JPH0711156A - フタロシアニン誘導体及び該誘導体を含有する光学記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 下記一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン
誘導体、及び基板と光吸収物質として該フタロシアニン
誘導体を含有する記録層とからなる光学記録体。（式
中、Ｘ及びＹの少なくとも１つは、−Ｏ(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)
_n Ｚ基（Ｚ＝テトラヒドロフルフリル基又はベンゼン環
に置換基を有していてもよいベンジル基、ｎ＝０〜６の
整数）を表わし、他の１つは水素原子を表わし、Ａはハ
ロゲン原子又は酸素原子が結合していてもよい金属原子
を表わす。） 【化１】 【効果】 本発明のフタロシアニン誘導体は、耐光性、
耐熱性が良好であり、加熱による吸収波長の変化が生起
しにくく、かつプラスチック基板への塗布も容易であ
る。また、本発明の光学記録体は、耐光性、耐熱性に優
れ、記録再生特性も良好である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なフタロシアニン
誘導体及び該誘導体を光吸収物質として記録層中に含有
する光学記録体に関するものである。レーザー、特に半
導体レーザーを用いる光学記録は、高密度の情報記録保
存及びその再生を可能とするため、近年、特に開発が望
まれている技術である。かかる光学記録の一例としては
光ディスクを挙げることができる。

【０００２】一般に光ディスクは、円形の基体に設けら
れた薄い記録層に、１μｍ程度に集束したレーザー光を
照射し、高密度の情報記録を行うものである。最近光デ
ィスクの中でも注目を集めているものに書き込み型コン
パクトディスク（ＣＤ Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ ディス
ク）がある。ＣＤ Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ ディスクは
コンパクトディスクと同じ形状のディスクである。

【０００３】ユーザーは、記録装置を使用して音楽や情
報を１回だけ記録することが可能であり、記録した音楽
や情報の再生は既存のＣＤプレーヤーやＣＤ ＲＯＭド
ライブを用いて行うことが可能である。ＣＤ Ｗｒｉｔ
ｅ Ｏｎｃｅ ディスクは、通常、案内溝を有するプラ
スチック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射
膜、保護膜を順次積層することにより構成される。

【０００４】情報の記録はレーザー光（通常７８０ｎ
ｍ）の照射により、その個所における記録層、反射層又
は基板の分解、蒸発、溶解等の熱的な変化により生成
し、そして記録された情報の再生は、レーザー光によ
り、変化がおきている部分と起きていない部分との反射
率の差を読み取ることにより行う。

【０００５】したがって、記録体としては、記録に使用
するレーザー光に対する記録感度が高いこと、再生に使
用するレーザー光に対する反射率が記録部では低く、未
記録部では高いことが重要である。コンパクトディスク
プレーヤーで再生をおこなうためには、再生に使用する
レーザー光（通常７８０ｎｍ）に対する未記録部の反射
率は６５％以上、記録部の反射率は４５％以下とするこ
とが必要である。

【０００６】

【従来の技術】このようなＣＤ Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ
ディスクの記録層に使用する色素としては、従来シア
ニン系色素を用いたものが提案されてきたが、シアニン
系の色素を使用したものは日光その他の光に弱いという
欠点を有していた。その他、有機色素を用いた光学記録
体としては、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色
素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素等
を用いたものが提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述のような有機色素
のうち、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色
素は一般に耐候性が優れていて好ましいが、ベンゼン
環、ナフタレン環に置換基を有していないものは、溶媒
に対する溶解度が極めて低いため、塗布により記録層を
形成することができないという問題点を有している。

【０００８】一方、特開平１−３０４９９１号におい
て、本発明者らはナフタロシアニン系の色素ではテトラ
ヒドロフルフリルオキシ基等をナフタレン環に導入する
ことを提案した。これらの化合物は溶媒に対する溶解度
が良好なため塗布により記録層を形成することが可能で
ある。しかしながらこれらのナフタロシアニン誘導体は
７８０ｎｍ付近の吸収が極めて大きいため、ＣＤ Ｗｒ
ｉｔｅ Ｏｎｃｅ ディスクの記録層に用いた場合には
未記録部の反射率が低くなるという問題点を有してい
る。本発明は、上述のような従来の課題を解決し得る新
規なフタロシアニン誘導体及び該誘導体を使用した光学
記録媒体の提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる目
的を達成すべく鋭意研究を進めた結果、本発明に到達し
た。すなわち、本発明は、一般式［Ｉ］

