JPH0697471A - 赤外検知装置及びその組立方法 - Google Patents
赤外検知装置及びその組立方法Info
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- JPH0697471A JPH0697471A JP4273586A JP27358692A JPH0697471A JP H0697471 A JPH0697471 A JP H0697471A JP 4273586 A JP4273586 A JP 4273586A JP 27358692 A JP27358692 A JP 27358692A JP H0697471 A JPH0697471 A JP H0697471A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ノイズが少なく信頼性の高い赤外検知装置と
その組立方法を得る。 【構成】 赤外線検知素子１０ａの受光層２の両側端部
に形成される２つの電極部３ａを基板裏面にまで延設
し、該基板裏面を絶縁性のサブマウント５に対向させ
て、上記２つの電極部３ａを２つの電極部がショートし
ないように絶縁性のサブマウント５上の電極パターン６
に半田付けし、該絶縁性のサブマウント５上の電極パタ
ーン６と導電性のリードとをワイヤボンディングする。
その組立方法を得る。 【構成】 赤外線検知素子１０ａの受光層２の両側端部
に形成される２つの電極部３ａを基板裏面にまで延設
し、該基板裏面を絶縁性のサブマウント５に対向させ
て、上記２つの電極部３ａを２つの電極部がショートし
ないように絶縁性のサブマウント５上の電極パターン６
に半田付けし、該絶縁性のサブマウント５上の電極パタ
ーン６と導電性のリードとをワイヤボンディングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、赤外線検知装置とそ
の製造方法に関し、特に、赤外線検知素子の電気伝導度
の変化を素子の周辺に配設された導電性のリードを介し
て外部に電気信号として取り出すよう構成された光伝導
型赤外検知装置とその組み立て方法に関するものであ
る。
の製造方法に関し、特に、赤外線検知素子の電気伝導度
の変化を素子の周辺に配設された導電性のリードを介し
て外部に電気信号として取り出すよう構成された光伝導
型赤外検知装置とその組み立て方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の光伝導型赤外検知装置の
構造を示し、図５(a) はその斜視図であり、図５(b) は
図５(a) に示す赤外検知素子の構造を示す断面図であ
る。図５(b) において、１０は赤外検知素子であり、該
赤外検知素子１０は、ＣｄＴｅ基板１，該ＣｄＴｅ基板
１に配設されたＣｄＨｇＴｅからなる受光層２，該受光
層２の上面に形成された電極部３からなり、該電極部３
の間の受光層２が受光部４になっている。そして、この
赤外検知素子１０が、図５(a) に示すように、導電性の
サブマウント１５上に半田付けされ、該赤外検知素子１
０の電極部３と、該導電性のサブマウント１５上に絶縁
部７を介して配設された導電性のリード８とがワイヤ９
によってワイヤボンディングされて、光伝導型赤外検知
装置が構成されている。
構造を示し、図５(a) はその斜視図であり、図５(b) は
図５(a) に示す赤外検知素子の構造を示す断面図であ
る。図５(b) において、１０は赤外検知素子であり、該
赤外検知素子１０は、ＣｄＴｅ基板１，該ＣｄＴｅ基板
１に配設されたＣｄＨｇＴｅからなる受光層２，該受光
層２の上面に形成された電極部３からなり、該電極部３
の間の受光層２が受光部４になっている。そして、この
赤外検知素子１０が、図５(a) に示すように、導電性の
サブマウント１５上に半田付けされ、該赤外検知素子１
０の電極部３と、該導電性のサブマウント１５上に絶縁
部７を介して配設された導電性のリード８とがワイヤ９
によってワイヤボンディングされて、光伝導型赤外検知
装置が構成されている。
【０００３】次に、動作について説明する。受光層２
は、狭いバンドキャップを有するＣｄＨｇＴｅ等の化合
物半導体で形成されており、このバンドキャップよりも
大きなエネルギーの赤外線が受光部４から入射すると、
受光層２中に過剰キャリアが発生し、この過剰キャリア
による素子の電気伝導度の変化が、素子の両側の電極部
３，ワイヤ９，及びリード部８を介して電気信号として
外部に取り出される。
は、狭いバンドキャップを有するＣｄＨｇＴｅ等の化合
物半導体で形成されており、このバンドキャップよりも
大きなエネルギーの赤外線が受光部４から入射すると、
受光層２中に過剰キャリアが発生し、この過剰キャリア
による素子の電気伝導度の変化が、素子の両側の電極部
３，ワイヤ９，及びリード部８を介して電気信号として
外部に取り出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の赤外線検知装置
は以上のように構成されており、サブマウント上に配設
される赤外線検知素子の受光層を構成する半導体層は機
械的に脆く、特に、上記のようなＣｄＨｇＴｅ結晶から
なる受光層２は機械的に大変脆いため、受光層上に形成
した電極部３と導電性のリード８とをワイヤボンディン
グする際、ボンディング部の直下の受光層２にひび割れ
が生じ、このひび割れによって、電気信号にノイズが入
り、装置特性が劣化し、また、装置の信頼性が低下して
しまうという問題があった。
は以上のように構成されており、サブマウント上に配設
される赤外線検知素子の受光層を構成する半導体層は機
械的に脆く、特に、上記のようなＣｄＨｇＴｅ結晶から
なる受光層２は機械的に大変脆いため、受光層上に形成
した電極部３と導電性のリード８とをワイヤボンディン
グする際、ボンディング部の直下の受光層２にひび割れ
が生じ、このひび割れによって、電気信号にノイズが入
り、装置特性が劣化し、また、装置の信頼性が低下して
しまうという問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、ノイズが少なく、かつ、信
頼性が向上した赤外線検知装置及びその組み立て方法を
提供することを目的とする。
ためになされたものであり、ノイズが少なく、かつ、信
頼性が向上した赤外線検知装置及びその組み立て方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る赤外線検
知装置及びその組立方法は、赤外線検知素子の電極部を
赤外線検知素子の基板裏面にまで延設し、該赤外線検知
素子の基板裏面を絶縁性のサブマウントに対向させて、
該電極部を上記電極パターンに半田付けし、該電極パタ
ーンと導電性リードとをワイヤボンディングするように
したものである。
知装置及びその組立方法は、赤外線検知素子の電極部を
赤外線検知素子の基板裏面にまで延設し、該赤外線検知
素子の基板裏面を絶縁性のサブマウントに対向させて、
該電極部を上記電極パターンに半田付けし、該電極パタ
ーンと導電性リードとをワイヤボンディングするように
したものである。
【０００７】更に、この発明に係る赤外線検知装置及び
その組立方法は、上記赤外線検知素子の基板裏面に上記
電極部に接触しない金属膜を形成し、上記絶縁性のサブ
マウント上に上記電極パターンに接触しない金属膜を形
成し、上記電極部と電極パターンとを半田付けする際、
これら金属膜を同時に半田付けするようにしたものであ
る。
その組立方法は、上記赤外線検知素子の基板裏面に上記
電極部に接触しない金属膜を形成し、上記絶縁性のサブ
マウント上に上記電極パターンに接触しない金属膜を形
成し、上記電極部と電極パターンとを半田付けする際、
これら金属膜を同時に半田付けするようにしたものであ
る。
【０００８】更に、この発明に係る赤外線検知装置及び
その製造方法は、上記電極パターンを上記絶縁性のサブ
マウントの最上面から一段下がった位置に形成し、上記
電極部と電極パターンとの半田付けにより、上記赤外線
検知素子の基板裏面と上記サブマウントの最上面とが接
触するようにしたものである。
その製造方法は、上記電極パターンを上記絶縁性のサブ
マウントの最上面から一段下がった位置に形成し、上記
電極部と電極パターンとの半田付けにより、上記赤外線
検知素子の基板裏面と上記サブマウントの最上面とが接
触するようにしたものである。
【０００９】更に、この発明に係る赤外線検知装置及び
その製造方法は、赤外線検知素子の受光層側を絶縁性の
サブマウントに対向させ、該受光層上に形成された電極
部を、絶縁性のサブマウント上に形成された電極パター
ンに半田付けし、該電極パターンと導電性リードとをワ
イヤボンディングするようにしたものである。
その製造方法は、赤外線検知素子の受光層側を絶縁性の
サブマウントに対向させ、該受光層上に形成された電極
部を、絶縁性のサブマウント上に形成された電極パター
ンに半田付けし、該電極パターンと導電性リードとをワ
イヤボンディングするようにしたものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、サブマウント上の電極パ
ターンに対してワイヤボンディングを行うようにしたか
ら、赤外線検知素子の受光層にひび割れを生じさせるこ
となく、赤外線検知装置を組み立てることができる。
ターンに対してワイヤボンディングを行うようにしたか
ら、赤外線検知素子の受光層にひび割れを生じさせるこ
となく、赤外線検知装置を組み立てることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。 （実施例１）図１は、この発明の第１の実施例による光
伝導型赤外線検知装置の構造及び組立行程を説明するた
めの図であり、図１(a) は、赤外線検知素子の構造を示
す斜視図、図１(b) は、赤外線検知素子とサブマウント
の接合行程を示す断面図、図１(c) は赤外線検知装置の
斜視図である。
る。 （実施例１）図１は、この発明の第１の実施例による光
伝導型赤外線検知装置の構造及び組立行程を説明するた
めの図であり、図１(a) は、赤外線検知素子の構造を示
す斜視図、図１(b) は、赤外線検知素子とサブマウント
の接合行程を示す断面図、図１(c) は赤外線検知装置の
斜視図である。
【００１２】図において、図５と同一符号は同一または
相当する部分を示し、１０ａは赤外線検知素子であり、
該赤外線検知素子１０ａには、ＣｄＨｇＴｅからなる受
光層２の受光面４の端部から、受光層２及びＣｄＴｅ基
板１の側壁部を覆い基板１の裏面まで延びる電極部３ａ
が形成されている。また、５は絶縁性のセブマウント、
６は該絶縁性のセブマウント５の上面に互いに接触しな
いように形成された２つの電極パターンである。
相当する部分を示し、１０ａは赤外線検知素子であり、
該赤外線検知素子１０ａには、ＣｄＨｇＴｅからなる受
光層２の受光面４の端部から、受光層２及びＣｄＴｅ基
板１の側壁部を覆い基板１の裏面まで延びる電極部３ａ
が形成されている。また、５は絶縁性のセブマウント、
６は該絶縁性のセブマウント５の上面に互いに接触しな
いように形成された２つの電極パターンである。
【００１３】次に、組立行程を説明する。先ず、図１
(a) に示すように、赤外線検知素子１０ａの２つの電極
部３ａを受光層２の上面の両側端部から素子の側壁（受
光層２と基板１の側壁）に沿って、互いに接触しないよ
うに素子の裏面（基板１の裏面）まで延ばして形成す
る。ここで、電極部３ａは例えばＣｒ−Ａｕ等のメタラ
イズによって形成される。
(a) に示すように、赤外線検知素子１０ａの２つの電極
部３ａを受光層２の上面の両側端部から素子の側壁（受
光層２と基板１の側壁）に沿って、互いに接触しないよ
うに素子の裏面（基板１の裏面）まで延ばして形成す
る。ここで、電極部３ａは例えばＣｒ−Ａｕ等のメタラ
イズによって形成される。
【００１４】次に、図１(b) に示すように、例えば、窒
化ホウ素・炭化シリコン等からなる絶縁性のサブマウン
ト５上の所定領域に互いに接触しない２つの電極パター
ン６を形成し、上記赤外線検知素子１０ａの裏面に形成
された２つの電極部３ａを、この２つの電極部パターン
６に、該２つの電極部３ａがショートしないように半田
付けする。尚、上記電極パターン６は、Ｃｒ−Ａｕ等の
メタライズによって形成される。
化ホウ素・炭化シリコン等からなる絶縁性のサブマウン
ト５上の所定領域に互いに接触しない２つの電極パター
ン６を形成し、上記赤外線検知素子１０ａの裏面に形成
された２つの電極部３ａを、この２つの電極部パターン
６に、該２つの電極部３ａがショートしないように半田
付けする。尚、上記電極パターン６は、Ｃｒ−Ａｕ等の
メタライズによって形成される。
【００１５】次に、図１(c) に示すように、上記サブマ
ウント５上の所定領域に絶縁部材７を介して配設された
導電性のリード８と電極パターン部６とをワイヤボンド
する。尚、ここでは図示していないが、導電性リード８
は、上記サブマウント５上の他方の電極パターン６に近
接する領域にも形成されており、この図示しない導電性
リード８と他方の電極パターン６もワイヤボンディング
される。
ウント５上の所定領域に絶縁部材７を介して配設された
導電性のリード８と電極パターン部６とをワイヤボンド
する。尚、ここでは図示していないが、導電性リード８
は、上記サブマウント５上の他方の電極パターン６に近
接する領域にも形成されており、この図示しない導電性
リード８と他方の電極パターン６もワイヤボンディング
される。
【００１６】このような本実施例の赤外線検知装置の組
立方法では、導電性リード８と赤外線検知素子１０ａと
を電気的に接続するためのワイヤを、該赤外線検知素子
１０ａの電極部３ａに接合したサブマウント５上の電極
パターン６にワイヤボンディングするようにしたので、
赤外線検知素子１０ａの受光層２にひび割れを生じさせ
ることなく、赤外線検知素子１０ａの電極部３ａ，３ｂ
と導電性のリード８とを電気的に接続することができ、
ノイズが少なく、且つ、信頼性が向上した赤外線検知装
置を得ることができる。
立方法では、導電性リード８と赤外線検知素子１０ａと
を電気的に接続するためのワイヤを、該赤外線検知素子
１０ａの電極部３ａに接合したサブマウント５上の電極
パターン６にワイヤボンディングするようにしたので、
赤外線検知素子１０ａの受光層２にひび割れを生じさせ
ることなく、赤外線検知素子１０ａの電極部３ａ，３ｂ
と導電性のリード８とを電気的に接続することができ、
ノイズが少なく、且つ、信頼性が向上した赤外線検知装
置を得ることができる。
【００１７】（実施例２）図２は、この発明の第２の実
施例による光伝導型赤外線検知装置の組立行程における
赤外線検知素子とサブマウントの接合行程を示した断面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示し、１０ｂは赤外線検知素子、１１，１
２は半田付け用の金属膜である。そして、この実施例で
は、上記赤外線検知素子１０ｂの基板１の裏面の中央部
に２つの電極部３ａに接触しない半田付け用の金属膜１
１が、絶縁性のサブマウント５の上面の中央部に２つの
電極パターン６に接触しない半田付け用の金属膜１２が
形成されており、電極部３ａと電極パターン６を半田付
けする際、これら半田付け用の金属膜１１，１２を同時
に接合し、その後、上記第１の実施例と同様にして電極
パターン６にワイヤをボンディングする。尚、この半田
付けの際、２つの電極部３ａが金属膜１１，１２を介し
てシュートしないようにする。
施例による光伝導型赤外線検知装置の組立行程における
赤外線検知素子とサブマウントの接合行程を示した断面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示し、１０ｂは赤外線検知素子、１１，１
２は半田付け用の金属膜である。そして、この実施例で
は、上記赤外線検知素子１０ｂの基板１の裏面の中央部
に２つの電極部３ａに接触しない半田付け用の金属膜１
１が、絶縁性のサブマウント５の上面の中央部に２つの
電極パターン６に接触しない半田付け用の金属膜１２が
形成されており、電極部３ａと電極パターン６を半田付
けする際、これら半田付け用の金属膜１１，１２を同時
に接合し、その後、上記第１の実施例と同様にして電極
パターン６にワイヤをボンディングする。尚、この半田
付けの際、２つの電極部３ａが金属膜１１，１２を介し
てシュートしないようにする。
【００１８】このような本実施例の赤外線検知装置の組
立行程では、２つの電極部３ａと２つの電極パターン６
との接着以外に、これらから孤立して形成された基板１
裏面の金属膜１１とサブマウント５上の金属膜１２とが
半田付けにより接着するようにしたので、上記第１の実
施例に比べて、赤外線検知素子１０ｂをサブマウント５
上により強固に接着することができ、しかも、動作時に
赤外線検知素子１０ｂで発生する熱がこの金属膜１１，
１２を通してサブマウント５に放熱されるため、装置の
信頼性を一層向上することができる。
立行程では、２つの電極部３ａと２つの電極パターン６
との接着以外に、これらから孤立して形成された基板１
裏面の金属膜１１とサブマウント５上の金属膜１２とが
半田付けにより接着するようにしたので、上記第１の実
施例に比べて、赤外線検知素子１０ｂをサブマウント５
上により強固に接着することができ、しかも、動作時に
赤外線検知素子１０ｂで発生する熱がこの金属膜１１，
１２を通してサブマウント５に放熱されるため、装置の
信頼性を一層向上することができる。
【００１９】（実施例３）図３は、この発明の第３の実
施例による光伝導型赤外線検知装置の組立行程における
赤外線検知素子とサブマウントの接合行程を示した断面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示し、５ａは電極パターン６が形成される
領域が凹状に成形された絶縁性のサブマウントである。
この実施例では、図に示すように、このサブマウント５
ａの凹部に形成された２つの電極パターン６と赤外線検
知素子１０ａの基板１の裏面の２つの電極部３ａとを半
田付けによって接合し、その後、電極パターン６に上記
第１の実施例と同様にしてワイヤをボンディングする。
施例による光伝導型赤外線検知装置の組立行程における
赤外線検知素子とサブマウントの接合行程を示した断面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示し、５ａは電極パターン６が形成される
領域が凹状に成形された絶縁性のサブマウントである。
この実施例では、図に示すように、このサブマウント５
ａの凹部に形成された２つの電極パターン６と赤外線検
知素子１０ａの基板１の裏面の２つの電極部３ａとを半
田付けによって接合し、その後、電極パターン６に上記
第１の実施例と同様にしてワイヤをボンディングする。
【００２０】このような本実施例の赤外線検知装置の組
立行程では、赤外線検知素子１０ａの基板１裏面の２つ
の電極部３ａと、絶縁性のサブマウント５ａの凹部に形
成された２つの電極パターン６とを半田付けするように
したので、赤外線検知素子１０ａの基板裏面１とサブマ
ウント５ａの最上面とが接触し、赤外線検知素子１０ｂ
の動作時に発生する熱を効率良くサブマウント５に放熱
でき、装置の信頼性を一層向上することができる。
立行程では、赤外線検知素子１０ａの基板１裏面の２つ
の電極部３ａと、絶縁性のサブマウント５ａの凹部に形
成された２つの電極パターン６とを半田付けするように
したので、赤外線検知素子１０ａの基板裏面１とサブマ
ウント５ａの最上面とが接触し、赤外線検知素子１０ｂ
の動作時に発生する熱を効率良くサブマウント５に放熱
でき、装置の信頼性を一層向上することができる。
【００２１】（実施例４）図４は、この発明の第３の実
施例による赤外線検知装置の組立行程の一行程を示した
断面図であり、図において、図５及び図１と同一符号は
同一または相当する部分を示す。この実施例では、図に
示すように、赤外線検知素子１０の受光層２表面に形成
された２つの電極部３を絶縁性のサブマウント５の上面
の２つの電極パターン６に直接半田付けし、その後、電
極パターン６に上記第１の実施例と同様にしてワイヤを
ボンディングする。尚、この赤外線検知装置では、光は
透明のＣｄＴｅ基板１側から入射される。
施例による赤外線検知装置の組立行程の一行程を示した
断面図であり、図において、図５及び図１と同一符号は
同一または相当する部分を示す。この実施例では、図に
示すように、赤外線検知素子１０の受光層２表面に形成
された２つの電極部３を絶縁性のサブマウント５の上面
の２つの電極パターン６に直接半田付けし、その後、電
極パターン６に上記第１の実施例と同様にしてワイヤを
ボンディングする。尚、この赤外線検知装置では、光は
透明のＣｄＴｅ基板１側から入射される。
【００２２】このような本実施例の赤外線検知装置の組
立行程では、赤外線検知素子１０の受光層２表面にある
２つの電極部３を、絶縁性のサブマウント５上の電極部
パターン６に直接半田付けするようにしたので、上記第
１〜第３の実施例のように、電極部３を赤外線検知素子
１０の基板１裏面にまで引き延ばして形成する必要がな
くなり、組立行程を簡略化できる。
立行程では、赤外線検知素子１０の受光層２表面にある
２つの電極部３を、絶縁性のサブマウント５上の電極部
パターン６に直接半田付けするようにしたので、上記第
１〜第３の実施例のように、電極部３を赤外線検知素子
１０の基板１裏面にまで引き延ばして形成する必要がな
くなり、組立行程を簡略化できる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、絶縁
性のセブマウント上の電極パターンに赤外線検知素子の
電極部を半田付けし、該電極パターンと導電性リードと
をワイヤボンディングするようにしたので、ワイヤボン
ド時に赤外線検知素子にひびが入ることがなくなり、ノ
イズが少なく、信頼性の高い赤外線検知装置を得ること
ができる効果がある。
性のセブマウント上の電極パターンに赤外線検知素子の
電極部を半田付けし、該電極パターンと導電性リードと
をワイヤボンディングするようにしたので、ワイヤボン
ド時に赤外線検知素子にひびが入ることがなくなり、ノ
イズが少なく、信頼性の高い赤外線検知装置を得ること
ができる効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による光伝導型赤外線
検知装置の構造及び組立行程をを説明するための図であ
る。
検知装置の構造及び組立行程をを説明するための図であ
る。
【図２】この発明の第２の実施例による光伝導型赤外線
検知装置の組立行程における一行程を示した断面図であ
る。
検知装置の組立行程における一行程を示した断面図であ
る。
【図３】この発明の第３の実施例による光伝導型赤外線
検知装置の組立行程における一行程を示した断面図であ
る。
検知装置の組立行程における一行程を示した断面図であ
る。
【図４】この発明の第４の実施例による光伝導型赤外線
検知装置の組立行程における一行程を示した断面図であ
る。
検知装置の組立行程における一行程を示した断面図であ
る。
【図５】従来の光伝導型赤外検知装置及び該赤外検知装
置を構成する赤外検知素子の構造を示す斜視図と断面図
である。
置を構成する赤外検知素子の構造を示す斜視図と断面図
である。
１ ＣｄＴｅ基板 ２ ＣｄＨｇＴｅからなる受光層 ３ 電極部 ４ 受光部 ５，５ａ 絶縁性のサブマウント ６ 電極パターン ７ 絶縁部 ８ 導電性のリード ９ ワイヤ １０，１０ａ，１０ｂ 赤外線検知素子 １１ ＣｄＴｅ基板の裏面に形成された半田付け用の金
属膜 １２ 絶縁性のサブマウント上に形成された半田付け用
の金属膜 １５ 導電性のサブマウント
属膜 １２ 絶縁性のサブマウント上に形成された半田付け用
の金属膜 １５ 導電性のサブマウント
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁性のサブマウント上に配設され、そ
の受光層の両側端部にそれぞれ電極部が形成された赤外
線検知素子の該２つの電極部間に電流を流し、該赤外線
検知素子の電気伝導度の変化を、上記２つの電極部から
上記サブマウント上に設けられた２つの導電性リードを
通して外部に電気信号として取り出すよう構成してなる
光伝導型赤外線検知装置であって、 上記２つの電極部の各々が、上記赤外線検知素子の側面
に沿って裏面側まで延設され、上記絶縁性のサブマウン
ト上に形成された２つの電極パターンの各一方に該２つ
の電極部がショートしないように半田付けされるととも
に、該２つの電極パターンの各々が、上記２つの導電性
リードの各一方にワイヤボンディングされていることを
特徴とする赤外検知装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の赤外検知装置におい
て、 上記赤外線検知素子の裏面側に上記２つの電極部に接触
しない孤立の金属膜が形成され、上記絶縁性のサブマウ
ント上に上記２つの電極パターンに接触しない孤立の金
属膜が形成され、これら２つの金属膜が半田付けされて
いることを特徴とする赤外検知装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の赤外検知装置におい
て、 上記２つの電極パターンが上記絶縁性のサブマウントの
最上面から一段下がった位置に形成され、上記赤外線検
知素子の裏面と上記絶縁性のサブマウントの最上面とが
接触していることを特徴とする赤外検知装置。 - 【請求項４】 絶縁性のサブマウント上に配設され、そ
の受光層の両側端部にそれぞれ電極部が形成された赤外
線検知素子の該２つの電極部間に電流を流し、該赤外線
検知素子の電気伝導度の変化を、上記２つの電極部から
上記サブマウント上に設けられた２つの導電性リードを
通して外部に電気信号として取り出すよう構成してなる
光伝導型赤外線検知装置であって、 上記赤外線撮像素子の受光層側が上記絶縁性のサブマウ
ントに対向し、該受光層の両側端部に形成された２つの
電極部の各々が、上記絶縁性のサブマウント上に形成さ
れた互いに接触しない２つの電極パターンの各一方に該
２つの電極部がショートしないように半田付けされると
ともに、該２つの電極パターンの各々が、上記２つの導
電性リードの各一方にワイヤボンディングされているこ
とを特徴とする赤外検知装置。 - 【請求項５】 絶縁性のサブマウント上に配設され、そ
の受光層の両側端部にそれぞれ電極部が形成された赤外
線検知素子の該２つの電極部間に電流を流し、該赤外線
検知素子の電気伝導度の変化を、上記２つの電極部から
上記サブマウント上に設けられた２つの導電性リードを
通して外部に電気信号として取り出すよう構成してなる
光伝導型赤外線検知装置の組み立て方法において、 上記赤外線検知素子の上記受光層の両側端部に形成され
た電極部を、上記絶縁性のサブマウント上に形成された
互いに接触しない２つの電極パターンに、該２つの電極
部がショートしないように半田付けする工程と、 上記絶縁性のサブマウント上に設けられた２つの導電性
リードの各々を、上記絶縁性のサブマウント上に形成さ
れた互いに接触しない２つの電極パターンの各一方にワ
イヤボンディングする工程とを含むことを特徴とする赤
外検知装置の組み立て方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の赤外検知装置の組み立
て方法において、 上記赤外線検知素子の受光層の両側端部に形成された電
極部を、該赤外線検知素子の基板裏面まで延設し、該基
板裏面を上記絶縁性のサブマウントに対向させて上記半
田付けを行うことを特徴とする赤外検知装置の組み立て
方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の赤外検知装置の組み立
て方法において、 上記赤外線検知素子の基板裏面と上記絶縁性のサブマウ
ントの上面とに、上記電極部及び電極パターンに接触し
ない金属膜をそれぞれ形成しておき、上記電極部と上記
電極パターンとを半田付けする際に、これら金属膜同士
を半田付けすることを特徴とする赤外検知装置の組み立
て方法。 - 【請求項８】 請求項６に記載の赤外検知装置の組み立
て方法において、 上記電極パターンを上記絶縁性のサブマウントの最上面
から一段下がった位置に形成し、上記赤外線検知素子の
裏面と上記絶縁性のサブマウントの最上面とが接触する
ように、上記電極部と上記電極パターンとを半田付けす
ることを特徴とする赤外検知装置の組み立て方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4273586A JPH0697471A (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 赤外検知装置及びその組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4273586A JPH0697471A (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 赤外検知装置及びその組立方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697471A true JPH0697471A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17529862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4273586A Pending JPH0697471A (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 赤外検知装置及びその組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290858B1 (ko) * | 1999-03-13 | 2001-05-15 | 구자홍 | 양자점 원적외선 수광소자 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-09-16 JP JP4273586A patent/JPH0697471A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290858B1 (ko) * | 1999-03-13 | 2001-05-15 | 구자홍 | 양자점 원적외선 수광소자 및 그 제조방법 |
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