JPH0695355A - マスクおよびそのエッチング方法 - Google Patents
マスクおよびそのエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0695355A JPH0695355A JP24387192A JP24387192A JPH0695355A JP H0695355 A JPH0695355 A JP H0695355A JP 24387192 A JP24387192 A JP 24387192A JP 24387192 A JP24387192 A JP 24387192A JP H0695355 A JPH0695355 A JP H0695355A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- etching
- shielding film
- resist
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクとエッチング方法に関し，種々のサイ
ズのパターンを持つマスク，レチクルの金属遮光膜のエ
ッチングの際，各パターンのエッチング速度を均一に
し，マスク，レチクルのパターン精度の向上を目的とす
る。 【構成】 マスク基板に被着された遮光膜上にレジスト
パターンを形成する際に，サイズの異なるパターンの内
エッチング面積の大きいパターンを線状のレジスト膜で
分割したパターンを有するレジストパターンを形成し
て，該レジストパターンをマスクにして該遮光膜をエッ
チングするように構成する。
ズのパターンを持つマスク，レチクルの金属遮光膜のエ
ッチングの際，各パターンのエッチング速度を均一に
し，マスク，レチクルのパターン精度の向上を目的とす
る。 【構成】 マスク基板に被着された遮光膜上にレジスト
パターンを形成する際に，サイズの異なるパターンの内
エッチング面積の大きいパターンを線状のレジスト膜で
分割したパターンを有するレジストパターンを形成し
て，該レジストパターンをマスクにして該遮光膜をエッ
チングするように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマスク（レチクル）およ
びその製造工程で行われる金属膜のエッチング方法に関
する。
びその製造工程で行われる金属膜のエッチング方法に関
する。
【０００２】近年の半導体装置の高集積化，微細化に伴
い，回路パターンの原板となるマスクやレチクルも高精
度が要求される。このために，高精度のパターン描画装
置や高精度のレジストが用いられているが，レジストパ
ターンを金属遮光膜に転写する処理，すなわち金属遮光
膜上に被着され且つパターニングされたレジスト膜（レ
ジストパターン）をマスクにして金属遮光膜をエッチン
グする処理においても高精度が要望されてきた。
い，回路パターンの原板となるマスクやレチクルも高精
度が要求される。このために，高精度のパターン描画装
置や高精度のレジストが用いられているが，レジストパ
ターンを金属遮光膜に転写する処理，すなわち金属遮光
膜上に被着され且つパターニングされたレジスト膜（レ
ジストパターン）をマスクにして金属遮光膜をエッチン
グする処理においても高精度が要望されてきた。
【０００３】
【従来の技術】従来の金属膜のエッチング処理は，金属
膜上に形成されたレジストパターン上にエッチング液
（この金属を溶解できる液体，一般に強酸）をスプレ，
パドルにより塗布するか，またはエッチング液中にディ
ップして液体を金属膜に均一に接触させてエッチングを
行っていた。
膜上に形成されたレジストパターン上にエッチング液
（この金属を溶解できる液体，一般に強酸）をスプレ，
パドルにより塗布するか，またはエッチング液中にディ
ップして液体を金属膜に均一に接触させてエッチングを
行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが，金属のエッ
チング速度はエッチング面積によって変化することが本
発明者の調査により分かっており，面積が大きくなるほ
ど遅くなる傾向にある。
チング速度はエッチング面積によって変化することが本
発明者の調査により分かっており，面積が大きくなるほ
ど遅くなる傾向にある。
【０００５】この結果，たとえエッチング液を金属遮光
膜に均一に接触させても，マスク，レチクルのパターン
サイズは多岐にわたっているため，１枚のプレート内で
エッチング後の金属遮光膜のパターン寸法に誤差が生じ
ていた。
膜に均一に接触させても，マスク，レチクルのパターン
サイズは多岐にわたっているため，１枚のプレート内で
エッチング後の金属遮光膜のパターン寸法に誤差が生じ
ていた。
【０００６】このために，エッチング面積の大きいパタ
ーンに合わせてオーバエッチしようとすると，エッチン
グ面積の小さい遮光膜パターンが大きくなりすぎて支障
をきたしていた。
ーンに合わせてオーバエッチしようとすると，エッチン
グ面積の小さい遮光膜パターンが大きくなりすぎて支障
をきたしていた。
【０００７】本発明は種々のサイズのパターンを持つマ
スク，レチクルの金属遮光膜のエッチングの際，各パタ
ーンのエッチング速度を均一にし，マスク，レチクルの
パターン精度の向上を目的とする。
スク，レチクルの金属遮光膜のエッチングの際，各パタ
ーンのエッチング速度を均一にし，マスク，レチクルの
パターン精度の向上を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）マスク基板に被着された遮光膜のサイズの異なる抜
きパターンの内エッチング面積の大きいパターンを線状
の遮光膜で分割した抜きパターンを有するマスク，ある
いは ２）マスク基板に被着された遮光膜上にレジストパター
ンを形成する際に，サイズの異なる抜きパターンの内エ
ッチング面積の大きいパターンを線状のレジスト膜で分
割したパターンを有するレジストパターンを形成して，
該レジストパターンをマスクにして該遮光膜をエッチン
グするエッチング方法により達成される。
きパターンの内エッチング面積の大きいパターンを線状
の遮光膜で分割した抜きパターンを有するマスク，ある
いは ２）マスク基板に被着された遮光膜上にレジストパター
ンを形成する際に，サイズの異なる抜きパターンの内エ
ッチング面積の大きいパターンを線状のレジスト膜で分
割したパターンを有するレジストパターンを形成して，
該レジストパターンをマスクにして該遮光膜をエッチン
グするエッチング方法により達成される。
【０００９】
【作用】図１(A),(B) は本発明の原理説明図である。図
はマスク基板上に金属遮光膜を被着し，その上にレジス
トパターンを形成した状態を示す。
はマスク基板上に金属遮光膜を被着し，その上にレジス
トパターンを形成した状態を示す。
【００１０】図において，１は金属遮光膜を残す領域で
レジスト膜の被着領域，２，３はエッチングにより金属
遮光膜を除去する領域を示すパターンで，パターン描
画，現像処理によりレジストが剥離された領域である。
レジスト膜の被着領域，２，３はエッチングにより金属
遮光膜を除去する領域を示すパターンで，パターン描
画，現像処理によりレジストが剥離された領域である。
【００１１】図１(A) は所望のパターンで，図１(B) は
エッチング面積の大きなパターン２をエッチング面積の
小さなパターン３とほぼ同じ大きさの分割パターン４に
分割し，分割パターン４の境界線上にはレジスト膜が残
るようにレジストパターンを形成する。
エッチング面積の大きなパターン２をエッチング面積の
小さなパターン３とほぼ同じ大きさの分割パターン４に
分割し，分割パターン４の境界線上にはレジスト膜が残
るようにレジストパターンを形成する。
【００１２】このように，エッチング面積が異なるパタ
ーンを持つマスク，レチクルでも大面積のパターンを分
割してすべてのパターンを均一な面積にしているのでエ
ッチング速度は全パターンを通じて均一になる。
ーンを持つマスク，レチクルでも大面積のパターンを分
割してすべてのパターンを均一な面積にしているのでエ
ッチング速度は全パターンを通じて均一になる。
【００１３】また，大面積パターンを分割する際のレチ
クル膜の残し部分は露光の際の解像力限界より細いパタ
ーンにすることにより，実害は生じない。
クル膜の残し部分は露光の際の解像力限界より細いパタ
ーンにすることにより，実害は生じない。
【００１４】
【実施例】図１を用いて実施例のレチクルとエッチング
方法を説明する。大面積パターン２は2000μｍ□, 小面
積パターン３は 2μｍ□である。大面積パターンを線幅
0.5μｍのラインで小面積パターンとほぼ同程度のパタ
ーンに分割したレジストパターンを形成し，エッチング
して金属遮光膜のパターンを形成した。
方法を説明する。大面積パターン２は2000μｍ□, 小面
積パターン３は 2μｍ□である。大面積パターンを線幅
0.5μｍのラインで小面積パターンとほぼ同程度のパタ
ーンに分割したレジストパターンを形成し，エッチング
して金属遮光膜のパターンを形成した。
【００１５】この結果, 作製されたレチクルは，従来の
分割しない方法では±0.09μｍの精度であったが, 実施
例では±0.02μｍの精度で均一にエッチングすることが
できた。
分割しない方法では±0.09μｍの精度であったが, 実施
例では±0.02μｍの精度で均一にエッチングすることが
できた。
【００１６】実施例のエッチング条件の一例を次に示
す。 エッチャント：硝酸第２セリウムアンモニウム＋過塩素
酸水溶液 金属遮光膜：クロム膜および酸化クロム膜 エッチング方法：ディッピング ここで，エッチング面積の分割は必ずしも最小パターン
サイズに合わせることは必要でなく， 1μｍ□〜10μｍ
□の間では面積によるエッチング速度の差は現在のレチ
クル精度では無視できるので, この間の寸法で適当な大
きさに分割すればよい。
す。 エッチャント：硝酸第２セリウムアンモニウム＋過塩素
酸水溶液 金属遮光膜：クロム膜および酸化クロム膜 エッチング方法：ディッピング ここで，エッチング面積の分割は必ずしも最小パターン
サイズに合わせることは必要でなく， 1μｍ□〜10μｍ
□の間では面積によるエッチング速度の差は現在のレチ
クル精度では無視できるので, この間の寸法で適当な大
きさに分割すればよい。
【００１７】図２はエッチング面積に対するエッチング
速度の関係の一例を示す図である。この例は， エッチャント：硝酸第２セリウムアンモニウム＋過塩素
酸水溶液 金属膜：クロム の場合で，図よりエッチング面積が増えるとともにエッ
チング速度が低下していくことが分かる。
速度の関係の一例を示す図である。この例は， エッチャント：硝酸第２セリウムアンモニウム＋過塩素
酸水溶液 金属膜：クロム の場合で，図よりエッチング面積が増えるとともにエッ
チング速度が低下していくことが分かる。
【００１８】実施例のマスクを用いて，ウエハ上に被着
されたレジスト膜を露光，現像してパターニングしたと
ころ，大パターンの分割パターンの線幅は解像度以下で
あるため，分割パターンは残存しないで図１(A) に示さ
れる所望のパターンが得られるため，マスクの分割パタ
ーンの存在は支障を来さない。
されたレジスト膜を露光，現像してパターニングしたと
ころ，大パターンの分割パターンの線幅は解像度以下で
あるため，分割パターンは残存しないで図１(A) に示さ
れる所望のパターンが得られるため，マスクの分割パタ
ーンの存在は支障を来さない。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば，種々のサイズのパター
ンを持つマスク，レチクルの金属遮光膜のエッチングの
際，各パターンのエッチング速度が均一になり，マス
ク，レチクルのパターン精度が向上した。
ンを持つマスク，レチクルの金属遮光膜のエッチングの
際，各パターンのエッチング速度が均一になり，マス
ク，レチクルのパターン精度が向上した。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 エッチング面積に対するエッチング速度の関
係の一例を示す図
係の一例を示す図
１ 金属遮光膜を残す領域でレジスト膜の被着領域 ２ レジストが剥離された領域で大面積パターン ３ レジストが剥離された領域で小面積パターン ４ 分割パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 マスク基板に被着された遮光膜のサイズ
の異なる抜きパターンの内エッチング面積の大きいパタ
ーンを線状の遮光膜で分割した抜きパターンを有するこ
とを特徴とするマスク。 - 【請求項２】 マスク基板に被着された遮光膜上にレジ
ストパターンを形成する際に，サイズの異なる抜きパタ
ーンの内エッチング面積の大きいパターンを線状のレジ
スト膜で分割したパターンを有するレジストパターンを
形成して，該レジストパターンをマスクにして該遮光膜
をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24387192A JPH0695355A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | マスクおよびそのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24387192A JPH0695355A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | マスクおよびそのエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0695355A true JPH0695355A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17110222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24387192A Withdrawn JPH0695355A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | マスクおよびそのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100758052B1 (ko) * | 1995-02-28 | 2008-01-09 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 위상시프트포토마스크및위상시프트포토마스크드라이에칭방법 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP24387192A patent/JPH0695355A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100758052B1 (ko) * | 1995-02-28 | 2008-01-09 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 위상시프트포토마스크및위상시프트포토마스크드라이에칭방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |