JPH0697343A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置Info
- Publication number
- JPH0697343A JPH0697343A JP5184575A JP18457593A JPH0697343A JP H0697343 A JPH0697343 A JP H0697343A JP 5184575 A JP5184575 A JP 5184575A JP 18457593 A JP18457593 A JP 18457593A JP H0697343 A JPH0697343 A JP H0697343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- manufacturing
- lead frame
- sealing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置をプリント基板に実装する際の接続
不良をなくした樹脂封止型半導体装置の実用的な製造方
法及びその製造装置を提供する。 【構成】樹脂封止が完了したリードフレーム３０の封止
樹脂部３２を上側の部材４９，５９の平坦下面４９’，
５９’と下側の部材４１の平坦上面４１’とで挟んで一
定時間加圧し、これにより封止樹脂部の反りを矯正す
る。その後、半導体装置の中間製品をリードフレーム３
０から切り離して外部リード３１の成形を行なう。
不良をなくした樹脂封止型半導体装置の実用的な製造方
法及びその製造装置を提供する。 【構成】樹脂封止が完了したリードフレーム３０の封止
樹脂部３２を上側の部材４９，５９の平坦下面４９’，
５９’と下側の部材４１の平坦上面４１’とで挟んで一
定時間加圧し、これにより封止樹脂部の反りを矯正す
る。その後、半導体装置の中間製品をリードフレーム３
０から切り離して外部リード３１の成形を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
製造方法及びその製造装置に関する。
製造方法及びその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、リードフレー
ムの素子搭載部に半導体素子を搭載し、素子とリードの
先端を金属細線で接続し、その後リードフレームに樹脂
封止金型で型締めをし、型内に封入樹脂を注入すること
により、素子搭載部に搭載された半導体素子、金属細
線、内部リードなどを樹脂封止する。
ムの素子搭載部に半導体素子を搭載し、素子とリードの
先端を金属細線で接続し、その後リードフレームに樹脂
封止金型で型締めをし、型内に封入樹脂を注入すること
により、素子搭載部に搭載された半導体素子、金属細
線、内部リードなどを樹脂封止する。
【０００３】従来技術では、封入樹脂の安定化のための
封入エージングの後、タイバーを切断除去し、樹脂のバ
リ取りを行い、外部リードに半田めっき等の外装処理を
行い、リードフレームからの切り離しを行い、外部リー
ドを所定の形状に成形して個々の半導体装置として完成
させる。
封入エージングの後、タイバーを切断除去し、樹脂のバ
リ取りを行い、外部リードに半田めっき等の外装処理を
行い、リードフレームからの切り離しを行い、外部リー
ドを所定の形状に成形して個々の半導体装置として完成
させる。
【０００４】図１０は従来技術を説明する図面であり、
同図において（Ａ）はＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉ
ｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と称される半導体装置の外部リ
ードを成形する成形金型および成形前の半導体装置を示
す斜視図であり、（Ｂ）はその成形の状態を示す側断面
図である。また、（Ｃ）はリード成形後の半導体装置を
示す正面図であり、（Ｄ）はその側面図である。
同図において（Ａ）はＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉ
ｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と称される半導体装置の外部リ
ードを成形する成形金型および成形前の半導体装置を示
す斜視図であり、（Ｂ）はその成形の状態を示す側断面
図である。また、（Ｃ）はリード成形後の半導体装置を
示す正面図であり、（Ｄ）はその側面図である。
【０００５】図１０（Ａ），（Ｂ）において、封入樹脂
部２より突出する外部リード１の根元を上金型５のリー
ド押え面６と下金型３のリード押え面４とで上下から挟
み固定させた状態で、上方からポンチ７を下降させて外
部リード１を押し下げ、ポンチ７の下面９と下金型３の
リード先端おさえ面８とで外部リード１の先端部１１を
挟むことにより、外部リード１はガルウィング（ＧＵＬ
Ｌ ＷＩＮＧ）状に成形される。このガルウィング状と
は図に示すように、封入樹脂部２の側面から導出した外
部リードが折れ曲がり、封入樹脂部の主面から突出した
位置で再度主面と平行な方向に折れ曲って先端部１１を
形成した形状のことであり、この先端部１１がプリント
基板１２の導体層パッド（図示省略）に接着される。
部２より突出する外部リード１の根元を上金型５のリー
ド押え面６と下金型３のリード押え面４とで上下から挟
み固定させた状態で、上方からポンチ７を下降させて外
部リード１を押し下げ、ポンチ７の下面９と下金型３の
リード先端おさえ面８とで外部リード１の先端部１１を
挟むことにより、外部リード１はガルウィング（ＧＵＬ
Ｌ ＷＩＮＧ）状に成形される。このガルウィング状と
は図に示すように、封入樹脂部２の側面から導出した外
部リードが折れ曲がり、封入樹脂部の主面から突出した
位置で再度主面と平行な方向に折れ曲って先端部１１を
形成した形状のことであり、この先端部１１がプリント
基板１２の導体層パッド（図示省略）に接着される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら樹脂封止
型半導体装置のなかには、図１０（Ａ）に示すように封
止樹脂部２に大きく反りが生じているものがある。反り
の原因としては、リードフレームと封入樹脂の収縮の
差、上側の樹脂と下側の樹脂との収縮の差などが考えら
れる。
型半導体装置のなかには、図１０（Ａ）に示すように封
止樹脂部２に大きく反りが生じているものがある。反り
の原因としては、リードフレームと封入樹脂の収縮の
差、上側の樹脂と下側の樹脂との収縮の差などが考えら
れる。
【０００７】このように封入樹脂部２に反りが生じた半
導体装置に対して外部リード１の成形を行なうと、図１
０（Ｂ）の工程では上金型５のリード押え面６および下
金型３のリード押え面４はそれぞれ平坦面であるから、
外部リード成形作業中は封入樹脂部２の反りは一時的に
矯正され、各外部リードの先端部１１は封入樹脂部２か
ら等しい距離に形成される。しかしながらリード成形金
型から取り出した時点で、封入樹脂部２の反りが元に戻
るため、ガルウィング状に成形された外部リード１の先
端部１１は、反りの戻りに従って変位する。その結果、
図１０（Ｃ），（Ｄ）に示すように、外部リード１の先
端部１１は同一平面上に位置しないこととなり、半導体
装置をプリント基板１２に実装する場合、プリント基板
１２の上表面に形成されてある導電層パッドと外部リー
ド１の先端部１１との接続不良が発生するという問題を
発生する。例えば、リードピッチが０．５ｍｍの場合は
各外部リードの先端部間の高低差は５５μｍ以内にする
必要があるが、従来技術の図１０（Ｃ）場合は両端の外
部リード１の先端部１１と中央の外部リード１の先端部
１１との高低差が５５μｍより大きくなり、中央の外部
リード１の先端部１１とその下の導電層パッドとの接続
不良が発生する状態となる。
導体装置に対して外部リード１の成形を行なうと、図１
０（Ｂ）の工程では上金型５のリード押え面６および下
金型３のリード押え面４はそれぞれ平坦面であるから、
外部リード成形作業中は封入樹脂部２の反りは一時的に
矯正され、各外部リードの先端部１１は封入樹脂部２か
ら等しい距離に形成される。しかしながらリード成形金
型から取り出した時点で、封入樹脂部２の反りが元に戻
るため、ガルウィング状に成形された外部リード１の先
端部１１は、反りの戻りに従って変位する。その結果、
図１０（Ｃ），（Ｄ）に示すように、外部リード１の先
端部１１は同一平面上に位置しないこととなり、半導体
装置をプリント基板１２に実装する場合、プリント基板
１２の上表面に形成されてある導電層パッドと外部リー
ド１の先端部１１との接続不良が発生するという問題を
発生する。例えば、リードピッチが０．５ｍｍの場合は
各外部リードの先端部間の高低差は５５μｍ以内にする
必要があるが、従来技術の図１０（Ｃ）場合は両端の外
部リード１の先端部１１と中央の外部リード１の先端部
１１との高低差が５５μｍより大きくなり、中央の外部
リード１の先端部１１とその下の導電層パッドとの接続
不良が発生する状態となる。
【０００８】一方、上記問題を解決するために図１１に
示すような技術が特開平２−２１０８５５号公報に開示
されている。同図において（Ａ）は外部リードを成形す
る成形金型および成形中の外部リードの一部を示す側断
面図であり、（Ｂ）はリード成形後の半導体装置を示す
正面図であり、（Ｃ）はその側面図である。
示すような技術が特開平２−２１０８５５号公報に開示
されている。同図において（Ａ）は外部リードを成形す
る成形金型および成形中の外部リードの一部を示す側断
面図であり、（Ｂ）はリード成形後の半導体装置を示す
正面図であり、（Ｃ）はその側面図である。
【０００９】リード成形作業の図１０（Ｂ）に相当する
図１１（Ａ）において、外部リード１の根元を挟む上金
型２５のリード押え面２６と下金型２３のリード押え面
２４はそれぞれ、封止樹脂部の反りに合せた階段上に形
成されている。このようにすれば図１１（Ｂ），（Ｃ）
に示すように、中央部の外部リード１は両端の外部リー
ド１より封止樹脂部の反りに合った分だけ長く垂直方向
に伸びて成形されるから、各外部リード１の先端部１１
は同一の平坦面に位置することができ、上記接続不良の
問題は発生しない。
図１１（Ａ）において、外部リード１の根元を挟む上金
型２５のリード押え面２６と下金型２３のリード押え面
２４はそれぞれ、封止樹脂部の反りに合せた階段上に形
成されている。このようにすれば図１１（Ｂ），（Ｃ）
に示すように、中央部の外部リード１は両端の外部リー
ド１より封止樹脂部の反りに合った分だけ長く垂直方向
に伸びて成形されるから、各外部リード１の先端部１１
は同一の平坦面に位置することができ、上記接続不良の
問題は発生しない。
【００１０】しかしながら封止樹脂部の反りの大きさお
よびその方向は各半導体装置についてそれぞれ異なるか
ら、封止樹脂部の反りに合せて金型のリード押え面の形
状を決定する上記従来技術を実用に供することは不可能
である。
よびその方向は各半導体装置についてそれぞれ異なるか
ら、封止樹脂部の反りに合せて金型のリード押え面の形
状を決定する上記従来技術を実用に供することは不可能
である。
【００１１】したがって本発明の目的は、半導体装置を
プリント基板に実装する際の接続不良をなくした樹脂封
止型半導体装置の実用的な製造方法及びその製造装置を
提供することである。
プリント基板に実装する際の接続不良をなくした樹脂封
止型半導体装置の実用的な製造方法及びその製造装置を
提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
素子をリードフレームの所定箇所に載置し、リードフレ
ームの複数のリードの接続領域と半導体素子の複数の接
続箇所とを金属細線でそれぞれ接続し、半導体素子、金
属細線ならびにリードの接続領域およびその近傍を封止
樹脂部で封止する工程と、封止樹脂部の両主面の反りを
矯正する工程と、封止樹脂部から導出する複数のリード
を所定の箇所で切断することにより、矯正された封止樹
脂部の側面から所定の長さのリード（外部リード）が導
出した中間製品をリードフレームから切り離す工程と、
リードフレームから切り離された中間製品の外部リード
を成形する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造
方法にある。ここで封止樹脂部の反りを矯正する工程
は、封止樹脂部の両主面を一対の部材の平坦面で挟み加
熱下で素子封止部の主面を加圧する第１のステップと、
しかる後、封止樹脂部の両主面を一対の部材の平坦面で
挟み冷却しながら封止樹脂部の主面を加圧する第２のス
テップとを有し、第１のステップと第２のステップの間
にリードフレームを搬送する搬送ステップを有すること
が好ましい。第１のステップにおける加熱はヒーターブ
ロックにより行い、第２のステップにおける冷却はヒー
トシンクにより行うことができる。また、第１のステッ
プにおける一方の部材はリードフレームを搭載し移送す
る搬送板であり他方の部材は前記ヒーターブロックであ
り、搬送板の上面およびヒーターブロックの下面がそれ
ぞれ平坦面となっており、第２のステップにおける一方
の部材は第１のステップと同一の前記搬送板であり他方
の部材がヒートシンクであり、ヒートシンクの下面が平
坦面であることができる。さらに、複数の加圧加熱ステ
ージ間をリードフレームが間歇送りされて第１のステッ
プをこれら加圧加熱ステージで順次行ない、複数の加圧
冷却ステージ間をリードフレームが間歇送りされて第２
のステップをこれら加圧冷却ステージで順次行なうこと
ができる。
素子をリードフレームの所定箇所に載置し、リードフレ
ームの複数のリードの接続領域と半導体素子の複数の接
続箇所とを金属細線でそれぞれ接続し、半導体素子、金
属細線ならびにリードの接続領域およびその近傍を封止
樹脂部で封止する工程と、封止樹脂部の両主面の反りを
矯正する工程と、封止樹脂部から導出する複数のリード
を所定の箇所で切断することにより、矯正された封止樹
脂部の側面から所定の長さのリード（外部リード）が導
出した中間製品をリードフレームから切り離す工程と、
リードフレームから切り離された中間製品の外部リード
を成形する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造
方法にある。ここで封止樹脂部の反りを矯正する工程
は、封止樹脂部の両主面を一対の部材の平坦面で挟み加
熱下で素子封止部の主面を加圧する第１のステップと、
しかる後、封止樹脂部の両主面を一対の部材の平坦面で
挟み冷却しながら封止樹脂部の主面を加圧する第２のス
テップとを有し、第１のステップと第２のステップの間
にリードフレームを搬送する搬送ステップを有すること
が好ましい。第１のステップにおける加熱はヒーターブ
ロックにより行い、第２のステップにおける冷却はヒー
トシンクにより行うことができる。また、第１のステッ
プにおける一方の部材はリードフレームを搭載し移送す
る搬送板であり他方の部材は前記ヒーターブロックであ
り、搬送板の上面およびヒーターブロックの下面がそれ
ぞれ平坦面となっており、第２のステップにおける一方
の部材は第１のステップと同一の前記搬送板であり他方
の部材がヒートシンクであり、ヒートシンクの下面が平
坦面であることができる。さらに、複数の加圧加熱ステ
ージ間をリードフレームが間歇送りされて第１のステッ
プをこれら加圧加熱ステージで順次行ない、複数の加圧
冷却ステージ間をリードフレームが間歇送りされて第２
のステップをこれら加圧冷却ステージで順次行なうこと
ができる。
【００１３】本発明の他の特徴は、半導体素子をモール
ドしてリードフレームに形成された封止樹脂部の両主面
を上下から挟む一対の上下平坦面手段と、平坦面手段を
介して封止樹脂部の主面に圧力を加える加圧手段とを有
し、加圧手段の圧力により封止樹脂部の主面の反りを矯
正する樹脂封止型半導体装置の製造装置にある。ここ
で、加圧手段とともに加熱手段を有し、加熱手段により
封止樹脂部を高温にした状態で加圧手段により封止樹脂
部の主面を加圧することが好ましい。そして、加熱手段
は上下平坦面手段の上および下にそれぞれ位置する上下
側のヒーターブロックを有して構成され、加圧手段は上
側のヒーターブロックの上に載置された錘を有して構成
され、錘の自重が上側のヒーターブロックおよび上平坦
面手段を通して封止樹脂部の上側の主面に作用するよう
にすることができる。さらに、上平坦面手段は上側のヒ
ーターブロックの封止樹脂部に接する平坦な下面であ
り、下平坦面手段はリードフレームを搭載し移送する搬
送板の封止樹脂部に接する平坦な上面であることができ
る。ここで、上側のヒーターブロックは発熱手段を有す
る本体と平坦な下面を形成する下部部分とが分離されて
構成されることができる。あるいは、上側のヒーターブ
ロックは発熱手段を有する本体と平坦な下面を形成する
下部部分とが一体的に形成されていてもよい。平坦面手
段におけるそれぞれの平坦面の面内における高低差は１
５μｍ以内であることが好ましい。
ドしてリードフレームに形成された封止樹脂部の両主面
を上下から挟む一対の上下平坦面手段と、平坦面手段を
介して封止樹脂部の主面に圧力を加える加圧手段とを有
し、加圧手段の圧力により封止樹脂部の主面の反りを矯
正する樹脂封止型半導体装置の製造装置にある。ここ
で、加圧手段とともに加熱手段を有し、加熱手段により
封止樹脂部を高温にした状態で加圧手段により封止樹脂
部の主面を加圧することが好ましい。そして、加熱手段
は上下平坦面手段の上および下にそれぞれ位置する上下
側のヒーターブロックを有して構成され、加圧手段は上
側のヒーターブロックの上に載置された錘を有して構成
され、錘の自重が上側のヒーターブロックおよび上平坦
面手段を通して封止樹脂部の上側の主面に作用するよう
にすることができる。さらに、上平坦面手段は上側のヒ
ーターブロックの封止樹脂部に接する平坦な下面であ
り、下平坦面手段はリードフレームを搭載し移送する搬
送板の封止樹脂部に接する平坦な上面であることができ
る。ここで、上側のヒーターブロックは発熱手段を有す
る本体と平坦な下面を形成する下部部分とが分離されて
構成されることができる。あるいは、上側のヒーターブ
ロックは発熱手段を有する本体と平坦な下面を形成する
下部部分とが一体的に形成されていてもよい。平坦面手
段におけるそれぞれの平坦面の面内における高低差は１
５μｍ以内であることが好ましい。
【００１４】本発明の別の特徴は、半導体素子をモール
ドしてリードフレームに形成された封止樹脂部の両主面
を上下から挟む一対のヒーターブロックおよびヒーター
ブロックを介して封止樹脂部の主面に圧力を加える第１
の加圧手段を有した第１の矯正部と、半導体素子をモー
ルドしてリードフレームに形成された封止樹脂部の両主
面を上下から挟む一対のヒートシンクおよびヒートシン
クを介して封止樹脂部の主面に圧力を加える第２の加圧
手段を有した第２の矯正部とを具備し、第１の矯正部に
おいてヒーターブロックにより加熱しながら封止樹脂部
の主面を第１の加圧手段で加圧した後、そのリードフレ
ームを第２の矯正部に移送し、第１の矯正部で高温とな
った封止樹脂部を第２の矯正部のヒートシンクで冷却し
ながらその主面を第２の加圧手段で加圧するようにする
樹脂封止型半導体装置の製造装置にある。ここで、第１
の矯正部には複数の加圧加熱ステージが設けられ、複数
の加圧加熱ステージのそれぞれに一対のヒーターブロッ
クおよび第１の加圧手段が具備されており、第２の矯正
部には複数の加圧冷却ステージが設けられ、複数の加圧
冷却ステージのそれぞれに一対のヒートシンクおよび第
２の加圧手段が具備されており、第１の矯正部において
加圧加熱ステージ間をリードフレームが間歇送りされて
加熱しながら加圧する操作をそれぞれの加圧加熱ステー
ジで順次行ない、その後、第２の矯正部において加圧冷
却ステージ間をリードフレームが間歇送りされて冷却し
ながら加圧する操作をそれぞれの加圧冷却ステージで順
次行なうようにすることが好ましい。
ドしてリードフレームに形成された封止樹脂部の両主面
を上下から挟む一対のヒーターブロックおよびヒーター
ブロックを介して封止樹脂部の主面に圧力を加える第１
の加圧手段を有した第１の矯正部と、半導体素子をモー
ルドしてリードフレームに形成された封止樹脂部の両主
面を上下から挟む一対のヒートシンクおよびヒートシン
クを介して封止樹脂部の主面に圧力を加える第２の加圧
手段を有した第２の矯正部とを具備し、第１の矯正部に
おいてヒーターブロックにより加熱しながら封止樹脂部
の主面を第１の加圧手段で加圧した後、そのリードフレ
ームを第２の矯正部に移送し、第１の矯正部で高温とな
った封止樹脂部を第２の矯正部のヒートシンクで冷却し
ながらその主面を第２の加圧手段で加圧するようにする
樹脂封止型半導体装置の製造装置にある。ここで、第１
の矯正部には複数の加圧加熱ステージが設けられ、複数
の加圧加熱ステージのそれぞれに一対のヒーターブロッ
クおよび第１の加圧手段が具備されており、第２の矯正
部には複数の加圧冷却ステージが設けられ、複数の加圧
冷却ステージのそれぞれに一対のヒートシンクおよび第
２の加圧手段が具備されており、第１の矯正部において
加圧加熱ステージ間をリードフレームが間歇送りされて
加熱しながら加圧する操作をそれぞれの加圧加熱ステー
ジで順次行ない、その後、第２の矯正部において加圧冷
却ステージ間をリードフレームが間歇送りされて冷却し
ながら加圧する操作をそれぞれの加圧冷却ステージで順
次行なうようにすることが好ましい。
【００１５】
【実施例】次に図面を参照して本発明を説明する。
【００１６】図１は本発明の実施例におけるリードフレ
ームの樹脂モールドおよび封入した樹脂を安定させる封
入エージングを行なった後の状態を示す平面図である。
板厚０．１２５ｍｍの銅板もしくは銅合金板からなるリ
ードフレーム３０の４個の素子搭載部３７にそれぞれ半
導体素子３３が搭載され、リードフレーム３０の外枠３
５および支持部３６から半導体素子に向って突出してい
る多数のリード３１の先端の接続領域と半導体素子の複
数の接続箇所すなわちボンディングパッドとが金属細線
３４によりボンディング接続されている。なお図では１
個の半導体素子につき２本の金属細線のみを例示してあ
る。そして、リードフレームを樹脂封止金型で型締めを
し、型内に封入樹脂として熱硬化型のエポキシ系樹脂を
注入し硬化し、封入樹脂の安定化のための封入エージン
グをすることにより、半導体素子、金属細線ならびにリ
ード先端の接続領域およびその近傍を封止樹脂部３２で
封止した状態となる。そして封止樹脂部３２の内のリー
ド３１の部分が内部リードとなり、封止樹脂部３２から
外部に突出しているリード３１の部分が外部リードとな
る。
ームの樹脂モールドおよび封入した樹脂を安定させる封
入エージングを行なった後の状態を示す平面図である。
板厚０．１２５ｍｍの銅板もしくは銅合金板からなるリ
ードフレーム３０の４個の素子搭載部３７にそれぞれ半
導体素子３３が搭載され、リードフレーム３０の外枠３
５および支持部３６から半導体素子に向って突出してい
る多数のリード３１の先端の接続領域と半導体素子の複
数の接続箇所すなわちボンディングパッドとが金属細線
３４によりボンディング接続されている。なお図では１
個の半導体素子につき２本の金属細線のみを例示してあ
る。そして、リードフレームを樹脂封止金型で型締めを
し、型内に封入樹脂として熱硬化型のエポキシ系樹脂を
注入し硬化し、封入樹脂の安定化のための封入エージン
グをすることにより、半導体素子、金属細線ならびにリ
ード先端の接続領域およびその近傍を封止樹脂部３２で
封止した状態となる。そして封止樹脂部３２の内のリー
ド３１の部分が内部リードとなり、封止樹脂部３２から
外部に突出しているリード３１の部分が外部リードとな
る。
【００１７】この実施例では封止樹脂部の４辺のそれぞ
れからリードが導出されたＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置であり、３０４ピン
タイプの場合は、幅０．２ｍｍのリード（外部リード）
３１がピッチ０．５ｍｍで配列されて１辺から７６本導
出される。そして封入樹脂部３２は４０ｍｍ×４０ｍｍ
の平面積で厚さが３．７ｍｍとなっている。
れからリードが導出されたＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置であり、３０４ピン
タイプの場合は、幅０．２ｍｍのリード（外部リード）
３１がピッチ０．５ｍｍで配列されて１辺から７６本導
出される。そして封入樹脂部３２は４０ｍｍ×４０ｍｍ
の平面積で厚さが３．７ｍｍとなっている。
【００１８】このリードフレーム状態の封止樹脂部３２
は図２（Ａ），（Ｂ）に拡大して示すように、一主面３
２’が凸状、他主面３２’’が凹状の湾曲状に反ってお
りその高低差Ｈが８０μｍに達するものも存在する。こ
の状態でリード成形を行うと、プリント基板と接続する
リード先端部間の高低差も８０μｍとなり接続不良のリ
ードが発生する。一方、このようなリードの接続不良が
発生しなくなることのみを考慮して、プリント基板の半
田層を基準より厚くすると、厚い半田層によりプリント
基板パターンの短絡不良が発生してしまう。
は図２（Ａ），（Ｂ）に拡大して示すように、一主面３
２’が凸状、他主面３２’’が凹状の湾曲状に反ってお
りその高低差Ｈが８０μｍに達するものも存在する。こ
の状態でリード成形を行うと、プリント基板と接続する
リード先端部間の高低差も８０μｍとなり接続不良のリ
ードが発生する。一方、このようなリードの接続不良が
発生しなくなることのみを考慮して、プリント基板の半
田層を基準より厚くすると、厚い半田層によりプリント
基板パターンの短絡不良が発生してしまう。
