JPH0697576A - 半導体レーザ及びその製法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製法Info
- Publication number
- JPH0697576A JPH0697576A JP4245087A JP24508792A JPH0697576A JP H0697576 A JPH0697576 A JP H0697576A JP 4245087 A JP4245087 A JP 4245087A JP 24508792 A JP24508792 A JP 24508792A JP H0697576 A JPH0697576 A JP H0697576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- semiconductor
- ridge
- clad layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2223—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties hetero barrier blocking layers, e.g. P-P or N-N
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低閾値化と安定した独立駆動が可能な多ビー
ムレーザを得る。 【構成】 ｛１００｝結晶面を主面とする第１導電型の
化合物半導体基板１に＜０１１＞結晶軸方向に沿って形
成されたリッジ２上に、第１導電型の第１のクラッド層
３と、電流阻止層４とのエピタキシャル成長層が｛１１
１｝Ｂ結晶面により挟まれて閉じ込められた断面ほぼ３
角形の半導体部Ｅが形成され、この半導体部Ｅにより分
断されて，その両側に少なくとも第１導電型の第２のク
ラッド層５と、活性層６と、第２導電型の第３のクラッ
ド層７と、第１導電型の電流狭窄層８と、第２導電型の
第４のクラッド層９とをそれぞれ有する第１及び第２の
半導体レーザ部ＬＤ1 及びＬＤ2 を構成する。
ムレーザを得る。 【構成】 ｛１００｝結晶面を主面とする第１導電型の
化合物半導体基板１に＜０１１＞結晶軸方向に沿って形
成されたリッジ２上に、第１導電型の第１のクラッド層
３と、電流阻止層４とのエピタキシャル成長層が｛１１
１｝Ｂ結晶面により挟まれて閉じ込められた断面ほぼ３
角形の半導体部Ｅが形成され、この半導体部Ｅにより分
断されて，その両側に少なくとも第１導電型の第２のク
ラッド層５と、活性層６と、第２導電型の第３のクラッ
ド層７と、第１導電型の電流狭窄層８と、第２導電型の
第４のクラッド層９とをそれぞれ有する第１及び第２の
半導体レーザ部ＬＤ1 及びＬＤ2 を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特にＡ
ｌＧａＡｓ系化合物半導体より成り、独立駆動型の例え
ば２ビーム半導体レーザを基本構成とする半導体レーザ
及びその製法に係わる。
ｌＧａＡｓ系化合物半導体より成り、独立駆動型の例え
ば２ビーム半導体レーザを基本構成とする半導体レーザ
及びその製法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの高集積化・高速処理化な
どの要請に対し、１チップ内に複数の独立制御が可能な
レーザビームを有するマルチビーム半導体レーザが開発
されている。
どの要請に対し、１チップ内に複数の独立制御が可能な
レーザビームを有するマルチビーム半導体レーザが開発
されている。
【０００３】このような独立制御のマルチビームレーザ
においては、単体素子とは異なり複数の独立した入力端
子を必要とするため、例えばレーザビームごとに独立し
た電極をパターニング形成し、更に活性層を横切る深さ
にまで達する程度の溝をＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）等のドライエッチングにより形成して素子分離を行
う等の方法が考えられる。
においては、単体素子とは異なり複数の独立した入力端
子を必要とするため、例えばレーザビームごとに独立し
た電極をパターニング形成し、更に活性層を横切る深さ
にまで達する程度の溝をＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）等のドライエッチングにより形成して素子分離を行
う等の方法が考えられる。
【０００４】しかしながらこのように活性層を横切るド
ライエッチングを行うときは、結晶にダメージを与える
恐れがあり、特性の劣化を招き、信頼性の低下を来すと
いう問題がある。
ライエッチングを行うときは、結晶にダメージを与える
恐れがあり、特性の劣化を招き、信頼性の低下を来すと
いう問題がある。
【０００５】本出願人は先に、高出力半導体レーザであ
るＳＡＮレーザ（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎａｒｒ
ｏｗ Ｓｔｒｉｐｅ Ｌａｓｅｒ）のマルチビーム化と
して２ビームレーザを提案した。
るＳＡＮレーザ（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎａｒｒ
ｏｗ Ｓｔｒｉｐｅ Ｌａｓｅｒ）のマルチビーム化と
して２ビームレーザを提案した。
【０００６】この２ビームＳＡＮレーザは、図６にその
断面図を示すように、まず第１導電型例えばｎ型で一主
面が｛１００｝結晶面を有するＧａＡｓ化合物半導体基
板３１に、例えばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）
法などにより連続的に第１導電型例えばｎ型の第１クラ
ッド層３２と、アンドープの活性層３３と、第２導電型
例えばｐ型の第２クラッド層３４と、第１導電型の電流
ブロック層３５がエピタキシャル成長されたウェハーを
得る。
断面図を示すように、まず第１導電型例えばｎ型で一主
面が｛１００｝結晶面を有するＧａＡｓ化合物半導体基
板３１に、例えばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）
法などにより連続的に第１導電型例えばｎ型の第１クラ
ッド層３２と、アンドープの活性層３３と、第２導電型
例えばｐ型の第２クラッド層３４と、第１導電型の電流
ブロック層３５がエピタキシャル成長されたウェハーを
得る。
【０００７】そして、一旦その成長を中止し、成長装置
からこのウェハーを取り出した後、エッチングによって
最終的に得るレーザ素子の電流通路となる部分に溝４４
を形成し、再び成長装置にウェハーを入れて、２度目の
結晶成長によって第２導電型の第３のクラッド層３６
と、第２導電型のキャップ層３７がエピタキシャル成長
される。
からこのウェハーを取り出した後、エッチングによって
最終的に得るレーザ素子の電流通路となる部分に溝４４
を形成し、再び成長装置にウェハーを入れて、２度目の
結晶成長によって第２導電型の第３のクラッド層３６
と、第２導電型のキャップ層３７がエピタキシャル成長
される。
【０００８】この後、素子間を分離するために同様にＲ
ＩＥ等のドライエッチングにより溝４５を形成する。
ＩＥ等のドライエッチングにより溝４５を形成する。
【０００９】そして、溝４５によって分離されたキャッ
プ層３７上に、それぞれ電極４６及び４７を独立にオー
ミックに被着し、化合物半導体基板３１の裏面に共通の
電極４８をオーミックに被着する。
プ層３７上に、それぞれ電極４６及び４７を独立にオー
ミックに被着し、化合物半導体基板３１の裏面に共通の
電極４８をオーミックに被着する。
【００１０】ところが、この２ビームＳＡＮレーザの製
造方法では、活性層３３を横切る溝４５を形成するドラ
イエッチングを行うに際して活性層３３の結晶にダメー
ジを与えるほか、溝４５を制御良く形成するのが難し
く、このエッチングプロセスを挟んで互いに独立した２
回の結晶成長を行うことから信頼性の低下を来す。
造方法では、活性層３３を横切る溝４５を形成するドラ
イエッチングを行うに際して活性層３３の結晶にダメー
ジを与えるほか、溝４５を制御良く形成するのが難し
く、このエッチングプロセスを挟んで互いに独立した２
回の結晶成長を行うことから信頼性の低下を来す。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、制御性及び
信頼性の向上をはかった独立駆動型の２ビームレーザ基
本構造とする半導体レーザとその製法を提供するもので
ある。
信頼性の向上をはかった独立駆動型の２ビームレーザ基
本構造とする半導体レーザとその製法を提供するもので
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１及び図２
に各例の断面図を示すように、｛１００｝結晶面を主面
とする第１導電型の化合物半導体基板１に、＜０１１＞
結晶軸方向に沿って形成されたリッジ２と、このリッジ
２上に第１導電型の第１のクラッド層３と、電流阻止層
４とのエピタキシャル成長層が｛１１１｝Ｂ結晶面によ
る斜面Ｓ1 及びＳ2 により挟まれて閉じ込められた断面
ほぼ３角形の半導体部Ｅと、この半導体部Ｅにより分断
されてその両側に、少なくとも第１導電型の第２のクラ
ッド層５と、活性層６と、第２導電型の第３のクラッド
層７と、第１導電型の電流狭窄層８と、第２導電型の第
４のクラッド層９とをそれぞれ有する第１及び第２の半
導体レーザ部ＬＤ1 及びＬＤ2 とが構成されて成る。
に各例の断面図を示すように、｛１００｝結晶面を主面
とする第１導電型の化合物半導体基板１に、＜０１１＞
結晶軸方向に沿って形成されたリッジ２と、このリッジ
２上に第１導電型の第１のクラッド層３と、電流阻止層
４とのエピタキシャル成長層が｛１１１｝Ｂ結晶面によ
る斜面Ｓ1 及びＳ2 により挟まれて閉じ込められた断面
ほぼ３角形の半導体部Ｅと、この半導体部Ｅにより分断
されてその両側に、少なくとも第１導電型の第２のクラ
ッド層５と、活性層６と、第２導電型の第３のクラッド
層７と、第１導電型の電流狭窄層８と、第２導電型の第
４のクラッド層９とをそれぞれ有する第１及び第２の半
導体レーザ部ＬＤ1 及びＬＤ2 とが構成されて成る。
【００１３】また、本発明は、上述の構成において、第
１及び第２の半導体レーザ部ＬＤ1及びＬＤ2 の各活性
層６の発光領域が｛３１１｝Ｂを主面とする構成とす
る。
１及び第２の半導体レーザ部ＬＤ1及びＬＤ2 の各活性
層６の発光領域が｛３１１｝Ｂを主面とする構成とす
る。
【００１４】本発明の製法は、上述の構成において、
｛１００｝結晶面を主面とする第１導電型の化合物半導
体基板１に、＜０１１＞結晶軸方向に沿ってリッジ２を
形成する工程と、リッジ２とその両側の溝部１１に、少
なくとも第１導電型の第１のクラッド層３と、電流阻止
層４と、第１導電型の第２のクラッド層５と、活性層６
と、第２導電型の第３のクラッド層７と、第１導電型の
電流狭窄層８と、第２導電型の第４のクラッド層９とを
エピタキシャル成長する工程とを採って、リッジ２上に
第１導電型の第１のクラッド層３と、電流阻止層４との
エピタキシャル成長層が｛１１１｝Ｂ結晶面により斜面
Ｓ1 及びＳ2 により挟まれて閉じ込められた断面ほぼ３
角形の半導体部Ｅを形成すると共に、この半導体部Ｅに
より分断されてその両側に、少なくとも第１導電型の第
２のクラッド層５と、活性層６と、第２導電型の第３の
クラッド層と、第１導電型の電流狭窄層８と、第２導電
型の第４のクラッド層９とをそれぞれ有する第１及び第
２の半導体レーザ部ＬＤ1 及びＬＤ2 が構成された半導
体レーザを得る。
｛１００｝結晶面を主面とする第１導電型の化合物半導
体基板１に、＜０１１＞結晶軸方向に沿ってリッジ２を
形成する工程と、リッジ２とその両側の溝部１１に、少
なくとも第１導電型の第１のクラッド層３と、電流阻止
層４と、第１導電型の第２のクラッド層５と、活性層６
と、第２導電型の第３のクラッド層７と、第１導電型の
電流狭窄層８と、第２導電型の第４のクラッド層９とを
エピタキシャル成長する工程とを採って、リッジ２上に
第１導電型の第１のクラッド層３と、電流阻止層４との
エピタキシャル成長層が｛１１１｝Ｂ結晶面により斜面
Ｓ1 及びＳ2 により挟まれて閉じ込められた断面ほぼ３
角形の半導体部Ｅを形成すると共に、この半導体部Ｅに
より分断されてその両側に、少なくとも第１導電型の第
２のクラッド層５と、活性層６と、第２導電型の第３の
クラッド層と、第１導電型の電流狭窄層８と、第２導電
型の第４のクラッド層９とをそれぞれ有する第１及び第
２の半導体レーザ部ＬＤ1 及びＬＤ2 が構成された半導
体レーザを得る。
【００１５】
【作用】上述したように、本発明においては｛１００｝
結晶面の化合物半導体基板１上に＜０１１＞結晶軸方向
にリッジ２を設け、リッジ２上に第１のクラッド層３及
び電流阻止層４のみを形成して、活性層６をリッジ２を
挟んでその両側に独立させる。
結晶面の化合物半導体基板１上に＜０１１＞結晶軸方向
にリッジ２を設け、リッジ２上に第１のクラッド層３及
び電流阻止層４のみを形成して、活性層６をリッジ２を
挟んでその両側に独立させる。
【００１６】この構成では、リッジ２上の半導体部Ｅの
両側斜面Ｓ1 及びＳ2 に突き合わせられるように、溝部
１１上から成長するエピタキシャル成長層は、この半導
体部Ｅの近傍では｛３１１｝Ｂ結晶面として成長してく
る。
両側斜面Ｓ1 及びＳ2 に突き合わせられるように、溝部
１１上から成長するエピタキシャル成長層は、この半導
体部Ｅの近傍では｛３１１｝Ｂ結晶面として成長してく
る。
【００１７】そして、この｛３１１｝Ｂ面は、カーボン
すなわちｐ型ドーパントの取り込みが小さいことからｎ
型化され易いという性質を有することを利用して、例え
ば後述するように、第４のクラッド層９上に形成するキ
ャップ層１０のキャリア−濃度を制御することにより電
流ブロック層８の開口部ａを自動的に制御形成できる。
言い換えれば、電流ブロック層８によって活性層に対す
る注入電流通路を狭窄することができ、これによって低
閾値化をはかり、かつこれによって半導体レーザ部ＬＤ
1 及びＬＤ2 の独立駆動が可能となるのである。
すなわちｐ型ドーパントの取り込みが小さいことからｎ
型化され易いという性質を有することを利用して、例え
ば後述するように、第４のクラッド層９上に形成するキ
ャップ層１０のキャリア−濃度を制御することにより電
流ブロック層８の開口部ａを自動的に制御形成できる。
言い換えれば、電流ブロック層８によって活性層に対す
る注入電流通路を狭窄することができ、これによって低
閾値化をはかり、かつこれによって半導体レーザ部ＬＤ
1 及びＬＤ2 の独立駆動が可能となるのである。
【００１８】また本発明製造方法によれば、リッジ２に
よって独立された活性層６は、リッジ２上に成長された
第１クラッド層３と電流阻止層４とによる３角柱状の半
導体部Ｅの｛１１１｝Ｂ面による斜面Ｓ1 及びＳ2 、す
なわち半導体部Ｅの両側の半導体レーザＬＤ1 及びＬＤ
2 を構成する活性層６の端面は良好な結晶性をもって形
成される。
よって独立された活性層６は、リッジ２上に成長された
第１クラッド層３と電流阻止層４とによる３角柱状の半
導体部Ｅの｛１１１｝Ｂ面による斜面Ｓ1 及びＳ2 、す
なわち半導体部Ｅの両側の半導体レーザＬＤ1 及びＬＤ
2 を構成する活性層６の端面は良好な結晶性をもって形
成される。
【００１９】また本発明製造方法によれば、リッジ２を
複数本形成し、各リッジ２によって素子分離を行うこと
によって、任意の数のビームを構成することができる。
複数本形成し、各リッジ２によって素子分離を行うこと
によって、任意の数のビームを構成することができる。
【００２０】そして、本発明方法では、１回の連続エピ
タキシャル成長で各半導体層を形成できるので信頼性の
高い半導体レーザを構成できる。
タキシャル成長で各半導体層を形成できるので信頼性の
高い半導体レーザを構成できる。
【００２１】
【実施例】図１に示す本発明による独立駆動型２ビーム
半導体レーザの一例を、本発明による製造方法の一例と
ともに図３を参照して詳細に説明する。この例において
はＡｌＧａＡｓ系化合物半導体による２ビームレーザを
得る場合を示す。
半導体レーザの一例を、本発明による製造方法の一例と
ともに図３を参照して詳細に説明する。この例において
はＡｌＧａＡｓ系化合物半導体による２ビームレーザを
得る場合を示す。
【００２２】まず図３Ａに示すように、ｐ型ＧａＡｓ等
より成る化合物半導体基板１の｛１００｝結晶面よりな
る主面１Ｓ上に、レジストＲＳを＜０１１＞結晶軸方向
に沿ってストライプ状に被着形成する。
より成る化合物半導体基板１の｛１００｝結晶面よりな
る主面１Ｓ上に、レジストＲＳを＜０１１＞結晶軸方向
に沿ってストライプ状に被着形成する。
【００２３】レジストＲＳの被着部以外をウエットエッ
チングあるいはドライエッチング等により図３Ｂに示す
ように、紙面に対して垂直方向＜０１１＞方向にストラ
イプ状のリッジ２を形成する。
チングあるいはドライエッチング等により図３Ｂに示す
ように、紙面に対して垂直方向＜０１１＞方向にストラ
イプ状のリッジ２を形成する。
【００２４】次に図３Ｃに示すように、メチル系原料ガ
スを用いたＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長させ
ることによって、基板１と同導電型すなわちｐ型ＡｌＧ
ａＡｓの第１クラッド層３を成長させる。
スを用いたＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長させ
ることによって、基板１と同導電型すなわちｐ型ＡｌＧ
ａＡｓの第１クラッド層３を成長させる。
【００２５】続いて図３Ｄに示すように、第１のクラッ
ド層３と同導電型と、逆導電型の例えばｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ、‥‥の繰返しによるサイリスタ
構造の電流阻止層４を成長させる。
ド層３と同導電型と、逆導電型の例えばｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ、‥‥の繰返しによるサイリスタ
構造の電流阻止層４を成長させる。
【００２６】このときリッジ２上においてその両側縁部
から｛１１１｝Ｂ結晶面が生じるが、一旦この｛１１
１｝Ｂ結晶面が生じると、これの上においてはエピタキ
シャル成長速度が極めて遅いことから、リッジ２上には
｛１１１｝Ｂ結晶面より成る斜面Ｓ1 ，Ｓ2 に囲まれた
三角柱状の半導体部Ｅが構成される。
から｛１１１｝Ｂ結晶面が生じるが、一旦この｛１１
１｝Ｂ結晶面が生じると、これの上においてはエピタキ
シャル成長速度が極めて遅いことから、リッジ２上には
｛１１１｝Ｂ結晶面より成る斜面Ｓ1 ，Ｓ2 に囲まれた
三角柱状の半導体部Ｅが構成される。
【００２７】続いて、つまり連続エピタキシーによって
図４Ａに示すように例えばｐ型ＡｌＧａＡｓ層による第
２のクラッド層５、図４Ｂに示すように例えばＧａＡ
ｓ、或いはＩｎＧａＡｓによる活性層６、例えばｎ型Ａ
ｌＧａＡｓによる第３のクラッド層７、図４Ｃに示すよ
うに例えばｐ型ＡｌＧａＡｓによる電流ブロック層８を
順次エピタキシャル成長し、続いて図５Ａに示すように
例えばｎ型ＡｌＧａＡｓによる第４のクラッド層９を成
長させ、続いて図５Ｂに示すように、ｎ型ＧａＡｓキャ
ップ層１０を成長させていく。
図４Ａに示すように例えばｐ型ＡｌＧａＡｓ層による第
２のクラッド層５、図４Ｂに示すように例えばＧａＡ
ｓ、或いはＩｎＧａＡｓによる活性層６、例えばｎ型Ａ
ｌＧａＡｓによる第３のクラッド層７、図４Ｃに示すよ
うに例えばｐ型ＡｌＧａＡｓによる電流ブロック層８を
順次エピタキシャル成長し、続いて図５Ａに示すように
例えばｎ型ＡｌＧａＡｓによる第４のクラッド層９を成
長させ、続いて図５Ｂに示すように、ｎ型ＧａＡｓキャ
ップ層１０を成長させていく。
【００２８】このとき、リッジ２上では｛１１１｝Ｂ面
Ｓ1 及びＳ2 で覆われているのでサイリスタ領域構造の
電流阻止層４以後のエピタキシャル成長層は、リッジ２
上の半導体部Ｅを挟んでその両側に形成される。
Ｓ1 及びＳ2 で覆われているのでサイリスタ領域構造の
電流阻止層４以後のエピタキシャル成長層は、リッジ２
上の半導体部Ｅを挟んでその両側に形成される。
【００２９】そして、ここでキャップ層１０を成長させ
ている間、キャップ層１０のキャリア濃度によって電流
狭窄層８の｛３１１｝Ｂ面がｎ化され、この電流狭窄層
８のキャリア濃度、キャップ層１０のキャリア濃度等に
よってその幅が決められる電流のブロックがなされない
開口部ａが生じる。この開口部ａの幅は、キャップ層の
キャエア−濃度が高いと広く、低いと狭くなる。
ている間、キャップ層１０のキャリア濃度によって電流
狭窄層８の｛３１１｝Ｂ面がｎ化され、この電流狭窄層
８のキャリア濃度、キャップ層１０のキャリア濃度等に
よってその幅が決められる電流のブロックがなされない
開口部ａが生じる。この開口部ａの幅は、キャップ層の
キャエア−濃度が高いと広く、低いと狭くなる。
【００３０】このようにリッジ２の両側に開口部ａを電
流通路とする電流狭窄層８をもつ２つのレーザＬＤ1 及
びＬＤ2 、すなわち２ビームレーザが容易に形成され
る。
流通路とする電流狭窄層８をもつ２つのレーザＬＤ1 及
びＬＤ2 、すなわち２ビームレーザが容易に形成され
る。
【００３１】そして、図５Ｃ及び図１に示すように、半
導体部Ｅの両側においてそれぞれ独立の第１及び第２の
電極３１及び３２を各キャップ上にオーミックに被着
し、基板１の裏面に共通の第３の電極３３をオーミック
に被着する。
導体部Ｅの両側においてそれぞれ独立の第１及び第２の
電極３１及び３２を各キャップ上にオーミックに被着
し、基板１の裏面に共通の第３の電極３３をオーミック
に被着する。
【００３２】この構成において、電流狭窄層８の不純物
濃度を、１×１０18原子／ｃｍ3 、第３及び第４のクラ
ッド層７及び９を１×１０18原子／ｃｍ3 程度とすると
き、電流通路となる開口ａの幅は１μｍ、濃度は５×１
０17原子／ｃｍ3 とすることができた。
濃度を、１×１０18原子／ｃｍ3 、第３及び第４のクラ
ッド層７及び９を１×１０18原子／ｃｍ3 程度とすると
き、電流通路となる開口ａの幅は１μｍ、濃度は５×１
０17原子／ｃｍ3 とすることができた。
【００３３】尚、本発明は上述した実施例に限定される
ことなく、そのほか例えば図２に示すように図１の各部
の導電型を逆導電型とする。しかしながら、このよう
に、逆導電型とするときは、リッジ２の両側の電流阻止
層４の上部にＧａＡｓバッファ層３４を形成し、電流ブ
ロック層８は活性層６の下部に形成する。そして、この
場合ＧａＡｓバッファ層３４のキャリア−濃度によって
同様に電流ブロック層８に開口部ａを形成し、電流狭窄
を行う。
ことなく、そのほか例えば図２に示すように図１の各部
の導電型を逆導電型とする。しかしながら、このよう
に、逆導電型とするときは、リッジ２の両側の電流阻止
層４の上部にＧａＡｓバッファ層３４を形成し、電流ブ
ロック層８は活性層６の下部に形成する。そして、この
場合ＧａＡｓバッファ層３４のキャリア−濃度によって
同様に電流ブロック層８に開口部ａを形成し、電流狭窄
を行う。
【００３４】尚、図２において、図１と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。
は同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３５】そのほか上述の例に限られず種々の変形変
更が可能であることは言うまでもない。
更が可能であることは言うまでもない。
【００３６】
【発明の効果】上述したように、本発明によればエッチ
ングを必要とすることなく、１回の連続エピタキシャル
成長で製造できるので信頼性の高い半導体レーザを作業
性良く構成できる。
ングを必要とすることなく、１回の連続エピタキシャル
成長で製造できるので信頼性の高い半導体レーザを作業
性良く構成できる。
【００３７】そして、このことに加えて、例えばキャッ
プ層或いはバッファ層のキャリア濃度を制御することに
よって電流通路となる開口部ａの設定、言い換えれば電
流狭窄を行うことによって、安定して均一な特性の独立
駆動型の例えば２ビームレーザが実現できる。
プ層或いはバッファ層のキャリア濃度を制御することに
よって電流通路となる開口部ａの設定、言い換えれば電
流狭窄を行うことによって、安定して均一な特性の独立
駆動型の例えば２ビームレーザが実現できる。
【図１】本発明による半導体レーザの一例の略線的拡大
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明による独立駆動型２ビームレーザの製造
方法の一例の製造工程図である。
方法の一例の製造工程図である。
【図３】本発明方法の一例の一部の工程図（その１）で
ある。
ある。
【図４】本発明方法の一例の一部の工程図（その２）で
ある。
ある。
【図５】本発明方法の一例の一部の工程図（その３）で
ある。
ある。
【図６】従来の２ビームレーザの一例の略線的拡大断面
図である。
図である。
１ 化合物半導体基板 ２ リッジ ３ 第１のクラッド層 ５ 第２のクラッド層 ７ 第３のクラッド層 ９ 第４のクラッド層 ６ 活性層
Claims (3)
- 【請求項１】 ｛１００｝結晶面を主面とする第１導電
型の化合物半導体基板に、 ＜０１１＞結晶軸方向に沿って形成されたリッジと、 該リッジ上に第１導電型の第１のクラッド層と、電流阻
止層とのエピタキシャル成長層が｛１１１｝Ｂ結晶面に
より挟まれて閉じ込められた断面ほぼ３角形の半導体部
と、 該半導体部により分断されてその両側に、少なくとも第
１導電型の第２のクラッド層と、活性層と、第２導電型
の第３のクラッド層と、第１導電型の電流狭窄層と、第
２導電型の第４のクラッド層とをそれぞれ有する第１及
び第２の半導体レーザ部が構成されて成ることを特徴と
する半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記第１及び第２の半導体レーザ部の各
活性層の発光領域が｛３１１｝Ｂを主面とすることを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】 ｛１００｝結晶面を主面とする第１導電
型の化合物半導体基板に＜０１１＞結晶軸方向に沿って
リッジを形成する工程と、 上記リッジとその両側の溝部に、少なくとも第１導電型
の第１のクラッド層と、第１導電型の第２のクラッド層
と、活性層と、第２導電型の第３のクラッド層と、第１
導電型の電流狭窄層と、第２導電型の第４のクラッド層
とをエピタキシャル成長する工程とを採って上記リッジ
上に、上記第１導電型の第１のクラッド層と、電流阻止
層とのエピタキシャル成長層が｛１１１｝Ｂ結晶面によ
り挟まれて閉じ込められた断面ほぼ３角形の半導体部を
形成すると共に、該半導体部により分断されてその両側
に、少なくとも第１導電型の第２のクラッド層と、活性
層と、第２導電型の第３のクラッド層と、第１導電型の
電流狭窄層と、第２導電型の第４のクラッド層とをそれ
ぞれ有する第１及び第２の半導体レーザ部が構成された
半導体レーザを得ることを特徴とする半導体レーザの製
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245087A JPH0697576A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 半導体レーザ及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245087A JPH0697576A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 半導体レーザ及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697576A true JPH0697576A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17128418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4245087A Pending JPH0697576A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 半導体レーザ及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697576A (ja) |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP4245087A patent/JPH0697576A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0026062B1 (en) | A heterojunction semiconductor laser | |
| JPH07183618A (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置 | |
| JPH10229246A (ja) | リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法 | |
| JP2001196694A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3257034B2 (ja) | 化合物半導体装置とその製造方法 | |
| JPH0677590A (ja) | 半導体レーザとその製法 | |
| JPH053756B2 (ja) | ||
| JP2001057459A (ja) | 半導体レーザ | |
| US5887011A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH0697576A (ja) | 半導体レーザ及びその製法 | |
| JP2865160B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH03238813A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPS6124839B2 (ja) | ||
| JPH07283482A (ja) | 半導体レーザ装置及びその作製方法 | |
| EP1026799B1 (en) | Semiconductor laser and fabricating method therefor | |
| JP2949809B2 (ja) | 半導体レーザの製法 | |
| RU2262171C2 (ru) | Полупроводниковое лазерное устройство и способ его изготовления | |
| JP2554192B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH065969A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2547459B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3189900B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0766992B2 (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製造方法 | |
| JP3446344B2 (ja) | Ｖ溝構造を有する半導体発光装置 | |
| JPH06112586A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01110788A (ja) | 半導体レーザ製造方法 |