JPH07111523B2 - Ｔｆｔパネル - Google Patents
ＴｆｔパネルInfo
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- JPH07111523B2 JPH07111523B2 JP29012388A JP29012388A JPH07111523B2 JP H07111523 B2 JPH07111523 B2 JP H07111523B2 JP 29012388 A JP29012388 A JP 29012388A JP 29012388 A JP29012388 A JP 29012388A JP H07111523 B2 JPH07111523 B2 JP H07111523B2
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- JP
- Japan
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- transparent
- insulating film
- transparent insulating
- pixel electrode
- metal
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアクティブマトリックス型の液晶表示素子に使
用されるTFTパネルに関するものである。
用されるTFTパネルに関するものである。
テレビジョン画像等を表示するアクティブマトリックス
型の液晶表示素子に使用されるTFTパネルは、透明基板
上に、多数の透明画素電極と、この各画素電極を駆動す
る多数の薄膜トランジスタ（TFT）とを縦横に配列形成
したもので、薄膜トランジスタのゲート電極およびドレ
イン電極は画素電極の列間に配線されたゲートラインお
よびデータラインにつながっており、またソース電極は
透明画素電極に接続されている。
型の液晶表示素子に使用されるTFTパネルは、透明基板
上に、多数の透明画素電極と、この各画素電極を駆動す
る多数の薄膜トランジスタ（TFT）とを縦横に配列形成
したもので、薄膜トランジスタのゲート電極およびドレ
イン電極は画素電極の列間に配線されたゲートラインお
よびデータラインにつながっており、またソース電極は
透明画素電極に接続されている。
ところで、このTFTパネルとしては、一般に、薄膜トラ
ンジスタと画素電極とを横に並べて形成したものが知ら
れているが、最近では、透明基板上に薄膜トランジスタ
を形成し、その上に透明絶縁膜を形成して、この透明絶
縁膜の上に透明画素電極を形成することが考えられてい
る。このように薄膜トランジスタと画素電極とを透明絶
縁膜をはさんで形成すれば、画素電極と上記ゲートライ
ンおよびデータラインとの間隔を小さくしてもその間の
短絡を上記透明絶縁膜によって防ぐことができるから、
画素電極の面積を大きくして液晶表示素子の開口率を向
上させることができる。
ンジスタと画素電極とを横に並べて形成したものが知ら
れているが、最近では、透明基板上に薄膜トランジスタ
を形成し、その上に透明絶縁膜を形成して、この透明絶
縁膜の上に透明画素電極を形成することが考えられてい
る。このように薄膜トランジスタと画素電極とを透明絶
縁膜をはさんで形成すれば、画素電極と上記ゲートライ
ンおよびデータラインとの間隔を小さくしてもその間の
短絡を上記透明絶縁膜によって防ぐことができるから、
画素電極の面積を大きくして液晶表示素子の開口率を向
上させることができる。
第５図は透明基板上に薄膜トランジスタを形成し、その
上に形成した透明絶縁膜の上に透明画素電極を形成した
従来のTFTパネルの一部分の断面を示している。
上に形成した透明絶縁膜の上に透明画素電極を形成した
従来のTFTパネルの一部分の断面を示している。
第５図において、図中１は透明基板（ガラス板）、Ｔは
上記透明基板１上に形成された薄膜トランジスタであ
る。この薄膜トランジスタＴは、透明基板１上に形成さ
れたゲート電極２と、このゲート電極２の上に基板ほぼ
全面にわたって形成された透明なゲート絶縁膜３と、こ
のゲート絶縁膜３の上に前記ゲート電極２に対向させて
形成されたｉ−a-Si半導体層４と、この半導体層４の上
にn+‐a-Si層５を介して形成されたソース電極６および
ドレイン電極７とからなっている。なお、前記ゲート電
極２は図示しないゲートラインにつながっており、ドレ
イン電極７は図示しないデータラインにつながってい
る。また、上記薄膜トランジスタＴを形成した基板１上
には、そのほぼ全面にわたって、SOG（スピンオンガラ
ス）からなる表面が平坦な透明絶縁膜８が形成されてお
り、透明画素電極10は上記透明絶縁膜８の上に形成され
ている。また、上記透明絶縁膜８には、前記薄膜トラン
ジスタＴのソース電極６に対応させてコンタクト孔９が
設けられており、上記透明画素電極10はその端部が上記
コンタクト孔９の上に重なるように形成され、このコン
タクト孔９内に充填したコンタクト金属11を介して薄膜
トランジスタＴのソース電極６に接続されている。
上記透明基板１上に形成された薄膜トランジスタであ
る。この薄膜トランジスタＴは、透明基板１上に形成さ
れたゲート電極２と、このゲート電極２の上に基板ほぼ
全面にわたって形成された透明なゲート絶縁膜３と、こ
のゲート絶縁膜３の上に前記ゲート電極２に対向させて
形成されたｉ−a-Si半導体層４と、この半導体層４の上
にn+‐a-Si層５を介して形成されたソース電極６および
ドレイン電極７とからなっている。なお、前記ゲート電
極２は図示しないゲートラインにつながっており、ドレ
イン電極７は図示しないデータラインにつながってい
る。また、上記薄膜トランジスタＴを形成した基板１上
には、そのほぼ全面にわたって、SOG（スピンオンガラ
ス）からなる表面が平坦な透明絶縁膜８が形成されてお
り、透明画素電極10は上記透明絶縁膜８の上に形成され
ている。また、上記透明絶縁膜８には、前記薄膜トラン
ジスタＴのソース電極６に対応させてコンタクト孔９が
設けられており、上記透明画素電極10はその端部が上記
コンタクト孔９の上に重なるように形成され、このコン
タクト孔９内に充填したコンタクト金属11を介して薄膜
トランジスタＴのソース電極６に接続されている。
このTFTパネルは、透明基板１上に周知の方法で薄膜ト
ランジスタＴを形成した後、その上に透明絶縁膜８を形
成してこの透明絶縁膜８にコンタクト孔９を設け、次い
で上記透明絶縁膜８の上に導電性金属をメッキ等により
堆積させて前記コンタクト孔９内にコンタクト金属11を
充填した後、透明絶縁膜８の表面に堆積した不要な金属
膜をエッチング除去してから、透明絶縁膜８の上にITO
等からなる透明導電膜をスパッタリング法等によって膜
付けし、この透明導電膜をパターニングして透明画素電
極10を形成する方法で製造されている。
ランジスタＴを形成した後、その上に透明絶縁膜８を形
成してこの透明絶縁膜８にコンタクト孔９を設け、次い
で上記透明絶縁膜８の上に導電性金属をメッキ等により
堆積させて前記コンタクト孔９内にコンタクト金属11を
充填した後、透明絶縁膜８の表面に堆積した不要な金属
膜をエッチング除去してから、透明絶縁膜８の上にITO
等からなる透明導電膜をスパッタリング法等によって膜
付けし、この透明導電膜をパターニングして透明画素電
極10を形成する方法で製造されている。
しかしながら、上記従来のTFTパネルは、その画素電極1
0を薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続して形成
するのに、まず透明絶縁膜８の上に導電性金属を堆積さ
せてコンタクト孔９内にコンタクト金属11を充填し、次
いで透明絶縁膜８上の不要な金属膜をエッチング除去し
てから、透明絶縁膜８の上に透明画素電極10を形成しな
ければならないため、TFTパネルの製造に多くの工程を
要するという問題をもっていた。しかも、上記のように
画素電極10をコンタクト孔９に充填したコンタクト金属
11によって薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続す
る場合、画素電極10とソース電極６とを確実に接続する
には、コンタクト孔９内にその上端（透明絶縁膜８の表
面）まで完全にコンタクト金属11を充填する必要がある
が、コンタクト孔９内にその全深さにわたってコンタク
ト金属11を堆積させるには、コンタクト金属11となる金
属をコンタクト孔９の深さよりもかなり厚く堆積させな
ければならない。なお、上記透明絶縁膜８は、その上に
形成される画素電極10と透明絶縁膜８の下のゲートライ
ンおよびデータラインとの間の容量を小さくするために
できるだけ厚くするのが望ましいが、このように透明絶
縁膜８を厚くすると、この透明絶縁膜８に設けられるコ
ンタクト孔９の深さも大きくなるから、金属の堆積厚さ
もさらに厚くなる。そして、このようにコンタクト金属
11となる金属を透明絶縁膜８の上に厚く堆積させるので
は、金属の堆積に時間がかかるだけでなく、透明絶縁膜
８上の不要な金属膜のエッチング除去も困難になる。
0を薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続して形成
するのに、まず透明絶縁膜８の上に導電性金属を堆積さ
せてコンタクト孔９内にコンタクト金属11を充填し、次
いで透明絶縁膜８上の不要な金属膜をエッチング除去し
てから、透明絶縁膜８の上に透明画素電極10を形成しな
ければならないため、TFTパネルの製造に多くの工程を
要するという問題をもっていた。しかも、上記のように
画素電極10をコンタクト孔９に充填したコンタクト金属
11によって薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続す
る場合、画素電極10とソース電極６とを確実に接続する
には、コンタクト孔９内にその上端（透明絶縁膜８の表
面）まで完全にコンタクト金属11を充填する必要がある
が、コンタクト孔９内にその全深さにわたってコンタク
ト金属11を堆積させるには、コンタクト金属11となる金
属をコンタクト孔９の深さよりもかなり厚く堆積させな
ければならない。なお、上記透明絶縁膜８は、その上に
形成される画素電極10と透明絶縁膜８の下のゲートライ
ンおよびデータラインとの間の容量を小さくするために
できるだけ厚くするのが望ましいが、このように透明絶
縁膜８を厚くすると、この透明絶縁膜８に設けられるコ
ンタクト孔９の深さも大きくなるから、金属の堆積厚さ
もさらに厚くなる。そして、このようにコンタクト金属
11となる金属を透明絶縁膜８の上に厚く堆積させるので
は、金属の堆積に時間がかかるだけでなく、透明絶縁膜
８上の不要な金属膜のエッチング除去も困難になる。
このため、上記従来のTFTパネルは、その製造が面倒で
あるという問題をもっていた。
あるという問題をもっていた。
本発明は上記のような実情にかんがみてなされたもので
あって、その目的とするところは、薄膜トランジスタの
上に形成した透明絶縁膜の上に透明画素電極を形成した
ものでありながら、前記透明絶縁膜に形成したコンタク
ト孔にコンタクト金属を充填することなく透明絶縁膜上
の透明画素電極を薄膜トランジスタのソース電極に接続
することができ、しかも、上記透明画素電極の形成と同
時にこの画素電極と薄膜トランジスタのソース電極とを
接続することができるようにした、製造の容易なTFTパ
ネルを提供することにある。
あって、その目的とするところは、薄膜トランジスタの
上に形成した透明絶縁膜の上に透明画素電極を形成した
ものでありながら、前記透明絶縁膜に形成したコンタク
ト孔にコンタクト金属を充填することなく透明絶縁膜上
の透明画素電極を薄膜トランジスタのソース電極に接続
することができ、しかも、上記透明画素電極の形成と同
時にこの画素電極と薄膜トランジスタのソース電極とを
接続することができるようにした、製造の容易なTFTパ
ネルを提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために、透明基板上に薄膜
トランジスタを形成し、その上に形成した透明絶縁膜の
上に透明画素電極を形成して、この透明画素電極を前記
薄膜トランジスタのソース又はドレイン電極に接続した
TFTパネルにおいて、前記透明絶縁膜を、金属の拡散が
可能な透明絶縁材で形成し、この透明絶縁膜に前記薄膜
トランジスタのソース又はドレイン電極に対応させてコ
ンタクト孔を設けるとともに、前記透明絶縁膜の内の画
素電極形成領域の表面から上記コンタクト孔の内面にわ
たり、透明絶縁膜に導電性金属を拡散させてなる透明な
金属拡散層を形成し、この透明絶縁膜の表面の金属拡散
層を透明画素電極とするとともに、この透明画素電極を
上記コンタクト孔の内面の金属拡散層によって前記薄膜
トランジスタのソース又はドレイン電極に接続したもの
である。
トランジスタを形成し、その上に形成した透明絶縁膜の
上に透明画素電極を形成して、この透明画素電極を前記
薄膜トランジスタのソース又はドレイン電極に接続した
TFTパネルにおいて、前記透明絶縁膜を、金属の拡散が
可能な透明絶縁材で形成し、この透明絶縁膜に前記薄膜
トランジスタのソース又はドレイン電極に対応させてコ
ンタクト孔を設けるとともに、前記透明絶縁膜の内の画
素電極形成領域の表面から上記コンタクト孔の内面にわ
たり、透明絶縁膜に導電性金属を拡散させてなる透明な
金属拡散層を形成し、この透明絶縁膜の表面の金属拡散
層を透明画素電極とするとともに、この透明画素電極を
上記コンタクト孔の内面の金属拡散層によって前記薄膜
トランジスタのソース又はドレイン電極に接続したもの
である。
〔作用〕 本発明のTFTパネルによれば、前記透明絶縁膜の表面の
金属拡散層を透明画素電極とし、この透明画素電極を上
記コンタクト孔の内面の金属拡散層によって薄膜トラン
ジスタのソース電極に接続しているから、前記コンタク
ト孔にコンタクト金属を充填することなく透明絶縁膜上
の透明画素電極を薄膜トランジスタのソース電極に接続
することができる。また、本発明のTFTパネルによれ
ば、前記透明絶縁膜の表面からそのコンタクト孔の内面
にわたって導電性金属を拡散させることにより、この透
明絶縁膜の表面と上記コンタクト孔の内面に、透明画素
電極となる金属拡散層と、上記透明画素電極と上記ソー
ス電極とを接続する金属拡散層とを同時に形成すること
ができるから、透明画素電極の形成と同時にこの画素電
極と薄膜トランジスタのソース電極とを接続することが
でき、したがってこのTFTパネルの製造は容易である。
金属拡散層を透明画素電極とし、この透明画素電極を上
記コンタクト孔の内面の金属拡散層によって薄膜トラン
ジスタのソース電極に接続しているから、前記コンタク
ト孔にコンタクト金属を充填することなく透明絶縁膜上
の透明画素電極を薄膜トランジスタのソース電極に接続
することができる。また、本発明のTFTパネルによれ
ば、前記透明絶縁膜の表面からそのコンタクト孔の内面
にわたって導電性金属を拡散させることにより、この透
明絶縁膜の表面と上記コンタクト孔の内面に、透明画素
電極となる金属拡散層と、上記透明画素電極と上記ソー
ス電極とを接続する金属拡散層とを同時に形成すること
ができるから、透明画素電極の形成と同時にこの画素電
極と薄膜トランジスタのソース電極とを接続することが
でき、したがってこのTFTパネルの製造は容易である。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図はTFTパネルの一部分の断面を示したもので、図
中Ｔは透明基板１の上に形成された薄膜トランジスタで
あり、この薄膜トランジスタＴは逆スタガー型のもので
ある。なお、この薄膜トランジスタＴは第５図に示した
従来のTFTパネルに形成されているものと同じ構造のも
のであるから、その説明は図に同符号を付して省略す
る。12は上記薄膜トランジスタＴを形成した透明基板１
上にそのほぼ全面にわたって形成された表面が平坦な透
明絶縁膜であり、この透明絶縁膜12は、金属の拡散が可
能な透明絶縁材、例えばSOG（スピンオンガラス）によ
り１μｍ程度の厚さに形成されている。このSOGからな
る透明絶縁膜12には、前記薄膜トランジスタＴのソース
電極６に対応させてコンタクト孔13が設けられている。
このコンタクト孔13は、上記ソース電極６面までは達し
ない有底孔とされており、このコンタクト孔13の底部の
厚さは400Å程度とされている。また、14は前記透明絶
縁膜12の上に、上記コンタクト孔13の上を含む画素電極
形成部分を除いて形成された拡散阻止膜である。この拡
散阻止膜14は、上記透明絶縁膜12に金属を拡散させて後
述する金属拡散層12aを形成する際の拡散領域を規制す
るために設けられたもので、この拡散阻止膜14は金属が
拡散しにくい絶縁材、例えばSiNによって形成されてい
る。そして、上記透明絶縁膜12の拡散阻止膜14で覆われ
ていない部分つまりコンタクト孔13を含む画素電極形成
部分には、この透明絶縁膜12の表面から上記コンタクト
孔13の内面全体にわたって、この透明絶縁膜12にITOか
らなる導電性金属を拡散させた透明な金属拡散層12aが
形成されており、この透明絶縁膜12の表面の金属拡散層
12aは透明画素電極15とされ、この透明画素電極15は、
上記コンタクト孔13の内面の金属拡散層12aによって前
記薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続されてい
る。また、上記金属拡散層12aの層厚（透明絶縁膜12へ
の金属の拡散深さ）は、上記コンタクト孔13の底部の厚
さ（400Å程度）よりも若干厚い厚さ（500Å程度）とさ
れており、したがってコンタクト孔13の底部は、その厚
さ全体が金属拡散層12aとなって薄膜トランジスタＴの
ソース電極６と導通接触している。
中Ｔは透明基板１の上に形成された薄膜トランジスタで
あり、この薄膜トランジスタＴは逆スタガー型のもので
ある。なお、この薄膜トランジスタＴは第５図に示した
従来のTFTパネルに形成されているものと同じ構造のも
のであるから、その説明は図に同符号を付して省略す
る。12は上記薄膜トランジスタＴを形成した透明基板１
上にそのほぼ全面にわたって形成された表面が平坦な透
明絶縁膜であり、この透明絶縁膜12は、金属の拡散が可
能な透明絶縁材、例えばSOG（スピンオンガラス）によ
り１μｍ程度の厚さに形成されている。このSOGからな
る透明絶縁膜12には、前記薄膜トランジスタＴのソース
電極６に対応させてコンタクト孔13が設けられている。
このコンタクト孔13は、上記ソース電極６面までは達し
ない有底孔とされており、このコンタクト孔13の底部の
厚さは400Å程度とされている。また、14は前記透明絶
縁膜12の上に、上記コンタクト孔13の上を含む画素電極
形成部分を除いて形成された拡散阻止膜である。この拡
散阻止膜14は、上記透明絶縁膜12に金属を拡散させて後
述する金属拡散層12aを形成する際の拡散領域を規制す
るために設けられたもので、この拡散阻止膜14は金属が
拡散しにくい絶縁材、例えばSiNによって形成されてい
る。そして、上記透明絶縁膜12の拡散阻止膜14で覆われ
ていない部分つまりコンタクト孔13を含む画素電極形成
部分には、この透明絶縁膜12の表面から上記コンタクト
孔13の内面全体にわたって、この透明絶縁膜12にITOか
らなる導電性金属を拡散させた透明な金属拡散層12aが
形成されており、この透明絶縁膜12の表面の金属拡散層
12aは透明画素電極15とされ、この透明画素電極15は、
上記コンタクト孔13の内面の金属拡散層12aによって前
記薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続されてい
る。また、上記金属拡散層12aの層厚（透明絶縁膜12へ
の金属の拡散深さ）は、上記コンタクト孔13の底部の厚
さ（400Å程度）よりも若干厚い厚さ（500Å程度）とさ
れており、したがってコンタクト孔13の底部は、その厚
さ全体が金属拡散層12aとなって薄膜トランジスタＴの
ソース電極６と導通接触している。
第２図は上記TFTパネルの製造方法を工程順に示したも
ので、このTFTパネルは次のようにして製造される。
ので、このTFTパネルは次のようにして製造される。
まず、透明基板１上に周知の方法で薄膜トランジスタＴ
を形成した後、この基板１上にSOGを１μｍ程度の厚さ
に塗布してこれを焼成することにより、第２図（ａ）に
示すように透明絶縁膜（SOG膜）12を形成し、この透明
絶縁膜12に、薄膜トランジスタＴのソース電極６に対応
させて底部の厚さが400Å程度の有底のコンタクト孔13
をエッチングにより形成する。
を形成した後、この基板１上にSOGを１μｍ程度の厚さ
に塗布してこれを焼成することにより、第２図（ａ）に
示すように透明絶縁膜（SOG膜）12を形成し、この透明
絶縁膜12に、薄膜トランジスタＴのソース電極６に対応
させて底部の厚さが400Å程度の有底のコンタクト孔13
をエッチングにより形成する。
次に、上記透明絶縁膜12の上にSiNをプラズマCVD法によ
り堆積させ、これをパターニングして、透明絶縁膜12の
上をそのコンタクト孔13の上を含む画素電極形成部分を
除いて覆う拡散阻止膜（SiN膜）14を第２図（ｂ）に示
すように形成する。
り堆積させ、これをパターニングして、透明絶縁膜12の
上をそのコンタクト孔13の上を含む画素電極形成部分を
除いて覆う拡散阻止膜（SiN膜）14を第２図（ｂ）に示
すように形成する。
次に、上記拡散阻止膜14の上から透明絶縁膜12上にITO
をスパッタリングし、透明絶縁膜12の表面およびそのコ
ンタクト孔13の内面全体にITO膜16を第２図（ｃ）に鎖
線で示すように堆積させる。このITOのスパッタリング
は、300℃程度の基板温度で行なう。このITOのスパッタ
リングを行なうと、透明絶縁膜12の表面およびコンタク
ト孔13の内面全体にITO膜16が堆積して行くとともに、
同時に堆積したITOが上記拡散阻止膜14で覆われていな
い部分の透明絶縁膜12に熱拡散し、透明絶縁膜12の表面
からコンタクト孔13の内面全体にわたって、ITOを拡散
させた金属拡散層12aが第２図（ｃ）に示すように形成
される。なお、拡散阻止膜14は金属が拡散しにくいSiN
膜であるために、この拡散阻止膜14へのITOの拡散はほ
とんど生じない。このITOのスパッタリングは、コンタ
クト孔13の底部における透明絶縁膜12へのITOの拡散深
さがコンタクト孔13の底部の厚さ以上（500Å程度）に
なるまで行なう。この金属拡散層12aは透明であり、透
明絶縁膜12の表面に形成された金属拡散層12aはそのま
ま透明画素電極15となり、またコンタクト孔13の内面に
形成された金属拡散層12aは上記透明画素電極15と薄膜
トランジスタＴのソース電極６とを接続するコンタクト
層となる。なお、この場合、上記ITOのスパッタリング
による透明絶縁膜12へのITOの拡散を行なった後に、再
度基板１を300℃程度に加熱する熱処理を行なえば、透
明絶縁膜12へのITOの拡散深さをさらに深くして、コン
タクト孔13の内面に形成された金属拡散層12aと薄膜ト
ランジスタＴのソース電極６とをより確実に導通させる
ことができる。
をスパッタリングし、透明絶縁膜12の表面およびそのコ
ンタクト孔13の内面全体にITO膜16を第２図（ｃ）に鎖
線で示すように堆積させる。このITOのスパッタリング
は、300℃程度の基板温度で行なう。このITOのスパッタ
リングを行なうと、透明絶縁膜12の表面およびコンタク
ト孔13の内面全体にITO膜16が堆積して行くとともに、
同時に堆積したITOが上記拡散阻止膜14で覆われていな
い部分の透明絶縁膜12に熱拡散し、透明絶縁膜12の表面
からコンタクト孔13の内面全体にわたって、ITOを拡散
させた金属拡散層12aが第２図（ｃ）に示すように形成
される。なお、拡散阻止膜14は金属が拡散しにくいSiN
膜であるために、この拡散阻止膜14へのITOの拡散はほ
とんど生じない。このITOのスパッタリングは、コンタ
クト孔13の底部における透明絶縁膜12へのITOの拡散深
さがコンタクト孔13の底部の厚さ以上（500Å程度）に
なるまで行なう。この金属拡散層12aは透明であり、透
明絶縁膜12の表面に形成された金属拡散層12aはそのま
ま透明画素電極15となり、またコンタクト孔13の内面に
形成された金属拡散層12aは上記透明画素電極15と薄膜
トランジスタＴのソース電極６とを接続するコンタクト
層となる。なお、この場合、上記ITOのスパッタリング
による透明絶縁膜12へのITOの拡散を行なった後に、再
度基板１を300℃程度に加熱する熱処理を行なえば、透
明絶縁膜12へのITOの拡散深さをさらに深くして、コン
タクト孔13の内面に形成された金属拡散層12aと薄膜ト
ランジスタＴのソース電極６とをより確実に導通させる
ことができる。
この後は、拡散阻止膜14および透明絶縁膜12の上に堆積
したITO膜16を、Hcl:HNO3：H2O＝1:0.08:1のエッチング
液により35℃で全面エッチングして拡散阻止膜14上のIT
O膜16を除去し、透明絶縁膜12の表面に形成された金属
拡散層12aを個々の画素電極10に分離して第１図に示し
たTFTパネルを完成する。なおこの場合、上記全面エッ
チングを行なうと、拡散阻止膜14上のITO膜16だけでな
く、透明絶縁膜12上に堆積したITO膜16もエッチングさ
れるが、透明絶縁膜12の金属拡散層12aはほとんどエッ
チングされずに残るから、透明絶縁膜12の表面の画素電
極15部分およびコンタクト孔13の内面（金属拡散層12a
部分）が導電性を失うことはない。すなわち、第３図は
上記全面エッチングによるエッチング時間と透明絶縁膜
12面および拡散阻止膜14面の抵抗値の変化の関係を示し
たもので、SiNからなる拡散阻止膜14面は約２分のエッ
チングで絶縁性を回復し、透明絶縁膜12面は、この時点
でもなお、抵抗値が数ＫΩの導電性をもっている。
したITO膜16を、Hcl:HNO3：H2O＝1:0.08:1のエッチング
液により35℃で全面エッチングして拡散阻止膜14上のIT
O膜16を除去し、透明絶縁膜12の表面に形成された金属
拡散層12aを個々の画素電極10に分離して第１図に示し
たTFTパネルを完成する。なおこの場合、上記全面エッ
チングを行なうと、拡散阻止膜14上のITO膜16だけでな
く、透明絶縁膜12上に堆積したITO膜16もエッチングさ
れるが、透明絶縁膜12の金属拡散層12aはほとんどエッ
チングされずに残るから、透明絶縁膜12の表面の画素電
極15部分およびコンタクト孔13の内面（金属拡散層12a
部分）が導電性を失うことはない。すなわち、第３図は
上記全面エッチングによるエッチング時間と透明絶縁膜
12面および拡散阻止膜14面の抵抗値の変化の関係を示し
たもので、SiNからなる拡散阻止膜14面は約２分のエッ
チングで絶縁性を回復し、透明絶縁膜12面は、この時点
でもなお、抵抗値が数ＫΩの導電性をもっている。
なお、この実施例では、透明絶縁膜12上の拡散阻止膜14
をそのまま残すようにしているが、この拡散阻止膜14は
TFTパネルを完成させた後に除去してもよく、また拡散
阻止膜14を残す場合は、この拡散阻止膜14を不透明膜と
して、これを薄膜トランジスタＴのチャンネル部に対す
る遮光膜として利用してもよい。またこの実施例では、
透明絶縁膜12への金属の拡散領域を規制する拡散阻止膜
14をSiN膜としているが、この拡散阻止膜14は、金属拡
散しにくいものであればSiN膜に限らない。
をそのまま残すようにしているが、この拡散阻止膜14は
TFTパネルを完成させた後に除去してもよく、また拡散
阻止膜14を残す場合は、この拡散阻止膜14を不透明膜と
して、これを薄膜トランジスタＴのチャンネル部に対す
る遮光膜として利用してもよい。またこの実施例では、
透明絶縁膜12への金属の拡散領域を規制する拡散阻止膜
14をSiN膜としているが、この拡散阻止膜14は、金属拡
散しにくいものであればSiN膜に限らない。
しかして、上記TFTパネルにおいては、透明絶縁膜12の
表面からそのコンタクト孔13の内面にわたって導電性金
属（ITO）を拡散させることにより、透明絶縁膜12の金
属の勤続拡散層12aを透明画素電極15とし、この透明画
素電極15を上記コンタクト孔13の内面の金属拡散層12a
によって薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続して
いるから、従来のようにコンタクト孔にコンタクト金属
を充填することなく透明絶縁膜14上の透明画素電極15を
薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続することがで
きる。また、上記TFTパネルによれば、前記透明絶縁膜1
2の表面からそのコンタクト孔13の内面にわたって導電
性金属を拡散させることで、この透明絶縁膜12の表面と
上記コンタクト孔13の内面に、透明画素電極15となる金
属拡散層12aと、上記透明画素電極15と上記ソース電極
６とを接続する金属拡散層12aとを同時に形成すること
ができるから、透明画素電極15の形成と同時にこの画素
電極15と薄膜トランジスタＴのソース電極６とを接続す
ることができ、したがってこのTFTパネルの製造は容易
である。
表面からそのコンタクト孔13の内面にわたって導電性金
属（ITO）を拡散させることにより、透明絶縁膜12の金
属の勤続拡散層12aを透明画素電極15とし、この透明画
素電極15を上記コンタクト孔13の内面の金属拡散層12a
によって薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続して
いるから、従来のようにコンタクト孔にコンタクト金属
を充填することなく透明絶縁膜14上の透明画素電極15を
薄膜トランジスタＴのソース電極６に接続することがで
きる。また、上記TFTパネルによれば、前記透明絶縁膜1
2の表面からそのコンタクト孔13の内面にわたって導電
性金属を拡散させることで、この透明絶縁膜12の表面と
上記コンタクト孔13の内面に、透明画素電極15となる金
属拡散層12aと、上記透明画素電極15と上記ソース電極
６とを接続する金属拡散層12aとを同時に形成すること
ができるから、透明画素電極15の形成と同時にこの画素
電極15と薄膜トランジスタＴのソース電極６とを接続す
ることができ、したがってこのTFTパネルの製造は容易
である。
なお、上記実施例では、透明絶縁膜12に設けるコンタク
ト孔13を有底孔として、このコンタクト孔13の底部の金
属拡散層12aを薄膜トランジスタＴのソース電極６に導
通接触させているが、このコンタクト孔13は、第４図に
示す実施例のようにソース電極６面に達する貫通孔とし
てもよく、この場合も、コンタクト孔13の内周面全体に
拡散形成された金属拡散層12aがその下端面においてソ
ース電極６に導通接触するから、透明絶縁膜14上の金属
拡散層12aからなる透明画素電極15を薄膜トランジスタ
Ｔのソース電極６に接続することができる。
ト孔13を有底孔として、このコンタクト孔13の底部の金
属拡散層12aを薄膜トランジスタＴのソース電極６に導
通接触させているが、このコンタクト孔13は、第４図に
示す実施例のようにソース電極６面に達する貫通孔とし
てもよく、この場合も、コンタクト孔13の内周面全体に
拡散形成された金属拡散層12aがその下端面においてソ
ース電極６に導通接触するから、透明絶縁膜14上の金属
拡散層12aからなる透明画素電極15を薄膜トランジスタ
Ｔのソース電極６に接続することができる。
また、上記実施例では、透明絶縁膜12をSOGで形成して
いるが、この透明絶縁膜12はSOGに限らず金属の拡散が
可能なものであればよいし、また透明絶縁膜12膜に拡散
させる導電性金属も、ITOに限らず、透明絶縁膜12に拡
散形成された金属拡散層12aが透明導電膜となるもので
あればよい。
いるが、この透明絶縁膜12はSOGに限らず金属の拡散が
可能なものであればよいし、また透明絶縁膜12膜に拡散
させる導電性金属も、ITOに限らず、透明絶縁膜12に拡
散形成された金属拡散層12aが透明導電膜となるもので
あればよい。
本発明のTFTパネルは、薄膜トランジスタを覆う透明絶
縁膜を金属の拡散が可能な透明絶縁材で形成し、この透
明絶縁膜に前記薄膜トランジスタのソース電極に対応さ
せてコンタクト孔を設けるとともに、前記透明絶縁膜の
上記コンタクト孔を含む画素電極形成部分に、この透明
絶縁膜の表面から上記コンタクト孔の内面にわたって、
この透明絶縁膜に導電性金属を拡散させた透明な金属拡
散層を形成し、この透明絶縁膜の表面の金属拡散層を透
明画素電極とするとともに、この透明画素電極を上記コ
ンタクト孔の内面の金属拡散層によって前記薄膜トラン
ジスタのソース電極に接続したものであるから、薄膜ト
ランジスタの上に形成した透明絶縁膜の上に透明画素電
極を形成したものでありながら、前記透明絶縁膜に形成
したコンタクト孔にコンタクト金属を充填することなく
透明絶縁膜上の透明画素電極を薄膜トランジスタのソー
ス電極に接続することができるとともに、上記透明画素
電極の形成と同時にこの画素電極と薄膜トランジスタの
ソース電極とを接続することができ、したがってこのTF
Tパネルの製造は容易である。
縁膜を金属の拡散が可能な透明絶縁材で形成し、この透
明絶縁膜に前記薄膜トランジスタのソース電極に対応さ
せてコンタクト孔を設けるとともに、前記透明絶縁膜の
上記コンタクト孔を含む画素電極形成部分に、この透明
絶縁膜の表面から上記コンタクト孔の内面にわたって、
この透明絶縁膜に導電性金属を拡散させた透明な金属拡
散層を形成し、この透明絶縁膜の表面の金属拡散層を透
明画素電極とするとともに、この透明画素電極を上記コ
ンタクト孔の内面の金属拡散層によって前記薄膜トラン
ジスタのソース電極に接続したものであるから、薄膜ト
ランジスタの上に形成した透明絶縁膜の上に透明画素電
極を形成したものでありながら、前記透明絶縁膜に形成
したコンタクト孔にコンタクト金属を充填することなく
透明絶縁膜上の透明画素電極を薄膜トランジスタのソー
ス電極に接続することができるとともに、上記透明画素
電極の形成と同時にこの画素電極と薄膜トランジスタの
ソース電極とを接続することができ、したがってこのTF
Tパネルの製造は容易である。
第１図は本発明の一実施例を示すTFTパネルの一部分の
断面図、第２図はTFTパネルの製造工程図、第３図は透
明絶縁膜上に堆積させた拡散金属を全面エッチングする
際の透明絶縁膜（SOG膜）面と拡散阻止膜（SiN膜）面の
抵抗値変化を示す図、第４図は本考案の他の実施例を示
すTFTパネルの画素電極とソース電極との接続部の断面
図、第５図は従来のTFTパネルの一部分の断面図であ
る。 １……透明基板、Ｔ……薄膜トランジスタ、６……ソー
ス電極、12……透明絶縁膜（SOG膜）、12a……金属拡散
層、13……コンタクト孔、14……拡散阻止膜（SiN
膜）、15……透明画素電極、16……拡散金属（ITO）。
断面図、第２図はTFTパネルの製造工程図、第３図は透
明絶縁膜上に堆積させた拡散金属を全面エッチングする
際の透明絶縁膜（SOG膜）面と拡散阻止膜（SiN膜）面の
抵抗値変化を示す図、第４図は本考案の他の実施例を示
すTFTパネルの画素電極とソース電極との接続部の断面
図、第５図は従来のTFTパネルの一部分の断面図であ
る。 １……透明基板、Ｔ……薄膜トランジスタ、６……ソー
ス電極、12……透明絶縁膜（SOG膜）、12a……金属拡散
層、13……コンタクト孔、14……拡散阻止膜（SiN
膜）、15……透明画素電極、16……拡散金属（ITO）。
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に薄膜トランジスタを形成し、
その上に形成した透明絶縁膜の上に透明画素電極を形成
して、この透明画素電極を前記薄膜トランジスタのソー
ス又はドレイン電極に接続したTFTパネルにおいて、前
記透明絶縁膜を、金属の拡散が可能な透明絶縁材で形成
し、この透明絶縁膜に前記薄膜トランジスタのソース又
はドレイン電極に対応させてコンタクト孔を設けるとと
もに、前記透明絶縁膜の内の画素電極形成領域の表面か
ら上記コンタクト孔の内面にわたり、透明絶縁膜に導電
性金属を拡散させてなる透明な金属拡散層を形成し、こ
の透明絶縁膜の表面の金属拡散層を透明画素電極とする
とともに、この透明画素電極を上記コンタクト孔の内面
の金属拡散層によって前記薄膜トランジスタのソース又
はドレイン電極に接続したことを特徴とするTFTパネ
ル。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29012388A JPH07111523B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | Ｔｆｔパネル |
| CA000613680A CA1313563C (en) | 1988-10-26 | 1989-09-27 | Thin film transistor panel |
| US07/415,889 US5084905A (en) | 1988-10-26 | 1989-10-02 | Thin film transistor panel and manufacturing method thereof |
| DE68923054T DE68923054T2 (de) | 1988-10-26 | 1989-10-25 | Dünnschicht-Transistortafel und Herstellungsverfahren. |
| EP89119842A EP0366116B1 (en) | 1988-10-26 | 1989-10-25 | Thin film transistor panel and manufacturing method thereof |
| KR1019890015469A KR940004764B1 (ko) | 1988-10-26 | 1989-10-26 | 박막트랜지스타 판넬 및 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29012388A JPH07111523B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | Ｔｆｔパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02136831A JPH02136831A (ja) | 1990-05-25 |
| JPH07111523B2 true JPH07111523B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=17752101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29012388A Expired - Lifetime JPH07111523B2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-11-18 | Ｔｆｔパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111523B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849601A (en) | 1990-12-25 | 1998-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| US7115902B1 (en) | 1990-11-20 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| US7576360B2 (en) | 1990-12-25 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device which comprises thin film transistors and method for manufacturing the same |
| US7098479B1 (en) | 1990-12-25 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| JPH09236826A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-09-09 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| JP2011179550A (ja) | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 緩衝器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61235816A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Asahi Glass Co Ltd | 薄膜能動素子 |
| JPS62116230U (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-23 |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP29012388A patent/JPH07111523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02136831A (ja) | 1990-05-25 |
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