JPH07113033B2 - 4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH07113033B2 JPH07113033B2 JP2057274A JP5727490A JPH07113033B2 JP H07113033 B2 JPH07113033 B2 JP H07113033B2 JP 2057274 A JP2057274 A JP 2057274A JP 5727490 A JP5727490 A JP 5727490A JP H07113033 B2 JPH07113033 B2 JP H07113033B2
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- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、医薬、農薬等のファインケミカルズの合成中
間体として有用な4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペン
テン誘導体及びその製造方法に関するものである。〔従
来の技術〕 本発明に係る4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテン
誘導体は新規な化合物であり、その製造方法は知られて
いない。
間体として有用な4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペン
テン誘導体及びその製造方法に関するものである。〔従
来の技術〕 本発明に係る4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテン
誘導体は新規な化合物であり、その製造方法は知られて
いない。
本発明は、安価かつ大量に入手可能な原料を用い温和な
条件で、新規な4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテ
ン誘導体を製造することをその課題とする。
条件で、新規な4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテ
ン誘導体を製造することをその課題とする。
本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結
果、o−ビス(ジアルキルシリル)ベンゼン化合物と−
置換オレフィンとを、特定の触媒の存在下に反応させる
ことにより、前記の4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロベ
ンゼン誘導体が得られることを見い出し、これに基づき
本発明を完成するに至った。
果、o−ビス(ジアルキルシリル)ベンゼン化合物と−
置換オレフィンとを、特定の触媒の存在下に反応させる
ことにより、前記の4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロベ
ンゼン誘導体が得られることを見い出し、これに基づき
本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は (1)一般式(I) (但し式中のR1,R2,R3及びR4はそれぞれ同一又は異なっ
た、低級アルキル基もしくは水素原子、R5はフェニル基
である。)で表わされる4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシク
ロペンテン誘導体、及び (2)一般式(II) (但し式中のR1,R2,R3及びR4はそれぞれ同一又は異なっ
たアルキル基もしくは水素原子である)で表わされる化
合物と、一般式(III) CH2=CHR5 (但し式中のR5はアルキル基、アリール基またはアルコ
キシカルボニル基である)で表わされるオレフィン化合
物とを、ホスフィン配位子を有する白金錯体触媒(ただ
しこのホスフィン配位子は初めから白金上に配位する形
で含まれていても、別々に添加する形でもよい)の存在
下に反応させることを特徴とする、 一般式(IV) (但し式中のR1,R2,R3,R4及びR5は前記と同じ意味を持
つ)で表わされる4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペン
テン誘導体の製造方法 を提供するものである。
た、低級アルキル基もしくは水素原子、R5はフェニル基
である。)で表わされる4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシク
ロペンテン誘導体、及び (2)一般式(II) (但し式中のR1,R2,R3及びR4はそれぞれ同一又は異なっ
たアルキル基もしくは水素原子である)で表わされる化
合物と、一般式(III) CH2=CHR5 (但し式中のR5はアルキル基、アリール基またはアルコ
キシカルボニル基である)で表わされるオレフィン化合
物とを、ホスフィン配位子を有する白金錯体触媒(ただ
しこのホスフィン配位子は初めから白金上に配位する形
で含まれていても、別々に添加する形でもよい)の存在
下に反応させることを特徴とする、 一般式(IV) (但し式中のR1,R2,R3,R4及びR5は前記と同じ意味を持
つ)で表わされる4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペン
テン誘導体の製造方法 を提供するものである。
本発明の前記(2)の製造方法において出発原料として
用いられる一般式(II)で表わされる化合物の中のR1,R
2,R3及びR4はそれぞれメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等のアルキル基または水素原子であって、
これらはいずれも互いに同一であっても、相異なってい
てもよい。また、この一般式(II)の中のベンゼン環
は、反応に対して不活性の置換基によって置換されてい
てもよい。従って、一般式(II)の化合物の例として
は、o−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン、o−ビス
(ジエチルシリル)ベンゼン、o−ビス(ジプロピルシ
リル)ベンゼン、o−ビス(ジブチルシリル)ベンゼ
ン、o−(ジメチルシリル)(ジエチルシリル)ベンゼ
ン、o−ビス(メチルエチルシリル)ベンゼン、1−ジ
メチルシリル−2−ジエチルシリルベンゼン、1,2−ビ
ス(ジメチルシリル)−3−メチルベンゼン、1,2−ビ
ス(ジメチルシリル)−3−エチルベンゼン、1,2−ビ
ス(ジメチルシリル)−3−クロロベンゼン、o−ビス
(メチルシリル)ベンゼン等が挙げられる。
用いられる一般式(II)で表わされる化合物の中のR1,R
2,R3及びR4はそれぞれメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等のアルキル基または水素原子であって、
これらはいずれも互いに同一であっても、相異なってい
てもよい。また、この一般式(II)の中のベンゼン環
は、反応に対して不活性の置換基によって置換されてい
てもよい。従って、一般式(II)の化合物の例として
は、o−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン、o−ビス
(ジエチルシリル)ベンゼン、o−ビス(ジプロピルシ
リル)ベンゼン、o−ビス(ジブチルシリル)ベンゼ
ン、o−(ジメチルシリル)(ジエチルシリル)ベンゼ
ン、o−ビス(メチルエチルシリル)ベンゼン、1−ジ
メチルシリル−2−ジエチルシリルベンゼン、1,2−ビ
ス(ジメチルシリル)−3−メチルベンゼン、1,2−ビ
ス(ジメチルシリル)−3−エチルベンゼン、1,2−ビ
ス(ジメチルシリル)−3−クロロベンゼン、o−ビス
(メチルシリル)ベンゼン等が挙げられる。
本発明で一般式(II)の化合物と反応させる一置換オレ
フィンは一般式(III)の中のR5がメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシ
ル基、ベンジル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基等のアリール基、メトキシカルボニル基などのアル
コキシカルボニル基であるものが挙げられる。このよう
な一置換オレフィンを例示すると、プロピレン、1−ブ
テン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、ビ
ニルシクロヘキサン、3−フェニルプロペン、スチレ
ン、p−メチルスチレン、1−ビニルナフタレン、アク
リル酸メチル等が挙げられる。
フィンは一般式(III)の中のR5がメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシ
ル基、ベンジル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基等のアリール基、メトキシカルボニル基などのアル
コキシカルボニル基であるものが挙げられる。このよう
な一置換オレフィンを例示すると、プロピレン、1−ブ
テン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、ビ
ニルシクロヘキサン、3−フェニルプロペン、スチレ
ン、p−メチルスチレン、1−ビニルナフタレン、アク
リル酸メチル等が挙げられる。
本発明の方法においては、一般式(II)で表わされる化
合物と一般式(III)で表わされる一置換オレフィンと
の量関係は通常モル比で1/100〜100の範囲で実施され、
好ましくは1/10〜10の範囲であるが、プロピレンのよう
にガス状の原料を用いる場合はこの範囲を越えて使用し
ても差し支えなく、また該ガス状原料を反応系中にバブ
ルする方法も本発明の有利な態様を考えるべきである。
合物と一般式(III)で表わされる一置換オレフィンと
の量関係は通常モル比で1/100〜100の範囲で実施され、
好ましくは1/10〜10の範囲であるが、プロピレンのよう
にガス状の原料を用いる場合はこの範囲を越えて使用し
ても差し支えなく、また該ガス状原料を反応系中にバブ
ルする方法も本発明の有利な態様を考えるべきである。
本発明の方法においては、一般式(II)で表わされる化
合物と一般式(III)で表わされる一置換オレフィンと
の反応を、ホスフィン配位子を有する前記の白金触媒
(ただしこのホスフィン配位子は初めから遷移金属錯体
上に配位する形で含まれていても、別々に添加する形で
もよい)の存在下で行なうことが必要である。このよう
なホスフィン配位子の例としては、トリフェニルホスフ
ィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、
ジフェニルメチルホスフィン、フェニツジメチルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン等を挙げることができる。
合物と一般式(III)で表わされる一置換オレフィンと
の反応を、ホスフィン配位子を有する前記の白金触媒
(ただしこのホスフィン配位子は初めから遷移金属錯体
上に配位する形で含まれていても、別々に添加する形で
もよい)の存在下で行なうことが必要である。このよう