【００１０】

【化２】

【００１１】（式中、Ｘ及びＹの少なくとも１つは、−
Ｏ(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)_n Ｚ基（ここで、Ｚはテトラヒドロフ
ルフリル基又はベンゼン環に置換基を有していてもよい
ベンジル基を示し、ｎは０〜６の整数である）を表わ
し、他の１つは水素原子を表わし、Ａはハロゲン原子又
は酸素原子が結合していてもよい金属原子を表わす）で
示されるフタロシアニン誘導体、並びに、基板と記録層
からなり、該記録層が光吸収物質として前示一般式
［Ｉ］で示されるフタロシアニン誘導体を含有すること
を特徴とする光学記録体を要旨とするものである。

【００１２】かかる本発明の新規なフタロシアニン誘導
体は、いずれも６００〜８００ｎｍ付近の近赤外領域に
吸収を有し、耐光性、耐熱性が良好で、後記するように
光学記録体の光吸収物質として非常に有用である。なか
でも、前示一般式［Ｉ］において、Ｘ及びＹのいずれか
１つが−Ｏ(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)_n Ｚ基を表わし、他の１つが
水素原子を表わし、Ｚがテトラヒドロフルフリル基を表
わし、ｎが０であり、かつＡがＶＯを表わす場合のフタ
ロシアニン誘導体が望ましい。

【００１３】また、本発明の光学記録体は、光吸収物質
として本発明のフタロシアニン誘導体を使用することに
よって、前記したような従来の光学記録体の有する課題
を解決してその機能を向上させたものである。これらの
本発明の光学記録体に用いる光吸収物質の前示一般式
［Ｉ］で示されるフタロシアニン誘導体は、下記一般式
［II］

【００１４】

【化３】

【００１５】（式中、Ｚ及びｎは前示一般式［Ｉ］にお
けると同一の意義を有する）で示されるフタル酸誘導体
と、金属酸化物もしくは金属のハロゲン化物とを、尿素
の存在下、キノリン又はクロロナフタレン溶媒中で、１
〜５時間程度、２００℃〜２５０℃に加熱することによ
り合成することができる。金属酸化物もしくは金属のハ
ロゲン化物としては、ＩＢ族、IIＡ族、IIＢ族、IIIＡ
族、IＶＡ族、ＶＢ族、ＶIＢ族、ＶIII族の各種のもの
を使用することができるが、バナジウム、ニッケル、コ
バルト及び銅の酸化物もしくはハロゲン化物が特に好ま
しい。さらに、ニッケル、コバルト又は銅のハロゲン化
物を用いる場合は、触媒として小量のモリブデン酸アン
モニウムを加えると収率が増大するので好ましい。ま
た、本発明の光学記録体に用いる光吸収物質の前示一般
式［Ｉ］で示されるフタロシアニン誘導体は、下記一般
式［III］

【００１６】

【化４】

【００１７】（式中、Ｚ及びｎは前示一般式［Ｉ］にお
けると同一の意義を有する）で示されるフタロジニトリ
ル酸誘導体と、金属、金属酸化物もしくは金属のハロゲ
ン化物とを、尿素の存在下、キノリン又はクロロナフタ
レン溶媒中で、１〜５時間程度、２００℃〜２５０℃に
加熱することによっても合成することができる。使用す
る金属、金属酸化物もしくは金属のハロゲン化物として
はＩＢ族、IIＡ族、IIＢ族、IIIＡ族、IＶＡ族、ＶＢ
族、ＶIＢ族、ＶIII族の各種のものを使用することがで
きるが、合成のし易さ、得られた光学記録体の性能から
みて銅、マグネシウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、
インジウム、錫、鉛、バナジウム、クロム、鉄、コバル
ト、ニッケル、ルテニウム、パラジウム及びこれらの酸
化物、ハロゲン化物が好ましく、バナジウム、錫、鉛の
酸化物、ハロゲン化物が特に好ましい。

