JPH07112009B2 - アルミニウム系配線 - Google Patents
アルミニウム系配線Info
- Publication number
- JPH07112009B2 JPH07112009B2 JP23772488A JP23772488A JPH07112009B2 JP H07112009 B2 JPH07112009 B2 JP H07112009B2 JP 23772488 A JP23772488 A JP 23772488A JP 23772488 A JP23772488 A JP 23772488A JP H07112009 B2 JPH07112009 B2 JP H07112009B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- sio
- wiring
- silicon nitride
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置のAl系配線に関する。
従来、半導体集積回路のAl系配線には保護膜としてSiO2
系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成されている。
SiO2系ガラスは通常CVDを用いて堆積され、窒化珪素は
通常プラズマCVDを用いて堆積されている。
系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成されている。
SiO2系ガラスは通常CVDを用いて堆積され、窒化珪素は
通常プラズマCVDを用いて堆積されている。
上記のようなAl系配線は、半導体集積回路をセラミック
パッケージに封じ込める際のように400℃以上の温度に
晒されると、配線中にボイドを発生し、断線を引き起こ
すという問題がある。この問題はこれまでそのメカニズ
ムが解明されていないため、有効な解決策が提案されて
いない。たとえば、窒化珪素膜の内部応力を通常の圧縮
から引っ張りになるように、プラズマCVDでの形成条件
を変化させるとボイドが発生しにくいが、この窒化珪素
膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
パッケージに封じ込める際のように400℃以上の温度に
晒されると、配線中にボイドを発生し、断線を引き起こ
すという問題がある。この問題はこれまでそのメカニズ
ムが解明されていないため、有効な解決策が提案されて
いない。たとえば、窒化珪素膜の内部応力を通常の圧縮
から引っ張りになるように、プラズマCVDでの形成条件
を変化させるとボイドが発生しにくいが、この窒化珪素
膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
本発明は上記問題点を解決したアルミニウム系配線を提
供することにある。
供することにある。
上記目的を達成するため、本発明のアルミニウム系配線
においては、半導体集積回路のAl系配線にAlを添加した
SiO2系ガラスの保護膜を有するものである。
においては、半導体集積回路のAl系配線にAlを添加した
SiO2系ガラスの保護膜を有するものである。
CVDで堆積した保護膜のSiO2系ガラスの表面にプラズマC
VDで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを防止するた
めに圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積される。そ
のため、SiO2系ガラスは窒化珪素膜から引っ張り応力
（109din/cm2台）を受けることになる。引っ張り応力を
受けたSiO2系ガラスは金属原子を吸収しようとする性質
が増進され、Al原子を吸収することによってAl配線にボ
イドを作る原因となる。そこでSiO2系ガラスにAlを予め
添加すれば、配線のAl原子はSiO2系ガラスに吸収される
ことがなく、Al系配線に発生するボイドを防止すること
ができる。
VDで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを防止するた
めに圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積される。そ
のため、SiO2系ガラスは窒化珪素膜から引っ張り応力
（109din/cm2台）を受けることになる。引っ張り応力を
受けたSiO2系ガラスは金属原子を吸収しようとする性質
が増進され、Al原子を吸収することによってAl配線にボ
イドを作る原因となる。そこでSiO2系ガラスにAlを予め
添加すれば、配線のAl原子はSiO2系ガラスに吸収される
ことがなく、Al系配線に発生するボイドを防止すること
ができる。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。第１図は
その一例である。図において、層間絶縁膜１を有する基
板２上に、Al−１％Si膜を形成した後、フォトレジスト
工程とドライエッチング工程とによって配線パターン３
を形成し、CVDによってAlが添加された燐ガラス４を１
μｍ堆積する。次いでプラズマCVDによって窒化珪素膜
５を0.3μｍ堆積することによって第１図の構造を得
る。
その一例である。図において、層間絶縁膜１を有する基
板２上に、Al−１％Si膜を形成した後、フォトレジスト
工程とドライエッチング工程とによって配線パターン３
を形成し、CVDによってAlが添加された燐ガラス４を１
μｍ堆積する。次いでプラズマCVDによって窒化珪素膜
５を0.3μｍ堆積することによって第１図の構造を得
る。
Alが添加されたSiO2系ガラスをCVDによって形成するに
は、SiO2系ガラスの原料ガスにAl有機化合物（トリイソ
ブチルアルミニウムやトリメチルアルミニウム等）を混
入させればよい。また、SiO2系ガラスをCVDによって形
成した後にAlをイオン注入してもよい。
は、SiO2系ガラスの原料ガスにAl有機化合物（トリイソ
ブチルアルミニウムやトリメチルアルミニウム等）を混
入させればよい。また、SiO2系ガラスをCVDによって形
成した後にAlをイオン注入してもよい。
上記のAl系配線は、450℃程度の熱処理ではボイドの発
生が見られなかった。
生が見られなかった。
以上のように本発明によれば400〜500℃の温度に晒され
てもボイド発生のない半導体集積回路のAl系配線を得る
ことができる効果を有するものである。
てもボイド発生のない半導体集積回路のAl系配線を得る
ことができる効果を有するものである。
第１図は本発明を説明する模式図である。 １…層間絶縁膜、２…基板 ３…配線パターン、４…Alを添加した燐ガラス ５…窒化珪素膜
Claims (1)
- 【請求項１】半導体集積回路のAl系配線にAlを添加した
SiO2系ガラスの保護膜を有することを特徴とするアルミ
ニウム系配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23772488A JPH07112009B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23772488A JPH07112009B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284726A JPH0284726A (ja) | 1990-03-26 |
| JPH07112009B2 true JPH07112009B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=17019553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23772488A Expired - Lifetime JPH07112009B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112009B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23772488A patent/JPH07112009B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0284726A (ja) | 1990-03-26 |
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