【００１９】したがって本実施例では図３乃至図６に示
すような工程を導入して封止樹脂部３２の反りを矯正す
る。
すような工程を導入して封止樹脂部３２の反りを矯正す
る。
【００２０】まず図３において、湾曲状に反った状態の
封止樹脂部３２を保持するリードフレーム３０をアルミ
ニウムの搬送板４１に搭載し、ヒーター３８を有するス
テンレス鋼のヒーターブロック３９上に載置し、封止樹
脂部３２の予備加熱を行なう。封止樹脂部３２の下側の
主面３２’’と接する搬送板４１の上面４１’は面内の
高低差が１５μｍ以内の平坦面となっている。
封止樹脂部３２を保持するリードフレーム３０をアルミ
ニウムの搬送板４１に搭載し、ヒーター３８を有するス
テンレス鋼のヒーターブロック３９上に載置し、封止樹
脂部３２の予備加熱を行なう。封止樹脂部３２の下側の
主面３２’’と接する搬送板４１の上面４１’は面内の
高低差が１５μｍ以内の平坦面となっている。
【００２１】次に、図４に示すように、搬送板４１に搭
載されたままリードフレーム構造体３０，３２を下側の
ヒーターブロック４８の上面４８’上に載置し、その上
から上側のヒーターブロック４９の下面４９’を封止樹
脂部３２の上側の主面３２’に当接させる。下側のヒー
ターブロック４８はヒーター４６を内蔵する本体４４と
上面４８’を有する上板４２とから構成されるが、両者
はステンレス鋼により、一体的に形成されてもあるいは
分離可能なように個別に形成されていてもよい。同様
に、上側のヒーターブロック４９はヒーター４６を内蔵
する本体４５と下面４９’を有する下板４３とから構成
されるが、両者はステンレス鋼により、一体的に形成さ
れてもあるいは分離可能なように個別に形成されていて
もよい。このヒーターブロック４８，４９の上面４８’
および下面４９’は平坦な面となっているが、特に封止
樹脂部３２の上主面３２’に接する上側のヒーターブロ
ック４９の下面４９’は面内の高低差が１５μｍ以内の
平坦面となっている。そして、上側のヒーターブロック
４９上に錘４７が載置される。図４の状態で、ヒーター
４６，４６により封止樹脂部３２を１５０±５℃に維持
し、錘４７の自重によりヒーターブロック４９を通して
封止樹脂部３２の上主面３２’に約１２５ｇ／ｃｍ2 の
圧力を約５分間加えることにより加圧加熱による封止樹
脂部の反りを矯正する作業を大気中で行う。その後、上
側のヒーターブロック４９および錘４７を上昇させて、
搬送板４１に搭載されたままリードフレーム構造体３
０，３２を取り出す。
載されたままリードフレーム構造体３０，３２を下側の
ヒーターブロック４８の上面４８’上に載置し、その上
から上側のヒーターブロック４９の下面４９’を封止樹
脂部３２の上側の主面３２’に当接させる。下側のヒー
ターブロック４８はヒーター４６を内蔵する本体４４と
上面４８’を有する上板４２とから構成されるが、両者
はステンレス鋼により、一体的に形成されてもあるいは
分離可能なように個別に形成されていてもよい。同様
に、上側のヒーターブロック４９はヒーター４６を内蔵
する本体４５と下面４９’を有する下板４３とから構成
されるが、両者はステンレス鋼により、一体的に形成さ
れてもあるいは分離可能なように個別に形成されていて
もよい。このヒーターブロック４８，４９の上面４８’
および下面４９’は平坦な面となっているが、特に封止
樹脂部３２の上主面３２’に接する上側のヒーターブロ
ック４９の下面４９’は面内の高低差が１５μｍ以内の
平坦面となっている。そして、上側のヒーターブロック
４９上に錘４７が載置される。図４の状態で、ヒーター
４６，４６により封止樹脂部３２を１５０±５℃に維持
し、錘４７の自重によりヒーターブロック４９を通して
封止樹脂部３２の上主面３２’に約１２５ｇ／ｃｍ2 の
圧力を約５分間加えることにより加圧加熱による封止樹
脂部の反りを矯正する作業を大気中で行う。その後、上
側のヒーターブロック４９および錘４７を上昇させて、
搬送板４１に搭載されたままリードフレーム構造体３
０，３２を取り出す。
【００２２】次に、図５に示すように、搬送板４１に搭
載されたままリードフレーム構造体３０，３２を下側の
ヒートシンク５８の上面５８’上に載置し、その上から
上側のヒートシンク５９の下面５９’を封止樹脂部３２
の上側の主面３２’に当接させる。下側のヒートシンク
５８は放熱翼が形成された本体５４と上面５８’を有す
る上板５２とから構成されるが、両者は一体的に形成さ
れても、あるいは分離可能なように個別に形成されてい
てもよい。同様に、上側のヒートシンク５９は放熱翼が
形成された本体５５と下面５９’を有する下板５３とか
ら構成されるが、両者は一体的に形成されても、あるい
は分離可能なように個別に形成されていてもよい。この
ヒートシンク５８，５９の上面５８’および下面５９’
は平坦な面となっているが、特に封止樹脂部３２の上主
面３２’に接する上側のヒートシンク５９の下面５９’
は面内の高低差が１５μｍ以内の平坦面となっている。
また上側のヒートシンク５９上に錘５７が載置される。
図４のステップで１５０℃となった封止樹脂部３２は、
この図５のステップでヒートシンク５８，５９に吹き付
けられる冷却風により大気中で冷却されながら、錘５７
の自重によりヒートシンク５９を通して封止樹脂部３２
の上主面３２’に約１２５ｇ／ｃｍ2 の圧力を加える加
圧冷却による封止樹脂部の反りを矯正する作業が行なわ
れる。その後、上側のヒートシンク５９および錘５７を
上昇させて、搬送板４１に搭載されたままリードフレー
ム構造体３０，３２を取り出す。
載されたままリードフレーム構造体３０，３２を下側の
ヒートシンク５８の上面５８’上に載置し、その上から
上側のヒートシンク５９の下面５９’を封止樹脂部３２
の上側の主面３２’に当接させる。下側のヒートシンク
５８は放熱翼が形成された本体５４と上面５８’を有す
る上板５２とから構成されるが、両者は一体的に形成さ
れても、あるいは分離可能なように個別に形成されてい
てもよい。同様に、上側のヒートシンク５９は放熱翼が
形成された本体５５と下面５９’を有する下板５３とか
ら構成されるが、両者は一体的に形成されても、あるい
は分離可能なように個別に形成されていてもよい。この
ヒートシンク５８，５９の上面５８’および下面５９’
は平坦な面となっているが、特に封止樹脂部３２の上主
面３２’に接する上側のヒートシンク５９の下面５９’
は面内の高低差が１５μｍ以内の平坦面となっている。
また上側のヒートシンク５９上に錘５７が載置される。
図４のステップで１５０℃となった封止樹脂部３２は、
この図５のステップでヒートシンク５８，５９に吹き付
けられる冷却風により大気中で冷却されながら、錘５７
の自重によりヒートシンク５９を通して封止樹脂部３２
の上主面３２’に約１２５ｇ／ｃｍ2 の圧力を加える加
圧冷却による封止樹脂部の反りを矯正する作業が行なわ
れる。その後、上側のヒートシンク５９および錘５７を
上昇させて、搬送板４１に搭載されたままリードフレー
ム構造体３０，３２を取り出す。
【００２３】上記矯正ステップが行われた封止樹脂部３
２は、図６に示すように平坦化されている。例えば図３
の状態で８０μｍあった封止樹脂部３２の反りは４０μ
ｍ以下に矯正される。その後、タイバーを切断除去し、
樹脂のバリ取りを行い、外部リードに半田めっき等の外
装処理を行い、封止樹脂部から導出したリードの所定箇
所を切断してリードフレームからの切り離しを行う。
２は、図６に示すように平坦化されている。例えば図３
の状態で８０μｍあった封止樹脂部３２の反りは４０μ
ｍ以下に矯正される。その後、タイバーを切断除去し、
樹脂のバリ取りを行い、外部リードに半田めっき等の外
装処理を行い、封止樹脂部から導出したリードの所定箇
所を切断してリードフレームからの切り離しを行う。
【００２４】この切り離しの工程によって、反りが矯正
された封入樹脂部３２の側面から主面３２’，３２’’
に平行に導出された多数の外部リード３１を有する半導
体装置の中間製品が得られる。そして図７の（Ａ）〜
（Ｄ）に示すように、封入樹脂部３２から導出された外
部リード３１の成形を行ない、半導体装置を完成させ
る。すなわち、封入樹脂部３２より突出する外部リード
３１の根元を上金型６５の平坦なリード押え面６６と下
金型６３の平坦なリード押え面６４とで上下から挟み固
定させた状態で、上方からポンチ６７を下降させて外部
リード３１を押し下げ、ポンチ６７の下面６９と下金型
６３の平坦なリード先端おさえ面６８とで外部リード３
１の先端部２１を挟む。これにより、外部リード３１は
ガルウィング状に、すなわち封入樹脂部３２の側面から
導出した外部リードが折れ曲がり、封入樹脂部の下主面
３２’’と同一面から０．４ｍｍ突出した位置で再度、
下主面３２’’と平行な方向に折れ曲った長さ０．５ｍ
ｍの先端部２１を形成した形状に成形される。この先端
部２１がプリント基板１２の導体層パッド（図示省略）
に接着されるが、本実施例では上記した封入樹脂部３２
の矯正工程によりその反りが矯正され平坦化されている
から、実施例における３０４本の外部リード３１の先端
部２１間の高低差は５５μｍ以内となる。したがってこ
のＱＦＰ型の半導体装置をプリント基板１２に実装した
場合、プリント基板１２の上表面に形成されてある導電
層パッドと外部リード３１の先端部２１との接続不良は
発生しない。
された封入樹脂部３２の側面から主面３２’，３２’’
に平行に導出された多数の外部リード３１を有する半導
体装置の中間製品が得られる。そして図７の（Ａ）〜
（Ｄ）に示すように、封入樹脂部３２から導出された外
部リード３１の成形を行ない、半導体装置を完成させ
る。すなわち、封入樹脂部３２より突出する外部リード
３１の根元を上金型６５の平坦なリード押え面６６と下
金型６３の平坦なリード押え面６４とで上下から挟み固
定させた状態で、上方からポンチ６７を下降させて外部
リード３１を押し下げ、ポンチ６７の下面６９と下金型
６３の平坦なリード先端おさえ面６８とで外部リード３
１の先端部２１を挟む。これにより、外部リード３１は
ガルウィング状に、すなわち封入樹脂部３２の側面から
導出した外部リードが折れ曲がり、封入樹脂部の下主面
３２’’と同一面から０．４ｍｍ突出した位置で再度、
下主面３２’’と平行な方向に折れ曲った長さ０．５ｍ
ｍの先端部２１を形成した形状に成形される。この先端
部２１がプリント基板１２の導体層パッド（図示省略）
に接着されるが、本実施例では上記した封入樹脂部３２
の矯正工程によりその反りが矯正され平坦化されている
から、実施例における３０４本の外部リード３１の先端
部２１間の高低差は５５μｍ以内となる。したがってこ
のＱＦＰ型の半導体装置をプリント基板１２に実装した
場合、プリント基板１２の上表面に形成されてある導電
層パッドと外部リード３１の先端部２１との接続不良は
発生しない。
【００２５】次に図８を参照して、上記実施例を用いた
量産に適した自動製造装置の例を説明する。
量産に適した自動製造装置の例を説明する。
【００２６】この量産装置は、エレベータ８１およびス
テージ８２を有する供給部７１、ステージ８３を有する
前移載部７２、４ケのステージ８４を有する予熱部７
３、１０ケのステージ８５を有する加圧加熱部７４、ス
テージ８６，８７を有する中間移載部７５、１０ケのス
テージ８９を有する加圧冷却部７６、４ケのステージ９
１を有する除冷部７７、ステージ９２を有する後移載部
７８、ステージ９３およびエレベータ９４を有する収納
部７９を具備している。そして、予熱部７３の４ケのス
テージ８４には、図３に示す機構がそれぞれ配設されて
いる。加圧加熱部７４の１０ケのステージ８５には、図
４に示す機構がそれぞれ配設されている。加圧冷却部７
６の１０ケのステージ８９には、図５に示す機構がそれ
ぞれ配設されている。除冷部７７の４ケのステージ９１
には、図５から上側のヒートシンク５９および錘５７を
除去した機構がそれぞれ配設されている。また、各ステ
ージにおける上側のヒーターブロックおよびヒートシン
クならびに錘の上下動の動作、温度制御、リードフレー
ムの移動および各ステージへの載置ならびにマガジンケ
ースからの取り出しおよび収納等は全て自動で行われ
る。図１の状態のリードフレーム構造体３０，３２の多
数枚がマガジンケースに収納されエレベータ８１を上昇
して、一枚ずつ取り出されてステージ８２ににおいて搬
送板４１（図３〜図５）上に載置され、搬送板とともに
矢印９８に沿って、ロボットにより各ステージをステッ
プバイステップの間歇送りをされ、各スーテージにおけ
る作用で封止樹脂部の反りの矯正が行なわれ、矯正が完
了した図６の状態のリードフレーム構造体３０，３２が
ステージ９３において搬送板上から順次マガジンケース
に収納されてエレベータ９４を下降していく。
テージ８２を有する供給部７１、ステージ８３を有する
前移載部７２、４ケのステージ８４を有する予熱部７
３、１０ケのステージ８５を有する加圧加熱部７４、ス
テージ８６，８７を有する中間移載部７５、１０ケのス
テージ８９を有する加圧冷却部７６、４ケのステージ９
１を有する除冷部７７、ステージ９２を有する後移載部
７８、ステージ９３およびエレベータ９４を有する収納
部７９を具備している。そして、予熱部７３の４ケのス
テージ８４には、図３に示す機構がそれぞれ配設されて
いる。加圧加熱部７４の１０ケのステージ８５には、図
４に示す機構がそれぞれ配設されている。加圧冷却部７
６の１０ケのステージ８９には、図５に示す機構がそれ
ぞれ配設されている。除冷部７７の４ケのステージ９１
には、図５から上側のヒートシンク５９および錘５７を
除去した機構がそれぞれ配設されている。また、各ステ
ージにおける上側のヒーターブロックおよびヒートシン
クならびに錘の上下動の動作、温度制御、リードフレー
ムの移動および各ステージへの載置ならびにマガジンケ
ースからの取り出しおよび収納等は全て自動で行われ
る。図１の状態のリードフレーム構造体３０，３２の多
数枚がマガジンケースに収納されエレベータ８１を上昇
して、一枚ずつ取り出されてステージ８２ににおいて搬
送板４１（図３〜図５）上に載置され、搬送板とともに
矢印９８に沿って、ロボットにより各ステージをステッ
プバイステップの間歇送りをされ、各スーテージにおけ
る作用で封止樹脂部の反りの矯正が行なわれ、矯正が完
了した図６の状態のリードフレーム構造体３０，３２が
ステージ９３において搬送板上から順次マガジンケース
に収納されてエレベータ９４を下降していく。
【００２７】各ステージにおける滞留時間を３０秒、ス
テージ間の移動時間を５秒とすると、予熱部７３におい
て予備加熱される時間は３０秒×４＝１２０秒＝２分、
加圧加熱部７４において加熱されながら加圧される時間
は３０秒×１０＝３００秒＝５分、加圧冷却部７６にお
いて冷却されながら加圧される時間は３０秒×１０＝３
００秒＝５分、除冷部７７においてステージで除冷さる
時間は３０秒×４＝１２０秒＝２分となる。そして各移
載部におけるステージを含めると３４ケのステージがあ
るから、エレベータ８１のマガジンケースから取り出し
て矯正作業を行いエレベータ９４のマガジケースに収納
するまで約２０分かかるが、リードフレーム構造体は順
次一枚ずつ送られるから、３５秒に一枚ずつ封止樹脂部
の反りが矯正されたリードフレーム構造体が得られるこ
ととなる。
テージ間の移動時間を５秒とすると、予熱部７３におい
て予備加熱される時間は３０秒×４＝１２０秒＝２分、
加圧加熱部７４において加熱されながら加圧される時間
は３０秒×１０＝３００秒＝５分、加圧冷却部７６にお
いて冷却されながら加圧される時間は３０秒×１０＝３
００秒＝５分、除冷部７７においてステージで除冷さる
時間は３０秒×４＝１２０秒＝２分となる。そして各移
載部におけるステージを含めると３４ケのステージがあ
るから、エレベータ８１のマガジンケースから取り出し
て矯正作業を行いエレベータ９４のマガジケースに収納
するまで約２０分かかるが、リードフレーム構造体は順
次一枚ずつ送られるから、３５秒に一枚ずつ封止樹脂部
の反りが矯正されたリードフレーム構造体が得られるこ
ととなる。
【００２８】図９は上記実施例の一部を変更した例であ
る。上記実施例では一枚のリードフレームの４個の封止
樹脂部に対し、連続した上側のヒーターブロックあるい
はヒートシンクまた下側の搬送板を平坦面手段の部材と
して用いた。しかし図９では、上側のヒーターブロック
あるいはヒートシンクまたは両者の平坦面手段の部材９
６を４分割して個々の封止樹脂部３２の上主面３２’に
それぞれ当接させ、同様に、下側のヒーターブロックあ
るいはヒートシンクまたは両者の平坦面手段の部材９５
を４分割して個々の封止樹脂部３２の下主面３２’’に
それぞれ当接させている。このようにすると各ステップ
の機構は複雑になるが、各ステップにおける平坦化の制
御を、個々の封止樹脂部の反り具合に応じ個別に行うこ
とができるメリットがある。勿論、この図９の場合でも
図８のような自動樹脂封止装置に適用することができ
る。
る。上記実施例では一枚のリードフレームの４個の封止
樹脂部に対し、連続した上側のヒーターブロックあるい
はヒートシンクまた下側の搬送板を平坦面手段の部材と
して用いた。しかし図９では、上側のヒーターブロック
あるいはヒートシンクまたは両者の平坦面手段の部材９
６を４分割して個々の封止樹脂部３２の上主面３２’に
それぞれ当接させ、同様に、下側のヒーターブロックあ
るいはヒートシンクまたは両者の平坦面手段の部材９５
を４分割して個々の封止樹脂部３２の下主面３２’’に
それぞれ当接させている。このようにすると各ステップ
の機構は複雑になるが、各ステップにおける平坦化の制
御を、個々の封止樹脂部の反り具合に応じ個別に行うこ
とができるメリットがある。勿論、この図９の場合でも
図８のような自動樹脂封止装置に適用することができ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば封止
樹脂部の反りを矯正する工程の後で外部リードの成形工
程を行うので、個々の封止樹脂部の状態に関係なく通常
の成形金型を用いて外部リードを適正に成形することが
でき、半導体装置をプリント基板に実装する際の接続不
良をなくすことができるという効果を有する。
樹脂部の反りを矯正する工程の後で外部リードの成形工
程を行うので、個々の封止樹脂部の状態に関係なく通常
の成形金型を用いて外部リードを適正に成形することが
でき、半導体装置をプリント基板に実装する際の接続不
良をなくすことができるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例において封入樹脂部を形成した
リードフレームを示す平面図である。
リードフレームを示す平面図である。
【図２】図１の封入樹脂部を拡大して示した図であり、
（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の対角線Ｂ−Ｂ部にお
ける断面図である。
（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の対角線Ｂ−Ｂ部にお
ける断面図である。
【図３】本発明の実施例における予備加熱のステップを
示した側面図である。
示した側面図である。
【図４】本発明の実施例における加圧加熱のステップを
示した側面図である。
示した側面図である。
【図５】本発明の実施例における加圧冷却のステップを
示した側面図である。
示した側面図である。
【図６】本発明の実施例により封止樹脂部の反りを矯正
されたリードフレームを示した側面図である。
されたリードフレームを示した側面図である。
【図７】本発明の実施例により得られた半導体装置の中
間製品から半導体装置を完成させる状態を示す図面であ
り、（Ａ）は外部リードを成形する成形金型および成形
前の半導体装置を示す斜視図、（Ｂ）はその成形の状態
を示す側断面図、（Ｃ）はリード成形後の半導体装置を
示す正面図、（Ｄ）は（Ｃ）の側面図である。
間製品から半導体装置を完成させる状態を示す図面であ
り、（Ａ）は外部リードを成形する成形金型および成形
前の半導体装置を示す斜視図、（Ｂ）はその成形の状態
を示す側断面図、（Ｃ）はリード成形後の半導体装置を
示す正面図、（Ｄ）は（Ｃ）の側面図である。
【図８】本発明の実施例を用いて量産に適した製造装置
を構成した一例を示す概略平面図である。
を構成した一例を示す概略平面図である。
【図９】本発明の実施例の変更例を示す側面図である。
【図１０】従来技術を示す図面であり、（Ａ）は外部リ
ードを成形する成形金型および成形前の半導体装置を示
す斜視図、（Ｂ）はその成形の状態を示す側断面図、
（Ｃ）はリード成形後の半導体装置を示す正面図、
（Ｄ）はその側面図である。
ードを成形する成形金型および成形前の半導体装置を示
す斜視図、（Ｂ）はその成形の状態を示す側断面図、
（Ｃ）はリード成形後の半導体装置を示す正面図、
（Ｄ）はその側面図である。
【図１１】他の従来技術を示す図面であり、（Ａ）は外
部リードを成形する成形金型および成形中の外部リード
の一部を示す側断面図、（Ｂ）はリード成形後の半導体
装置を示す正面図、（Ｃ）は（Ｂ）の側面図である。
部リードを成形する成形金型および成形中の外部リード
の一部を示す側断面図、（Ｂ）はリード成形後の半導体
装置を示す正面図、（Ｃ）は（Ｂ）の側面図である。
１，３１ リード（外部リード） ２ 封止樹脂部 ３，２３，６３ 下金型 ４，２４，６４ 下金型のリード押え面 ５，２５，６５ 上金型 ６，２６，６６ 上金型のリード押え面 ７，６７ ポンチ ８，６８ 下金型のリード先端おさえ面 ９，６９ ポンチの下面 １１ リード（外部リード）の先端部 １２ プリント基板 ３０ リードフレーム ３２ 封止樹脂部 ３２’，３２’’ 封止樹脂部の主面 ３３ 半導体素子 ３４ 金属細線 ３５ リードフレームの外枠 ３６ リードフレームの支持部 ３７ リードフレームの素子載置部 ３８ ヒーター ３９ ヒーターブロック ４１ 搬送板 ４１’ 搬送板の上平坦面 ４２ ヒーターブロックの上板 ４３ ヒーターブロックの下板 ４４，４５ ヒーターブロックの本体 ４６ ヒーター ４７ 錘 ４８，４９ ヒーターブロック ４８’，４９’ ヒーターブロックの平坦面 ５２ ヒートシンクの上板 ５３ ヒートシンクの下板 ５４，５５ ヒートシンクの本体 ５７ 錘 ５８，５９ ヒートシンク ５８’，５９’ ヒートシンクの平坦面 ７１ 供給部 ７２ 前移載部 ７３ 予熱部 ７４ 加圧加熱部 ７５ 中間移載部 ７６ 加圧冷却部 ７７ 除冷部 ７８ 後移載部 ７９ 収納部 ８１，９４ エレベータ ８２−８７，８９，９１−９３ ステージ ９５，９６ 分割した平坦面手段の部材
Claims (22)
- 【請求項１】 半導体素子をリードフレームの所定箇所
に載置し、前記リードフレームの複数のリードの接続領
域と前記半導体素子の複数の接続箇所とを金属細線でそ
れぞれ接続し、前記半導体素子、前記金属細線ならびに
前記リードの接続領域およびその近傍を封止樹脂部で封
止する工程と、前記封止樹脂部の両主面の反りを矯正す
る工程と、前記封止樹脂部から導出した複数の前記リー
ドの所定箇所を切断することにより、矯正された前記封
止樹脂部の側面から所定の長さ前記リードが導出した中
間製品を前記リードフレームから切り離す工程と、前記
リードフレームから切り離された前記中間製品の前記リ
ードを成形する工程とを有することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記封止樹脂部の反りを矯正する工程
は、前記封止樹脂部の両主面を一対の部材の平坦面で挟
み加熱下で前記主面を加圧する第１のステップと、しか
る後、前記封止樹脂部の両主面を一対の部材の平坦面で
挟み冷却しながら前記主面を加圧する第２のステップと
を有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１のステップと前記第２のステッ
プの間に前記リードフレームを搬送する搬送ステップを
有することを特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１のステップにおける加熱はヒー
ターブロックにより行なわれ、前記第２のステップにお
ける冷却はヒートシンクにより行なわれることを特徴と
する請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記第１のステップにおける一方の部材
は前記リードフレームを搭載し移送する搬送板であり他
方の部材は前記ヒーターブロックであり、前記搬送板の
上面および前記ヒーターブロックの下面がそれぞれ平坦
面となっており、前記第２のステップにおける一方の部
材は前記第１のステップと同一の前記搬送板であり他方
の部材が前記ヒートシンクであり、前記ヒートシンクの
下面が平坦面であることを特徴とする請求項４に記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記ヒーターブロックは発熱手段を有す
る本体と前記平坦な下面を形成する下部部分とが分離さ
れて構成され、前記ヒートシンクは放熱手段を有する本
体と前記平坦な下面を形成する下部部分とが分離されて
構成されていることを特徴とする請求項５に記載の樹脂
封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記ヒーターブロックは発熱手段を有す
る本体と前記平坦な下面を形成する下部部分とが一体的
に形成され、前記ヒートシンクは放熱手段を有する本体
と前記平坦な下面を形成する下部部分とが一体的に形成
されていることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 複数の加圧加熱ステージ間を前記リード
フレームが間歇送りされて前記第１のステップをこれら
加圧加熱ステージで順次行ない、複数の加圧冷却ステー
ジ間を前記リードフレームが間歇送りされて前記第２の
ステップをこれら加圧冷却ステージで順次行なうことを
特徴とする請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、
請求項６もしくは請求項７に記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項９】 一枚の前記リードフレームに前記中間製
品が複数個形成されていることを特徴とする請求項１に
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記リードを成形する工程において、
前記封止樹脂の側面より導出された前記リードを折り曲
げ、前記封止樹脂部の一主面と同一な面より突出した位
置で、再度前記一主面と平行な方向に折り曲げた先端部
を形成することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 複数の前記リードは前記封止樹脂部の
４側面のそれぞれから導出されていることを特徴とする
請求項１０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記封止樹脂部は熱硬化型エポキシ系
樹脂により構成されていることを特徴とする請求項１に
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 半導体素子をモールドしてリードフレ
ームに形成された封止樹脂部の両主面を上下から挟む一
対の上下平坦面手段と、前記平坦面手段を介して前記封
止樹脂部の主面に圧力を加える加圧手段とを有し、前記
加圧手段の圧力により前記封止樹脂部の主面の反りを矯
正することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装
置。 - 【請求項１４】 前記加圧手段とともに加熱手段を有
し、前記加熱手段により前記封止樹脂部を高温にした状
態で前記加圧手段により前記封止樹脂部の主面を加圧す
ることを特徴とする請求項１３に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造装置。 - 【請求項１５】 前記加熱手段は前記上下平坦面手段の
上および下にそれぞれ位置する上下側のヒーターブロッ
クを有して構成され、前記加圧手段は前記上側のヒータ
ーブロックの上に載置された錘を有して構成され、前記
錘の自重が前記上側のヒーターブロックおよび前記上平
坦面手段を通して前記封止樹脂部の上側の主面に作用す
ることを特徴とする請求項１４に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造装置。 - 【請求項１６】 前記上平坦面手段は前記上側のヒータ
ーブロックの前記封止樹脂部の上主面に接する平坦な下
面であり、前記下平坦面手段は前記リードフレームを搭
載し移送する搬送板の前記封止樹脂部の下主面に接する
平坦な上面であることを特徴とする請求項１５に記載の
樹脂封止型半導体装置の製造装置。 - 【請求項１７】 前記上側のヒーターブロックは発熱手
段を有する本体と前記平坦な下面を形成する下部部分と
が分離されて構成されていることを特徴とする請求項１
６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。 - 【請求項１８】 前記上側のヒーターブロックは発熱手
段を有する本体と前記平坦な下面を形成する下部部分と
が一体的に形成されていることを特徴とする請求項１６
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。 - 【請求項１９】 前記平坦面手段におけるそれぞれの平
坦面の面内における高低差は１５μｍ以内であることを
特徴とする請求項１６、請求項１７もしくは請求項１８
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。 - 【請求項２０】 前記ヒーターブロックはステンレス鋼
により構成され、前記搬送板はアルミニウムにより構成
されていることを特徴とする請求項１６、請求項１７、
請求項１８もしくは請求項１９に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造装置。 - 【請求項２１】 半導体素子をモールドしてリードフレ
ームに形成された封止樹脂部の両主面を上下から挟む一
対のヒーターブロックおよび前記ヒーターブロックを介
して前記封止樹脂部の主面に圧力を加える第１の加圧手
段を有した第１の矯正部と、半導体素子をモールドして
リードフレームに形成された封止樹脂部の両主面を上下
から挟む一対のヒートシンクおよび前記ヒートシンクを
介して前記封止樹脂部の主面に圧力を加える第２の加圧
手段を有した第２の矯正部とを具備し、前記第１の矯正
部において前記ヒーターブロックにより加熱しながら前
記封止樹脂部の主面を前記第１の加圧手段で加圧した
後、そのリードフレームを前記第２の矯正部に移送し、
前記第１の矯正部で高温となった前記封止樹脂部を前記
第２の矯正部のヒートシンクで冷却しながらその主面を
前記第２の加圧手段で加圧するようにすることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造装置。 - 【請求項２２】 前記第１の矯正部には複数の加圧加熱
ステージが設けられ、前記複数の加圧加熱ステージのそ
れぞれに前記一対のヒーターブロックおよび前記第１の
加圧手段が具備されており、前記第２の矯正部には複数
の加圧冷却ステージが設けられ、複数の加圧冷却ステー
ジのそれぞれに一対の前記ヒートシンクおよび前記第２
の加圧手段が具備されており、前記第１の矯正部におい
て前記複数の加圧加熱ステージ間をリードフレームが間
歇送りされて加熱しながら加圧する操作をそれぞれの前
記加圧加熱ステージで順次行ない、その後、前記第２の
矯正部において前記複数の加圧冷却ステージ間をリード
フレームが間歇送りされて冷却しながら加圧する操作を
それぞれの前記加圧冷却ステージで順次行なうように構
成されていることを特徴とする請求項２１に記載の樹脂
封止型半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184575A JP2570583B2 (ja) | 1992-07-31 | 1993-07-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-205164 | 1992-07-31 | ||
| JP20516492 | 1992-07-31 | ||
| JP5184575A JP2570583B2 (ja) | 1992-07-31 | 1993-07-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697343A true JPH0697343A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2570583B2 JP2570583B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=26502571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5184575A Expired - Fee Related JP2570583B2 (ja) | 1992-07-31 | 1993-07-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570583B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278760B1 (ko) * | 1997-10-23 | 2001-02-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지의인캡슐레이션된액상봉지재의상부표면을평평하게하는방법및그장치 |
| KR20180027180A (ko) * | 2016-09-06 | 2018-03-14 | 주식회사 이오테크닉스 | 반도체 패키지 제조용 경화 장치 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조방법 |
| JP2018117041A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 板状ワークの反り低減方法及びそれを用いる加工装置 |
| KR20210129988A (ko) * | 2020-04-21 | 2021-10-29 | 유래만 | Fpcb의 제작을 위한 핫프레스의 핫플레이트 |
| CN116313820A (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-23 | 先进半导体材料(深圳)有限公司 | 引线框架的贴片机 |
| JP2024004697A (ja) * | 2022-06-29 | 2024-01-17 | Ｔｏｗａ株式会社 | 反り矯正装置 |
| WO2024042752A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | Ｔｏｗａ株式会社 | 反り矯正システム、及び、製造システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457630A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method and device for preventing warpage of semiconductor device |
| JPH03102859A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP5184575A patent/JP2570583B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457630A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method and device for preventing warpage of semiconductor device |
| JPH03102859A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278760B1 (ko) * | 1997-10-23 | 2001-02-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지의인캡슐레이션된액상봉지재의상부표면을평평하게하는방법및그장치 |
| KR20180027180A (ko) * | 2016-09-06 | 2018-03-14 | 주식회사 이오테크닉스 | 반도체 패키지 제조용 경화 장치 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조방법 |
| JP2018117041A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 板状ワークの反り低減方法及びそれを用いる加工装置 |
| KR20210129988A (ko) * | 2020-04-21 | 2021-10-29 | 유래만 | Fpcb의 제작을 위한 핫프레스의 핫플레이트 |
| CN116313820A (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-23 | 先进半导体材料(深圳)有限公司 | 引线框架的贴片机 |
| JP2024004697A (ja) * | 2022-06-29 | 2024-01-17 | Ｔｏｗａ株式会社 | 反り矯正装置 |
| TWI863236B (zh) * | 2022-06-29 | 2024-11-21 | 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 | 翹曲矯正裝置 |
| WO2024042752A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | Ｔｏｗａ株式会社 | 反り矯正システム、及び、製造システム |
| JP2024030726A (ja) * | 2022-08-25 | 2024-03-07 | Ｔｏｗａ株式会社 | 反り矯正システム、及び、製造システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570583B2 (ja) | 1997-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6902955B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a flexible wiring substrate | |
| US5492866A (en) | Process for correcting warped surface of plastic encapsulated semiconductor device | |
| US3724068A (en) | Semiconductor chip packaging apparatus and method | |
| US4865193A (en) | Tape carrier for tape automated bonding process and a method of producing the same | |
| TW201635398A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
| JP2570583B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JPH03250756A (ja) | 半導体素子の外部リードの成型方法 | |
| JP2002093982A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0870082A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにリードフレーム | |
| JP2880877B2 (ja) | 半導体装置のリード矯正方法および半導体装置の実装方法 | |
| JPH0539630Y2 (ja) | ||
| JPH0661378A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2897396B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法 | |
| JP3087395B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH04313245A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20260053215A (ko) | 휨이 감소된 전자 디바이스를 형성하는 방법 | |
| JP3287233B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05267531A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| JP2526506B2 (ja) | 樹脂モ―ルド型半導体装置の製造方法 | |
| JP3394667B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000138307A (ja) | 半導体装置用中間製品 | |
| JPH06275767A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH11214413A (ja) | 半導体チップが実装されるキャリアテープ、これを用いた半導体装置の製造方法、およびこの製造方法によって製造された半導体装置 | |
| JPH05299568A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JP2000031633A (ja) | 配線基板のはんだバンプ平坦化方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960827 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 14 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |