JPH0693476A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH0693476A JPH0693476A JP26796692A JP26796692A JPH0693476A JP H0693476 A JPH0693476 A JP H0693476A JP 26796692 A JP26796692 A JP 26796692A JP 26796692 A JP26796692 A JP 26796692A JP H0693476 A JPH0693476 A JP H0693476A
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- magnetic
- magnetic disk
- head
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドの吸着現象を防止し得ると共に、
ヘッド浮上量を０．０７μｍ以下に小さくしてもヘッド
ヒットが生じ難い磁気ディスクの製造方法を提供する。 【構成】 粗面化処理された非磁性基板上に、下地層と
この上に磁気記録層とを備えた磁気ディスクの製造方法
において、該基板の表面粗さＲａ（平均中心粗さ）を３
０〜１００Åとし、該基板を、不活性ガス雰囲気中、該
基板の電位がスパッタリング装置のチャンバーの電位に
対し負となるようにしてスパッタリングした後、該下地
層を成膜することを特徴とする。
ヘッド浮上量を０．０７μｍ以下に小さくしてもヘッド
ヒットが生じ難い磁気ディスクの製造方法を提供する。 【構成】 粗面化処理された非磁性基板上に、下地層と
この上に磁気記録層とを備えた磁気ディスクの製造方法
において、該基板の表面粗さＲａ（平均中心粗さ）を３
０〜１００Åとし、該基板を、不活性ガス雰囲気中、該
基板の電位がスパッタリング装置のチャンバーの電位に
対し負となるようにしてスパッタリングした後、該下地
層を成膜することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＳＳ（コンタクト・
スタート・アンド・ストップ）方式を採用した磁気ディ
スク装置等に適用される磁気ディスクの製造方法に関す
る。
スタート・アンド・ストップ）方式を採用した磁気ディ
スク装置等に適用される磁気ディスクの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この磁気ディスクは、回転停止時
に磁気ディスク面への磁気ヘッドの吸着現象を防止する
ため、非磁性基板表面に対しラップ加工、ポリッシュ加
工及びテクスチャ加工等の粗面化処理を行なうことによ
り該基板の表面粗さＲａ（平均中心粗さ）を３０〜１０
０Åとし、次に、磁気特性を調整する等の必要により、
ＣｒまたはＣｒ合金からなる下地層を成膜し、更に、こ
の上に磁気記録層、保護層、潤滑層を形成することによ
って製造していた。
に磁気ディスク面への磁気ヘッドの吸着現象を防止する
ため、非磁性基板表面に対しラップ加工、ポリッシュ加
工及びテクスチャ加工等の粗面化処理を行なうことによ
り該基板の表面粗さＲａ（平均中心粗さ）を３０〜１０
０Åとし、次に、磁気特性を調整する等の必要により、
ＣｒまたはＣｒ合金からなる下地層を成膜し、更に、こ
の上に磁気記録層、保護層、潤滑層を形成することによ
って製造していた。
【０００３】しかるに、この磁気ディスクは、高密度の
記録を実現するため、磁気記録再生時に磁気ヘッドとの
間隔、いわゆるヘッド浮上量を可及的に小さくできるこ
とが要求されている。
記録を実現するため、磁気記録再生時に磁気ヘッドとの
間隔、いわゆるヘッド浮上量を可及的に小さくできるこ
とが要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記方
法によって製造された磁気ディスクは、上記浮上量が
０．０７μｍより大きく、敢えて０．０７μｍ以下にし
ようとすると、該ディスク表面に存在する微小な突起物
と磁気ヘッドとが衝突する、いわゆるヘッドヒットが生
じ易くなり、ヘッド及びディスクが損傷し、記録再生が
うまく行ない難くなる。
法によって製造された磁気ディスクは、上記浮上量が
０．０７μｍより大きく、敢えて０．０７μｍ以下にし
ようとすると、該ディスク表面に存在する微小な突起物
と磁気ヘッドとが衝突する、いわゆるヘッドヒットが生
じ易くなり、ヘッド及びディスクが損傷し、記録再生が
うまく行ない難くなる。
【０００５】そこで、ヘッドヒットを生じ難くするため
に磁気ディスクの表面粗さを小さくすると、前記磁気ヘ
ッドの吸着現象が防止し難くなる。即ち、磁気ヘッドの
吸着現象の防止とヘッドヒットの防止とは二律背反する
問題であった。
に磁気ディスクの表面粗さを小さくすると、前記磁気ヘ
ッドの吸着現象が防止し難くなる。即ち、磁気ヘッドの
吸着現象の防止とヘッドヒットの防止とは二律背反する
問題であった。
【０００６】上記事情に鑑み、本発明の目的は、磁気ヘ
ッドの吸着現象を防止し得ると共に、ヘッド浮上量を
０．０７μｍ以下に小さくしてもヘッドヒットが生じ難
い磁気ディスクの製造方法を提供することにある。
ッドの吸着現象を防止し得ると共に、ヘッド浮上量を
０．０７μｍ以下に小さくしてもヘッドヒットが生じ難
い磁気ディスクの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するものとして、粗面化処理された非磁性基板上に、
下地層とこの上に磁気記録層とを備えた磁気ディスクの
製造方法において、該基板の表面粗さＲａを３０〜１０
０Åとし、該基板を、不活性ガス雰囲気中、該基板の電
位がスパッタリング装置のチャンバーの電位に対し負と
なるようにしてスパッタリングした後、該下地層を成膜
することを特徴とする磁気ディスクの製造方法である。
成するものとして、粗面化処理された非磁性基板上に、
下地層とこの上に磁気記録層とを備えた磁気ディスクの
製造方法において、該基板の表面粗さＲａを３０〜１０
０Åとし、該基板を、不活性ガス雰囲気中、該基板の電
位がスパッタリング装置のチャンバーの電位に対し負と
なるようにしてスパッタリングした後、該下地層を成膜
することを特徴とする磁気ディスクの製造方法である。
【０００８】
【作用】本発明方法において、非磁性基板の素材として
は、アルミニウム合金の如き非磁性金属、ガラス、樹脂
等の剛性を有する非磁性材料が用いられる。
は、アルミニウム合金の如き非磁性金属、ガラス、樹脂
等の剛性を有する非磁性材料が用いられる。
【０００９】このような素材からなる基板に対して、次
に、その全面に亘って硬度が高く、切削性の良好な硬化
層が形成される。この硬化層は、例えば、無電解メッキ
法により、Ｎｉ−Ｐ合金層やＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金層を設
けたり、アルミニウム合金を用いる場合、アルマイト処
理を施したりして形成され得る。
に、その全面に亘って硬度が高く、切削性の良好な硬化
層が形成される。この硬化層は、例えば、無電解メッキ
法により、Ｎｉ−Ｐ合金層やＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金層を設
けたり、アルミニウム合金を用いる場合、アルマイト処
理を施したりして形成され得る。
【００１０】更に、硬化層が設けられた基板には、その
表面を平面化する研磨加工、例えば、ラップ加工やポリ
ッシュ加工が施される。この平面化研磨加工により、基
板表面が平坦な鏡面とされる。
表面を平面化する研磨加工、例えば、ラップ加工やポリ
ッシュ加工が施される。この平面化研磨加工により、基
板表面が平坦な鏡面とされる。
【００１１】そして、この平面化研磨加工の施された基
板に対して、その表面の粗面化がテクスチャ加工によっ
て行なわれる。この際、テクスチャ加工後の基板表面粗
さＲａが３０〜１００Åとなるように粗面化を行なう必
要がある。Ｒａが３０Å未満では、磁気ヘッドの吸着現
象を防止し難く、一方１００Åを超えると、ヘッド浮上
量が過大になる。
板に対して、その表面の粗面化がテクスチャ加工によっ
て行なわれる。この際、テクスチャ加工後の基板表面粗
さＲａが３０〜１００Åとなるように粗面化を行なう必
要がある。Ｒａが３０Å未満では、磁気ヘッドの吸着現
象を防止し難く、一方１００Åを超えると、ヘッド浮上
量が過大になる。
【００１２】このテクスチャ加工は、例えば、フィルム
上にアルミナ等の砥粒を結着させた研磨テープを基板表
面に押し付けたり、ダイヤモンドやアルミナ等の研磨砥
粒を水溶液中に分散させた砥粒スラリーを加工液とし
て、該加工液を含浸させた研磨布を基板表面に押し付け
ることにより実施される。
上にアルミナ等の砥粒を結着させた研磨テープを基板表
面に押し付けたり、ダイヤモンドやアルミナ等の研磨砥
粒を水溶液中に分散させた砥粒スラリーを加工液とし
て、該加工液を含浸させた研磨布を基板表面に押し付け
ることにより実施される。
【００１３】本発明方法において、このような粗面化処
理された非磁性基板を、不活性ガス雰囲気中、該基板の
電位がスパッタリング装置のチャンバーの電位に対し負
となるようにしてスパッタリングすることが重要であ
る。
理された非磁性基板を、不活性ガス雰囲気中、該基板の
電位がスパッタリング装置のチャンバーの電位に対し負
となるようにしてスパッタリングすることが重要であ
る。
【００１４】このスパッタリングは、雰囲気である不活
性ガスの中性原子あるいはイオン化された原子を上記基
板上に高速で衝突させて前記硬化層の原子を叩き出すも
ので、これにより、ヘッド浮上量を０．０７μｍ以下に
小さくしてもヘッドヒットが生じ難い磁気ディスクを製
造することができる。
性ガスの中性原子あるいはイオン化された原子を上記基
板上に高速で衝突させて前記硬化層の原子を叩き出すも
ので、これにより、ヘッド浮上量を０．０７μｍ以下に
小さくしてもヘッドヒットが生じ難い磁気ディスクを製
造することができる。
【００１５】これは、このバイアススパッタリングによ
り、これを行なわないとテクスチャ加工後に発生して
い、磁気記録層やこの上の保護層の成膜時にその上に選
択的に成長して微小な突起物となる核を大幅に取り除く
ことができることによるものと推察される。また、この
核は、テクスチャ加工後の基板表面粗さが磁気ヘッドの
吸着現象を防止し得なくなる程小さくしなければなくな
らないものと推察される。
り、これを行なわないとテクスチャ加工後に発生して
い、磁気記録層やこの上の保護層の成膜時にその上に選
択的に成長して微小な突起物となる核を大幅に取り除く
ことができることによるものと推察される。また、この
核は、テクスチャ加工後の基板表面粗さが磁気ヘッドの
吸着現象を防止し得なくなる程小さくしなければなくな
らないものと推察される。
【００１６】このスパッタリングにおいて、（１）前記
基板の電位をスパッタリング装置のチャンバーの電位に
対し５００〜１０００Ｖ負、（２）不活性ガス圧を０．
５〜８０ｍＴｏｒｒ、（３）ＤＣ投入電力を０．２〜５
Ｗ／ｃｍ2 とするのが好ましい。これらの下限値未満で
は、上記核を取り除く効果が充分発揮されず、一方、こ
れら上限値を超えると、スパッタリング過剰になる。
基板の電位をスパッタリング装置のチャンバーの電位に
対し５００〜１０００Ｖ負、（２）不活性ガス圧を０．
５〜８０ｍＴｏｒｒ、（３）ＤＣ投入電力を０．２〜５
Ｗ／ｃｍ2 とするのが好ましい。これらの下限値未満で
は、上記核を取り除く効果が充分発揮されず、一方、こ
れら上限値を超えると、スパッタリング過剰になる。
【００１７】この後、前記Ｒａの条件を満足する基板に
は、磁気記録層の磁気特性を調整するなどのため、Ｃ
ｒ、Ｃｒ合金などからなる下地層を成膜する。Ｃｒ合金
としては、ＣｒにＷ，Ｓｉ，Ｎｂなどを０．３〜５原子
％添加したものが挙げられる。成膜する膜厚は１０〜５
００Åでよい。
は、磁気記録層の磁気特性を調整するなどのため、Ｃ
ｒ、Ｃｒ合金などからなる下地層を成膜する。Ｃｒ合金
としては、ＣｒにＷ，Ｓｉ，Ｎｂなどを０．３〜５原子
％添加したものが挙げられる。成膜する膜厚は１０〜５
００Åでよい。
【００１８】成膜された下地層の上には、所定の強磁性
金属薄膜からなる磁気記録層が形成される。この磁気記
録層としては、例えば、Ｃｏ系，Ｃｏ−Ｎｉ系，Ｃｏ−
Ｐｔ系，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系，Ｆｅ系がある。
金属薄膜からなる磁気記録層が形成される。この磁気記
録層としては、例えば、Ｃｏ系，Ｃｏ−Ｎｉ系，Ｃｏ−
Ｐｔ系，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系，Ｆｅ系がある。
【００１９】上記の磁気記録層の上には、カーボン膜の
ような保護層が形成され、更にその上に、パーフロロア
ルキルポリエーテルのような潤滑層が形成され、以て目
的とする磁気ディスクとされる。
ような保護層が形成され、更にその上に、パーフロロア
ルキルポリエーテルのような潤滑層が形成され、以て目
的とする磁気ディスクとされる。
【００２０】
実施例１ 円盤状のアルミニウム合金（Ｍｇ４重量％、残部Ａｌ）
材料の基板上に、無電解メッキ法によりＮｉ−Ｐ合金層
を形成した後、ラップ加工およびポリッシュ加工を施し
た。
材料の基板上に、無電解メッキ法によりＮｉ−Ｐ合金層
を形成した後、ラップ加工およびポリッシュ加工を施し
た。
【００２１】この後、これらの基板の表面に対して、ポ
リエステルベースフィルム上に平均粒径３μｍのアルミ
ナ砥粒が結着されてなる研磨テープを押し付けてテクス
チャ加工を施し、同心円状に表面粗さＲａが６３Åの微
細な凹凸を形成した。
リエステルベースフィルム上に平均粒径３μｍのアルミ
ナ砥粒が結着されてなる研磨テープを押し付けてテクス
チャ加工を施し、同心円状に表面粗さＲａが６３Åの微
細な凹凸を形成した。
【００２２】次に、テクスチャ加工が施されたこれらの
基板をＤＣマグネトロンスパッタリング装置のチャンバ
ー内にセットした後、チャンバー内の圧力を約１０-7Ｔ
ｏｒｒに排気した後Ａｒガス圧で３０ｍＴｏｒｒに、基
板の電位をチャンバーの電位に対し負で８００Ｖと、ま
た、ＤＣ投入電力を３Ｗ／ｃｍ2 として２０秒間バイア
ススパッタリングした。スパッタリング後の表面粗さＲ
ａは４０Åであった。また、この表面を走査型トンネル
顕微鏡で観察した結果を図１に示す。
基板をＤＣマグネトロンスパッタリング装置のチャンバ
ー内にセットした後、チャンバー内の圧力を約１０-7Ｔ
ｏｒｒに排気した後Ａｒガス圧で３０ｍＴｏｒｒに、基
板の電位をチャンバーの電位に対し負で８００Ｖと、ま
た、ＤＣ投入電力を３Ｗ／ｃｍ2 として２０秒間バイア
ススパッタリングした。スパッタリング後の表面粗さＲ
ａは４０Åであった。また、この表面を走査型トンネル
顕微鏡で観察した結果を図１に示す。
【００２３】更に、下地層としてのＣｒを、基板温度３
００℃、Ａｒガス圧１７．６ｍＴｏｒｒ、ＤＣ投入電力
５Ｗ／ｃｍ2 なる条件のスパッタリングにより形成し
て、膜厚を２００Åとした。
００℃、Ａｒガス圧１７．６ｍＴｏｒｒ、ＤＣ投入電力
５Ｗ／ｃｍ2 なる条件のスパッタリングにより形成し
て、膜厚を２００Åとした。
【００２４】そして、この下地層の上に厚さ５００Åの
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁気記録層およびカーボン保護層を
形成した。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁気記録層およびカーボン保護層を
形成した。
【００２５】この後、平均粒径２μｍのアルミナ砥粒が
結着されたポリエステル研磨テープによる研磨処理、布
製テープによるクリーニング処理を経て、スピンコート
法によるパーフロロポリエーテル系潤滑膜（デュポン社
製潤滑剤（商品名クライトックス）を使用）を形成し
た。
結着されたポリエステル研磨テープによる研磨処理、布
製テープによるクリーニング処理を経て、スピンコート
法によるパーフロロポリエーテル系潤滑膜（デュポン社
製潤滑剤（商品名クライトックス）を使用）を形成し
た。
【００２６】このようにして得た磁気ディスクについ
て、平均突起物個数の測定、ヘッド吸着試験および電磁
変換特性の測定を行なった。
て、平均突起物個数の測定、ヘッド吸着試験および電磁
変換特性の測定を行なった。
【００２７】なお、平均突起物個数の測定は、磁気ディ
スクを５００〜２０００ｒｐｍで回転させ、磁気ヘッド
を磁気ディスクから所定量の高さに浮上させ、磁気ヘッ
ドと磁気ディスクとの衝突により発生する振動を圧電セ
ンサで感知するのを磁気ディスク５０面につき行ない、
１面当りの回数を算出することにより行なった。
スクを５００〜２０００ｒｐｍで回転させ、磁気ヘッド
を磁気ディスクから所定量の高さに浮上させ、磁気ヘッ
ドと磁気ディスクとの衝突により発生する振動を圧電セ
ンサで感知するのを磁気ディスク５０面につき行ない、
１面当りの回数を算出することにより行なった。
【００２８】また、ヘッド吸着試験は、磁気ディスク上
に磁気ヘッドを密着させて、３０℃、相対湿度８０％の
条件下で４８時間保持した後、磁気ディスクを回転する
時にかかるトルクをヘッド吸着力として測定し、そのト
ルクをヘッド荷重で除算してヘッド吸着係数を算出する
ことにより行なった。
に磁気ヘッドを密着させて、３０℃、相対湿度８０％の
条件下で４８時間保持した後、磁気ディスクを回転する
時にかかるトルクをヘッド吸着力として測定し、そのト
ルクをヘッド荷重で除算してヘッド吸着係数を算出する
ことにより行なった。
【００２９】実施例２ バイアススパッタリングの際の基板温度を３００℃とし
た以外は、実施例１と同様に試験した。なお、バイアス
スパッタリング後の基板表面粗さＲａは３２Åであっ
た。
た以外は、実施例１と同様に試験した。なお、バイアス
スパッタリング後の基板表面粗さＲａは３２Åであっ
た。
【００３０】従来例 テクスチャ加工が施された基板にバイアススパッタリン
グ処理を施すことなく、下地層としてのＣｒを形成した
以外は、実施例１と同様に試験した。なお、テクスチャ
加工が施された基板の表面を走査型トンネル顕微鏡で観
察した結果を図２に示す。以上により得られた結果を表
１に示す。
グ処理を施すことなく、下地層としてのＣｒを形成した
以外は、実施例１と同様に試験した。なお、テクスチャ
加工が施された基板の表面を走査型トンネル顕微鏡で観
察した結果を図２に示す。以上により得られた結果を表
１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】実施例１および２は、ヘッド浮上高さを
０．０４μｍに低下させても、平均突起物個数が１未満
で、耐吸着性も良好であり、また、電磁変換特性も従来
例のそれと同等程度である。一方、従来例は、耐吸着性
は極めて良好であるが、ヘッド浮上高さを０．０８μｍ
に増大させても、平均突起物個数が１を超える。
０．０４μｍに低下させても、平均突起物個数が１未満
で、耐吸着性も良好であり、また、電磁変換特性も従来
例のそれと同等程度である。一方、従来例は、耐吸着性
は極めて良好であるが、ヘッド浮上高さを０．０８μｍ
に増大させても、平均突起物個数が１を超える。
【００３３】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明方法に
よれば、磁気ヘッドの吸着現象を防止し得ると共に、ヘ
ッドヒットが極めて生じ難い磁気ディスクを製造するこ
とができる。
よれば、磁気ヘッドの吸着現象を防止し得ると共に、ヘ
ッドヒットが極めて生じ難い磁気ディスクを製造するこ
とができる。
【図１】実施例１におけるバイアススパッタリングした
後の基板の表面を走査型トンネル顕微鏡で観察した結果
である。
後の基板の表面を走査型トンネル顕微鏡で観察した結果
である。
【図２】従来例におけるテクスチャ加工が施された基板
の表面を走査型トンネル顕微鏡で観察した結果である。
の表面を走査型トンネル顕微鏡で観察した結果である。
Claims (2)
- 【請求項１】 粗面化処理された非磁性基板上に、下地
層とこの上に磁気記録層とを備えた磁気ディスクの製造
方法において、該基板の表面粗さＲａ（平均中心粗さ）
を３０〜１００Åとし、該基板を、不活性ガス雰囲気
中、該基板の電位がスパッタリング装置のチャンバーの
電位に対し負となるようにしてスパッタリングした後、
該下地層を成膜することを特徴とする磁気ディスクの製
造方法。 - 【請求項２】 スパッタリングの条件として、（１）非
磁性基板の電位をスパッタリング装置のチャンバーの電
位に対し５００〜１０００Ｖ負、（２）不活性ガス圧を
０．５〜８０ｍＴｏｒｒ、（３）ＤＣ投入電力を０．２
〜５Ｗ／ｃｍ2 とする請求項１に記載の磁気ディスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26796692A JPH0693476A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26796692A JPH0693476A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0693476A true JPH0693476A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=17452069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26796692A Pending JPH0693476A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693476A (ja) |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP26796692A patent/JPH0693476A/ja active Pending
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