JPH01182925A

JPH01182925A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH01182925A
Application number: JP377988A
Authority: JP
Inventors: Kenji Suzuki; 謙二鈴木; Takayuki Yagi; 隆行八木; Yuji Kasanuki; 有二笠貫; Rieko Shikame; 鹿目　理恵子
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1988-01-13
Filing date: 1988-01-13
Publication date: 1989-07-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、金属薄膜磁性層を有する磁気記録媒体の製造
方法に関する。

〔従来の技術〕

従来より、ハードディスクおよびフレキシブルディスク
として塗布型磁気記録媒体が広く使用されている。この
塗布型磁気記録媒体は、通常基体上に樹脂バインダー中
に分散された磁性体を含む塗布層を有して成るものであ
る。この媒体の表面に粗大突起が存在すると、再生ヘッ
ドとの接触不良が生じて再生信号が欠如するという現象
、いわゆるドロップアウトが発生する。そのドロップア
ウトを防止する目的で、磁気記録媒体の磁性層もしくは
保護層の表面を目の細かい研磨テープ等を用いて研磨し
、粗大突起を除去する工程、いわゆるバニッシュが行わ
れている。このバニッシュは、磁性層表面に直接性なっ
ても、磁性層にダメージを与えることは少ない。なぜな
らば、塗布型磁性層は、バインダー（有機ポリマー等）
、有機系潤滑剤などを含むことにより、バニッシュに耐
えつる程度の潤滑性を有するからである。

一方、近年記録密度の向上が可能な金属薄膜型磁気記録
媒体が注目されてきた。この記録媒体は、磁性金属の薄
膜を蒸着、スパッタリング等の方法で基体上に形成して
成るものである。これらの方法で形成された金属薄膜は
、従来の塗布型のものと異なり、潤滑性を付与するバイ
ンダーや潤滑剤は含有されていないので、摺動に極めて
弱い。したがフて、通常その磁性層の上には摺擦に対す
る耐久性に優れた保護層が積層されるのが一般的である
。

この金属薄膜型磁気記録媒体にも、従来の塗布型のもの
と同様に粗大突起が発生する場合がある。その発生原因
として、主に以下に述べる二点が挙げられる。

第１の原因は、基体表面°の欠陥である。特に、有機ポ
リマフフィルムを基体として用いてフレキシブルディス
クなどを製造する場合には、その有機ポリマーフィルム
形成用の溶融材料をフィルム形状に成形し、乾燥、固化
する工程において、製造装置等の構成部材との接触を避
けることができず、その結果その部材の表面に傷などの
欠陥が有ると、フィルムの表面にその欠陥が転写されて
しまうことが原因となる。また、そのフィルムに易滑性
を付与する目的で、フィルム形成用の溶融材料内にフィ
ラーを内填する、あるいはそのフィルムの表面に凹凸形
成用粒子を含有する溶液をコーティングするなどして、
そのフィルム表面に微細な凹凸を形成する場合は、上記
フィラーや溶液中の粒子の凝集を完全には避けられず、
その凝集粒がフィルムの粗大突起、すなわち基体表面の
欠陥の発生を誘発する。

第２の原因は、磁性層または保護層を蒸着、スパッタリ
ング等の方法で積層する際の不純物（ゴミ）の混入など
による磁性層または保護層の表面での粗大突起の発生で
ある。

この第２の原因は、各層の形成、積層における諸工程の
管理を徹底することによって、大幅に減少させることが
可能である。しかしながら、第１の原因、すなわち基体
表面の欠陥の発生を完全に防止することは、現状の技術
では困難である。したがって、金属薄膜型磁気記録媒体
の製造においても、従来の塗布型のものと同様にバニッ
シュの工程は欠かせないものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

