JPH0284726A - アルミニウム系配線 - Google Patents
アルミニウム系配線Info
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- JPH0284726A JPH0284726A JP23772488A JP23772488A JPH0284726A JP H0284726 A JPH0284726 A JP H0284726A JP 23772488 A JP23772488 A JP 23772488A JP 23772488 A JP23772488 A JP 23772488A JP H0284726 A JPH0284726 A JP H0284726A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のＡｆｆｉ系配線系間線る。
従来、半導体集積回路のＡｌ系配線には保護膜として５
ｉｎ２系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成されて
いる。 Ｓｉｎ、系ガラスは通常ＣＶＤを用いて堆積さ
れ、窒化珪素は通常プラズマＣｖＤを用いて堆積されて
いる。
ｉｎ２系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成されて
いる。 Ｓｉｎ、系ガラスは通常ＣＶＤを用いて堆積さ
れ、窒化珪素は通常プラズマＣｖＤを用いて堆積されて
いる。
上記のようなＡｌ系配線は、半導体集積回路をセラミッ
クパッケージに封じ込める際のように４００℃以上の温
度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線を引き
起こすという問題がある。この問題はこれまでそのメカ
ニズムが解明されていないため、有効な解決策が提案さ
れていない。たとえば、窒化珪素膜の内部応力を通常の
圧縮から引っ張りになるように、プラズマＣｖＤでの形
成条件を変化させるとボイドが発生しにくいが、この窒
化珪素膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
クパッケージに封じ込める際のように４００℃以上の温
度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線を引き
起こすという問題がある。この問題はこれまでそのメカ
ニズムが解明されていないため、有効な解決策が提案さ
れていない。たとえば、窒化珪素膜の内部応力を通常の
圧縮から引っ張りになるように、プラズマＣｖＤでの形
成条件を変化させるとボイドが発生しにくいが、この窒
化珪素膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
本発明は上記問題点を解決したアルミニウム系配線を提
供することにある。
供することにある。
上記目的を達成するため、本発明のアルミニウム系配線
においては、半導体集積回路のＡｌ系配線にＡｌ１を添
加した５ｉｎ２系ガラスの保護膜を有するものである。
においては、半導体集積回路のＡｌ系配線にＡｌ１を添
加した５ｉｎ２系ガラスの保護膜を有するものである。
ＣｖＤで堆積した保護膜のＳｉｎ、系ガラスの表面にプ
ラズマＣｖＤで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、Ｓｉｎ、系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力（１０”ｄｉｎ／ａＪ台）を受けることに
なる。引っ張り応力を受けたＳｉＯ，系ガラスは金属原
子を吸収しようとする性質が増進され、Ａｌ２ＪＪＫ子
を吸収することによってＡΩ配線にボイドを作る原因と
なる。そこでＳｉｎ、系ガラスに＾悲を予め添加すれば
、配線のＡｌ原子はＳｉＯ□系ガラスに吸収されること
がなく、Ａｌ系配線に発生するボイドを防止することが
できる。
ラズマＣｖＤで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、Ｓｉｎ、系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力（１０”ｄｉｎ／ａＪ台）を受けることに
なる。引っ張り応力を受けたＳｉＯ，系ガラスは金属原
子を吸収しようとする性質が増進され、Ａｌ２ＪＪＫ子
を吸収することによってＡΩ配線にボイドを作る原因と
なる。そこでＳｉｎ、系ガラスに＾悲を予め添加すれば
、配線のＡｌ原子はＳｉＯ□系ガラスに吸収されること
がなく、Ａｌ系配線に発生するボイドを防止することが
できる。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図はその一例である０図において、眉間絶縁膜１を
有する基板２上に、Ａｌ−１％Ｓｉ膜を形成した後、フ
ォトレジスト工程とドライエツチング工程とによって配
線パターン３を形成し、ＣＶＤによってＡΩが添加され
た燐ガラス４を１−堆積する。
有する基板２上に、Ａｌ−１％Ｓｉ膜を形成した後、フ
ォトレジスト工程とドライエツチング工程とによって配
線パターン３を形成し、ＣＶＤによってＡΩが添加され
た燐ガラス４を１−堆積する。
次いでプラズマＣＶＤによって窒化珪素膜５を０．３゜
堆積することによって第１図の構造を得る。
堆積することによって第１図の構造を得る。
Ａｌが添加されたＳｉＯ□系ガラスをＣＶＤによって形
成するには、Ｓｉｎ、系ガラスの原料ガスにＡｆｌ有機
化合物（トリイソブチルアルミニウムやトリメチルアル
ミニウム等）を混入させればよい、また、５１０１系ガ
ラスをＣｖＯによって形成した後にＡｌをイオン注入し
てもよい。
成するには、Ｓｉｎ、系ガラスの原料ガスにＡｆｌ有機
化合物（トリイソブチルアルミニウムやトリメチルアル
ミニウム等）を混入させればよい、また、５１０１系ガ
ラスをＣｖＯによって形成した後にＡｌをイオン注入し
てもよい。
上記のＡｌ系配線は、４５０＠Ｃ程度の熱処理ではボイ
ドの発生が見られなかった。
ドの発生が見られなかった。
以上のように本発明によれば４００〜５００℃の温度に
晒されてもボイド発生のない半導体集積回路のｉ系配線
を得ることができる効果を有するものである。
晒されてもボイド発生のない半導体集積回路のｉ系配線
を得ることができる効果を有するものである。
第１図は本発明を説明する模式図である。
１・・・層間絶縁［２・・・基板
３・・・配線パターン ４・・・Ａｌを添加した燐ガ
ラス５・・・窒化珪素膜
ラス５・・・窒化珪素膜
Claims (1)
- （１）半導体集積回路のＡｌ系配線にＡｌを添加したＳ
ｉＯ＿２系ガラスの保護膜を有することを特徴とするア
ルミニウム系配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23772488A JPH07112009B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23772488A JPH07112009B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284726A true JPH0284726A (ja) | 1990-03-26 |
| JPH07112009B2 JPH07112009B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=17019553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23772488A Expired - Lifetime JPH07112009B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | アルミニウム系配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112009B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23772488A patent/JPH07112009B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07112009B2 (ja) | 1995-11-29 |
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