JPH069490Y2 - 半導体ウエハのプラズマアツシング装置 - Google Patents
半導体ウエハのプラズマアツシング装置Info
- Publication number
- JPH069490Y2 JPH069490Y2 JP1321787U JP1321787U JPH069490Y2 JP H069490 Y2 JPH069490 Y2 JP H069490Y2 JP 1321787 U JP1321787 U JP 1321787U JP 1321787 U JP1321787 U JP 1321787U JP H069490 Y2 JPH069490 Y2 JP H069490Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- chamber
- gas supply
- gas
- external pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体フォトリソグラフィ工程において、半導
体ウェハ（以下ウェハと略す）上のフォトレジスト（以
下レジストと略す）を剥離するバッチ処理型のプラズマ
アッシング装置、特にウェハを収容して処理するチャン
バの構造に関する。
体ウェハ（以下ウェハと略す）上のフォトレジスト（以
下レジストと略す）を剥離するバッチ処理型のプラズマ
アッシング装置、特にウェハを収容して処理するチャン
バの構造に関する。
従来、この種のプラズマアッシング装置は、ガス供給部
において、チャンバ内でのガスの導入の均一化を図るた
めに多数の孔を通してチャンバに導入しており、しかも
その孔径をガス供給用外部配管の接続部に近いほど径を
小さくし、接続部から離れるに従って孔径を大きくなる
ように配置していた。一方、チャンバの排気部側では排
気用の外部配管との接続部位置に関係なく、同一径の排
気用孔を複数個配置してチャンバ内を排気する構造とな
っていた。
において、チャンバ内でのガスの導入の均一化を図るた
めに多数の孔を通してチャンバに導入しており、しかも
その孔径をガス供給用外部配管の接続部に近いほど径を
小さくし、接続部から離れるに従って孔径を大きくなる
ように配置していた。一方、チャンバの排気部側では排
気用の外部配管との接続部位置に関係なく、同一径の排
気用孔を複数個配置してチャンバ内を排気する構造とな
っていた。
ところで、上述した従来のプラズマアッシング装置で
は、ガス供給部のガス導入用孔の配置がチャンバへのガ
ス導入を均一化するようになっているのに対して、排気
部の排気用孔の径が全て等しく配置されているために、
排気圧の高い排気用の外部配管接続部に近いほど単位時
間当りの排気量が多く、排気圧の低い外部配管接続部に
遠いほど単位時間当りの排気量が少なくなり、チャンバ
内を均一に排気することは不可能であった。したがっ
て、チャンバ内位置によるレジスト剥離むらまたは、同
一ウェハ上でのレジスト剥離むらを生じるという欠点が
あった。
は、ガス供給部のガス導入用孔の配置がチャンバへのガ
ス導入を均一化するようになっているのに対して、排気
部の排気用孔の径が全て等しく配置されているために、
排気圧の高い排気用の外部配管接続部に近いほど単位時
間当りの排気量が多く、排気圧の低い外部配管接続部に
遠いほど単位時間当りの排気量が少なくなり、チャンバ
内を均一に排気することは不可能であった。したがっ
て、チャンバ内位置によるレジスト剥離むらまたは、同
一ウェハ上でのレジスト剥離むらを生じるという欠点が
あった。
本案の目的は上記問題点を解消したプラズマアッシング
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
上述した従来のプラズマアッシング装置に対し、本考案
はチャンバに、従来のガス供給部の構造に加えて排気用
の外部配管との接続部に近いほど排気用の孔径を小さく
し、接続部から遠ざかるほど排気用の外径を大きくした
複数の排気用孔を有する排気部を設置するという独創的
内容を有する。
はチャンバに、従来のガス供給部の構造に加えて排気用
の外部配管との接続部に近いほど排気用の孔径を小さく
し、接続部から遠ざかるほど排気用の外径を大きくした
複数の排気用孔を有する排気部を設置するという独創的
内容を有する。
本案は半導体ウェハをバッチ処理するチャンバの胴部に
ガス供給用外部配管が接続されたガス供給部と、排気用
外部配管が接続されたガス排気部とを備えた半導体ウェ
ハのバッチ処理型プラズマアッシング装置において、前
記ガス供給部およびガス排気部に、それぞれチャンバ内
に連通する多数の孔を設け、各孔の孔径を前記ガス供給
用外部配管又は排気用外部配管の接続部からの距離に比
例して拡径したことを特徴とする半導体ウェハのプラズ
マアッシング装置である。
ガス供給用外部配管が接続されたガス供給部と、排気用
外部配管が接続されたガス排気部とを備えた半導体ウェ
ハのバッチ処理型プラズマアッシング装置において、前
記ガス供給部およびガス排気部に、それぞれチャンバ内
に連通する多数の孔を設け、各孔の孔径を前記ガス供給
用外部配管又は排気用外部配管の接続部からの距離に比
例して拡径したことを特徴とする半導体ウェハのプラズ
マアッシング装置である。
次に、本考案について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図は本考案の第１の実施例を示す図である。
第１図(a)はチャンバの側面図、(b)は正面図、(c)は排
気用孔またはガス導入用孔の配置図である。
気用孔またはガス導入用孔の配置図である。
第１図において、１はガス供給用外部配管２とチャンバ
７内に開口するガス導入用孔３とから構成されたガス供
給部である。４は排気用外部配管５と、チャンバ７内に
開口する排気用孔６とから構成された排気部である。チ
ャンバ７は石英製で、胴部の対向面に前記ガス供給部１
と排気部４とを設置したものである。８はチャンバ７を
外気と隔離し、密閉するドアであり、９はシール材であ
る。10は高周波発振器、11は高周波発振器10からの高周
波電力をチャンバ７に印加する電極で、チャンバ７の外
部に設置されている。
７内に開口するガス導入用孔３とから構成されたガス供
給部である。４は排気用外部配管５と、チャンバ７内に
開口する排気用孔６とから構成された排気部である。チ
ャンバ７は石英製で、胴部の対向面に前記ガス供給部１
と排気部４とを設置したものである。８はチャンバ７を
外気と隔離し、密閉するドアであり、９はシール材であ
る。10は高周波発振器、11は高周波発振器10からの高周
波電力をチャンバ７に印加する電極で、チャンバ７の外
部に設置されている。
実施例において、処理が開始されると、ドア８およびシ
ール材９により外気と隔離・密閉されたチャンバ７内
が、排気部４の排気用外部配管５、排気用孔６を通して
排気される。チャンバ７内がある真空度に達すると、ガ
ス供給部１のガス供給用外部配管２からガスが供給さ
れ、ガス導入用孔３を通してガスがチャンバ７内に導入
される。このとき、ガス圧の高いガス供給用外部配管２
の接続部付近ではガス導入用孔３の径が小さく、ガス圧
の低い接続部から離れた位置の孔径は大きくなっている
ため、チャンバ７内に均一にガス導入が行われる。同時
に排気圧の高い排気用外部配管５の接続部付近の排気用
孔６の径が小さく、排気圧の高い接続部から離れた位置
の外孔は大きくなっているため、チャンバ７内が均一に
排気される。ガス導入によってチャンバ７内がある真空
度に達すると、高周波発振器10および電極11によってチ
ャンバ７に高周波電力が印加されて、ガスがプラズマと
なり、レジスト剥離が行われる。
ール材９により外気と隔離・密閉されたチャンバ７内
が、排気部４の排気用外部配管５、排気用孔６を通して
排気される。チャンバ７内がある真空度に達すると、ガ
ス供給部１のガス供給用外部配管２からガスが供給さ
れ、ガス導入用孔３を通してガスがチャンバ７内に導入
される。このとき、ガス圧の高いガス供給用外部配管２
の接続部付近ではガス導入用孔３の径が小さく、ガス圧
の低い接続部から離れた位置の孔径は大きくなっている
ため、チャンバ７内に均一にガス導入が行われる。同時
に排気圧の高い排気用外部配管５の接続部付近の排気用
孔６の径が小さく、排気圧の高い接続部から離れた位置
の外孔は大きくなっているため、チャンバ７内が均一に
排気される。ガス導入によってチャンバ７内がある真空
度に達すると、高周波発振器10および電極11によってチ
ャンバ７に高周波電力が印加されて、ガスがプラズマと
なり、レジスト剥離が行われる。
（実施例２） 第２図は本考案の第２の実施例を示す図である。第２図
(a)は側面図、(b)は正面図、(c)は排気用孔またはガス
導入用孔の配置図である。第１図と同一構成部分には同
一番号を付して説明を省略する。本実施例においてもチ
ャンバ７内に開口するガス導入用孔３及び排気用孔の孔
径はそれぞれの外部配管の接続部からの距離に比例して
拡径されているのはいうまでもない。
(a)は側面図、(b)は正面図、(c)は排気用孔またはガス
導入用孔の配置図である。第１図と同一構成部分には同
一番号を付して説明を省略する。本実施例においてもチ
ャンバ７内に開口するガス導入用孔３及び排気用孔の孔
径はそれぞれの外部配管の接続部からの距離に比例して
拡径されているのはいうまでもない。
この実施例では、ガス供給部１はチャンバ７の上面と下
面とに設置され、排気部４はチャンバ７の左面と右面に
各々対向して設置されているため、チャンバ７内のガス
導入および排気がより均一になり、チャンバ７内位置に
よる剥離をより均一にできる利点がある。
面とに設置され、排気部４はチャンバ７の左面と右面に
各々対向して設置されているため、チャンバ７内のガス
導入および排気がより均一になり、チャンバ７内位置に
よる剥離をより均一にできる利点がある。
以上のように本案は、ガスの供給側、排気側のいずれに
ついても、各々チャンバに連通する孔の径を外部配管の
接続部からの距離に比例して拡径したため、チャンバ全
体に渡って均一にガス導入および排気が行え、チャンバ
内位置による剥離むらを除去できる効果がある。
ついても、各々チャンバに連通する孔の径を外部配管の
接続部からの距離に比例して拡径したため、チャンバ全
体に渡って均一にガス導入および排気が行え、チャンバ
内位置による剥離むらを除去できる効果がある。
第１図は本考案の第１の実施例、第２図は第２の実施例
を示すもので、第１図及び第２図の(a)は側面図、(b)は
正面図、(c)は排気用孔またはガス導入用孔の配置図で
ある。 １……ガス供給部、２……ガス供給用外部配管 ３……ガス導入用孔、４……排気部 ５……排気用外部配管、６……排気用孔 ７……チャンバ、８……ドア ９……シール材、10……高周波発振器 11……電極
を示すもので、第１図及び第２図の(a)は側面図、(b)は
正面図、(c)は排気用孔またはガス導入用孔の配置図で
ある。 １……ガス供給部、２……ガス供給用外部配管 ３……ガス導入用孔、４……排気部 ５……排気用外部配管、６……排気用孔 ７……チャンバ、８……ドア ９……シール材、10……高周波発振器 11……電極
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハをバッチ処理するチャンバの
胴部にガス供給用外部配管が接続されたガス供給部と、
排気用外部配管が接続されたガス排気部とを備えた半導
体ウェハのバッチ処理型プラズマアッシング装置におい
て、前記ガス供給部およびガス排気部に、それぞれチャ
ンバ内に連通する多数の孔を設け、各孔の孔径を前記ガ
ス供給用外部配管又は排気用外部配管の接続部からの距
離に比例して拡径したことを特徴とする半導体ウェハの
プラズマアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321787U JPH069490Y2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 半導体ウエハのプラズマアツシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321787U JPH069490Y2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 半導体ウエハのプラズマアツシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63121437U JPS63121437U (ja) | 1988-08-05 |
| JPH069490Y2 true JPH069490Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=30802070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321787U Expired - Lifetime JPH069490Y2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 半導体ウエハのプラズマアツシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069490Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-31 JP JP1321787U patent/JPH069490Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63121437U (ja) | 1988-08-05 |
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