JPH07106362A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH07106362A JPH07106362A JP5277496A JP27749693A JPH07106362A JP H07106362 A JPH07106362 A JP H07106362A JP 5277496 A JP5277496 A JP 5277496A JP 27749693 A JP27749693 A JP 27749693A JP H07106362 A JPH07106362 A JP H07106362A
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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Abstract
(57)【要約】
【目的】回路基板の製造において、簡単にボンディング
を確実にする製造方法を確立すること。 【構成】 図１に本発明の製造方法を実施する際の回路
基板の模式的断面図を示す。セラミック基板３上に厚膜
導体１が形成されており、その横に半導体素子４が半田
付けされる配線導体膜５が形成されている。半導体素子
４は配線導体膜５の上に半田６で半田付けされる。この
際、厚膜導体１上に被覆層７を樹脂で形成するため、半
田６に含まれるフラックス材やペースト材のハロゲンが
厚膜導体１を汚染することがない。それでその後、樹脂
を洗浄時に除去し、清浄な厚膜導体１とのアルミワイヤ
ボンディングを、大掛かりな装置を必要とせず行うこと
ができる。
を確実にする製造方法を確立すること。 【構成】 図１に本発明の製造方法を実施する際の回路
基板の模式的断面図を示す。セラミック基板３上に厚膜
導体１が形成されており、その横に半導体素子４が半田
付けされる配線導体膜５が形成されている。半導体素子
４は配線導体膜５の上に半田６で半田付けされる。この
際、厚膜導体１上に被覆層７を樹脂で形成するため、半
田６に含まれるフラックス材やペースト材のハロゲンが
厚膜導体１を汚染することがない。それでその後、樹脂
を洗浄時に除去し、清浄な厚膜導体１とのアルミワイヤ
ボンディングを、大掛かりな装置を必要とせず行うこと
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板の製造方法に
関し、特に、回路基板に素子を半田付けし、外部電極等
を厚膜導体にアルミでボンディングする構造を有する回
路基板の製造方法に関する。
関し、特に、回路基板に素子を半田付けし、外部電極等
を厚膜導体にアルミでボンディングする構造を有する回
路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、主に半導体装置等で、回路基板上
の厚膜導体にアルミワイヤーを超音波圧着法でボンディ
ングすると、アルミ材は超音波振動により厚膜導体とお
互いに表面を擦り合わせ、塑性変形を起こしつつ表面の
汚染層が除去され、内部の清浄な金属どうしが密着し、
接合する。
の厚膜導体にアルミワイヤーを超音波圧着法でボンディ
ングすると、アルミ材は超音波振動により厚膜導体とお
互いに表面を擦り合わせ、塑性変形を起こしつつ表面の
汚染層が除去され、内部の清浄な金属どうしが密着し、
接合する。
【０００３】アルミワイヤーは安価であり、比較的太い
径（数100 μｍ）の線材を用いて大きな電流容量を確保
できるためである。アルミは高温に加熱すると酸化が著
しく促進してしまい、接合が困難なため、専ら超音波に
より常温で接合させることがほとんどである。
径（数100 μｍ）の線材を用いて大きな電流容量を確保
できるためである。アルミは高温に加熱すると酸化が著
しく促進してしまい、接合が困難なため、専ら超音波に
より常温で接合させることがほとんどである。
【０００４】アルミ超音波ボンディングは、ボンディン
グを行う前に半導体素子等を回路基板に搭載しておく必
要がある。素子を搭載する方法としては、半田付け法や
銀ペースト等の導電性樹脂を用いた接着法があるが、コ
ストや作業の容易性、微細接合性、および信頼性の点で
半田付け法が優れており、ほとんど半田付け法で実施さ
れる。
グを行う前に半導体素子等を回路基板に搭載しておく必
要がある。素子を搭載する方法としては、半田付け法や
銀ペースト等の導電性樹脂を用いた接着法があるが、コ
ストや作業の容易性、微細接合性、および信頼性の点で
半田付け法が優れており、ほとんど半田付け法で実施さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、素子を
半田付けする場合には、フラックスに含まれるハロゲン
と他の厚膜導体とが反応し、ハロゲン化合物が形成さ
れ、これが他の厚膜導体の表面で汚染を引き起こす。そ
のため、この厚膜導体に対してアルミボンディングを実
施する時、表面汚染層の除去が不十分となり、十分な接
合が得られず、著しく信頼性が低下してしまうという問
題がある。これを解決するために、特開平4-346236号公
報にはレーザー光にて汚れを除去する手法が提案されて
いるが、これは除去のために大掛かりなレーザー装置を
必要とし、コストを上げるなど、製造上適切ではない。
従って本発明の目的は、回路基板の製造において、簡単
にボンディングを確実にする製造方法を確立することに
ある。
半田付けする場合には、フラックスに含まれるハロゲン
と他の厚膜導体とが反応し、ハロゲン化合物が形成さ
れ、これが他の厚膜導体の表面で汚染を引き起こす。そ
のため、この厚膜導体に対してアルミボンディングを実
施する時、表面汚染層の除去が不十分となり、十分な接
合が得られず、著しく信頼性が低下してしまうという問
題がある。これを解決するために、特開平4-346236号公
報にはレーザー光にて汚れを除去する手法が提案されて
いるが、これは除去のために大掛かりなレーザー装置を
必要とし、コストを上げるなど、製造上適切ではない。
従って本発明の目的は、回路基板の製造において、簡単
にボンディングを確実にする製造方法を確立することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明の構成は、回路基板上に搭載する素子を半田付
けする工程を有し、該回路基板上の厚膜導体と該回路基
板外部の端子とをアルミボンディングする工程を有する
回路基板の製造方法において、該素子を半田付けする半
田工程前に、前記厚膜導体のボンディング用電極を被覆
部材で覆う被覆工程を有し、前記半田工程後、ボンディ
ング工程前に前記被覆部材を除去する除去工程を有する
ことである。また関連発明の構成は、前記被覆部材が、
半田ペースト材もしくはフラックス材の洗浄液に溶ける
樹脂であることを特徴とする。また別の構成は、前記被
覆部材が、テープ材であり、前記除去工程が、テープ剥
離工程であることを特徴とし、さらに別の構成は、前記
被覆部材が、前記厚膜導体をカバーする治具であり、前
記除去工程が、治具除去工程であることを特徴とする。
め本発明の構成は、回路基板上に搭載する素子を半田付
けする工程を有し、該回路基板上の厚膜導体と該回路基
板外部の端子とをアルミボンディングする工程を有する
回路基板の製造方法において、該素子を半田付けする半
田工程前に、前記厚膜導体のボンディング用電極を被覆
部材で覆う被覆工程を有し、前記半田工程後、ボンディ
ング工程前に前記被覆部材を除去する除去工程を有する
ことである。また関連発明の構成は、前記被覆部材が、
半田ペースト材もしくはフラックス材の洗浄液に溶ける
樹脂であることを特徴とする。また別の構成は、前記被
覆部材が、テープ材であり、前記除去工程が、テープ剥
離工程であることを特徴とし、さらに別の構成は、前記
被覆部材が、前記厚膜導体をカバーする治具であり、前
記除去工程が、治具除去工程であることを特徴とする。
【０００７】
【作用】半田付け工程の前に、樹脂、治具等で他の厚膜
導体を被覆しておくと、半田に含まれるフラックス等に
よるハロゲン化合物は形成されない。従って当然ながら
汚染されないので、その後のアルミボンディングで十分
な接合が得られる。
導体を被覆しておくと、半田に含まれるフラックス等に
よるハロゲン化合物は形成されない。従って当然ながら
汚染されないので、その後のアルミボンディングで十分
な接合が得られる。
【０００８】
【発明の効果】信頼性の高いアルミボンディングが実現
するので、回路基板の耐震性等が向上し、この回路基板
を使用する装置は、車載用などの悪環境でも使用できる
ようになった。
するので、回路基板の耐震性等が向上し、この回路基板
を使用する装置は、車載用などの悪環境でも使用できる
ようになった。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。 （第一実施例）図１に本発明の製造方法を実施する際の
回路基板の模式的断面図を示す。この例では、回路基板
にセラミック回路基板２を用いている。このセラミック
基板３上に厚膜導体１が形成されており、その横に半導
体素子４が半田付けされる配線導体膜５が形成されてい
る。図１のように半導体素子４は配線導体膜５の上に半
田６で半田付けされる。この際、厚膜導体１上に被覆層
７が樹脂で形成されているため、半田６に含まれるフラ
ックス材やペースト材のハロゲンが厚膜導体１を汚染す
ることがない。
明する。 （第一実施例）図１に本発明の製造方法を実施する際の
回路基板の模式的断面図を示す。この例では、回路基板
にセラミック回路基板２を用いている。このセラミック
基板３上に厚膜導体１が形成されており、その横に半導
体素子４が半田付けされる配線導体膜５が形成されてい
る。図１のように半導体素子４は配線導体膜５の上に半
田６で半田付けされる。この際、厚膜導体１上に被覆層
７が樹脂で形成されているため、半田６に含まれるフラ
ックス材やペースト材のハロゲンが厚膜導体１を汚染す
ることがない。
【００１０】図２(a) は回路基板を用いた装置を製造す
る工程に本発明を実施した製造工程の一部で、図２(b)
は従来の製造工程である。用いる被覆材としては図３に
示したように、半田付け工程後に実施する洗浄工程にて
使用する溶剤に可溶な樹脂（本実施例ではα5002、αメ
タル社製）を使用している。
る工程に本発明を実施した製造工程の一部で、図２(b)
は従来の製造工程である。用いる被覆材としては図３に
示したように、半田付け工程後に実施する洗浄工程にて
使用する溶剤に可溶な樹脂（本実施例ではα5002、αメ
タル社製）を使用している。
【００１１】図２(a) で、まず厚膜導体が形成された回
路基板表面に半田ペースト（フラックス）を印刷し半田
付けの前処理を行う。そして半田付けせずにボンディン
グを行う厚膜の電極部分に被覆用の樹脂膜を形成する。
それから半田付け領域に所定の素子をマウントし、リフ
ロー加熱で半田付けする。その後、半田付けのフラック
ス等の汚れを洗浄する。その際に被覆した樹脂も同時に
溶解し、ボンディング用電極部も清浄になる。その後従
来と同様、回路基板の所定位置に外部端子を接着し、外
部端子と厚膜電極とをアルミワイヤでボンディングす
る。
路基板表面に半田ペースト（フラックス）を印刷し半田
付けの前処理を行う。そして半田付けせずにボンディン
グを行う厚膜の電極部分に被覆用の樹脂膜を形成する。
それから半田付け領域に所定の素子をマウントし、リフ
ロー加熱で半田付けする。その後、半田付けのフラック
ス等の汚れを洗浄する。その際に被覆した樹脂も同時に
溶解し、ボンディング用電極部も清浄になる。その後従
来と同様、回路基板の所定位置に外部端子を接着し、外
部端子と厚膜電極とをアルミワイヤでボンディングす
る。
【００１２】従って図２(a) に示すように本発明の製造
方法は、従来の図２(b) と比べて樹脂塗布工程が一つ増
えるだけで、樹脂除去工程は半田後の洗浄工程を兼ねる
ため、大きな負担とならない。樹脂塗布工程は、厚膜導
体の大きさ、細かさ、複雑さ等により、ハケ塗り法、滴
下法、マスク法等、目的に応じた方法でよい。
方法は、従来の図２(b) と比べて樹脂塗布工程が一つ増
えるだけで、樹脂除去工程は半田後の洗浄工程を兼ねる
ため、大きな負担とならない。樹脂塗布工程は、厚膜導
体の大きさ、細かさ、複雑さ等により、ハケ塗り法、滴
下法、マスク法等、目的に応じた方法でよい。
【００１３】この方法により従来汚染されていた厚膜導
体の表面が清浄な状態に保たれていることを図４のよう
に顕微鏡で3000倍に拡大して確かめた。図４(a) は被覆
を実施しない従来の場合の厚膜導体の表面で、図４(b)
は被覆した本発明による方法の場合である。従来はおよ
そ３０個／１００μｍ2 の汚染物質が確認されたが、本
発明の場合は明らかに汚染がなく、図５に示すボンディ
ングの耐久試験結果でも、接続性が改善されていること
が確かめられた。なお、図５のアルミボンディングは超
音波によるボンディングの場合で、各グラフの縦軸およ
び横軸はボンディングを形成する際の条件である。グラ
フ中のカーブはボンディングに投入するエネルギー量が
等しいレベルを示し、数値はその指数である。またグラ
フの丸印はそのポイントにおけるボンディングサンプル
の数を意味し、黒で示される範囲が耐久試験で不合格に
なったパーセンテージを意味する。
体の表面が清浄な状態に保たれていることを図４のよう
に顕微鏡で3000倍に拡大して確かめた。図４(a) は被覆
を実施しない従来の場合の厚膜導体の表面で、図４(b)
は被覆した本発明による方法の場合である。従来はおよ
そ３０個／１００μｍ2 の汚染物質が確認されたが、本
発明の場合は明らかに汚染がなく、図５に示すボンディ
ングの耐久試験結果でも、接続性が改善されていること
が確かめられた。なお、図５のアルミボンディングは超
音波によるボンディングの場合で、各グラフの縦軸およ
び横軸はボンディングを形成する際の条件である。グラ
フ中のカーブはボンディングに投入するエネルギー量が
等しいレベルを示し、数値はその指数である。またグラ
フの丸印はそのポイントにおけるボンディングサンプル
の数を意味し、黒で示される範囲が耐久試験で不合格に
なったパーセンテージを意味する。
【００１４】（第二実施例）厚膜導体の被覆を、樹脂の
代わりにテープで実施する場合、やはり同様な効果があ
る。本実施例ではドラフティングテープで実施した。し
かしこのテープをボンディング前に剥がすテープ剥離工
程の必要がある。この工程は、樹脂の場合のように洗浄
と同時にはできない。しかし、このテープ法は簡便に実
施でき、回路基板の試作等にも向いている。
代わりにテープで実施する場合、やはり同様な効果があ
る。本実施例ではドラフティングテープで実施した。し
かしこのテープをボンディング前に剥がすテープ剥離工
程の必要がある。この工程は、樹脂の場合のように洗浄
と同時にはできない。しかし、このテープ法は簡便に実
施でき、回路基板の試作等にも向いている。
【００１５】（第三実施例）その他、被覆材として単純
にカバー等の治具を被せる方法でも同様の効果がある。
この場合も、後で治具を取り除く治具脱着工程を必要と
する。これは基板全体を覆うマスクのような形状のもの
であってもよいし、厚膜のボンディング電極部のみカバ
ーするパーツであってもよい。この方法も簡便であり、
やはり試作等にも向く。
にカバー等の治具を被せる方法でも同様の効果がある。
この場合も、後で治具を取り除く治具脱着工程を必要と
する。これは基板全体を覆うマスクのような形状のもの
であってもよいし、厚膜のボンディング電極部のみカバ
ーするパーツであってもよい。この方法も簡便であり、
やはり試作等にも向く。
【００１６】以上のように、従来なんの処置も施さなか
ったために生じていた汚染によるボンディング不良を、
大掛かりな装置を必要とせず、また従来のボンディング
装置を変更することなく、ほぼ完全に無くすことがで
き、製造が容易で、回路基板を用いた装置の信頼性を高
めることができた。
ったために生じていた汚染によるボンディング不良を、
大掛かりな装置を必要とせず、また従来のボンディング
装置を変更することなく、ほぼ完全に無くすことがで
き、製造が容易で、回路基板を用いた装置の信頼性を高
めることができた。
【図１】回路基板の模式的断面図。
【図２】本発明の工程図と従来の工程図。
【図３】本発明の第一実施例に使用した材料の一覧図。
【図４】厚膜導体の汚染状況の拡大比較図。
【図５】ボンディング耐久試験結果の比較図。
１ 厚膜導体 ２ セラミック回路基板 ３ セラミック基板 ４ 半導体素子 ６ 半田 ７ 被覆層（樹脂）
Claims (4)
- 【請求項１】 回路基板上に搭載する素子を半田付けす
る工程を有し、該回路基板上の厚膜導体と該回路基板外
部の端子とをアルミボンディングする工程を有する回路
基板の製造方法において、 該素子を半田付けする半田工程前に、前記厚膜導体のボ
ンディング用電極を被覆部材で覆う被覆工程を有し、 前記半田工程後、ボンディング工程前に前記被覆部材を
除去する除去工程を有することを特徴とする回路基板の
製造方法。 - 【請求項２】 前記被覆部材が、半田ペースト材もしく
はフラックス材の洗浄液に溶ける樹脂であることを特徴
とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記被覆部材が、テープ材であり、 前記除去工程が、テープ剥離工程であることを特徴とす
る請求項１に記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記被覆部材が、前記厚膜導体をカバー
する治具であり、 前記除去工程が、治具除去工程であることを特徴とする
請求項１に記載の回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5277496A JPH07106362A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5277496A JPH07106362A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106362A true JPH07106362A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17584413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5277496A Pending JPH07106362A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106362A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09293744A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-11 | Denso Corp | 電子部品の実装方法 |
| CN108112188A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-06-01 | 深圳大学 | 一种基于液态金属的焊接方法 |
| JP2019036653A (ja) * | 2017-08-17 | 2019-03-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及びはんだ付け補助治具 |
-
1993
- 1993-10-07 JP JP5277496A patent/JPH07106362A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09293744A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-11 | Denso Corp | 電子部品の実装方法 |
| JP2019036653A (ja) * | 2017-08-17 | 2019-03-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及びはんだ付け補助治具 |
| CN108112188A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-06-01 | 深圳大学 | 一种基于液态金属的焊接方法 |
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