JPH07109444B2 - 導波型平面光回路の製造方法 - Google Patents
導波型平面光回路の製造方法Info
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- JPH07109444B2 JPH07109444B2 JP61140263A JP14026386A JPH07109444B2 JP H07109444 B2 JPH07109444 B2 JP H07109444B2 JP 61140263 A JP61140263 A JP 61140263A JP 14026386 A JP14026386 A JP 14026386A JP H07109444 B2 JPH07109444 B2 JP H07109444B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
- G02B6/1245—Geodesic lenses
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光波を利用して信号処理を行う平面光回路の製
造方法、得に平面導波光を面内において集束させる機能
を有するジオデシックレンズを含む平面光回路の製造方
法に関する。
造方法、得に平面導波光を面内において集束させる機能
を有するジオデシックレンズを含む平面光回路の製造方
法に関する。
一般に、コヒーレントな光学処理技術は、並列処理がで
き、高速であるという特徴があるため、コリレータやス
ペクトラムアナライザーなどのような信号処理装置への
応用に適している。この信号処理装置を実現するため
に、光学ガラスや光学結晶などを基板とし、この表面に
基板よりも屈折率の高い層を設け、この高屈折率層にエ
ネルギーを集中させて伝搬する平面導波光の波面やエネ
ルギー伝搬方向を制御する光回路が、最近盛んに研究さ
れている。このような平面光回路に用いられる平面レン
ズは、結像作用やフーリエ変換作用の働きを持ち、平面
光回路を構成する重要な部品である。このような平面レ
ンズとしては、ジオデシックレンズ，ルネブルグレン
ズ，グレーティングレンズ，平面フレネルレンズ等のレ
ンズが知られている。
き、高速であるという特徴があるため、コリレータやス
ペクトラムアナライザーなどのような信号処理装置への
応用に適している。この信号処理装置を実現するため
に、光学ガラスや光学結晶などを基板とし、この表面に
基板よりも屈折率の高い層を設け、この高屈折率層にエ
ネルギーを集中させて伝搬する平面導波光の波面やエネ
ルギー伝搬方向を制御する光回路が、最近盛んに研究さ
れている。このような平面光回路に用いられる平面レン
ズは、結像作用やフーリエ変換作用の働きを持ち、平面
光回路を構成する重要な部品である。このような平面レ
ンズとしては、ジオデシックレンズ，ルネブルグレン
ズ，グレーティングレンズ，平面フレネルレンズ等のレ
ンズが知られている。
ジオデシックレンズは、光導波路中にくぼみ（凹部）を
形成してこの部分をレンズ部としているため、くぼみを
所望の形状に加工することにより大口径，短焦点つまり
Ｆ数の小さなレンズの作成が可能となる。また本質的に
色収差がなく、また焦点距離が導波モードの次数によら
ない利点がある。
形成してこの部分をレンズ部としているため、くぼみを
所望の形状に加工することにより大口径，短焦点つまり
Ｆ数の小さなレンズの作成が可能となる。また本質的に
色収差がなく、また焦点距離が導波モードの次数によら
ない利点がある。
従来、誘電体基板上にくぼみを設け、このくぼみに光導
波路を形成するジオデシックレンズの例が、雑誌「アイ
・イー・イー・イー・トランザクション・オン・コンポ
ーネンツ・ハイブリッド・アンド・マニファクチャリン
グ・テクノロジー（IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS
HYBRIDS AND MANUFACTURING TECHNOLOGY）」.VOL CHMT
−5,NO.2,6月1982年,205〜209ページに掲載の論文に述
べられている。
波路を形成するジオデシックレンズの例が、雑誌「アイ
・イー・イー・イー・トランザクション・オン・コンポ
ーネンツ・ハイブリッド・アンド・マニファクチャリン
グ・テクノロジー（IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS
HYBRIDS AND MANUFACTURING TECHNOLOGY）」.VOL CHMT
−5,NO.2,6月1982年,205〜209ページに掲載の論文に述
べられている。
第６図（ａ），（ｂ）はこの従来のジオデシックレンズ
の構造を示す平面図と断面図である。このジオデシック
レンズは、ニオブ酸リチウム基板101の表面にダイヤモ
ンドのバイトを用いてくぼみ３を切削し、の切削部を研
磨した後、ニオブ酸リチウム基板101のくぼみも含めた
全面にチタン膜を設け、このチタン膜を熱拡散すること
によって光導波路８とジオデシックレンズ部４が形成さ
れる。
の構造を示す平面図と断面図である。このジオデシック
レンズは、ニオブ酸リチウム基板101の表面にダイヤモ
ンドのバイトを用いてくぼみ３を切削し、の切削部を研
磨した後、ニオブ酸リチウム基板101のくぼみも含めた
全面にチタン膜を設け、このチタン膜を熱拡散すること
によって光導波路８とジオデシックレンズ部４が形成さ
れる。
このジオデシックレンズでは、平行に入射した導波光５
がフェルマの原理に従って光路長が最短になる曲面の測
地線に沿って伝搬するので、この入射導波路５が通過す
るレンズの位置によってその光路長が変化し、入射導波
光５は集束作用を受け集束点６に集光される。
がフェルマの原理に従って光路長が最短になる曲面の測
地線に沿って伝搬するので、この入射導波路５が通過す
るレンズの位置によってその光路長が変化し、入射導波
光５は集束作用を受け集束点６に集光される。
前述したように、ジオデシックレンズにおいては、ニオ
ブ酸リチウム基板の表面に機械加工により、くぼみを形
成する。したがってジオデシックレンズ部においては少
なくとも１μｍ程度の基板表面の凹凸は避け難い。
ブ酸リチウム基板の表面に機械加工により、くぼみを形
成する。したがってジオデシックレンズ部においては少
なくとも１μｍ程度の基板表面の凹凸は避け難い。
一方チタン拡散光導波路においては、第３図（ａ）に示
すように、基板表面において屈折率が最大となるため、
光波のエネルギーは、第３図（ｂ）に示すように、基板
表面に集中する。したがって基板表面での光の散乱によ
る損失が生じ、この散乱損失と放射損失の和は通常2dB
程度となり、ジオデシックレンズにおいては大きな問題
となっている。このような基板表面での散乱損失が問題
となる光回路においては、導波路中での屈折率が最大の
位置が基板中のある深さとなっているような屈折率分布
が望まれる。しかしながら従来のチタン拡散導波路の構
成方法では、上述のような屈折率分布を形成することは
不可能である。
すように、基板表面において屈折率が最大となるため、
光波のエネルギーは、第３図（ｂ）に示すように、基板
表面に集中する。したがって基板表面での光の散乱によ
る損失が生じ、この散乱損失と放射損失の和は通常2dB
程度となり、ジオデシックレンズにおいては大きな問題
となっている。このような基板表面での散乱損失が問題
となる光回路においては、導波路中での屈折率が最大の
位置が基板中のある深さとなっているような屈折率分布
が望まれる。しかしながら従来のチタン拡散導波路の構
成方法では、上述のような屈折率分布を形成することは
不可能である。
本発明の目的は、上述のような問題点を解決した導波型
平面光回路の製造方法を提供することにある。
平面光回路の製造方法を提供することにある。
本発明は、ニオブ酸リチウム基板表面上に設けられた凹
部に光導波路が形成されたジオデシックレンズを少なく
とも１つ含む導波型平面光回路の製造方法において、基
板表面に凹部を形成した後、この基板上にチタン薄膜を
形成し、上記基板を加熱して上記薄膜を基板中に拡散さ
せ、次いで上記基板上の少なくともジオデシックレンズ
部の上にはマグネシウムイオンを含む薄膜パターンを形
成し、上記基板を再度加熱して上記マグネシウムイオン
を含む薄膜パターンを基板中に拡散させることによって
光導波路を形成する工程を少なくとも含むことを特徴と
している。
部に光導波路が形成されたジオデシックレンズを少なく
とも１つ含む導波型平面光回路の製造方法において、基
板表面に凹部を形成した後、この基板上にチタン薄膜を
形成し、上記基板を加熱して上記薄膜を基板中に拡散さ
せ、次いで上記基板上の少なくともジオデシックレンズ
部の上にはマグネシウムイオンを含む薄膜パターンを形
成し、上記基板を再度加熱して上記マグネシウムイオン
を含む薄膜パターンを基板中に拡散させることによって
光導波路を形成する工程を少なくとも含むことを特徴と
している。
本発明は、ジオデシックレンズを含む平面光信号処理回
路を製造するに際し、少なくともジオデシックレンズ部
分には２種類の薄膜パターンを拡散して光導波路を形成
し、その他の部分、例えば音響光学効果や電気光学効果
を利用する部分においてはチタンのみを拡散して光導波
路を形成することによってジオデシックレンズ部分とそ
の他の部分の深さ方向屈折率分布を異ならせしめ、ジオ
デシックレンズ部分では伝搬光エネルギー分布が基板表
面に集中しないような屈折率分布を設定して散乱損失を
減少させ、かつそれとは独立に他の部分、例えば音響光
学効果を利用する部分ではその伝搬光エネルギー分布が
基板表面に十分閉じ込められるように屈折率分布を設定
して弾性表面波との相互作用を高効率化することを可能
とする。
路を製造するに際し、少なくともジオデシックレンズ部
分には２種類の薄膜パターンを拡散して光導波路を形成
し、その他の部分、例えば音響光学効果や電気光学効果
を利用する部分においてはチタンのみを拡散して光導波
路を形成することによってジオデシックレンズ部分とそ
の他の部分の深さ方向屈折率分布を異ならせしめ、ジオ
デシックレンズ部分では伝搬光エネルギー分布が基板表
面に集中しないような屈折率分布を設定して散乱損失を
減少させ、かつそれとは独立に他の部分、例えば音響光
学効果を利用する部分ではその伝搬光エネルギー分布が
基板表面に十分閉じ込められるように屈折率分布を設定
して弾性表面波との相互作用を高効率化することを可能
とする。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明による導波型平面光回路の製造方法を説
明するために、光スペクトラムアナライザー用平面光回
路の製造方法を工程順に示した断面図である。
明するために、光スペクトラムアナライザー用平面光回
路の製造方法を工程順に示した断面図である。
この製造方法によれば、まずニオブ酸リチウム基板101
の表面にダイヤモンドのバイト等を用いて２つのくぼみ
104を切削加工し、この切削部を研磨した後、ニオブ酸
リチウム基板101のくぼみ104を含めた全面に厚さ200〜1
00ÅのTi（チタン）薄膜103を形成する（第１図
（ａ））。このTi薄膜を1000℃〜1100℃で１〜８時間程
度熱拡散することによってTi拡散導波路106を形成した
後、ジオデシックレンズ部102の上部にのみMgO（酸化マ
グネシウム）膜105を形成する（第１図（ｂ））。ここ
でMgO膜の膜厚は、100〜1000Åとする。なおこのときジ
オデシックレンズ部102以外の部分は遮蔽板で覆ってお
く。この遮蔽板と基板との間隔を調整することによっ
て、もしくはMgO膜105を形成する際に遮蔽板を徐々に移
動することによってMgO膜105の両端にテーパ部107を形
成することができる。
の表面にダイヤモンドのバイト等を用いて２つのくぼみ
104を切削加工し、この切削部を研磨した後、ニオブ酸
リチウム基板101のくぼみ104を含めた全面に厚さ200〜1
00ÅのTi（チタン）薄膜103を形成する（第１図
（ａ））。このTi薄膜を1000℃〜1100℃で１〜８時間程
度熱拡散することによってTi拡散導波路106を形成した
後、ジオデシックレンズ部102の上部にのみMgO（酸化マ
グネシウム）膜105を形成する（第１図（ｂ））。ここ
でMgO膜の膜厚は、100〜1000Åとする。なおこのときジ
オデシックレンズ部102以外の部分は遮蔽板で覆ってお
く。この遮蔽板と基板との間隔を調整することによっ
て、もしくはMgO膜105を形成する際に遮蔽板を徐々に移
動することによってMgO膜105の両端にテーパ部107を形
成することができる。
第１図（ｂ）に示すようにMgO膜105が形成された基板は
800〜1000℃で１〜８時間程度拡散炉中で加熱されるこ
とにより、Mg（マグネシウム）イオンがニオブ酸リチウ
ム基板中へ拡散され、ジオデシックレンズ部102では、T
i,Mg両者拡散による光導波路108が、その他の部分ではT
i拡散による光導波路106が形成される（第１図
（ｃ））。
800〜1000℃で１〜８時間程度拡散炉中で加熱されるこ
とにより、Mg（マグネシウム）イオンがニオブ酸リチウ
ム基板中へ拡散され、ジオデシックレンズ部102では、T
i,Mg両者拡散による光導波路108が、その他の部分ではT
i拡散による光導波路106が形成される（第１図
（ｃ））。
その後、２つのジオデシックレンズ102間にAl（アルミ
ニウム）もしくはCr（クロム）とAlを積層した第２図に
示すような弾性表面波励振用のくし型電極203が形成さ
れる。次いで研磨によって光入出力端面206,207が形成
される。
ニウム）もしくはCr（クロム）とAlを積層した第２図に
示すような弾性表面波励振用のくし型電極203が形成さ
れる。次いで研磨によって光入出力端面206,207が形成
される。
以上が光スペクトラムアナライザー用平面光回路の製造
方法の例であり、上述の光スペクトラムアナライザー用
平面光回路の入出力端面に半導体レーザ204およびアレ
ー検出器205を直接結合することにより、第２図に示す
ハイブリッド型光スペクトラムアナライザーが構成され
る。
方法の例であり、上述の光スペクトラムアナライザー用
平面光回路の入出力端面に半導体レーザ204およびアレ
ー検出器205を直接結合することにより、第２図に示す
ハイブリッド型光スペクトラムアナライザーが構成され
る。
次に本実施例の製造方法により、低損失で高効率な光ス
ペクトラムアナライザー用平面光回路が得られる原理に
ついて第３図を参照しながら説明する。なお、第３図は
Ti拡散導波路106およびTi,Mg拡散導波路108の屈折率お
よび光強度の分布を対比して示している。
ペクトラムアナライザー用平面光回路が得られる原理に
ついて第３図を参照しながら説明する。なお、第３図は
Ti拡散導波路106およびTi,Mg拡散導波路108の屈折率お
よび光強度の分布を対比して示している。
前述のようにジオデシックレンズ部102においてニオブ
酸リチウム基板101の表面に機械加工によりくぼみ104を
形成するのでレンズ表面の凹凸が必ず生ずる。一方Ti拡
散光導波路106においては第３図（ａ）に示すように基
板表面において屈折率が最大となる（表面の屈折率n1か
らの基板の屈折率nSに収束する）ため、光波のエネルギ
ーは第３図（ｂ）に示すように基板表面に集中する。こ
れに対して、屈折率を増加される働きを有するTiイオン
をニオブ酸リチウム基板101に拡散させて光導波路を形
成した後、更にジオデシックレンズ部102のみに基板の
屈折率を減少させる働きをするMgイオンを基板中に拡散
したTi,Mg拡散導波路108においては、第３図（ｃ）およ
び（ｄ）に示すように屈折率分布および光強度分布は基
板表面に集中しない。屈折率は、基板表面では基板の屈
折率nSに等しいが、深くなるに従って徐々に増加し、最
大値n2になった後、徐々に減少する。
酸リチウム基板101の表面に機械加工によりくぼみ104を
形成するのでレンズ表面の凹凸が必ず生ずる。一方Ti拡
散光導波路106においては第３図（ａ）に示すように基
板表面において屈折率が最大となる（表面の屈折率n1か
らの基板の屈折率nSに収束する）ため、光波のエネルギ
ーは第３図（ｂ）に示すように基板表面に集中する。こ
れに対して、屈折率を増加される働きを有するTiイオン
をニオブ酸リチウム基板101に拡散させて光導波路を形
成した後、更にジオデシックレンズ部102のみに基板の
屈折率を減少させる働きをするMgイオンを基板中に拡散
したTi,Mg拡散導波路108においては、第３図（ｃ）およ
び（ｄ）に示すように屈折率分布および光強度分布は基
板表面に集中しない。屈折率は、基板表面では基板の屈
折率nSに等しいが、深くなるに従って徐々に増加し、最
大値n2になった後、徐々に減少する。
TiおよびMgの両者をニオブ酸リチウム基板中に拡散した
ときの屈折率分布を計算した一例を、比較例とともに第
４図に示す。第４図には厚さ500ÅのTi薄膜を1050℃で
1.5時間ニオブ酸リチウム基板中へ拡散したときの屈折
率分布、厚さ100ÅのMgO薄膜を850℃で１時間ニオブ酸
リチウム基板中へ拡散したときの屈折率分布およびTi,M
gの順序で両者を別々に同一のニオブ酸リチウム基板中
へ拡散したときの屈折率分布の計算結果を示す。なお、
第４図における縦軸はニオブ酸リチウム基板の屈折率
（ｎ≒2.2）との屈折率差で示している。
ときの屈折率分布を計算した一例を、比較例とともに第
４図に示す。第４図には厚さ500ÅのTi薄膜を1050℃で
1.5時間ニオブ酸リチウム基板中へ拡散したときの屈折
率分布、厚さ100ÅのMgO薄膜を850℃で１時間ニオブ酸
リチウム基板中へ拡散したときの屈折率分布およびTi,M
gの順序で両者を別々に同一のニオブ酸リチウム基板中
へ拡散したときの屈折率分布の計算結果を示す。なお、
第４図における縦軸はニオブ酸リチウム基板の屈折率
（ｎ≒2.2）との屈折率差で示している。
第４図から判かるように、Ti拡散のみではニオブ酸リチ
ウム基板との屈折率差は基板表面で最大となり、この結
果第３図（ｂ）に示したように伝搬光の光強度分布は基
板表面に集中する。しかしながらTi拡散後さらに屈折率
を減少させる金属であるMgを含むMgOを拡散させると、
第４図に破線で示すように屈折率分布は基板表面から１
〜1.5μｍ程度深い位置で最大屈折率を有するようにす
ることができる。このためTi拡散後に更にMgOを拡散す
ることにより伝搬光の光強度分布を、第３図（ｄ）に示
すように、基板表面に集中しないようにすることが可能
である。したがってジオデシックレンズ表面での散乱損
失を減少させることが可能となる。一方、前述のように
ジオデシックレンズ部以外の部分はTiのみを拡散してお
りMgOの拡散は行っていないので、屈折率分布は第３図
（ａ）のような形状となっており、光強度分布は第３図
（ｂ）のように基板表面に光エネルギーが集中する。し
たがって、くし型電極203により励振される弾性表面波
によって効率的に伝搬光の回折を生じさせることが可能
である。なお、ジオデシックレンズ部の光導波路とその
周辺の光導波路との接続部分は、伝搬光のモード変換に
よる損失を小さくするために、MgO膜105にテーパ部107
を設けることにより、屈折率が第３図（ａ）の分布から
第３図（ｃ）の分布へと数百μｍから数mmにわたって徐
々に変化するように形成されている。
ウム基板との屈折率差は基板表面で最大となり、この結
果第３図（ｂ）に示したように伝搬光の光強度分布は基
板表面に集中する。しかしながらTi拡散後さらに屈折率
を減少させる金属であるMgを含むMgOを拡散させると、
第４図に破線で示すように屈折率分布は基板表面から１
〜1.5μｍ程度深い位置で最大屈折率を有するようにす
ることができる。このためTi拡散後に更にMgOを拡散す
ることにより伝搬光の光強度分布を、第３図（ｄ）に示
すように、基板表面に集中しないようにすることが可能
である。したがってジオデシックレンズ表面での散乱損
失を減少させることが可能となる。一方、前述のように
ジオデシックレンズ部以外の部分はTiのみを拡散してお
りMgOの拡散は行っていないので、屈折率分布は第３図
（ａ）のような形状となっており、光強度分布は第３図
（ｂ）のように基板表面に光エネルギーが集中する。し
たがって、くし型電極203により励振される弾性表面波
によって効率的に伝搬光の回折を生じさせることが可能
である。なお、ジオデシックレンズ部の光導波路とその
周辺の光導波路との接続部分は、伝搬光のモード変換に
よる損失を小さくするために、MgO膜105にテーパ部107
を設けることにより、屈折率が第３図（ａ）の分布から
第３図（ｃ）の分布へと数百μｍから数mmにわたって徐
々に変化するように形成されている。
ところで本実施例においてはTiを拡散した後にMgOを拡
散しているためMgO拡散時にTiの濃度分布が変化するこ
とが心配されるが、Mgの拡散速度はTiの拡散速度よりも
はるかに速いため、Tiの濃度分布にはほとんど影響を与
えずにMgの拡散により所望の形状の屈折率分布を得るこ
とが可能である。第５図に拡散時間をパラメータとし
て、拡散温度と拡散深さの関係をニオブ酸リチウム基板
に対して計算した結果を示す。第５図にはMgOを拡散す
る場合とTiを拡散する場合の両者を示している。ここで
拡散深さとは、拡散によるMgあるいはTiのイオン濃度分
布がガウス分布であると仮定したときに、そのイオン濃
度が最大イオン濃度の1/eに減少する深さを言う。第５
図から判るように拡散温度が500〜1000℃のときにはMg
の拡散速度がTiのそれに比べてはるかに速く、MgO追拡
散によるTiの濃度分布の変化はほとんど生じない。
散しているためMgO拡散時にTiの濃度分布が変化するこ
とが心配されるが、Mgの拡散速度はTiの拡散速度よりも
はるかに速いため、Tiの濃度分布にはほとんど影響を与
えずにMgの拡散により所望の形状の屈折率分布を得るこ
とが可能である。第５図に拡散時間をパラメータとし
て、拡散温度と拡散深さの関係をニオブ酸リチウム基板
に対して計算した結果を示す。第５図にはMgOを拡散す
る場合とTiを拡散する場合の両者を示している。ここで
拡散深さとは、拡散によるMgあるいはTiのイオン濃度分
布がガウス分布であると仮定したときに、そのイオン濃
度が最大イオン濃度の1/eに減少する深さを言う。第５
図から判るように拡散温度が500〜1000℃のときにはMg
の拡散速度がTiのそれに比べてはるかに速く、MgO追拡
散によるTiの濃度分布の変化はほとんど生じない。
本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、ジオ
デシックレンズを少なくとも１つ含むいかなるTi拡散ニ
オブ酸リチウム平面光回路、たとえば、光コリレータ用
平面光回路や２つのジオデシックレンズ間に回折格子を
組入れた平面光分波器等に対しても有効である。
デシックレンズを少なくとも１つ含むいかなるTi拡散ニ
オブ酸リチウム平面光回路、たとえば、光コリレータ用
平面光回路や２つのジオデシックレンズ間に回折格子を
組入れた平面光分波器等に対しても有効である。
上述のように本発明の製造方法を用いれば、ジオデシッ
クレンズを含む導波型光平面回路において、ジオデシッ
クレンズ部とその他の部分の屈折率分布を別々に設定す
ることができ、ジオデシックレンズ部においては光エネ
ルギーが表面に集中しないような屈折率分布を設定して
伝搬光の散乱損失を大幅に減少させることができ、ジオ
デシックレンズ部以外、特に弾性表面波と光波との相互
作用を生じさせるような部分においては、光波のエネル
ギー分布を基板表面に強く閉じこめて上述の相互作用等
を効率的に生じさせることが可能となる。しかも本発明
の製造方法は従来の製造方法と比べて、Mgイオンを含む
薄膜を拡散するという工程が増えるだけであり、製造工
程としては従来方法とほとんど変わりはなく、また困難
も伴わない。
クレンズを含む導波型光平面回路において、ジオデシッ
クレンズ部とその他の部分の屈折率分布を別々に設定す
ることができ、ジオデシックレンズ部においては光エネ
ルギーが表面に集中しないような屈折率分布を設定して
伝搬光の散乱損失を大幅に減少させることができ、ジオ
デシックレンズ部以外、特に弾性表面波と光波との相互
作用を生じさせるような部分においては、光波のエネル
ギー分布を基板表面に強く閉じこめて上述の相互作用等
を効率的に生じさせることが可能となる。しかも本発明
の製造方法は従来の製造方法と比べて、Mgイオンを含む
薄膜を拡散するという工程が増えるだけであり、製造工
程としては従来方法とほとんど変わりはなく、また困難
も伴わない。
第１図は本発明による導波型光平面回路の製造方法の一
実施例を説明するための図、 第２図は第１図の実施例により製造される光スペクトラ
ムアナライザーの構成を示す図、 第３図は本発明の製造方法により低損失で高効率な平面
光信号処理回路が得られる原理を説明するための図、 第４図はMgO拡散による屈折率分布特性の計算結果を示
す図、 第５図はTiおよびMgO拡散の拡散深さに関する計算結果
を示す図、 第６図は従来技術を説明するための図である。 101……ニオブ酸リチウム基板 102,4……ジオデシックレンズ部 103……Ti薄膜 104,3……くぼみ 105……MgO膜 106……Ti拡散導波路 108……Ti,Mg拡散導波路 202……くし型電極 204……半導体レーザ 205……アレー検出器 206……入力端面 207……出力端面
実施例を説明するための図、 第２図は第１図の実施例により製造される光スペクトラ
ムアナライザーの構成を示す図、 第３図は本発明の製造方法により低損失で高効率な平面
光信号処理回路が得られる原理を説明するための図、 第４図はMgO拡散による屈折率分布特性の計算結果を示
す図、 第５図はTiおよびMgO拡散の拡散深さに関する計算結果
を示す図、 第６図は従来技術を説明するための図である。 101……ニオブ酸リチウム基板 102,4……ジオデシックレンズ部 103……Ti薄膜 104,3……くぼみ 105……MgO膜 106……Ti拡散導波路 108……Ti,Mg拡散導波路 202……くし型電極 204……半導体レーザ 205……アレー検出器 206……入力端面 207……出力端面
Claims (1)
- 【請求項１】ニオブ酸リチウム基板表面上に設けられた
凹部に光導波路が形成されたジオデシックレンズを少な
くとも１つ含む導波型平面光回路の製造方法において、
基板表面に凹部を形成した後、この基板上にチタン薄膜
を形成し、上記基板を加熱して上記薄膜を基板中に拡散
させ、次いで上記基板上の少なくともジオデイックレン
ズ部の上にはマグネシウムイオンを含む薄膜パターンを
形成し、上記基板を再度加熱して上記マグネシウムイオ
ンを含む薄膜パターンを基板中に拡散させることによっ
て光導波路を形成する工程を少なくとも含むことを特徴
とする導波型平面光回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140263A JPH07109444B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 導波型平面光回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140263A JPH07109444B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 導波型平面光回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62297806A JPS62297806A (ja) | 1987-12-25 |
| JPH07109444B2 true JPH07109444B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=15264710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61140263A Expired - Lifetime JPH07109444B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 導波型平面光回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109444B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126810A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation for light waveguide line |
| JPS6113802U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-27 | 日本電気株式会社 | 光回路 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61140263A patent/JPH07109444B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62297806A (ja) | 1987-12-25 |
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