【００１８】本発明の光学記録体は、基本的には基板と
記録層とから構成されているが、さらに必要に応じて基
板上に下引き層を、また記録層上に反射層及び保護層を
設けることができる。本発明における基板としては、使
用するレーザー光に対して透明又は不透明のいずれであ
ってもよい。基板の材質としては、ガラス、プラスチッ
ク、紙、板状もしくは箔状の金属等の、一般にこの種の
記録体用の支持体が使用できるが、種々の点からしてプ
ラスチックが好ましい。プラスチックとしては、例え
ば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。

【００１９】本発明の光学記録体における情報記録層で
ある光吸収色素を含有する記録層の厚さは、１００Å〜
５μｍ，好ましくは５００Å〜３μｍである。本発明に
おいて、かかる記録層を基板面上に成膜する方法として
は、塗布による方法が好ましい。塗布による成膜方法と
しては、光吸収性物質として用いられる前示一般式
［Ｉ］で示される本発明のフタロシアニン誘導体を、溶
媒又は溶媒とバインダーの混合物中に溶解又は分散させ
たものを、スピンコートする方法等が挙げられ、かかる
場合のバインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース系樹脂等を
挙げることができる。

【００２０】その際、樹脂に対する光吸収性物質の比率
は１０重量％以上が望ましい。また、かかる場合の溶媒
としては、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケト
ン、メチルセルソルブ、エチルアルコール、テトラヒド
ロフラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等各種のも
のを用いることができる。なお、基板として、射出成型
により製造されたポリカーボネート樹脂基板やメタクリ
ル樹脂基板を用いる場合には、上記の溶媒としては、エ
チルセロソルブ、エチルアルコール、オクタフルオロペ
ンタノール等が好ましい。本発明の光学記録体の記録層
は基板の両面に設けてもよいし、片面だけに設けてもよ
い。

【００２１】上記のようにして得られた光学記録体への
記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に１μｍ程
度に集束したレーザー光、好ましくは半導体レーザーの
光を照射することにより行う。レーザー光の照射された
部分には、レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸
発、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録された情
報の再生は、レーザー光により、熱的変形が起きている
部分と起きていない部分の反射率の差を読み取る事によ
り行う。光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレー
ザー、半導体レーザー等の各種のレーザーを用いること
ができるが、価格、大きさの点で、半導体レーザーが特
に好ましい。半導体レーザーとしては、中心波長８３０
ｎｍ、中心波長７８０ｎｍ、そしてそれより短波長のレ
ーザーを使用することができる。

【００２２】

【実施例】次に、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明は以下の実施例により制限されるもの
ではない。なお、「％」は特に断らない限り「重量％」
である。

【００２３】実施例１ ３−テトラヒドロフルフリルオキシフタル酸無水物の
合成 ３−ヒドロキシフタル酸（融点２００〜２０４℃）１０
０ｇをメチルアルコール２ｌ中に分散させ、９７％硫酸
５ｍｌを加え、還流下２４時間撹拌した。放冷後、氷水
５ｌ中に加え、析出した結晶を瀘別、水洗、乾燥して、
下記構造式［IＶ］

【００２４】

【化５】 で示される３−ヒドロキシフタル酸ジメチルの結晶８５
ｇを得た。構造はマススペクトルにより確認した。３−
ヒドロキシフタル酸ジメチル１５ｇ、予めパラトルエン
スルホニルクロライドとテトラヒドロフルフリルアルコ
ールとから常法に従って合成したパラトルエンスルホン
酸テトラヒドロフルフリルエステル２５．８ｇ及び炭酸
カリウム７．５ｇをクロロベンゼン２００ｍｌ中に加
え、還流下１０時間撹拌した。次いで、放冷後、析出し
た結晶を瀘別し、瀘液から減圧留去によりクロロベンゼ
ンを除去し、淡かっ色のタール状物質１３ｇを得た。

【００２５】このタール状物質を５％水酸化ナトリウム
水溶液５００ｍｌ中に分散させ、還流下８時間撹拌し
た。放冷後、氷冷しながら濃塩酸を滴下し、ｐＨ３とし
た後、析出物を瀘別、乾燥して淡黄色結晶９．５ｇを得
た。この結晶を氷酢酸から再結晶して、下記構造式
［Ｖ］

【００２６】

【化６】 で示される３−テトラヒドロフルフリルオキシフタル酸
無水物を得た。構造はマススペクトルにより確認した。

【００２７】フタロシアニン誘導体の合成 上記のようにして得られた３−テトラヒドロフルフリル
オキシフタル酸無水物６．２ｇと尿素１２．５ｇを乳鉢
で粉砕、混合した後、１５０℃〜１８０℃で３０分間撹
拌しながら反応させた。次いで約１００℃まで冷却後、
三塩化バナジウム２．０ｇ及びキノリン１０ｍｌを加え
て加熱し、２００℃〜２２０℃で２時間撹拌した。さら
に、室温まで放冷後、メチルアルコール２００ｍｌを加
え還流下１時間撹拌した。

【００２８】このものを熱瀘過して得られた結晶を、１
％水酸化ナトリウム水溶液２００ｍｌとエチルアルコー
ル２００ｍｌの混合液中に加え、還流下２時間撹拌し
た。このものを熱瀘過し、エチルアルコールで洗浄、乾
燥し、濃緑色の結晶５．３ｇを得た。この結晶をクロロ
ホルム３０ｍｌに分散させ、不溶解物を瀘別した後、減
圧下瀘液からクロロホルムを留去した。得られた緑色の
物質にメチルアルコールを加え得られた結晶を瀘過する
ことにより、緑色物質０．９３ｇを得た。得られた物質
（結晶）は異性体を含むと考えられるが、その代表的な
構造は下記式［ＶI］

【００２９】

【化７】

【００３０】で示される。この物質のクロロホルム溶液
中でのλmax は７００ｎｍであり、分子吸光係数は１
３．８×１０⁴であった。

【００３１】実施例２〜５ 下記一般式［ＶII］

【００３２】

【化８】

【００３３】（式中、Ｒは下記表−１に示す）で代表さ
れる本発明のフタロシアニン誘導体の４例を、実施例１
に準じて合成した。実施例２〜５で得られた各物質（結
晶）のクロロホルム溶液中でのλmax 、分子吸光係数
を、前記実施例１の測定結果とともに下記表−１にまと
めて示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】実施例６ 下記式［ＶIII］

【００３６】

【化９】

【００３７】で示される３−（ベンジルオキシ−エトキ
シ−エトキシ−エトキシ）フタル酸無水物を、実施例１
のに準じて合成した。得られた該ジカルボン酸無水物
５．０ｇと尿素１５ｇとを乳鉢で粉砕、混合し、１５０
℃〜１８０℃で２時間反応させた。これを約１００℃ま
で冷却後、塩化コバルト６水和物２ｇ及びキノリン１０
ｍｌを加え、２００℃〜２２０℃で２時間撹拌し、次い
で室温まで冷却後、メチルアルコール２００ｍｌを加
え、還流下３時間撹拌した。

【００３８】このものを熱瀘過し、得られた瀘液を１％
塩酸５００ｍｌ中に加えた。０℃〜５℃で１時間撹拌し
た。析出したハルツ状の物質をクロロホルム５０ｍｌで
抽出し、水洗後、硫酸ナトリウムで乾燥した後、シリカ
ゲルカラム（ワコーゲルＣ−３００）により精製し、融
点５０℃以下の緑色物質０．５ｇを得た。

【００３９】得られた物質（結晶）は異性体を含むと考
えられるが、その代表的な構造は下記式［IＸ］

【００４０】

【化１０】

【００４１】で示すことができる。また、本物質のクロ
ロホルム溶液中でのλｍａｘは６４５ｎｍ，分子吸光係
数は１４．３×１０⁴でった。

【００４２】実施例７〜９ 実施例６に準じて、実施例７では３−（ベンジルオキシ
−エトキシ−エトキシ−エトキシ）フタル酸無水物を塩
化ニッケルと、実施例８では該無水物を塩化第二銅と、
実施例９では３−（テトラヒドロフルフリルオキシ−エ
トキシ−エトキシ−エトキシ）フタル酸無水物を塩化コ
バルトとそれぞれさせることにより、本発明のフタロシ
アニン誘導体の合成を行った。

【００４３】その結果、得られた各物質（結晶）はいず
れも異性体を含むと考えられるが、その代表的な構造と
しては、実施例７の物質は下記式［Ｘ］、実施例８の物
質は下記式［ＸI］、実施例９の物質は下記式［ＸII］
のそれぞれで示すことができる。

【００４４】

【化１１】

【００４５】

【化１２】

【００４６】

【化１３】

【００４７】また、かかる実施例７〜９で得られた各物
質のクロロホルム溶液中でのλmax、分子吸光係数の測
定結果を前記実施例６の測定結果とともに下記表−２に
まとめて示す。

【００４８】

【表２】

【００４９】実施例１０ １，４−ビステトラヒドロフルフリルオキシフタロジ
ニトリルの合成 ２，３−ジシアノハイドロキノン１６ｇ、予めパラトル
エンスルホニルクロライドとテトラヒドロフルフリルア
ルコールとから常法に従って合成したパラトルエンスル
ホン酸テトラヒドロフルフリルエステル５２．０ｇ及び
炭酸カリウム１５．０ｇをクロロベンゼン３００ｍｌ中
に加え、還流下１０時間撹拌した。次いで、放冷後、濾
過し、瀘液から減圧留去によりクロロベンゼンを除去
し、褐色の結晶１０ｇを得た。得られた結晶をｎ−ブチ
ルアルコールから再結晶することにより下記構造式［Ｘ
III］

【００５０】

【化１４】 で示される１，４−ビステトラヒドロフルフリルオキシ
フタロジニトリルを得た。構造はマススペクトルにより
確認した。 フタロシアニン誘導体の合成 上記のようにして得られた１，４−ビステトラヒドロフ
ルフリルオキシフタロジニトリル２．０ｇと三塩化バナ
ジウム０．５ｇとをクロロナフタレン５ｍｌに分散させ
２００℃〜２２０℃で５時間反応させた。放冷後、メチ
ルアルコール１００ｍｌを加え、還流下２時間撹拌し
た。

【００５１】このものを熱瀘過して得られた結晶を、１
％水酸化ナトリウム水溶液１００ｍｌとエチルアルコー
ル２００ｍｌの混合液中に加え、還流下２時間撹拌し
た。このものを熱瀘過し、エチルアルコールで洗浄、乾
燥し、濃緑色の結晶０．８ｇを得た。この結晶をクロロ
ホルム３０ｍｌに分散させ、不溶解物を瀘別した後、減
圧下瀘液からクロロホルムを留去した。得られた緑色の
物質にメチルアルコールを加え得られた結晶を瀘過する
ことにより、下記構造式［ＸIV］で示される緑色物質
０．３ｇを得た。この物質のクロロホルム溶液中でのλ
max は７９５ｎｍであり、分子吸光係数は１８．５×１
０⁴であった。

【００５２】

【化１５】

【００５３】実施例１１〜２５ 下記一般式［ＸＶ］（式中のＡ及びＲは下記表−３に示
す）で示される本発明のフタロシアニン誘導体１５例を
実施例１０に準じて合成した。得られた各物質のクロロ
ホルム溶液中でのλmax 、分子吸光係数を前記実施例１
０の結果とともに下記表−３にまとめて示す。

【００５４】

【化１６】

【００５５】

【表３】

【表４】

【００５６】実施例２６ 実施例１に基づいて合成された構造式［ＶI］で示され
る本発明のフタロシアニン誘導体の１．７％オクタフル
オロペンタノール溶液を調製し、スピンコーティング法
（回転数５００ｒｐｍ）により、直径１２０ｍｍ、板厚
１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に塗布した。この
色素薄膜の上に金を蒸着して反射層を形成し、さらに、
その上に紫外線硬化樹脂による保護層を設けて光学記録
体を作成した。得られた光学記録体の未記録部の７７５
ｎｍでの反射率は７１％であった。

【００５７】作製した光学記録体を線速度１．２ｍ／ｓ
で回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レーザ
ー光を出力１０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。
次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザ
ーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再
生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメータ
ー加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０℃、８
５％ＲＨ；１００時間）試験を行った結果、初期と比べ
て感度及び再生信号の劣化はみられず、光学記録体とし
て極めて優れたものであった。

【００５８】実施例２７ 実施例１０に基づいて合成された構造式［ＸIV］で示さ
れる本発明のフタロシアニン誘導体の２．８％オクタフ
ルオロペンタノール溶液を調製し、スピンコーティング
法（回転数５００ｒｐｍ）により、直径１２０ｍｍ、板
厚１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に塗布した。こ
の色素薄膜の上に金を蒸着して反射層を形成し、さら
に、その上に紫外線硬化樹脂による保護層を設けて光学
記録体を作成した。得られた光学記録体の未記録部の８
３０ｎｍでの反射率は２２％であった。

【００５９】作製した光学記録体を線速度４ｍ／ｓで回
転させながら、中心波長８３０ｎｍの半導体レーザー光
を１μｍのスポットで出力１０ｍＷで照射したところ極
めて輪郭の明瞭なピット（孔）が形成された。次にこの
光学記録体を線速度４ｍ／ｓで回転させながら、記録部
に中心波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を照射したと
ころ、良好な再生信号を得た。また、耐光性（キセノン
フェードメーター加速テスト；６０時間）及び保存安定
性（７０℃、８５％ＲＨ；１００時間）試験を行った結
果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、
光学記録体として極めて優れたものであった。

【００６０】比較例１ 特開平１−３０４９９１号に従って合成した下記構造式
［ＸVI］に示される化合物を使用して、実施例２６とほ
ぼ同様の条件で光学記録体を作製した。得られた光学記
録体の未記録部の７７５ｎｍでの反射率は１３％であ
り、ＣＤ Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ ディスクとしては不
適当であった。

【００６１】

【化１７】 比較例２ 特願平３−２２４４０７号に従って合成した下記構造式
［ＸVII］に示される化合物を使用して、実施例２６と
ほぼ同様の条件で光学記録体を作製した。得られた光学
記録体の未記録部の７７５ｎｍでの反射率は６４％であ
り、光学記録体としての性能は、反射率が低い点で実施
例２６の本発明の光学記録体と比べて劣るものであっ
た。

【００６２】

【化１８】

【００６３】

【発明の効果】本発明の新規なフタロシアニン誘導体は
６００〜８００ｎｍ付近の可視〜近赤外領域に吸収を有
し、耐光性、耐熱性が良好で、しかも加熱による吸収波
長の変化が生起しにくく、かつ光学記録体のプラスチッ
ク基板への塗布も容易である、という工業的価値ある顕
著な効果を奏するものである。また、本発明の光学記録
体は、記録層の光吸収物質としてかかる新規な本発明の
フタロシアニン誘導体を含有しているので、耐光性、耐
熱性に優れ、記録再生特性も良好であるという顕著な効
果を奏するものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今村 悟 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成株 式会社総合研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式［Ｉ］ 【化１】 （式中、Ｘ及びＹの少なくとも１つは、−Ｏ(ＣＨ₂ＣＨ
   ₂Ｏ)_n Ｚ基（ここで、Ｚはテトラヒドロフルフリル基又
   はベンゼン環に置換基を有していてもよいベンジル基を
   示し、ｎは０〜６の整数である）を表わし、他の１つは
   水素原子を表わし、Ａはハロゲン原子又は酸素原子が結
   合していてもよい金属原子を表わす）で示されるフタロ
   シアニン誘導体。
2. 【請求項２】 基板と記録層からなり、該記録層が光
   吸収物質として請求項１のフタロシアニン誘導体を含有
   することを特徴とする光学記録体。