溶存酸素除去装置と、 該溶存酸素除去装置で処理された被処理水中の溶存酸素
を利用して有機体炭素を酸化する機構を有する有機体炭
素除去装置と、 上記溶存酸素除去装置によって処理された被処理水中に
残る溶存酸素の濃度を検出する酸素濃度検出手段と、 被処理水中の有機体炭素の濃度を検出する有機体炭素濃
度検出手段と、 上記酸素濃度検出手段で検出される溶存酸素の濃度及び
上記有機体炭素濃度検出手段で検出される有機体炭素の
濃度に応じ、上記溶存酸素除去装置の能力を制御する能
力制御手段と、 を備えたことを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の純水の製造装置におい
て、 能力制御手段は、有機体炭素除去装置による処理後の溶
存酸素及び有機体炭素の合計濃度を最小にするよう溶存
酸素除去装置の能力を制御することを特徴とする純水の
製造装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の純水の製造装置におい
て、 能力制御手段は、有機体炭素除去装置による処理後の有
機体炭素の濃度を最小にするよう上記溶存酸素除去装置
の能力を制御することを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項4】 請求項1記載の純水の製造装置におい
て、 能力制御手段は、有機体炭素除去装置による処理後の溶
存酸素の濃度を最小にするよう上記溶存酸素除去装置の
能力を制御することを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項5】 請求項1,2,3又は4記載の純水の製
造装置において、 上記酸素濃度検出手段及び有機体炭素濃度検出手段は、
有機体炭素除去装置で処理された後の被処理水中の溶存
酸素の濃度及び有機体炭素の濃度をそれぞれ検出するも
のであり、 上記能力制御手段は、上記溶存酸素除去装置の能力をフ
ィードバック制御することを特徴とする純水の製造装
置。 - 【請求項6】 請求項1,2,3又は4記載の純水の製
造装置において、 上記酸素濃度検出手段は、溶存酸素除去装置で処理され
た後でかつ有機体炭素除去装置で処理される前の被処理
水中の溶存酸素の濃度を検出するものであり、 上記全炭素濃度検出手段は、有機体炭素除去装置で処理
される前の被処理水中の有機体炭素濃度を検出するもの
であり、 上記有機体炭素濃度検出手段及び溶存酸素濃度検出手段
の出力を受け、溶存酸素量が有機体炭素の酸化に必要か
つ十分な値になるよう上記溶存酸素除去装置の適正能力
を推定演算する適正能力演算手段を備え、 上記能力制御手段は、上記溶存酸素除去装置の能力を、
上記適正能力演算手段で算出される適正能力値に一致さ
せるよう制御することを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項7】 被処理水中の溶存酸素及び有機体炭素を
除去して、純度の高い純水を得るための純水の製造方法
であって、 被処理水中の溶存酸素の一部を除去する工程と、 上記工程を経た後に残る被処理水中の溶存酸素を利用し
て有機体炭素を酸化し、酸化されイオン化された有機体
炭素を除去する工程とを含むとともに、 上記溶存酸素の除去量を、上記被処理水中の有機体炭素
の濃度及び溶存酸素の濃度に応じて制御することを特徴
とする純水の製造方法。 - 【請求項8】 請求項7記載の純水の製造方法におい
て、 上記溶存酸素の除去量の制御を、溶存酸素を除去する工
程及び有機体炭素を除去する工程を経た被処理水中の有
機体炭素及び溶存酸素の合計濃度を最小にするように行
うことを特徴とする純水の製造方法。 - 【請求項9】 請求項7記載の純水の製造方法におい
て、 上記溶存酸素の除去量の制御を、溶存酸素を除去する工
程及び有機体炭素を除去する工程を経た被処理水中の有
機体炭素の濃度を最小にするように行うことを特徴とす
る純水の製造方法。 - 【請求項10】 請求項7記載の純水の製造方法におい
て、 上記溶存酸素の除去量の制御は、溶存酸素を除去する工
程及び有機体炭素を除去する工程を経た被処理水中の溶
存酸素の濃度を最小にするように行うことを特徴とする
純水の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5109006A JP2793100B2 (ja) | 1992-05-15 | 1993-05-11 | 純水の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-123128 | 1992-05-15 | ||
| JP12312892 | 1992-05-15 | ||
| JP5109006A JP2793100B2 (ja) | 1992-05-15 | 1993-05-11 | 純水の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0691277A true JPH0691277A (ja) | 1994-04-05 |
| JP2793100B2 JP2793100B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=14852875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5109006A Expired - Fee Related JP2793100B2 (ja) | 1992-05-15 | 1993-05-11 | 純水の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5422013A (ja) |
| JP (1) | JP2793100B2 (ja) |
| KR (1) | KR960016302B1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020046974A (ko) * | 2000-12-13 | 2002-06-21 | 주식회사 노무라코리아 | 불순물 검출 장치 및 불순물 검출 방법 |
| KR20030067114A (ko) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | 박남식 | 순수 및 초순수 제조 시스템의 센서장치 및 표시방법 |
| JP2005334798A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Miura Co Ltd | 給水システム |
| JP2008173637A (ja) * | 1996-02-20 | 2008-07-31 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 超純水製造方法および超純水製造装置 |
| JP2010091774A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 洗浄方法および洗浄液供給装置 |
| JP2011240344A (ja) * | 2011-08-05 | 2011-12-01 | Kurita Water Ind Ltd | 超純水製造用水処理装置 |
| JP2013145386A (ja) * | 2013-02-25 | 2013-07-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 洗浄方法および洗浄液供給装置 |
| WO2024262095A1 (ja) * | 2023-06-20 | 2024-12-26 | オルガノ株式会社 | 水処理方法及び水処理装置並びに水処理装置の設計方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994018127A1 (fr) * | 1993-02-03 | 1994-08-18 | Kurita Water Industries Ltd. | Procede de production d'eau pure |
| US5573662A (en) * | 1993-09-13 | 1996-11-12 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Apparatus for treatment of low-concentration organic waste water |
| US6416676B1 (en) | 1995-05-24 | 2002-07-09 | National Semiconductor Corporation | Deionized water degasification for semiconductor fabrication |
| JP3742451B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2006-02-01 | 昌之 都田 | 洗浄方法 |
| US6679988B2 (en) * | 2002-01-09 | 2004-01-20 | Mechanical Equipment Company, Inc. | Apparatus for producing USP or WFI purified water |
| WO2003086573A1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-23 | Dominion Engineering, Inc. | Liquid degassing system for power plant system layup |
| US7632410B2 (en) * | 2003-08-21 | 2009-12-15 | Christopher Heiss | Universal water purification system |
| US6991733B2 (en) * | 2004-05-25 | 2006-01-31 | Industrial Technology Research Institute | Process for removing organics from ultrapure water |
| US20070199904A1 (en) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Jonathan Thompson | Methods for treatment of organic matter in liquid |
| WO2007146671A2 (en) | 2006-06-06 | 2007-12-21 | Fluid Lines | Ultaviolet light activated oxidation process for the reduction of organic carbon in semiconductor process water |
| US10343939B2 (en) | 2006-06-06 | 2019-07-09 | Evoqua Water Technologies Llc | Ultraviolet light activated oxidation process for the reduction of organic carbon in semiconductor process water |
| US12103874B2 (en) | 2006-06-06 | 2024-10-01 | Evoqua Water Technologies Llc | Ultraviolet light activated oxidation process for the reduction of organic carbon in semiconductor process water |
| US8119008B2 (en) * | 2006-07-10 | 2012-02-21 | Christopher Heiss | Fluid purification methods and devices |
| US9725343B2 (en) | 2007-04-03 | 2017-08-08 | Evoqua Water Technologies Llc | System and method for measuring and treating a liquid stream |
| US9365435B2 (en) * | 2007-04-03 | 2016-06-14 | Evoqua Water Technologies Llc | Actinic radiation reactor |
| US9365436B2 (en) * | 2007-04-03 | 2016-06-14 | Evoqua Water Technologies Llc | Method of irradiating a liquid |
| US20080245737A1 (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Siemens Water Technologies Corp. | Method and system for providing ultrapure water |
| US8753522B2 (en) * | 2007-04-03 | 2014-06-17 | Evoqua Water Technologies Llc | System for controlling introduction of a reducing agent to a liquid stream |
| US8961798B2 (en) * | 2007-04-03 | 2015-02-24 | Evoqua Water Technologies Llc | Method for measuring a concentration of a compound in a liquid stream |
| US8741155B2 (en) * | 2007-04-03 | 2014-06-03 | Evoqua Water Technologies Llc | Method and system for providing ultrapure water |
| WO2009009465A1 (en) * | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Christopher William Heiss | Electrocoagulation reactor and water treatment system and method |
| US8956463B2 (en) * | 2008-10-08 | 2015-02-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for cleaning photomask-related substrate, cleaning method, and cleaning fluid supplying apparatus |
| US8591730B2 (en) * | 2009-07-30 | 2013-11-26 | Siemens Pte. Ltd. | Baffle plates for an ultraviolet reactor |
| JP2014508033A (ja) * | 2011-01-17 | 2014-04-03 | シーメンス ウォーター テクノロジーズ エルエルシー | 超純水を提供するための方法およびシステム |
| EP2527301B1 (en) | 2011-05-26 | 2016-04-27 | Evoqua Water Technologies GmbH | Method and arrangement for a water treatment |
| US10494281B2 (en) | 2015-01-21 | 2019-12-03 | Evoqua Water Technologies Llc | Advanced oxidation process for ex-situ groundwater remediation |
| US11161762B2 (en) | 2015-01-21 | 2021-11-02 | Evoqua Water Technologies Llc | Advanced oxidation process for ex-situ groundwater remediation |
| EP3208243B1 (en) * | 2016-02-16 | 2020-04-08 | Xylem Europe GmbH | Uv-system with a degassing zone |
| EP4496775A4 (en) * | 2022-05-02 | 2025-12-03 | Evoqua Water Tech Llc | ELECTROCHEMICAL FRACTIONATION AND OXIDATION OF FOAM TO CONCENTRATE AND MINERALIZE PERFLUOROALKYLATED SUBSTANCES |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0440292A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-10 | Nakano Koji | 有機物と溶存酸素とを同時に除去する方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3870033A (en) * | 1973-11-30 | 1975-03-11 | Aqua Media | Ultra pure water process and apparatus |
| JPS62193696A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Nomura Micro Sci Kk | 超純水の製造法 |
| EP0284052B1 (en) * | 1987-03-25 | 1993-09-29 | Hitachi, Ltd. | Process for producing ultra-pure water and process for using said ultra-pure water |
| US4990260A (en) * | 1988-01-28 | 1991-02-05 | The Water Group, Inc. | Method and apparatus for removing oxidizable contaminants in water to achieve high purity water for industrial use |
| JPH02126992A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-15 | Kyodo Sanso Kk | 超純水製造における殺菌および脱気方法 |
| JPH02152589A (ja) * | 1988-12-03 | 1990-06-12 | Fujitsu Ltd | 純水製造方法 |
| JP2768732B2 (ja) * | 1989-05-01 | 1998-06-25 | 神鋼パンテック株式会社 | 加熱脱気超純水装置 |
| US5061374A (en) * | 1989-12-18 | 1991-10-29 | Micron Technology, Inc. | Reverse osmosis as final filter in ultrapure deionized water system |
| JPH0647105B2 (ja) * | 1989-12-19 | 1994-06-22 | 株式会社荏原総合研究所 | 純水又は超純水の精製方法及び装置 |
| JPH03224602A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-03 | Suido Kiko Kk | 液中の溶存気体濃度調整装置 |
| US5118422A (en) * | 1990-07-24 | 1992-06-02 | Photo-Catalytics, Inc. | Photocatalytic treatment of water |
-
1993
- 1993-05-04 KR KR1019930008254A patent/KR960016302B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1993-05-11 JP JP5109006A patent/JP2793100B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-05-14 US US08/061,074 patent/US5422013A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0440292A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-10 | Nakano Koji | 有機物と溶存酸素とを同時に除去する方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008173637A (ja) * | 1996-02-20 | 2008-07-31 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 超純水製造方法および超純水製造装置 |
| JP4294731B2 (ja) * | 1996-02-20 | 2009-07-15 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 超純水製造方法および超純水製造装置 |
| KR20020046974A (ko) * | 2000-12-13 | 2002-06-21 | 주식회사 노무라코리아 | 불순물 검출 장치 및 불순물 검출 방법 |
| KR20030067114A (ko) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | 박남식 | 순수 및 초순수 제조 시스템의 센서장치 및 표시방법 |
| JP2005334798A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Miura Co Ltd | 給水システム |
| JP2010091774A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 洗浄方法および洗浄液供給装置 |
| JP2011240344A (ja) * | 2011-08-05 | 2011-12-01 | Kurita Water Ind Ltd | 超純水製造用水処理装置 |
| JP2013145386A (ja) * | 2013-02-25 | 2013-07-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 洗浄方法および洗浄液供給装置 |
| WO2024262095A1 (ja) * | 2023-06-20 | 2024-12-26 | オルガノ株式会社 | 水処理方法及び水処理装置並びに水処理装置の設計方法 |
| JP2025001612A (ja) * | 2023-06-20 | 2025-01-08 | オルガノ株式会社 | 水処理方法及び水処理装置並びに水処理装置の設計方法 |
| JP2025068119A (ja) * | 2023-06-20 | 2025-04-24 | オルガノ株式会社 | 水処理方法及び水処理装置並びに水処理装置の設計方法 |
| JP2025068120A (ja) * | 2023-06-20 | 2025-04-24 | オルガノ株式会社 | 水処理方法及び水処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5422013A (en) | 1995-06-06 |
| KR940006203A (ko) | 1994-03-23 |
| KR960016302B1 (ko) | 1996-12-09 |
| JP2793100B2 (ja) | 1998-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2793100B2 (ja) | 純水の製造方法 | |
| US6991733B2 (en) | Process for removing organics from ultrapure water | |
| KR940003209B1 (ko) | 가열 탈기 초순수 장치 | |
| JP3491666B2 (ja) | Toc成分除去の制御方法及び装置 | |
| TWI460136B (zh) | 用於減少半導體製程用水之有機碳的紫外光活化氧化法 | |
| WO2019244443A1 (ja) | 被処理水中のホウ素除去方法、ホウ素除去システム、超純水製造システム及びホウ素濃度の測定方法 | |
| US5795494A (en) | Semiconductor substrate cleaning method and semiconductor device fabrication method | |
| US5523001A (en) | Treatment of electroless plating waste streams | |
| JP4978275B2 (ja) | 一次純水製造プロセス水の処理方法及び装置 | |
| JP3985500B2 (ja) | 超純水供給方法 | |
| CN118973964A (zh) | 水处理管理装置和水处理管理系统、以及水处理方法 | |
| JPH10123118A (ja) | 超純水製造装置 | |
| JP7441066B2 (ja) | 予備処理方法、予備処理装置、尿素濃度測定方法、尿素濃度測定装置、超純水製造方法及び超純水製造システム | |
| CN216918894U (zh) | 有效去除水中低分子有机物和弱电离杂质的除盐系统 | |
| JPH11226583A (ja) | アンモニアや有機態窒素を含む有機物の超臨界水酸化方法及び装置 | |
| JPH10128253A (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH0929251A (ja) | 超純水製造装置 | |
| JP3452897B2 (ja) | 不純物検出装置および不純物検出方法 | |
| JPH1119663A (ja) | 有機物の除去方法 | |
| JP4264681B2 (ja) | 電子材料のウェット洗浄工程用オゾン水の製造装置 | |
| JP7660749B1 (ja) | 超純水製造方法、超純水製造装置及び超純水製造システム | |
| JP3580648B2 (ja) | 超純水製造装置 | |
| JP7823681B2 (ja) | 水素水製造装置及び製造方法 | |
| JP2666340B2 (ja) | 紫外線酸化分解装置 | |
| JP7661701B2 (ja) | アンモニア含有水中の有機物分解装置および分解方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980602 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080619 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |