JPH07107563B2 - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
- Publication number
- JPH07107563B2 JPH07107563B2 JP61258410A JP25841086A JPH07107563B2 JP H07107563 B2 JPH07107563 B2 JP H07107563B2 JP 61258410 A JP61258410 A JP 61258410A JP 25841086 A JP25841086 A JP 25841086A JP H07107563 B2 JPH07107563 B2 JP H07107563B2
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- Japan
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- refractive index
- layer
- wavelength
- antireflection film
- film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体露光装置（以下マスクアライナー）の
光学系において露光光源として用いるエキシマ・レーザ
ー波長での反射率を最小にするように形成した反射防止
膜に関するものである。
光学系において露光光源として用いるエキシマ・レーザ
ー波長での反射率を最小にするように形成した反射防止
膜に関するものである。
近年、超LSI等の半導体素子では、高集積化の要請から
パターンの微細化が進みサブミクロンの線幅が実用化さ
れ始めている。このような半導体素子のパターン転写工
程においては、解像度と歩留まりを考慮し、縮小投影露
光装置（以下ステッパー）が主に用いられているが、解
像度のよりいっそうの向上が要求されている。
パターンの微細化が進みサブミクロンの線幅が実用化さ
れ始めている。このような半導体素子のパターン転写工
程においては、解像度と歩留まりを考慮し、縮小投影露
光装置（以下ステッパー）が主に用いられているが、解
像度のよりいっそうの向上が要求されている。
ステッパーによるフォトリソグラフィーの実用解像度Ｒ
は、Ｒ＝ｋλ／NAで与えられる。ここでλは露光波長、
NAはレンズの開口数、ｋはレジストの現像コントラスト
などで決まる定数で通常0.8程度である。従って解像度
を向上させるためには、露光光を短波長化するか、もし
くは開口数を大きくすることになる。短波長化を指向す
るものとして、高出力な短波長光源であるエキシマ・レ
ーザーを用いたステッパーが注目されている。このステ
ッパーの光学系、特に投影レンズにおいては、レンズの
表面反射により光量ロス及びゴースト、フレア等の発生
を防ぐため、KrF（λ＝248nm）,XeCl（λ＝308nm）とい
うエキシマ・レーザー波長において高い反射防止効果と
高耐光性を持つ反射防止膜を形成することが必要とな
る。
は、Ｒ＝ｋλ／NAで与えられる。ここでλは露光波長、
NAはレンズの開口数、ｋはレジストの現像コントラスト
などで決まる定数で通常0.8程度である。従って解像度
を向上させるためには、露光光を短波長化するか、もし
くは開口数を大きくすることになる。短波長化を指向す
るものとして、高出力な短波長光源であるエキシマ・レ
ーザーを用いたステッパーが注目されている。このステ
ッパーの光学系、特に投影レンズにおいては、レンズの
表面反射により光量ロス及びゴースト、フレア等の発生
を防ぐため、KrF（λ＝248nm）,XeCl（λ＝308nm）とい
うエキシマ・レーザー波長において高い反射防止効果と
高耐光性を持つ反射防止膜を形成することが必要とな
る。
本発明の目的の１つは、ステッパーの露光光であるエキ
シマ・レーザー波長、具体的にはKrF（λ＝248nm）,XeC
l（λ＝308nm）に対して良好な反射防止効果を有する反
射防止膜を提供することにある。
シマ・レーザー波長、具体的にはKrF（λ＝248nm）,XeC
l（λ＝308nm）に対して良好な反射防止効果を有する反
射防止膜を提供することにある。
本発明の他の目的は、エキシマ・レーザー光に対し良好
な反射防止効果を有すると共に、物理的、化学的に安定
な、特に耐光性に優れた反射防止膜を提供することにあ
る。
な反射防止効果を有すると共に、物理的、化学的に安定
な、特に耐光性に優れた反射防止膜を提供することにあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明の上記目的は、波長160nm以上の光を通過する基
体上に、第１の層である中間屈折率物質層、第２の層で
ある低屈折率物質層、第３の層である中間屈折率物質
層、第４の層である低屈折率物質層を同順に積層してな
りエキシマレーザーを用いた光学系に用いられる反射防
止膜であって、160nm以上の波長領域において該中間屈
折率物質の屈折率が1.6〜1.8であり、該低屈折率物質の
屈折率が1.5以下であり、設計基準波長をλ０としたと
き、第１の層の光学的膜厚がλ０/2、且つ第２の層の光
学的膜厚をn2d2とすると1.4λ０/4＜n2d2＜1.6λ０/4、
且つ第３の層及び第４の層の光学的膜厚がλ０/4である
ことを特徴とする反射防止膜によって達成される。
体上に、第１の層である中間屈折率物質層、第２の層で
ある低屈折率物質層、第３の層である中間屈折率物質
層、第４の層である低屈折率物質層を同順に積層してな
りエキシマレーザーを用いた光学系に用いられる反射防
止膜であって、160nm以上の波長領域において該中間屈
折率物質の屈折率が1.6〜1.8であり、該低屈折率物質の
屈折率が1.5以下であり、設計基準波長をλ０としたと
き、第１の層の光学的膜厚がλ０/2、且つ第２の層の光
学的膜厚をn2d2とすると1.4λ０/4＜n2d2＜1.6λ０/4、
且つ第３の層及び第４の層の光学的膜厚がλ０/4である
ことを特徴とする反射防止膜によって達成される。
本発明にかかる反射防止膜において、対象となる波長領
域が紫外線領域、特に遠紫外線領域であることから、そ
の膜材料は設計、製作上重要な問題となる。すなわち、
反射防止膜の膜材料は、遠紫外線領域において吸収がな
く透過率の高い安定な物質でなくてはならない。このよ
うな条件下で使用可能な材料として、MgF2,CaF2,LiF,Na
3AlF6,LaF3,NdF3,ThF4等のフッ化物の誘電体と、SiO2,A
l2O3,Y2O3,Sc2O3,HfO2,ZrO2等の酸化物の誘電体が挙げ
られる。一方、反射防止膜の反射防止条件は第１表に示
すとおり、単層、２層、３層、４層のいずれの構造でも
高屈折率物質を用いることにより得られることは公知で
ある。
域が紫外線領域、特に遠紫外線領域であることから、そ
の膜材料は設計、製作上重要な問題となる。すなわち、
反射防止膜の膜材料は、遠紫外線領域において吸収がな
く透過率の高い安定な物質でなくてはならない。このよ
うな条件下で使用可能な材料として、MgF2,CaF2,LiF,Na
3AlF6,LaF3,NdF3,ThF4等のフッ化物の誘電体と、SiO2,A
l2O3,Y2O3,Sc2O3,HfO2,ZrO2等の酸化物の誘電体が挙げ
られる。一方、反射防止膜の反射防止条件は第１表に示
すとおり、単層、２層、３層、４層のいずれの構造でも
高屈折率物質を用いることにより得られることは公知で
ある。
次に示す第１表は、低屈折率基体における反射防止条件
（理論解と膜構成例）を示した表である。
（理論解と膜構成例）を示した表である。
上記膜材料中、高屈折率を有するものとして、Y2O3,Sc2
O3,HfO2,ZrO2が挙げられる。これら高屈折率物質は遠紫
外線領域において他の材料に比較し吸収が大きいため膜
のレーザー損傷閾値を低下させる要因となることから、
高耐光性を要求される場合には適当な材料とは言えな
い。従って本発明の反射防止膜は、遠紫外線領域で吸収
の小さい誘電体の中間屈折率物質と低屈折率物質を用い
反射防止膜を構成したものである。
O3,HfO2,ZrO2が挙げられる。これら高屈折率物質は遠紫
外線領域において他の材料に比較し吸収が大きいため膜
のレーザー損傷閾値を低下させる要因となることから、
高耐光性を要求される場合には適当な材料とは言えな
い。従って本発明の反射防止膜は、遠紫外線領域で吸収
の小さい誘電体の中間屈折率物質と低屈折率物質を用い
反射防止膜を構成したものである。
このうち本発明で使用する前記低屈折率物質としてはMg
F2,CaF2,LiF及びNa3AlF6,SiO2から選ばれる物質、また
前記中間屈折率物質としてはLaF3,NdF3,ThF4,Al2O3から
選ばれる物質が好適である。
F2,CaF2,LiF及びNa3AlF6,SiO2から選ばれる物質、また
前記中間屈折率物質としてはLaF3,NdF3,ThF4,Al2O3から
選ばれる物質が好適である。
本発明の反射防止膜は、第１図に示すような４層構造を
有する反射防止膜である。第１図において、１は遠紫外
線領域を含む160nm以上の領域の光を透過する物質から
なる基体で、具体的には合成石英、人工水晶、CaF2等か
らなるレンズ等の光学素子である。基体１上に積層され
た2,4は中間屈折率物質の層、3,5は低屈折率物質の層で
あり、これらの各層を形成するためには、通常、真空蒸
着法（イオンプレーティング、スパッタリング等を包含
する）が用いられる。
有する反射防止膜である。第１図において、１は遠紫外
線領域を含む160nm以上の領域の光を透過する物質から
なる基体で、具体的には合成石英、人工水晶、CaF2等か
らなるレンズ等の光学素子である。基体１上に積層され
た2,4は中間屈折率物質の層、3,5は低屈折率物質の層で
あり、これらの各層を形成するためには、通常、真空蒸
着法（イオンプレーティング、スパッタリング等を包含
する）が用いられる。
本発明の反射防止膜においては、エキシマレーザー光に
対する反射率を小さくするために、設計基準波長λ０に
対し基体側から第１層の光学的膜厚がλ０/2、且つ第２
層の光学的膜厚をn2d2とすると1.4λ０/4＜n2d2＜1.6λ
０/4、第３層の光学的膜厚がλ０/4、第４層の光学的膜
厚がλ０／とする。
対する反射率を小さくするために、設計基準波長λ０に
対し基体側から第１層の光学的膜厚がλ０/2、且つ第２
層の光学的膜厚をn2d2とすると1.4λ０/4＜n2d2＜1.6λ
０/4、第３層の光学的膜厚がλ０/4、第４層の光学的膜
厚がλ０／とする。
なお、基板、膜材料の組み合せにより各層の光学的膜厚
は所望する波長域において反射率が最小の値となるよ
う、例えば電子計算機により演算して最適化する。
は所望する波長域において反射率が最小の値となるよ
う、例えば電子計算機により演算して最適化する。
反射防止膜のレーザー損傷閾値を向上させる方法とし
て、基体側に光学的膜厚でλ/2の低屈折率層を設けると
向上することが知られている。前記実施例において、レ
ーザー波長λに対し光学的膜厚でλ/2のMgF2もしくはSi
O2層を基体上第１層として付加することにより、レーザ
ー波長における反射率を変えることなく、更に高耐光性
（高耐レーザー性）を有する反射防止膜を得ることが可
能である。
て、基体側に光学的膜厚でλ/2の低屈折率層を設けると
向上することが知られている。前記実施例において、レ
ーザー波長λに対し光学的膜厚でλ/2のMgF2もしくはSi
O2層を基体上第１層として付加することにより、レーザ
ー波長における反射率を変えることなく、更に高耐光性
（高耐レーザー性）を有する反射防止膜を得ることが可
能である。
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例１ 第１図の反射防止膜において、基体１を合成石英からな
るレンズとし、2,4の中間屈折率物質にLaF3、3,5の低屈
折率物質にMgF2を用い、これらの物質を真空蒸着法によ
りハードコーティングした。第２表に設計基準波長λ０
を238nmとしたときの、この膜構成による反射防止膜の
屈折率及び光学的膜厚を示す。この膜構成で製作した反
射防止膜の分光特性を第２図に示した。これによればエ
キシマ・レーザー波長λ＝248nmでの反射率を0.1％以下
に抑えることができた。
るレンズとし、2,4の中間屈折率物質にLaF3、3,5の低屈
折率物質にMgF2を用い、これらの物質を真空蒸着法によ
りハードコーティングした。第２表に設計基準波長λ０
を238nmとしたときの、この膜構成による反射防止膜の
屈折率及び光学的膜厚を示す。この膜構成で製作した反
射防止膜の分光特性を第２図に示した。これによればエ
キシマ・レーザー波長λ＝248nmでの反射率を0.1％以下
に抑えることができた。
次に、耐久性についてはMIL−Ｃ−675（Ｃ）に準じる密
着性、耐摩耗性、耐溶剤性、耐湿性テストを満足した。
また、KrFレーザーの連続照射テスト平均200mJ、25Hz、
パルス幅15ns、50時間照射後もレーザーによるダメー
ジ、透過率の劣化等はみられず耐レーザー性も確認され
た。
着性、耐摩耗性、耐溶剤性、耐湿性テストを満足した。
また、KrFレーザーの連続照射テスト平均200mJ、25Hz、
パルス幅15ns、50時間照射後もレーザーによるダメー
ジ、透過率の劣化等はみられず耐レーザー性も確認され
た。
本発明の実施例１では、実際の使用波長（λ＝248nm）
に対して設計基準波長（λ０＝238nm）を異ならせてい
る。この点について、比較例１と第３図を用いて説明す
る。
に対して設計基準波長（λ０＝238nm）を異ならせてい
る。この点について、比較例１と第３図を用いて説明す
る。
比較例１ 第３表に、設計波長λを0248nmとしたときの、この膜構
成による反射防止膜の屈折率及び光学的膜厚を示す。こ
の比較例１では実施例１と同じ基板、膜材料を組み合
せ、光学的膜厚も第１層から順に、0.5λ、0.375λ、0.
25λ、0.25λと、同じ構成である。
成による反射防止膜の屈折率及び光学的膜厚を示す。こ
の比較例１では実施例１と同じ基板、膜材料を組み合
せ、光学的膜厚も第１層から順に、0.5λ、0.375λ、0.
25λ、0.25λと、同じ構成である。
実施例１と比較例１の反射防止膜の分光特性を第３図に
示した。これによれば、実施例１ではエキシマ・レーザ
ー波長λ＝248nmでの反射率を0.1％以下に抑えることが
できる。しかし、比較例１ではλ＝260nmにおける反射
率は小さく抑えることができるが、所望する波長域（λ
＝248nm）において反射率は最小の値とならない。
示した。これによれば、実施例１ではエキシマ・レーザ
ー波長λ＝248nmでの反射率を0.1％以下に抑えることが
できる。しかし、比較例１ではλ＝260nmにおける反射
率は小さく抑えることができるが、所望する波長域（λ
＝248nm）において反射率は最小の値とならない。
このように、実施例１では、所望する波長域（λ＝248n
m）において、反射率が最小の値となるよう、設計基準
波長λ０を入射光波長λと異ならせて最適化している。
この点については、後述する実施例２、実施例３、実施
例４、実施例５についても同様である。
m）において、反射率が最小の値となるよう、設計基準
波長λ０を入射光波長λと異ならせて最適化している。
この点については、後述する実施例２、実施例３、実施
例４、実施例５についても同様である。
本発明の実施例１では、第２層の光学的膜厚を1/4λか
らずらしている。この点について、比較例２と第４図を
用いて説明する。
らずらしている。この点について、比較例２と第４図を
用いて説明する。
比較例２ 第４表に、第２の層の光学的膜厚を1/4λとしたとき
の、この膜構成による反射防止膜の屈折率及び光学的膜
厚を示す。この比較例２では実施例１と同じ基板、膜材
料を組み合せ、光学的膜厚は第１層から順に0.5λ、0.2
5λ、0.25λ、0.25λと、構成した。
の、この膜構成による反射防止膜の屈折率及び光学的膜
厚を示す。この比較例２では実施例１と同じ基板、膜材
料を組み合せ、光学的膜厚は第１層から順に0.5λ、0.2
5λ、0.25λ、0.25λと、構成した。
実施例１と比較例２の反射防止膜の分光特性を第４図に
示した。これによれば、実施例１ではエキシマ・レーザ
ー波長λ＝248nmでの反射率を0.1％以下に抑えることが
できる。しかし、比較例２では所望する波長域（λ＝24
8nm）において反射率は最小の値とならない。
示した。これによれば、実施例１ではエキシマ・レーザ
ー波長λ＝248nmでの反射率を0.1％以下に抑えることが
できる。しかし、比較例２では所望する波長域（λ＝24
8nm）において反射率は最小の値とならない。
このように、実施例１では、所望する波長域（λ＝248n
m）において、反射率が最小の値となるよう、第２の層
の光学的膜厚を1/4λからずらしている。この点につい
ては、後述する実施例２、実施例３、実施例４、実施例
５についても同様である。
m）において、反射率が最小の値となるよう、第２の層
の光学的膜厚を1/4λからずらしている。この点につい
ては、後述する実施例２、実施例３、実施例４、実施例
５についても同様である。
実施例２ 中間屈折率物質としてAl2O3、低屈折率物質としてMgF2
を用い、本発明の構成による反射防止膜を形成した。こ
のときの膜構成は第５表に示すとおりである。また、こ
の構成で得られた分光特性を第５図に示す。本実施例に
おいても実施例１と同等の光学特性並びに化学的、物理
的安定性を有する反射防止膜が得られた。
を用い、本発明の構成による反射防止膜を形成した。こ
のときの膜構成は第５表に示すとおりである。また、こ
の構成で得られた分光特性を第５図に示す。本実施例に
おいても実施例１と同等の光学特性並びに化学的、物理
的安定性を有する反射防止膜が得られた。
実施例３ 基体として螢石（CaF2）、中間屈折率物質としてLaF3、
低屈折率物質としてMgF2を用い、本発明の構成による反
射防止膜を形成した。このときの膜構成を第６表に、得
られた分光特性を第６図に示す。基体である螢石はイオ
ン結晶であるため、蒸発源として電子銃を用いると、電
子銃から発生する電子によりカラーセンターを生成する
ことがあるため、蒸発源としては抵抗加熱方式が適して
おり、本実施例によるLaF3,MgF2というフッ化物の組み
合せが好適である。また、基体自体がフッ化物であるこ
とから、膜材料としてはフッ化物の組み合せが物理的、
化学的安定性からも適している。本実施例においても実
施例１と同等の光学特性並びに化学的、物理的安定性を
有する反射防止膜が得られた。
低屈折率物質としてMgF2を用い、本発明の構成による反
射防止膜を形成した。このときの膜構成を第６表に、得
られた分光特性を第６図に示す。基体である螢石はイオ
ン結晶であるため、蒸発源として電子銃を用いると、電
子銃から発生する電子によりカラーセンターを生成する
ことがあるため、蒸発源としては抵抗加熱方式が適して
おり、本実施例によるLaF3,MgF2というフッ化物の組み
合せが好適である。また、基体自体がフッ化物であるこ
とから、膜材料としてはフッ化物の組み合せが物理的、
化学的安定性からも適している。本実施例においても実
施例１と同等の光学特性並びに化学的、物理的安定性を
有する反射防止膜が得られた。
実施例４ 基体として合成石英を用い、実施例１の構成によりXeCl
（λ＝308nm）用の反射防止膜を形成した。このときの
膜構成を第７表に、設計基準波長λ０を295.6nmとした
ときの得られた分光特性を第７図に示す。本実施例にお
いても他の実施例と同等の光学特性、並びに化学的、物
理的安定性を有する反射防止膜が得られた。
（λ＝308nm）用の反射防止膜を形成した。このときの
膜構成を第７表に、設計基準波長λ０を295.6nmとした
ときの得られた分光特性を第７図に示す。本実施例にお
いても他の実施例と同等の光学特性、並びに化学的、物
理的安定性を有する反射防止膜が得られた。
実施例５ 基体として合成石英を用い、実施例１の構成によりArF
（λ＝193nm）用の反射防止膜を形成した。このときの
膜構成を第８表に示す。設計基準波長λ０を185.2nmと
して実験を行ったところ本実施例においても他の実施例
と同等の光学特性、並びに化学的、物理的安定性を有す
る反射防止膜が得られた。
（λ＝193nm）用の反射防止膜を形成した。このときの
膜構成を第８表に示す。設計基準波長λ０を185.2nmと
して実験を行ったところ本実施例においても他の実施例
と同等の光学特性、並びに化学的、物理的安定性を有す
る反射防止膜が得られた。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明の反射防止膜は、所望するエ
キシマ・レーザー波長においてレンズ等基体表面の反射
を低くおさえ、フレア、ゴースト等の問題を解決すると
いう優れた光学特性を持っている。更に、耐溶剤性、耐
湿性という化学的安定性に富むと同時に、密着性、耐摩
耗性、耐レーザー性という物理的安定性にも優れており
実用的に極めて有用である。
キシマ・レーザー波長においてレンズ等基体表面の反射
を低くおさえ、フレア、ゴースト等の問題を解決すると
いう優れた光学特性を持っている。更に、耐溶剤性、耐
湿性という化学的安定性に富むと同時に、密着性、耐摩
耗性、耐レーザー性という物理的安定性にも優れており
実用的に極めて有用である。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の４層反射防止膜の構成を説明するため
の図、第２図は実施例１で作製した反射防止膜の分光特
性を示すグラフ、第３図は実施例１と比較例１の反射防
止膜の分光特性を示すグラフ、第４図は実施例１と比較
例２の反射防止膜の分光特性を示すグラフ、第５図、第
６図及び第７図は実施例２〜４で作製した反射防止膜の
分光特性を示すグラフである。 １…基体、2,4…中間屈折率物質層、3,5…低屈折率物質
層。
の図、第２図は実施例１で作製した反射防止膜の分光特
性を示すグラフ、第３図は実施例１と比較例１の反射防
止膜の分光特性を示すグラフ、第４図は実施例１と比較
例２の反射防止膜の分光特性を示すグラフ、第５図、第
６図及び第７図は実施例２〜４で作製した反射防止膜の
分光特性を示すグラフである。 １…基体、2,4…中間屈折率物質層、3,5…低屈折率物質
層。
Claims (3)
- 【請求項１】波長160nm以上の光を通過する基体上に、
第１の層である中間屈折率物質層、第２の層である低屈
折率物質層、第３の層である中間屈折率物質層、第４の
層である低屈折率物質層を同順に積層してなりエキシマ
レーザーを用いた光学系に用いられる反射防止膜であっ
て、160nm以上の波長領域において該中間屈折率物質の
屈折率が1.6〜1.8であり、該低屈折率物質の屈折率が1.
5以下であり、設計基準波長をλ０としたとき、第１の
層の光学的膜厚がλ０/2、且つ第２の層の光学的膜厚を
n2d2とすると1.4λ０/4＜n2d2＜1.6λ０/4、且つ第３の
層及び第４の層の光学的膜厚がλ０/4であることを特徴
とする反射防止膜。 - 【請求項２】前記エキシマレーザーは、波長が248nmのK
rF又は波長が308nmのXeClのエキシマレーザーである特
許請求の範囲第１項記載の反射防止膜。 - 【請求項３】前記低屈折率物質層はMgF2,CaF2,LiF,Na3A
lF6,SiO2のうちから、前記中間屈折率物質はLaF3,NdF3,
ThF4,Al2O3のうちからそれぞれ選ばれたものである特許
請求の範囲第１項または第２項に記載の反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258410A JPH07107563B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258410A JPH07107563B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113502A JPS63113502A (ja) | 1988-05-18 |
| JPH07107563B2 true JPH07107563B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=17319838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61258410A Expired - Lifetime JPH07107563B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107563B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2638806B2 (ja) * | 1987-05-18 | 1997-08-06 | ミノルタ株式会社 | 反射防止膜 |
| JPH06140707A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Showa Koki Seizo Kk | 潮解性光学結晶の反射防止膜 |
| JPH08220304A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Tadahiro Omi | 光学物品及びそれを用いた露光装置又は光学系並びにその製造方法 |
| JP3624082B2 (ja) * | 1997-11-13 | 2005-02-23 | キヤノン株式会社 | 反射防止膜及びその製造方法 |
| JP2002014202A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 光学薄膜、光学素子及び露光装置 |
| EP1315005B1 (en) | 2000-08-30 | 2007-10-10 | Nikon Corporation | Method of forming optical thin film |
| JP3639822B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2005-04-20 | 株式会社トプコン | 赤外反射防止膜 |
| JP4380391B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-12-09 | 株式会社ニコン | 人工水晶部材の選別方法 |
| JP2006047924A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Olympus Corp | 反射防止膜 |
| JPWO2017057233A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-07-19 | 株式会社ニコン | 光学部材、チャンバ、及び光源装置 |
| CN106067652B (zh) * | 2016-07-29 | 2022-03-08 | 杭州科汀光学技术有限公司 | 一种用于准分子激光的双波长增透膜以及光学膜厚监控系统 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60130702A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-12 | Canon Inc | 合成樹脂基板の反射防止膜 |
| JPS62123401A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 遠紫外用光学薄膜 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61258410A patent/JPH07107563B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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