JPH069503Y2 - 半導体素子製造装置 - Google Patents
半導体素子製造装置Info
- Publication number
- JPH069503Y2 JPH069503Y2 JP1987049289U JP4928987U JPH069503Y2 JP H069503 Y2 JPH069503 Y2 JP H069503Y2 JP 1987049289 U JP1987049289 U JP 1987049289U JP 4928987 U JP4928987 U JP 4928987U JP H069503 Y2 JPH069503 Y2 JP H069503Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- temperature
- furnace core
- core tube
- reaction
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Regulation And Control Of Combustion (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体素子製造装置において、 高温に加熱した炉芯管にウェーハを挿入し、原料ガスを
導入してウェーハの熱処理を行う装置に関し、特にH2−
O2ガス外部燃焼装置に関する。
導入してウェーハの熱処理を行う装置に関し、特にH2−
O2ガス外部燃焼装置に関する。
従来この種の外部燃焼装置はヒーターで加熱された燃焼
容器内にH2ガスO2ガスを導入し、着火用電極を用いてH2
ガスとO2ガスの反応（燃焼）させ、その結果生ずる生成
ガス（H2O）を炉芯管に導入する構造となっていた。
容器内にH2ガスO2ガスを導入し、着火用電極を用いてH2
ガスとO2ガスの反応（燃焼）させ、その結果生ずる生成
ガス（H2O）を炉芯管に導入する構造となっていた。
上述した従来の外部燃焼装置はH2ガスとO2ガスの反応に
よってできるガスを直接炉芯管内に導入する構造となっ
ているので、大流量のH2ガスO2ガスの反応（燃焼）行う
場合等には発生する反応熱量が大きいため外部燃焼装置
より流出する生成ガスは急激に加熱され、高温の状態で
炉芯管に導入される。又反応が終了した場合急激に温度
が降下するという状況になる。このように反応が起って
いる場合と反応が終了した場合に炉芯管に導入されるガ
スの温度が急激に変化する構造となっていること、又反
応中の生成ガスが高温になる構造となっているのでウェ
ーハ，炉芯管，ボートがダメージを受けることや、燃焼
室より炉芯管迄の配管材，配管継手等の気密性不良，耐
久性不良等という欠点がある。
よってできるガスを直接炉芯管内に導入する構造となっ
ているので、大流量のH2ガスO2ガスの反応（燃焼）行う
場合等には発生する反応熱量が大きいため外部燃焼装置
より流出する生成ガスは急激に加熱され、高温の状態で
炉芯管に導入される。又反応が終了した場合急激に温度
が降下するという状況になる。このように反応が起って
いる場合と反応が終了した場合に炉芯管に導入されるガ
スの温度が急激に変化する構造となっていること、又反
応中の生成ガスが高温になる構造となっているのでウェ
ーハ，炉芯管，ボートがダメージを受けることや、燃焼
室より炉芯管迄の配管材，配管継手等の気密性不良，耐
久性不良等という欠点がある。
本考案の外部燃焼装置は前述の問題点を解決するため燃
焼容器内で発生した熱で高温に加熱された生成ガスを冷
却するために外面に冷却フィンを取り付けた冷却容器
と、冷却容器を空冷（空気で冷却）するための送風機及
び加熱された空気を再度冷却するための冷却器，冷却容
器出口部に取り付けて温度を検知するための温度センサ
ー，設定した温度と温度センサーにより検知された温度
により送風機の回転数を制御するためのコントローラ及
び燃焼容器等を有している。
焼容器内で発生した熱で高温に加熱された生成ガスを冷
却するために外面に冷却フィンを取り付けた冷却容器
と、冷却容器を空冷（空気で冷却）するための送風機及
び加熱された空気を再度冷却するための冷却器，冷却容
器出口部に取り付けて温度を検知するための温度センサ
ー，設定した温度と温度センサーにより検知された温度
により送風機の回転数を制御するためのコントローラ及
び燃焼容器等を有している。
次に本考案について図面を参照して説明する。
第１図は本考案の一実施例の縦断面図である。１０は燃
焼容器であり、H2導入管９より導入されるH2ガスとO2導
入管７より導入されるO2ガスが内部で混合し、着火用電
極８により発生するアークで反応が起る。H2ガスとO2ガ
スの反応により生じた生成ガスは次に冷却容器５に流入
し、冷却容器５を通過する途中で冷却され、炉芯管１５
に導入される。
焼容器であり、H2導入管９より導入されるH2ガスとO2導
入管７より導入されるO2ガスが内部で混合し、着火用電
極８により発生するアークで反応が起る。H2ガスとO2ガ
スの反応により生じた生成ガスは次に冷却容器５に流入
し、冷却容器５を通過する途中で冷却され、炉芯管１５
に導入される。
反応により生成されたガス温度は冷却容器後部に取り付
けた温度センサー３で感知し、コントローラー２で設定
した温度以上の場合、送風機１が作動する様になってい
る。
けた温度センサー３で感知し、コントローラー２で設定
した温度以上の場合、送風機１が作動する様になってい
る。
又設定温度と温度センサー３により測定される温度との
偏差量に応じ、送風機１の回転数を変化させることによ
る送風量の変化をもって、冷却能力変更を行い冷却容器
内の生成ガスの急激な温度上昇を防止し、コントローラ
ーで設定した温度に制御するような構造となっている。
偏差量に応じ、送風機１の回転数を変化させることによ
る送風量の変化をもって、冷却能力変更を行い冷却容器
内の生成ガスの急激な温度上昇を防止し、コントローラ
ーで設定した温度に制御するような構造となっている。
以上説明したように本考案は燃焼容器で発生する熱で加
熱された生成ガスは、冷却容器で設定された温度迄冷却
されて炉芯管に導入される構造となっていることにより
炉芯管内に流入するガスの温度はH2ガスとO2ガス反応の
開始時終了時においても急激な温度の変化もなく、かつ
反応中でも温度の上昇もおさえられるため、 ウェーハ，炉芯管，治工具等のダメージを防止し、各継
手の気密性，耐久性が上昇する等安全性向上，装置の安
定稼動，製品の歩留上昇等が期待できる効果がある。
熱された生成ガスは、冷却容器で設定された温度迄冷却
されて炉芯管に導入される構造となっていることにより
炉芯管内に流入するガスの温度はH2ガスとO2ガス反応の
開始時終了時においても急激な温度の変化もなく、かつ
反応中でも温度の上昇もおさえられるため、 ウェーハ，炉芯管，治工具等のダメージを防止し、各継
手の気密性，耐久性が上昇する等安全性向上，装置の安
定稼動，製品の歩留上昇等が期待できる効果がある。
第１図は本考案のH2−H2外部燃焼装置の縦断面図、第２
図は従来のH2−O2外部燃焼装置である。 １……送風機、２……コントローラー、３……温度セン
サー、４……冷却器（内部冷却水）、５……冷却容器、
６……配管継手、７……O2導入管、８……着火用電極、
９……H2導入管、１０……燃焼容器、１１……燃焼容器
加熱ヒーター、１２……燃焼容器冷却管、１３……拡散
炉ヒーター、１４……拡散炉、１５……炉芯管、１６…
…ウェーハ、１７……ボート、２０……炉芯管、２１…
…D2導入管、２２……着火用電極、２３……H2導入管、
２４……燃焼容器、２５……燃焼容器冷却管。
図は従来のH2−O2外部燃焼装置である。 １……送風機、２……コントローラー、３……温度セン
サー、４……冷却器（内部冷却水）、５……冷却容器、
６……配管継手、７……O2導入管、８……着火用電極、
９……H2導入管、１０……燃焼容器、１１……燃焼容器
加熱ヒーター、１２……燃焼容器冷却管、１３……拡散
炉ヒーター、１４……拡散炉、１５……炉芯管、１６…
…ウェーハ、１７……ボート、２０……炉芯管、２１…
…D2導入管、２２……着火用電極、２３……H2導入管、
２４……燃焼容器、２５……燃焼容器冷却管。
Claims (1)
- 【請求項１】ウェーハが挿入され高温に加熱した炉芯管
に対してH2ガス、O2ガス又はH2Oガス（水蒸気）等を導
入し、前記ウェーハの表面に酸化膜を形成するために、
前記H2ガスと前記O2ガスを前記炉芯管の外部で反応させ
る外部燃焼装置であって、前記H2ガスと前記O2ガスを反
応してできた生成ガスを設定した温度に制御して前記炉
芯管内に導入する手段をさらに有することを特徴とする
半導体素子製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987049289U JPH069503Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体素子製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987049289U JPH069503Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体素子製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155630U JPS63155630U (ja) | 1988-10-12 |
| JPH069503Y2 true JPH069503Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=30871598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987049289U Expired - Lifetime JPH069503Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体素子製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069503Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58116737A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの熱処理装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP1987049289U patent/JPH069503Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63155630U (ja) | 1988-10-12 |
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