金属薄膜型磁気記録媒体の製造でのバニッシュ工程の導
入に際しては、以下に述べるような問題点があった。

基体として通常用いられる有機ポリマーフィルムの表面
に対してバニッシュを行なって、その表面の粗大突起を
除去しようとすると、アルミナ等の研磨剤粉末に比べて
フィルムが極めて柔かく粘調であるため、良好な仕上り
面が得られず、フィルム表面が傷付いたり、研磨剤粉末
がフィルム表面にめり込んだりしてしまう。なお、この
ことは従来の塗布型磁気記録媒体も同様である。

また、磁性層は、先に述べたように摺動に極めて弱いた
め、その表面にバニッシュを行なうと、過度の研磨が行
なわれて磁性層の表面性が損なわれたり、種々の欠陥が
生じ易い。そこで、従来より磁性層の上に積層される保
護層の表面に対してバニッシュを行ない、粗大突起の問
題を解決しようとしていた。しかしながら、その保護層
に対するバニッシュ処理では、粗大突起部分の保護層が
削り取られ、磁性層が露出するという欠陥を生じ易い。

この露出部がヘッドにより摺擦されると、通常耐磨耗性
に劣る磁性層の磨耗粉が発生し、その磨耗粉が原因とな
って媒体全体を傷付けてしまう等の問題を引き起こして
しまう。

更には、バニッシュのラッピング部材と保護層との接触
状態を好適な状態に制御することも難しいので、粗大突
起の無い平滑面部分においても、保護層が削り取られて
磁性層が露出するということもあった。このことは前記
接触状態の制御が特に困難なフレキシブルディスクに対
するバニッシュにおいて顕著であった。この平滑面部分
における磁性層の露出を防止する目的で、硬度の高いバ
ニッシュ用ヘッドを用いたバニッシュ法も提案されてい
るが（ＴＣＬ研究実用化報告、第２８巻、第１Ｏ号、Ｐ
　１２１〜）、これは、先に述べた粗大突起部の除去に
より生じる磁性層の露出を解決できるものではない。

本発明は上記問題点に鑑み成されたものであり、その目
的は、効果的でかつ記録媒体にダメージを与えることの
ないバニッシュを行なうことによって、ドロップアウト
が無くかつ耐久性が十分である金属薄膜型磁気記録媒体
を製造できる方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者等は、先に述べたように、磁性層および保護層
における粗大突起の発生は、その積層の諸工程の管理を
徹底することにより大幅に減少させることが可能である
こと、ならびに基体上の粗大突起の発生を防止すること
は従来の技術においては困難であること、を考慮し上記
目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成
するに至った。

すなわち本発明は、基体上に金属薄膜を積層する工程を
含む金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法において、少な
くとも無機材料より成る中間層を前記基体上に積層する
工程と、該中間層の表面を平滑にする工程と、少なくと
も該中間層を介して前記基体上に前記金属薄膜を積層す
る工程とを含むことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒
体の製造方法である。

更に詳しくは、本発明は、通常は被研磨性の悪い材料よ
り成る非磁性基体上に、まず被研磨性が良好な無機材料
より成る中間層を積層し、次いでその中間層の表面をバ
ニッシュ等の方法により粗大突起を除去して平滑にし、
その平滑にした中間層の表面に金属薄膜およびその他の
層を積層することによって、再生ヘッドとの接触面がド
ロップアウトを発生しない程度に平滑である金属薄膜型
磁気記録媒体を製造する方法である。なお、本発明の方
法において、金属薄膜およびその他の層の積層の諸工程
の管理を徹底すれば、よりドロップアウトの発生を減少
させることができる。

第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の方法の工程の一態様
を概略的に示す部分断面図である。以下、本発明をこれ
らの図面を用いて詳細に説明する。

まず、第１図に示すように、非磁性基体ｌｌ上に無機材
料より成る中間層１３を積層する。この非磁性基体１１
上には、先に述べた原因により粗大突起１２が存在する
。

非磁性基体１１には、得ようとする記録媒体の種類およ
び用途などにより適宜選定すればよい。特に有機ポリマ
ーフィルムを用いる場合において本発明の示す効果がよ
り顕著となる。その有機ポリマーフィルムとしては例え
ばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アラミド
、ポリスルホン等のフィルムを挙げることができる。

中間層１３には、その上下に積層される層との密着性が
良く、被研磨性が良好であり、しかも記録媒体としての
磁気特性、柔軟性などに悪影響を与えないものを適宜選
定して用いればよい。被研磨性が特に優れた中間層１３
を形成しようとする場合は金属材料を用いることが好ま
しく、例えばＴｉ、Ｐ等を含んだＦｅ合金、黄銅系材料
組成物などを用いるとよい。また、表面が特に傷付きに
くい中間層１３を形成しようとする場合は無機酸化物系
材料を用いることが好ましく、例えば５ｉ０２、Ｃｏ３
Ｏ４、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２などを用いるとよい。また、
無機窒化物および無機ホウ化物系材料を用いても無機酸
化物材料と類似した性質を有する中間層１３を形成する
ことができる。

中間層１３の厚さは、粗大突起１２の高さよりも厚くす
ればよい。したがって、基体１１の表面状態に応じて中
間層１３の厚さを適宜選定すればよいが、通常５００Å
以上、望ましくはａＯＯÅ以上の厚である。また、中間
層１３は単独層に限られるものではなく、複数の中間層
を積層してもよい。例えばＡＩ膜を蒸着して成膜速度を
改善することもできる。

基体ｌｌ上に中間層１３を積層する方法には、中間層１
３の材料に応じて種々の成膜技術や積層技術から適宜選
択して用いればよく、例えばスパッタリング、真空蒸着
、イオンブレーティング、無電解メツキなどの方法を用
いることができる。

次に、第１図（ｂ）に示すように、中間層１３の表面を
平滑にする。その表面を平滑にする方法には、ラッピン
グテープまたはバニッシュ用ヘッドを用いる先に述べた
ようなバニッシュによって行なうことができる。例えば
、ラッピングテープを用いてバニッシュを行なう場合は
、第３図に示すような方法を用いることができる。この
方法は、基体上に中間層が積層されたディスク３１上を
ラッピングテープ３２でバニッシュしつつ、和紙製テー
プ３３によりてバニッシュによるカスを取り除く方法で
ある。このラッピングテープ３２および和紙製テープ３
３は、連続使用による各々の機能の低下を防止するため
に、図示した矢印の方向に徐々にずらしなからイ吏用す
る。なお、このラッピングテープ３２のグレードは＃１
００００〜＃１５０００程度であることが好ましい。

ただし、本発明における中間層の表面を平滑にする方法
は、上述したバニッシュによる方法に限定されるもので
はなく、中間層の材質等に応じて、その表面を平滑にす
ることのできる方法ならば、いずれの方法も用いること
ができる。

次に、第１図（Ｃ）に示すように、中間層１３上に金属
薄膜より成る磁性層１４を積層し、更にその磁性層１４
上に保護層１５を積層して本発明の方法による金属薄膜
型磁気記録媒体を得ることができる。

磁性層】４の材料および積層方法ならびに保護層１５の
材料および積層方法は、金属薄膜型磁気記録媒体の製造
において用い得る材料および方法ならば、どのようなも
のでも用いることができ、所望に応じて適宜選択すれば
良い。また、それらの積層方法における諸工程の管理を
徹底し、それら層に粗大突起が発生しないようにすれば
、より良好な記録媒体を得ることができる。

磁性層Ｉ４の材料には、例えばＦｅ、　Ｇｏ、　Ｎｉ等
の強磁性単体あるいはそれらの合金または化合物などを
用いることができ、その積層方法には、例えばメツキ、
真空蒸着、スパッタ等の方法を用いることができる。

保護層１５には、例えばＴｉ、　Ｖ　、　Ｃｒ、　Ｇｏ
、　Ｎｉ、Ｃｕ、　Ｚｎ、　Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｍｏ、　
Ｈｆ、　Ｔａ、　Ｗ　、　Ｐｂ、　ＡＩ等の金属、およ
びＳｉ、　Ｇｅ等の半金属、またはそれらの酸化物、窒
化物、炭化物、ホウ化物等を用いることができる。その
積層方法には、例えば真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング、ＣＶＤ法等の真空中における薄膜形
成法を用いることができ、保護層１５の膜質、膜厚の制
御性の点において有利である。

以上、本発明の詳細な説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えば基体１１の表裏両面に各々
中間層１３、磁性層１４を積層し、カールの発生を防止
することもできる。また、本発明でいう中間層上に金属
薄膜を積層することは、直接積層することのみを意味す
るのではなく、例えば磁性金属結晶の成長を制御する等
を目的とする下地層など何らかの層を介して積層する意
味も含む。また、用途によっては保護層を積層しなくと
もよい。

次に、以上説明した本発明の製造方法において、中間層
１３、磁性層１４および保護層１５などを積層すること
のできる装置の一例を説明する。

第２図は、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置の一例
を示す模式図である。この装置は、真空槽２１内の上部
にシールド２２に囲まれたマグネトロン２６およびＲＦ
主電源不図示）に接続されたターゲット２３を有し、か
つそのターゲット２３は冷水導入口２７より導入される
水によっで冷却される構成になっており、その下部はシ
ャッター２４を介して基板２５が設置される構成になフ
ており、かつガス導入口２８、ガス排出口２９が接続さ
れている。

この装置を用いて、所定の成膜条件において、本発明の
中間層１３、磁性層１４および保護層１５を成膜するこ
とができる。

第４図は、連続式スパッタ装置の一例を示す模式図であ
る。この装置は、テープ状の磁気記録媒体を製造するた
めのものである。この装置は、電源に接続された加熱ヒ
ーター４１を内蔵するキャン４６の表面の周囲に基材テ
ープ４４が接触するように、巻出コア４３、巻取コア４
８およびフリーロール４５、４７が備えられた構成にな
っており、最下部にはマスク４２と、ＲＦ主電源不図示
）に接続されたターゲット４９が配設されている。なお
、この装置全体は、不図示の真空槽内に格納されている
。

この装置を用いて、所定の成膜条件において、本発明の
中間層１３、磁性層１４および保護層１５を成膜し、テ
ープ状の磁気記録媒体を製造することができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。

実施例１まず、Ｔｇが約４００℃であり、ヤング率が約６００に
ｇ／１ＩＩＩ１１２であり、その表面がＲｍａｘ　３０
０人程度の微細な突起が密度約１０７個／ｍｍ２で発生
しており、かつ厚みが約５０鱗のポリイミドフィルム（
基体）を用意した。このポリイミドフィルム（基体）を
、第２図に示した装置内の所定の位置に設置した。

次に、ターゲット２３としてガラス状５ｉ０２板を用い
、スパッタガスとしてＡｒガスを用い、ＲＦパワーを０
．５ｋｗとし、圧力０．５ｐａ　、室温とし、酸素ガス
をガス導入口２８から導入しつつ、ポリイミドフィルム
（基体２５）上に膜厚が２０００人のＳ　ｉ０２膜（中
間層）をスパッタ法により成膜した。その際の成膜速度
は２５０人／分であった。なお、上述の酸素ガスの導入
は、Ｓｉから０が遊離して不飽和の酸化膜となるのを防
止し、中間層の被研磨性を向上させるために導入したも
のである。

次に、ポリイミドフィルム（基体２５）を裏返して、上
述と同様にしてその裏側にも膜厚が２０００人の５ｉ０
２膜（中間層）を成膜し、カールを防止した。

次に、以上のようにして両面に中間層を成膜したフィル
ムを直径３．５インチの円形状に打ち抜いてディスクを
形成した。

次に、その打ち抜いたディスクの両面を、第３図に示し
た装置を用いてバニッシュした。その際のラッピングテ
ープ３２のグレードは＃Ｉ２０００とし、イスクの回転
数は９０＋）ｒｐｍとし、バニッシュ時間は１０秒とし
た。

次に、第２図に示した装置を用いて、ディスク両面に膜
厚が０．４鱗のＣｏＣｒ垂直磁化膜（１性層）を積層し
た。その際のターゲットにはＣｒを２０重量％含むＣ０
Ｃｒ合金を用い、ＲＦパワーは０．５ｋｗとし、Ａｒ圧
は０．５ｐａとした。また、その成膜速度は８００人／
分であった。

以上のようにしてＭ層したＣｏＣｒ垂直磁化膜の磁気特
性を測定したところ、　４πＭｓ警４００　ｅｗｕ／ｃ
ｃ。

Ｈｃ”６００エルステツドであった。

次に、そのＣｏＣｒ［直磁化膜が積層されたディスクの
両面に、第２図に示した装置を用いて、膜厚が０．０２
ｐのＣＯ酸化膜（保護層）を積層した。その際のターゲ
ットには金属Ｃｏを用い、ＲＦパワーは０．２ｋｗとし
、酸素ガスを基板に吹き付けつつ反応性スパッタを行な
った。Ａｒ圧は０．３０ｐａとした。また、その成膜速
度は１５０λ／分であった。

次に、そのＧｏ酸化膜が積層されたディスクの両面にパ
ーフロロポリエーテル（商品名タライトツクス）を塗膜
厚が２０人になるよう塗布し、フレキシブルディスクを
完成した。

以上のようにして本発明の方法により得たフレキシブル
ディスクを３．５インチフロッピーディスクドライバー
に設置して、そのヘッド出力、ドロップアウトおよび耐
久性（耐久パス）について試験した。その結果を表−１
に示す。

なお、ヘッド出力の試験における線記録密度は４０ｋＢ
ＰＩとし、トラック密度は１３５　ＴＰＩとした。

また、ドロップアウトは上記記録密度で記録再生した際
のエラーを、バースト族りについてのみカウントした。

また、耐久性はヘッド出力が３　ｄＢｇちるまでのヘッ
ド摺動回転数（耐久バス）により評価した。　表−１に
示す結果から明らかなように、本実施例の方法により得
たフレキシブルディスクは、ドロップアウトが少なくヘ
ッド出力が良好で、かつ耐久性に優れたものであること
が確認できた。

実施例２中間層形成工程におけるターゲットを５ｉ０２の替わり
にＣＯ３Ｏ４焼結体を用い、膜厚が０．２ｕｌのＣＯ３
Ｏ４膜（中間層）を成膜速度２００人／分で成膜した以
外は実施例１と同様にしてフレキシブルディスクを作製
した。

そのフレキシブルディスクのヘッド出力、ドロップアウ
トおよび耐久性（耐久パス）について実施例１と同様に
して試験した。その結果を表−１に示す。

表−１に示す結果から明らかなように、本実施例の方法
により得たフレキシブルディスクは、ドロップアウトが
少なくヘッド出力が良好で、かつ耐久性に優れたもので
あることが確認できた。

実施例３中間層形成工程におけるターゲットをＳｉＯ□の替わり
にＴｉを用い、膜厚が０．２鱗のＴｉ膜（中間層）を成
膜速度７００人／分で成膜した以外は実施例１と同様に
してフレキシブルディスクを作製した。

そのフレキシブルディスクのヘッド出力、ドロップアウ
トおよび耐久性（耐久バス）について実施例１と同様に
して試験した。その結果を表−１に示す。

実施例４基体として、ポリイミドフィルムの替わりに厚さが４０
−のＰＥＴフィルムを用い、磁性層としてＣｏＣｒ垂直
磁化膜の替わりに膜厚が０．３μのＣｏ単体の不飽和酸
化膜を形成した以外は実施例１と同様にしてフレキシブ
ルディスクを作製した。なお、そのＣｏ単体の不飽和酸
化膜の形成条件は公知のものを用いた。すなわちターゲ
ットとしてＧｏを用い、適量の酸素ガスを導入しながら
スパッタリングすることにより形成した。

なお、不飽和酸化膜の磁気特性を測定したところ、　４
ｙｒＭｓ警４８０　ｅｗｕ／ｃｃ、　Ｈｃ　”８５０エ
ルステツドであった。

そのフレキシブルディスクのヘッド出力、ドロップアウ
トおよび耐久性（耐久バス）について実施例１と同様に
して試験した。その結果を表−■に示す。

実施例５基体として、ポリイミドフィルムの替わりに厚さが４０
μのＰＥＴフィルムを用いた以外は実施例３と同様にし
てフレキシブルディスクを作製した。

実施例６厚さが４０鱗のＰＥＴフィルムを第２図に示した装置に
設置し、その両面に膜厚が０．２閂のＳｉＯ□膜（中間
層）をスパッタ法により成膜した。その際の成膜条件は
、実施例１と同様にして行なった。

次に、実施例１と同様にして３．５インチのディスクを
形成し、そのディスクにバニッシュを行なった。

次に、第２図に示した装置を用いて、ディスク両面に膜
厚が０．５−のＦｅＮｉ膜（パーマロイ）（ｆＩＩｉ性
層）を積層した。その際のターゲットにはＦｅ　８０％
Ｎｉ　２０％組成の合金ターゲットを用い、ＲＦパワー
は１．０ｋｗとし、Ａｒ圧は０．６ｐａとした。

次に、第２図に示した装置を用いて、ＦｅＮｉ層が積層
されたディスクの両面に膜厚が０．２μのＣｏＣｒ垂直
磁化膜を積層した。その際の成膜条件は実施例１と同様
にした。

次に、実施例１と同様にして保護層、パーフロロポリエ
ーテルを積層、塗布し、フレキシブルディスクを完成し
た。

実施例７実施例１で用いたものと同じポリイミドフィルムの両面
に、第２図に示した装置を用いて、膜厚が１５００人の
５ｉ０２膜（中間層）を成膜した。その際の成膜条件は
実施例１と同様にした。

次に、第２図に示した装置を用いて、ディスク両面に膜
厚が２０００人のＣｒ膜（下地層）を積層した。その際
のターゲットには金属Ｃｒターゲットを用い、ＲＦパワ
ーは１．０ｋｗとし、Ａｒ圧は０．５ｐａとした。また
、その成膜速度は８００人／分であった。

なお、この下地層は、磁性層の結晶成長を改善−するた
めに設けたものである。

次に、第２図に示した装置を用いて、ディスク両面に膜
厚が５００人のＣｏＮｉＣｒ層（磁性層）を積層した。

その際のターゲットには（：ｏＮｉＣｒの（組成比（：
ｏ　８０　　Ｎｉ　１３　　Ｃｒ　７）合金を用い、Ｒ
Ｆパワーは０．５ｋｗとし、Ａｒ圧は０．５ｐａとした
。

以上のようにして積層したＣｏＮｉＣｒ層の磁気特性を
測定したところ、Ｈ″ｃ＝　７５０工ルステツド程度の
面内磁化膜であフだ。

次に、そのＣｏＮｉＣｒ層が積層されたディスクの両面
に、第２図に示した装置を用いて、膜厚が２００人のＣ
ｏ３０１層（保護層）を積層した。その際のターゲット
には金属Ｇｏを用い、反応性スパッタリングとし、ＲＦ
パワーは０．５ｋｗとし、Ａ「圧は０．４ｐａとした。

次に、実施例１と同様にしてパーフロロポリエーテルを
塗布し、フレキシブルディスクを完成した。　そのフレ
キシブルディスクのヘッド出力、ドロップアウトおよび
耐久性（耐久パス）について実施例１と同様にして試験
した。その結果を表−１に示す。

比較例１中間層を形成せず、バニッシュをポリイミドフィルム（
基体）に直接行なった以外は実施例１と全く同様にして
フレキシブルディスクを作製し、そのヘッド出力、ドロ
ップアウトおよび耐久性（耐久パス）について実施例１
と同様にして試験した。その結果を表−１に示す。

表−１に示す結果から明らかなように、本比較例の方法
により得たフレキシブルディスクは、ドロップアウトが
多く、ヘッド出力が劣り、かつ耐久性が不十分なもので
あった。

なお、本比較例において、基体にバニッシュを行なった
直後のその基体の表面を、顕微鏡で観察したところ、バ
ニッシュによる多数のスリキズと削り粉の付着が確認で
きた。したがって、このような基体（ポリイミドフィル
ム）の被研磨性が悪いということが原因で、本比較例に
よるフレキシブルディスクの諸特性が低下していると推
測できる。

比較例２中間層を形成せず、バニッシュをポリイミドフィルム（
基体）に直接行なった以外は実施例３と全く同様にして
フレキシブルディスクを作製し、そのヘッド出力、ドロ
ップアウトおよび耐久性（耐久パス）について実施例１
と同様にして試験した。その結果を表−１に示す。

その結果等は、比較例１と同様であった。

比較例３中間層を形成せず、バニッシュをＰＥＴフィルム（基体
）に直接行なった以外は実施例４と全く同様にしてフレ
キシブルディスクを作製し、そのヘッド出力、ドロップ
アウトおよび耐久性（耐久パス）について実施例１と同
様にして試験した。

その結果を表−１に示す。

その結果等は、比較例１と同様であった。

比較例４中間層にバニッシュを行わず、その替わりに保護層にバ
ニッシュを行なった以外は実施例１と全く同様にしてフ
レキシブルディスクを作製し、そのヘッド出力、ドロッ
プアウトおよび耐久性（耐久パス）について実施例１と
同様にして試験した。その結果を表−１に示す。

表−１に示す結果から明らかなように、本比較例により
得たフレキシブルディスクは、ドロップアウト、ヘッド
出力については比較例１〜３よりも向上しているが、耐
久性についてはまだ十分ではない。この原因は、保護層
上面をバニッシュすることにより、粗大突起部の除去部
分の保護層が脱落し、磁性層が露出すること、またディ
スク表面全体に浅いダメージが多量に発生することによ
ると推測される。

比較例５中間層にバニッシュを行わず、その替わりに保護層にバ
ニッシュを行なった以外は実施例７と全く同様にしてフ
レキシブルディスクを作製し、そのヘッド出力、ドロッ
プアウトおよび耐久性（耐久バス）について実施例１と
同様にして試験した。その結果を表−１に示す。

表−１に示す結果から明らかなように、本比較例により
得たフレキシブルディスクは、°保護層を直接バニッシ
ュしたため媒体表面がダメージを受けへラドタッチが良
好に得られないので、ヘッド出力において十分なもので
ない。

実施例８厚さが１．２５μのポリイミドフィルムテープ上に、第
４図に示した装置を用いて、膜厚が０．１ｕｌの５ｉ０
２膜（中間層）を成膜した。その際のターゲット４９に
は５ｉ０２ガラスを用い、ＲＦパワー０．５人ｗ、　Ａ
ｒ圧０．５ｐａ酸素ガス導入とした。

次に、５ｉ０２膜が成膜されたそのテープをｌ／２イン
チ幅に裁断した。

次に、第３図に示した装置におけるラッピングテープ３
２を取り外し、その替わりに上記のようにして得た１７
２インチ幅のテープ３２を設置し、同時にフレキシブル
ディスク３１を取り外し、その替わりにディスク形状に
打ち抜いたラッピングテープ３２を配置した。このラッ
ピングシート３２を９００ｒｐｍにて回転し、テープ３
２を２ｆｆｌＺ分の速度で送りつつバニッシュを行なっ
た。その際のラッピングシートのグレードは＃１５００
０　、厚みは４０ｐのものを用いた。

次に、第４図に示した装置を用いて、バニッシュ後の５
ｉ０２膜（中間層）上に膜厚が０．３麟のＣｏＣｒ膜（
磁性層−）を連続成膜した。その際のターゲット４９に
はＧｏｅｒ合金を用い、キャン４６の表面温度は約１５
０℃とし、テープの搬送速度は６　ｃｍ／分とした。

以上のようにして成膜したＧｏ（：ｒ膜の磁気特性を測
定したところ、　４ｙｒＭｓ”４００　ｅｗｕ／ｃｃ％
Ｈｃ　警１０００エルステッドであ）た。

次に、そのＣｏＣｒ膜（磁性層）の上に、第４図に示し
た装置を用いて、膜厚が１００人のＣｏ３Ｏ４膜（保護
層）を成膜した。その際のターゲット４９にはＣｏ３Ｏ
４焼結体を用い、不図示のガス導入系から若干量の０２
ガスを導入しつつ行なった。得られた膜はＧｏ３０４回
折ピークが明瞭であることが確認された。

次に、その（：ｏ３０４膜が積層されたテープの両面に
パーフロロポリエーテルを乾燥塗膜厚が７人になるよう
デイツプコーターにより塗布し、磁気テープを完成した
。

以上のようにして本発明の方法により得た磁気テープを
家庭用１７２インチＶＨＳ方式ＶＴＲに設置して、その
ヘッド出力、ドロップアウトおよび耐久性（耐久バス）
について試験した。その結果を表−１に示す。

なお、ヘッド出力の試験においては市販のＧｏ−γＦｅ
２Ｏ３テープをＯｄｅとし、ドロップアウトは１６ｄＢ
を越える出力低下が１５μｓ以上継続したときをドロッ
プアウトとして定義した。また、耐久性は繰り返し走行
耐久を行ない、初期出力に対して３ｄＢ落ちるまでの耐
久バス回数とした。

比較例６中間層を形成せず、バニッシュをポリイミドフィルムテ
ープ（基体）に直接性ない、　１７２インチ幅の裁断工
程を保護層形成後に行なった以外は実施例８と同様にし
て磁気テープを作製し、そのヘッド出力、ドロップアウ
トおよび耐久性（耐久パス）について実施例８と同様に
して試験した。

その結果を表−１に示す。

表−１に示す結果から明らかなように、本比較例により
得た磁気テープは、ドロップアウトが多く、ヘッド出力
が劣り、かつ耐久性が不十分なものであった。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の方法によれば、被研磨性
が良好な中間層を基体上に積層し、バニッシュ等を行う
ので、基体表面での発生が避けられない粗大突起に基づ
く欠陥を解消し、かつ良好な積層状態の保護層を有する
金属薄膜型磁気記録媒体を製造することができる。

そのような磁気記録媒体は、ヘッド出力、耐久性などに
優れ、ドロップアウトの少ないものである。したがって
、例えばオーディオ用、ＤＡＴ用、コンピューターメモ
リー用、ＶＴＲ用など様々な用途に対して有用な磁気記
録媒体である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の方法の工程の一態様を
概略的に示す部分断面図、第２図および第４図は本発明
の方法に用いることのできる装置を例示する模式図、第
３図はバニッシュの方法を例示する図である。１１・・・基体１２・・・粗大突起１３−・・中間層１４−・・磁性層１５−・・保護層２１−・真空槽２３−・ターゲット２５−・・基板３１−・・フレキシブルディスク、ラッピングテープ３
２−・・ラッピングテープ、フィルムテープ３３−・・
和紙製テープ４４−・・基材フィルム４６−・・キャン４９−・・ターゲット

Claims

【特許請求の範囲】

基体上に金属薄膜を積層する工程を含む金属薄膜型磁気
記録媒体の製造方法において、少なくとも無機材料より
成る中間層を前記基体上に積層する工程と、該中間層の
表面を平滑にする工程と、少なくとも該中間層を介して
前記基体上に前記金属薄膜を積層する工程とを含むこと
を特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法。