JPH07106196A - 容量内蔵型積層セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 セラミック層と内部電極との積層体の一部を
切削することにより、機械的強度やＱの低下を招いた
り、耐候性の著しい低下を引き起こしたりすることな
く、静電容量を広い範囲で調整することを可能にする。 【構成】 内部電極２のパターンを、セラミック層１と
内部電極２との積層体３の、内部電極２が形成された面
と略垂直の面３ａから浅い位置に、他の部分よりも幅が
狭い狭幅部分２ａが形成されるようなパターンとし、積
層体３の、内部電極２が形成された面と略垂直の面３ａ
から、積層体３の一部を所定の深さまで切削することに
より、所定枚数の内部電極２の狭幅部分２ａを切断し
て、内部電極２の対向面積を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本願発明は、セラミック電子部品
に関し、詳しくは、セラミックコンデンサやＬＣ複合部
品などの容量内蔵型積層セラミック電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、セラミックコンデンサやＬＣ複
合部品などの容量内蔵型積層セラミック電子部品の静電
容量を調整する方法として、レーザーなどを用いて内部
電極を除去する方法がある。

【０００３】従来の積層セラミックコンデンサは、通
常、図５に示すように、セラミック層２１と内部電極２
２とを交互に水平に積層することにより形成されてお
り、内部電極２２は一層おきにセラミック層２１と内部
電極２２との積層体２３の逆側の端面側に引き出され
て、外部電極２４に接続されている。そして、例えば、
図６に示すように、セラミック層２１と内部電極２２と
の積層体２３の上面２３ａ側からセラミック層２１とと
もに、内部電極２２の一部をレーザーなどを用いて除去
することにより、内部電極の対向面積を変化させて静電
容量の調整を行っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法では、例えば一枚の内部電極を除去して容量調整を行
う場合、トリミング範囲（すなわち容量調整範囲）を大
きくしようとすると切削面積を大きくしなければならな
くなる。また、さらにトリミング範囲を大きくしようと
すると、一枚の内部電極だけではなく、複数の内部電極
を切削する（例えば所定の位置で複数の内部電極を切断
して、全体としての内部電極の対向面積を大幅に変化さ
せる）ことが必要となり、図７に示すように、積層体２
３を深い位置まで切削することが必要になる。

【０００５】そのため、上記従来の容量調整方法には、
積層セラミックコンデンサの機械的強度の低下、レーザ
ーの熱によってセラミック層が広い範囲で変質すること
によるＱの低下、あるいは耐候性の著しい劣化などを招
くという問題点がある。

【０００６】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、セラミック層と内部電極との積層体の一部を切削
することにより、機械的強度やＱの低下を招いたり、耐
候性の著しい劣化を引き起こしたりすることなく、静電
容量を広い範囲で調整することが可能な容量内蔵型積層
セラミック電子部品を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願第１の発明の容量内蔵型積層セラミック電子部
品は、セラミック層と内部電極を積層することにより、
セラミック層を介して内部電極を対向させた構造を有す
る容量内蔵型積層セラミック電子部品において、内部電
極のパターンを、セラミック層と内部電極との積層体
の、内部電極が形成された面と略垂直の面から浅い位置
に、他の部分よりも幅が狭い狭幅部分が形成されるよう
なパターンとし、積層体の、内部電極が形成された面と
略垂直の面側から、積層体の一部を所定の深さまで切削
することにより、所定枚数の内部電極の狭幅部分を切断
できる構造としたことを特徴とする。

【０００８】また、本願第２の発明の容量内蔵型積層セ
ラミック電子部品は、セラミック層と内部電極を積層す
ることにより、セラミック層を介して内部電極を対向さ
せた構造を有する容量内蔵型積層セラミック電子部品に
おいて、内部電極のパターンを、セラミック層と内部電
極との積層体の、内部電極が形成された面と略垂直の面
から浅い位置に、他の部分よりも幅が狭い狭幅部分が形
成されるようなパターンとし、積層体の、内部電極が形
成された面と略垂直の面側から、積層体の一部を所定の
深さまで切削することにより、所定枚数の内部電極の狭
幅部分を切断して、内部電極の対向面積を調整したこと
を特徴とする。

【０００９】なお、本願発明の容量内蔵型積層セラミッ
ク電子部品においては、各内部電極に形成すべき狭幅部
分の数に特に制約はなく、一つの内部電極につき、一つ
または複数の狭幅部分を形成することが可能であり、ま
た、複数の内部電極のうちのいずれの内部電極に狭幅部
分を設けるかについても特に制約はなく、すべての内部
電極に狭幅部分を設けてもよく、また、特定の内部電極
にのみ狭幅部分を設けてもよい。

【００１０】

【作用】本願第１の発明の容量内蔵型積層セラミック電
子部品においては、内部電極が、セラミック層と内部電
極との積層体の、内部電極が形成された面と略垂直の面
から浅い位置に、他の部分よりも幅が狭い狭幅部分が形
成されるようなパターンに形成されていることから、積
層体を広い範囲で、あるいは深い位置まで切削すること
なく、その一部を所定の深さまで切削するだけで、所定
の枚数の内部電極をその狭幅部分において切断して、内
部電極の対向面積を広い範囲で調整することが可能にな
る。したがって、積層体を広い範囲で、あるいは深い位
置まで切削することによる機械的強度の低下や、セラミ
ック層の変質によるＱの低下、あるいは耐候性の著しい
劣化などを招いたりすることなく、静電容量を広い範囲
で調整することが可能になる。

【００１１】また、本願第２の発明の容量内蔵型積層セ
ラミック電子部品においては、積層体の、内部電極が形
成された面と略垂直の面の一部だけを所定の深さまで切
削して、積層体の、内部電極が形成された面と略垂直の
面から浅い位置にある内部電極の狭幅部分を切断するこ
とによって内部電極の対向面積の調整が行われている。
したがって、積層体を広い範囲で、あるいは深い位置ま
で切削することによる機械的強度の低下や、セラミック
層の変質によるＱの低下、あるいは耐候性の著しい劣化
などを招くことがなく、静電容量が正確に調整された信
頼性の高い容量内蔵型積層セラミック電子部品を得るこ
とができる。

【００１２】なお、本願発明の容量内蔵型積層セラミッ
ク電子部品においては、切断する内部電極の枚数、及び
各内部電極に複数の狭幅部分を設けている場合には、切
断箇所及び切断する内部電極の枚数により、静電容量の
調整範囲を管理することができる。

【００１３】

【実施例】以下、本願発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１は、本願第１の発明の一実施例にかかる容量
内蔵型積層セラミック電子部品（この実施例ではチップ
型積層セラミックコンデンサ）を示す一部分解斜視図で
ある。

【００１４】この実施例の容量内蔵型積層セラミック電
子部品は、図１に示すように、セラミック層１と内部電
極２を交互に積層することにより形成されており、内部
電極２は一層おきに、積層体３の逆側の端面に引き出さ
れて、外部電極４に接続されている。そして、各内部電
極２の積層体３の端面に引き出されている部分の近傍
が、他の部分より狭い狭幅部分２ａとなっている。

【００１５】すなわち、この容量内蔵型積層セラミック
電子部品においては、内部電極２のパターンが、セラミ
ック層１と内部電極２との積層体３の、内部電極２が形
成された面と略垂直の面（上面）３ａから浅い位置に、
狭幅部分２ａが形成されるようなパターンに形成されて
いる。但し、本願発明の容量内蔵型積層セラミック電子
部品においては、内部電極のどの位置に狭幅部分を形成
するか、どの内部電極に狭幅部分を形成するかなどに関
して、要求される特性や用途などを考慮して、適宜決定
することが可能である。なお、製造工程を簡略化する見
地からすれば、狭幅部分を形成する位置は、切削の段階
で裏表などの方向性を問わない位置とすることが望まし
い。

【００１６】そして、この容量内蔵型積層セラミック電
子部品においては、図２に示すように、積層体３の上面
３ａ側から、積層体３の一部を、例えばレーザーを用い
て所定の深さまで切削することにより、所定枚数の内部
電極（図２には示さず）の狭幅部分を切断して、全体と
しての内部電極２（図１）の対向面積を調整して、静電
容量の調整を行うことができる。

【００１７】この実施例では、切削箇所（切削部）６ａ
が積層体３の一部のみであり、積層体３の一部をその上
面３ａから所定の深さまで切削するだけで、所定の枚数
の内部電極２をその狭幅部分２ａにおいて切断して、内
部電極２の対向面積を広い範囲で調整することができ
る。したがって、積層体３を広い範囲であるいは深い位
置まで切削することによる機械的強度の低下や、セラミ
ック層の変質によるＱの低下、あるいは耐候性の著しい
劣化などを招いたりすることなく、静電容量を広い範囲
で調整して、所望の静電容量を得ることが可能になる。

【００１８】なお、上記実施例（図２）では、積層体３
の右側の一部分のみを切削して切削部６ａを形成した場
合について説明したが、さらに他の部分を切削する（例
えば図３に示すように、積層体３の左側の一部分を切削
して切削部６ｂを形成する）ことにより、内部電極２の
対向面積の調整範囲、すなわち静電容量の調整範囲を大
きくすることも可能である。

【００１９】但し、切削箇所、切削深さなどは、上記実
施例に限定されるものではなく、形成すべき静電容量の
大きさ、内部電極のパターンや積層ピッチ、狭幅部分の
位置などを考慮して好ましい切削箇所を決定することが
可能である。

【００２０】また、積層体を切削する手段としては、作
業性に優れていること、切削量（トリミング量）が多く
ても速やかにトリミングを行うことができることなどの
点から、レーザーを用いることが好ましいが、レーザー
以外の公知の種々の切削手段を用いることが可能であ
る。

【００２１】なお、内部電極２の狭幅部分２ａを切削し
て静電容量の調整を行った、上記実施例の容量内蔵型積
層セラミック電子部品（図２、図３）は、本願第２の発
明の容量内蔵型積層セラミック電子部品に相当するもの
である。

【００２２】また、図４は、本願第１の発明の他の実施
例にかかる容量内蔵型積層セラミック電子部品を示す一
部分解斜視図である。

【００２３】この実施例の容量内蔵型積層セラミック電
子部品においては、一定の間隔をおいて三箇所に狭幅部
分２ａが形成された内部電極２が、セラミック層１と交
互に積層され、一層ごとに逆側の端面に引き出されてお
り、セラミック層１と内部電極２からなる積層体３の端
面側に形成された外部電極４に接続されている。

【００２４】この容量内蔵型積層セラミック電子部品に
おいては、各内部電極２に複数の狭幅部分２ａが形成さ
れているため、切断箇所及び切断する内部電極の枚数を
適宜選択することにより、静電容量をさらに細かく調整
することができる。

【００２５】なお、上記実施例では、チップ型積層セラ
ミックコンデンサを例にとって説明したが、本願発明
は、チップ型積層セラミックコンデンサに限らず、セラ
ミックフィルタ（ＬＣ複合部品）などの種々の容量内蔵
型積層セラミック電子部品に適用することが可能であ
る。

【００２６】また、その他の点においても、本願発明は
上記実施例に限定されるものではなく、狭幅部分の数や
形成位置などの内部電極の具体的なパターン、内部電極
の積層数、狭幅部分で切断する内部電極の枚数、積層体
を切削する位置などに関し、発明の要旨の範囲内で種々
の応用、変形を加えることができる。

【００２７】

【発明の効果】上述のように、本願第１の発明の容量内
蔵型積層セラミック電子部品は、内部電極のパターン
を、積層体の内部電極が形成された面と略垂直の面から
浅い位置に狭幅部分が形成されるようなパターンとし、
積層体の内部電極が形成された面と略垂直の面側から、
積層体の一部を所定の深さまで切削することにより、所
定枚数の内部電極の狭幅部分を切断できるようにしてい
るので、積層体の一部を所定の深さまで切削するだけ
で、所定枚数の内部電極をその狭幅部分において切断し
て、内部電極の対向面積を広い範囲で調整することが可
能になる。したがって、積層体を広い範囲で、あるいは
深い位置まで切削することによる機械的強度の低下や、
セラミック層の変質によるＱの低下、あるいは耐候性の
著しい劣化などを招いたりすることなく、静電容量を広
い範囲で調整することが可能な容量内蔵型積層セラミッ
ク電子部品を得ることができる。

【００２８】また、本願第２の発明の容量内蔵型積層セ
ラミック電子部品においては、内部電極のパターンを、
積層体の内部電極が形成された面と略垂直の面から浅い
位置に狭幅部分が形成されるようなパターンとし、積層
体の、内部電極が形成された面と略垂直の面の一部だけ
を所定の深さまで切削して内部電極の狭幅部分を切断す
ることにより内部電極の対向面積の調整を行っているた
め、積層体を広い範囲で、あるいは深い位置まで切削す
ることによる機械的強度や、セラミック層の変質による
Ｑの低下、あるいは耐候性の劣化などを招くことがな
く、静電容量が正確に調整された信頼性の高い容量内蔵
型積層セラミック電子部品を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の一実施例にかかる容量内蔵型積層セ
ラミック電子部品を示す一部分解斜視図である。

【図２】容量調整が行われた本願発明の一実施例にかか
る容量内蔵型積層セラミック電子部品を示す斜視図であ
る。

【図３】容量調整が行われた本願発明の一実施例にかか
る容量内蔵型積層セラミック電子部品を示す斜視図であ
る。

【図４】本願発明の他の実施例にかかる容量内蔵型積層
セラミック電子部品を示す一部分解斜視図である。

【図５】従来の容量内蔵型積層セラミック電子部品を示
す一部分解斜視図である。

【図６】容量調整が行われた従来の容量内蔵型積層セラ
ミック電子部品を示す斜視図である。

【図７】容量調整が行われた従来の容量内蔵型積層セラ
ミック電子部品を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ セラミック層 ２ 内部電極 ２ａ 狭幅部分 ３ 積層体 ３ａ 積層体の内部電極が形成された面と略
垂直の面（上面） ４ 外部電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック層と内部電極を積層すること
   により、セラミック層を介して内部電極を対向させた構
   造を有する容量内蔵型積層セラミック電子部品におい
   て、 内部電極のパターンを、セラミック層と内部電極との積
   層体の、内部電極が形成された面と略垂直の面から浅い
   位置に、他の部分よりも幅が狭い狭幅部分が形成される
   ようなパターンとし、積層体の、内部電極が形成された
   面と略垂直の面側から、積層体の一部を所定の深さまで
   切削することにより、所定枚数の内部電極の狭幅部分を
   切断できる構造としたことを特徴とする容量内蔵型積層
   セラミック電子部品。
2. 【請求項２】 セラミック層と内部電極を積層すること
   により、セラミック層を介して内部電極を対向させた構
   造を有する容量内蔵型積層セラミック電子部品におい
   て、 内部電極のパターンを、セラミック層と内部電極との積
   層体の、内部電極が形成された面と略垂直の面から浅い
   位置に、他の部分よりも幅が狭い狭幅部分が形成される
   ようなパターンとし、積層体の、内部電極が形成された
   面と略垂直の面側から、積層体の一部を所定の深さまで
   切削することにより、所定枚数の内部電極の狭幅部分を
   切断して、内部電極の対向面積を調整したことを特徴と
   する容量内蔵型積層セラミック電子部品。