JPH069139U - ウェーハ保持装置 - Google Patents

ウェーハ保持装置

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JPH069139U
JPH069139U JP5278692U JP5278692U JPH069139U JP H069139 U JPH069139 U JP H069139U JP 5278692 U JP5278692 U JP 5278692U JP 5278692 U JP5278692 U JP 5278692U JP H069139 U JPH069139 U JP H069139U
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JP
Japan
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wafer
pillar
wafer holding
pillars
bending stress
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JP5278692U
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哲夫 山本
誠治 渡辺
英二 保坂
博信 宮
増雄 鈴木
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Kokusai Denki Electric Inc
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Kokusai Denki Electric Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェーハ保持装置に於いて、ウェーハ保持状態
に於ける曲げ応力の低減を図り、曲げ応力に起因する結
晶欠陥の発生を防止する。 【構成】保持されるウェーハ７の背面側に複数の背柱１
０を立設すると共に前記ウェーハの両側に側柱１１を立
設し、前記背柱、前記側柱にそれぞれ所要数のウェーハ
保持溝１２，１３を刻設し、各保持溝にウェーハを保持
可能としたウェーハ保持装置に於いて、前記側柱をウェ
ーハの中心より前記背柱の反対側に延出する長形断面形
状とし、該側柱のウェーハ保持溝の先端部がウェーハの
中心より反背柱側に位置する様にし、ウェーハを円周に
沿って略均等に支持し、ウェーハ保持状態に於ける曲げ
応力を低減し、曲げ応力に起因する結晶欠陥の発生を防
止する。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体製造工程でウェーハを水平姿勢で多段に保持するウェーハ保 持装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
縦型拡散炉、縦型ＣＶＤ装置は、縦型反応炉を有し、該反応炉内に装入された ウェーハを表面処理するものであり、該縦型拡散炉、縦型ＣＶＤ装置にウェーハ を装入する際に、ウェーハを水平姿勢で多段に保持するのがウェーハ保持装置で ある。
【０００３】 従来のウェーハ保持装置について、図３、図４により説明する。
【０００４】 上フランジ板１と下フランジ板２との間に４本の支柱３，３、支柱４，４を設 け、１組の支柱３，４に対して他方の支柱３，４を前記上フランジ板１と下フラ ンジ板２の中心に対して略同一円周上に且対称に配設する。
【０００５】 前記支柱３，３、支柱４，４は断面が円であり、それぞれの支柱の前記フラン ジの中心に面する側にウェーハ保持用の溝５，６を所要のピッチで刻設し、前記 支柱の同一高さの４箇所の溝５，６にウェーハ７を挿入することでウェーハ７が 水平に保持される様になっている。
【０００６】 而して、ウェーハ７は前記溝の数だけ保持可能となっている。
【０００７】
【考案が解決しようとする課題】
前記したウェーハ保持装置ではウェーハ７の略半円部を４箇所で支持しており 、残りの半円部は片持梁状となっている。従って、ウェーハ処理中、ウェーハが 高温の状態となると、曲げ応力による結晶間の辷を生じ、結晶欠陥となって製品 品質を低下させ、或は歩留りの低下を招来する。
【０００８】 本考案は斯かる実情に鑑み、ウェーハ保持状態に於ける曲げ応力の低減を図り 、結晶欠陥の発生を防止しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本考案は、保持されるウェーハの背面側に複数の背柱を立設すると共に前記ウ ェーハの両側に側柱を立設し、前記背柱、前記側柱にそれぞれ所要数のウェーハ 保持溝を刻設し、各保持溝にウェーハを保持可能としたウェーハ保持装置に於い て、前記側柱をウェーハの中心より前記背柱の反対側に延出する長形断面形状と し、該側柱のウェーハ保持溝の先端部がウェーハの中心より反背柱側に位置する 様にしたことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】
保持されるウェーハは、円周に沿って略均等に支持されるので、ウェーハに曲 げ応力が発生することが少なく、曲げ応力に起因する結晶欠陥の発生を防止する ことができる。
【００１１】
【実施例】
以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。
【００１２】 上フランジ８と下フランジ９との間に背柱１０，１０と側柱１１，１１を掛渡 して設け、更に１方の背柱１０，側柱１１と他方の背柱１０，側柱１１とは対称 に配設する。
【００１３】 前記背柱１０は断面を略矩形状とし、フランジの中心に対して放射状に配置す る。又、側柱１１は断面が偏平な蒲鉾状をしており、凸面側が外周側になる様に 配設されると共に装填されるウェーハ７に対して前記背柱１０の反対側の縁がウ ェーハ７の外周より内側に入込む様に配設されている。
【００１４】 背柱１０、前記側柱１１にはそれぞれウェーハ保持溝１２、ウェーハ保持溝１ ３を所要のピッチで刻設し、且各段のウェーハ保持溝１２、ウェーハ保持溝１３ が同一平面となる様にし、該ウェーハ保持溝１２、ウェーハ保持溝１３にウェー ハ７を挿入可能にしている。而して、ウェーハ７は後方の２箇所を背柱１０のウ ェーハ保持溝１２により保持され、ウェーハ７の両側を前記側柱１１のウェーハ 保持溝１３によって保持される。
【００１５】 次に、ウェーハ７の保持の状態を説明すると、前記ウェーハ保持溝１３を形成 する棚板１３ａはウェーハ７の中心より該ウェーハ７の円周に沿って前方（前記 背柱１０の反対側）に延出しており、ウェーハ７の周辺をウェーハ保持溝１２、 ウェーハ保持溝１３によって略均等に保持する。従って、前記ウェーハ７の前記 棚板１３ａの先端より更に前方に片持梁状に延出する部分が短くなり、曲げ応力 が大幅に低減し、この曲げ応力による結晶間の辷りが防止される。更に、結晶欠 陥の発生が抑止され、製品品質の安定、或は歩留りを向上させることができる。
【００１６】 尚、前記側柱１１の断面形状は偏平な蒲鉾状に限らず、短冊状であってもよい 。又、背柱１０は１本又は３本以上でもよい。
【００１７】
【考案の効果】
以上述べた如く本考案によれば、ウェーハの周囲を略均等に保持するので、曲 げ応力の発生が少なく、曲げ応力による結晶間の辷りが防止され、結晶欠陥の発 生を抑止し、製品品質の向上更に歩留りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例の立断面図である。
【図２】同前一実施例の平断面図である。
【図３】従来例の平断面図である。
【図４】従来例の立断面図である。
【符号の説明】
７ ウェーハ １０ 背柱 １１ 側柱 １２ ウェーハ保持溝 １３ ウェーハ保持溝
フロントページの続き (72)考案者 宮 博信 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)考案者 鈴木 増雄 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 保持されるウェーハの背面側に複数の背
    柱を立設すると共に前記ウェーハの両側に側柱を立設
    し、前記背柱、前記側柱にそれぞれ所要数のウェーハ保
    持溝を刻設し、各保持溝にウェーハを保持可能としたウ
    ェーハ保持装置に於いて、前記側柱をウェーハの中心よ
    り前記背柱の反対側に延出する長形断面形状とし、該側
    柱のウェーハ保持溝の先端部がウェーハの中心より反背
    柱側に位置する様にしたことを特徴とするウェーハ保持
    装置。
JP1992052786U 1992-07-03 1992-07-03 ウェーハ保持装置 Expired - Lifetime JP2594717Y2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000048244A1 (en) * 1999-02-10 2000-08-17 Hitachi, Ltd. Device and method for heat-treating wafer
DE112007000442T5 (de) 2006-03-29 2009-02-12 Tokyo Electron Ltd. Substratbearbeitungsverfahren, Speichermedium und Substratbearbeitungseinrichtung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6219732U (ja) * 1985-07-22 1987-02-05

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DE112007000442T5 (de) 2006-03-29 2009-02-12 Tokyo Electron Ltd. Substratbearbeitungsverfahren, Speichermedium und Substratbearbeitungseinrichtung

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