なホスフィン配位子の例としては、トリフェニルホスフ
ィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、
ジフェニルメチルホスフィン、フェニツジメチルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン等を挙げることができる。
従って本発明で用いるホスフィン配位子を含む白金触媒
の例として、(η−エチレン)ビス(トリフェニルホス
フィン)白金、テトラキス(ジフェニルメチルホスフィ
ン)白金、ジクロロビス(フェニルジメチルホフフィ
ン)白金、クロロヒドリドビス(トリブチルホフフィ
ン)白金、ジブロモビス(トリエチルホスフィン)白
金、ジカルボニルビス(トリブチルホスフィン)白金、
カルボナトビス(トリシクロヘキシルホスフィン)白
金、ジフェニルアセチレンビス(トリフェニルホスフィ
ン)白金、ビス(ジベンジリデンアセトン)ビス(トリ
フェニルホスフィン)白金等が挙げられるが、これに制
限されるものではない。
の例として、(η−エチレン)ビス(トリフェニルホス
フィン)白金、テトラキス(ジフェニルメチルホスフィ
ン)白金、ジクロロビス(フェニルジメチルホフフィ
ン)白金、クロロヒドリドビス(トリブチルホフフィ
ン)白金、ジブロモビス(トリエチルホスフィン)白
金、ジカルボニルビス(トリブチルホスフィン)白金、
カルボナトビス(トリシクロヘキシルホスフィン)白
金、ジフェニルアセチレンビス(トリフェニルホスフィ
ン)白金、ビス(ジベンジリデンアセトン)ビス(トリ
フェニルホスフィン)白金等が挙げられるが、これに制
限されるものではない。
またこれらホスフィン配位子を含む白金錯体触媒を用い
る代わりに、ホスフィン配位子を含まない白金錯体触媒
に、ホスフィン配位子を添加するという方法も、本発明
の有利な態様に含まれる。このような白金錯体触媒の例
としては、ジクロロ(テトラメチルエチレンジアミン)
白金、ジクロロビス(ベンゾニトリル)白金、トリス
(ジベンジリデンアセトン)二白金、ビス(シクロオク
タジエ)白金等が挙げられるが、これに制限されるもの
ではない。
る代わりに、ホスフィン配位子を含まない白金錯体触媒
に、ホスフィン配位子を添加するという方法も、本発明
の有利な態様に含まれる。このような白金錯体触媒の例
としては、ジクロロ(テトラメチルエチレンジアミン)
白金、ジクロロビス(ベンゾニトリル)白金、トリス
(ジベンジリデンアセトン)二白金、ビス(シクロオク
タジエ)白金等が挙げられるが、これに制限されるもの
ではない。
白金錯体触媒の使用量はいわゆる触媒量でよく、ヒドロ
シランに対するモル比で、000001〜0.5の範囲で使用さ
れる。
シランに対するモル比で、000001〜0.5の範囲で使用さ
れる。
本発明の反応は特に溶媒を使用する事なく、反応に供す
べき一般式(II)で表わされる化合物と一般式(III)
で表わされる一置換オレフィンとの混合物を用いる事に
より容易に実施される。しかし、溶媒を用いることは本
反応の生起にとって障害となるものでなく、必要に応じ
溶媒中で実施される。これらの溶媒の選択は反応させる
べき一般式(II)で表わされる化合物の反応性や沸点、
及び一般式(III)で表わされる一置換オレフィン類の
沸点等を考慮して一般に用いられる溶媒、例えば炭化水
素系、またはエーテル系の溶媒の中から選ぶのが好まし
い。本発明の反応は0℃以下でも進行するが、好ましい
速度を達するためには250℃までの温度に加熱すること
もできる。原料物質の構造にもよるが、一般的に好まし
い温度領域は0.150℃である。
べき一般式(II)で表わされる化合物と一般式(III)
で表わされる一置換オレフィンとの混合物を用いる事に
より容易に実施される。しかし、溶媒を用いることは本
反応の生起にとって障害となるものでなく、必要に応じ
溶媒中で実施される。これらの溶媒の選択は反応させる
べき一般式(II)で表わされる化合物の反応性や沸点、
及び一般式(III)で表わされる一置換オレフィン類の
沸点等を考慮して一般に用いられる溶媒、例えば炭化水
素系、またはエーテル系の溶媒の中から選ぶのが好まし
い。本発明の反応は0℃以下でも進行するが、好ましい
速度を達するためには250℃までの温度に加熱すること
もできる。原料物質の構造にもよるが、一般的に好まし
い温度領域は0.150℃である。
反応後の生成物の分離は未反応原料等を蒸留等で分離
後、精留、再結晶、クロマトグラフィー等に付すことで
容易に実施される。
後、精留、再結晶、クロマトグラフィー等に付すことで
容易に実施される。
本発明によれば、一般式(II)で表わされる化合物と、
一般式(III)で表わされる一置換オレフィンから容易
に一般式(IV)で表わされる4,5−ベンゾ−1,3−ジシラ
シクロペンテン誘導体が得られ、その産業的意義は多大
である。
一般式(III)で表わされる一置換オレフィンから容易
に一般式(IV)で表わされる4,5−ベンゾ−1,3−ジシラ
シクロペンテン誘導体が得られ、その産業的意義は多大
である。
[実施例] 次に本発明を実施例によって更に詳細に説明する。
実施例1 Pt(CH2=CH2)(PPh3)2を0.005mモル及びo−ビス
(ジメチルシリルベンゼンを0.25mモル含むベンゼン溶
液2mlに30℃にて、スチレンを0.25mモル含むベンゼン溶
液2mlを加え、30℃に撹拌し、反応させた。19時間反応
させた後濃縮し、蒸留すると1,1,3,3−テトラメチル−
2−ベンジル−1,3−ベンゾジシロランが収率88%で得
られた。
(ジメチルシリルベンゼンを0.25mモル含むベンゼン溶
液2mlに30℃にて、スチレンを0.25mモル含むベンゼン溶
液2mlを加え、30℃に撹拌し、反応させた。19時間反応
させた後濃縮し、蒸留すると1,1,3,3−テトラメチル−
2−ベンジル−1,3−ベンゾジシロランが収率88%で得
られた。
本化合物は文献に未収載の新規化合物であり、その物性
値、スペクトルデータは以下の通りであった。
値、スペクトルデータは以下の通りであった。
沸点:110/1mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR(CDCl3:δ7.6−7.2(9H,m),2.93(2H,d J=
8.5HZ),0.74(1H,t J=8.5HZ),0.21(6H,s),0.15
(6H,s) GC−MS;296(M+,2),281(100) IR;第1図 実施例2 温度を120℃にして実施例1と同様に反応を行った。2
時間後1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベ
ンゾジシロランが94%の収率で得られた。
8.5HZ),0.74(1H,t J=8.5HZ),0.21(6H,s),0.15
(6H,s) GC−MS;296(M+,2),281(100) IR;第1図 実施例2 温度を120℃にして実施例1と同様に反応を行った。2
時間後1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベ
ンゾジシロランが94%の収率で得られた。
第1図は、本発明の実施例1により合成した1,1,3,3−
テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベンゾジシロラン
の赤外吸収スペクトルを液膜法で測定したものであり、
縦軸は透過率(%)であり、横軸は波数(cm-1)であ
る。
テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベンゾジシロラン
の赤外吸収スペクトルを液膜法で測定したものであり、
縦軸は透過率(%)であり、横軸は波数(cm-1)であ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(I) (但し式中のR1,R2,R3及びR4はそれぞれ同一又は異なっ
た、低級アルキル基もしくは水素原子、R5はフェニル基
である。)で表わされる4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシク
ロペンテン誘導体。 - 【請求項2】一般式(II) (但し式中のR1,R2,R3及びR4はそれぞれ同一又は異なっ
たアルキル基もしくは水素原子である)で表わされる化
合物と、一般式(III) CH2=CHR5 (但し式中のR5はアルキル基、アリール基またはアルコ
キシカルボニル基である)で表わされるオレフィン化合
物とを、ホスフィン配位子を有する白金錯体触媒(ただ
しこのホスフィン配位子は初めから白金上に配位する形
で含まれていても、別々に添加する形でもよい)の存在
下に反応させることを特徴とする、 一般式(IV) (但し式中のR1,R2,R3,R4及びR5は前記と同じ意味を持
つ)で表わされる4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペン
テン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057274A JPH07113033B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057274A JPH07113033B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテン誘導体及びその製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7066627A Division JP2690038B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | ベンゾ−1,4−ジシラシクロヘキセン誘導体及びその製造方法 |
| JP7066625A Division JP2690037B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 5,6−ベンゾ−1,4−ジシラシクロヘキセン誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03258788A JPH03258788A (ja) | 1991-11-19 |
| JPH07113033B2 true JPH07113033B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=13050955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2057274A Expired - Lifetime JPH07113033B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07113033B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP2057274A patent/JPH07113033B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03258788A (ja) | 1991-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |